JPS6235666B2 - - Google Patents
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- JPS6235666B2 JPS6235666B2 JP17976483A JP17976483A JPS6235666B2 JP S6235666 B2 JPS6235666 B2 JP S6235666B2 JP 17976483 A JP17976483 A JP 17976483A JP 17976483 A JP17976483 A JP 17976483A JP S6235666 B2 JPS6235666 B2 JP S6235666B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体集積回路等の製造工程におい
て使用されるフオトマスクのパターン修正方法、
特にパターンの白欠陥部分の修正方法に関するも
のである。
て使用されるフオトマスクのパターン修正方法、
特にパターンの白欠陥部分の修正方法に関するも
のである。
この白欠陥部分とは、金属薄膜パターンが形成
されるべき領域においてその金属薄膜が欠けてい
る箇所のことであり、例えば第１図に示すよう
に、ガラス基板１上にＦ字状の金属パターン２が
形成されている場合に、その金属パターンの存在
すべき領域内において白欠陥部分３が存在してい
る。このような白欠陥部分３を有するフオトマス
クは、これを半導体集積回路の製造工程に使用し
た場合、集積回路パターンに断線等を引き起こす
原因になるため、その白欠陥部分３を修正しなけ
ればならない。
されるべき領域においてその金属薄膜が欠けてい
る箇所のことであり、例えば第１図に示すよう
に、ガラス基板１上にＦ字状の金属パターン２が
形成されている場合に、その金属パターンの存在
すべき領域内において白欠陥部分３が存在してい
る。このような白欠陥部分３を有するフオトマス
クは、これを半導体集積回路の製造工程に使用し
た場合、集積回路パターンに断線等を引き起こす
原因になるため、その白欠陥部分３を修正しなけ
ればならない。
このような白欠陥部分を有するフオトマスクの
パターン修正方法としては、第２図に示すような
工程が提案されている。すなわち、第２図ａにお
いて、金属薄膜パターン２側のガラス基板１の主
面上と白欠陥部分３を含む金属薄膜パターン２上
とにポジ型レジスト４を被覆し、同図ｂにおい
て、ポジ型レジスト４側から露光機（図示せず）
のステージをセツトし、露光マスク５のスリツト
サイズを白欠陥部分３の寸法より大きく、かつ金
属薄膜パターン２の幅寸法以下に開いて、例えば
高圧水銀灯光で白欠陥部分３周辺のレジスト部分
を前述したスリツトを通して露光部分８を形成す
る。次に、同図ｃにおいて、現像液により現像し
て、前述した露光部分８を除去して、白欠陥部分
３とレジスト除去部分９を形成し、同図ｄにおい
て、レジスト４側、特に白欠陥部分３とレジスト
除去部分９上に新たな金属薄膜１０を形成し、そ
して同図ｅにおいて、レジスト剥離液によりレジ
スト４を剥離することにより、レジスト４上の金
属薄膜１０も同時に剥離されて、前述した白欠陥
部分３とその周辺のレジスト除去部分９にそれぞ
れ金属薄膜部分１１と１２が付着したまま残る。
パターン修正方法としては、第２図に示すような
工程が提案されている。すなわち、第２図ａにお
いて、金属薄膜パターン２側のガラス基板１の主
面上と白欠陥部分３を含む金属薄膜パターン２上
とにポジ型レジスト４を被覆し、同図ｂにおい
て、ポジ型レジスト４側から露光機（図示せず）
のステージをセツトし、露光マスク５のスリツト
サイズを白欠陥部分３の寸法より大きく、かつ金
属薄膜パターン２の幅寸法以下に開いて、例えば
高圧水銀灯光で白欠陥部分３周辺のレジスト部分
を前述したスリツトを通して露光部分８を形成す
る。次に、同図ｃにおいて、現像液により現像し
て、前述した露光部分８を除去して、白欠陥部分
３とレジスト除去部分９を形成し、同図ｄにおい
て、レジスト４側、特に白欠陥部分３とレジスト
除去部分９上に新たな金属薄膜１０を形成し、そ
して同図ｅにおいて、レジスト剥離液によりレジ
スト４を剥離することにより、レジスト４上の金
属薄膜１０も同時に剥離されて、前述した白欠陥
部分３とその周辺のレジスト除去部分９にそれぞ
れ金属薄膜部分１１と１２が付着したまま残る。
ここで、金属薄膜部分１１は白欠陥部分３を修
正したものであるが、金属薄膜部分１２は、白欠
陥部分３周辺の未欠陥部分である金属薄膜パター
ン２上に形成されたものであることから、第２図
ｅに示すように断面的に見て突出形状になつてい
る。
正したものであるが、金属薄膜部分１２は、白欠
陥部分３周辺の未欠陥部分である金属薄膜パター
ン２上に形成されたものであることから、第２図
ｅに示すように断面的に見て突出形状になつてい
る。
このような突出形状の金属薄膜部分１２は金属
薄膜部分１１と共に欠けやすいため、再び白欠陥
を起こすおそれがあり、欠けた金属薄膜部分１
１，１２はともすればガラス基板上に乗り、黒欠
陥部分（金属薄膜パターンが形成されるべき領域
以外の領域に存在する金属薄膜部分をいう。）を
発生しがちであつた。一方、この金属薄膜部分１
２を小さくするには、前述した露光マスク５のス
リツトサイズを限りなく白欠陥部分３の寸法に近
づけることが考えられるが、そのようなスリツト
サイズの調整は煩雑であるばかりでなく、歩留り
低下を招きやすい。
薄膜部分１１と共に欠けやすいため、再び白欠陥
を起こすおそれがあり、欠けた金属薄膜部分１
１，１２はともすればガラス基板上に乗り、黒欠
陥部分（金属薄膜パターンが形成されるべき領域
以外の領域に存在する金属薄膜部分をいう。）を
発生しがちであつた。一方、この金属薄膜部分１
２を小さくするには、前述した露光マスク５のス
リツトサイズを限りなく白欠陥部分３の寸法に近
づけることが考えられるが、そのようなスリツト
サイズの調整は煩雑であるばかりでなく、歩留り
低下を招きやすい。
本発明は上記したような欠点を除去するために
なされたものであり、その目的は、修正のための
金属薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状
に形成すると共に、白欠陥部分に埋設形成し、か
つ容易に行うことのできるフオトマスクのパター
ン修正方法を提供することである。
なされたものであり、その目的は、修正のための
金属薄膜を形成済の金属薄膜パターン上に平坦状
に形成すると共に、白欠陥部分に埋設形成し、か
つ容易に行うことのできるフオトマスクのパター
ン修正方法を提供することである。
このような目的を達成させるため、本発明によ
るフオトマスクのパターン修正方法は、白欠陥を
有する金属薄膜パターン側のガラス基板の一方の
主面上に、後記する露光・現像工程において前記
白欠陥に対して実質的に未露光になる解像度を有
するネガ型レジストを被覆する工程と、前記ガラ
ス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パターン
を通して前記ネガ型フオトレジストを露光する工
程と、前記ネガ型フオトレジストを現像して前記
金属薄膜パターン上と前記白欠陥部分上に対する
未露光部分を除去する工程と、前記ネガ型レジス
トの露光部分が被覆されている面上と前記除去に
よる前記金属薄膜パターン上とに新たな遮光性の
金属薄膜を形成する工程と、前記露光部分のネガ
型フオトレジストを剥離する工程を必須構成とし
ている。
るフオトマスクのパターン修正方法は、白欠陥を
有する金属薄膜パターン側のガラス基板の一方の
主面上に、後記する露光・現像工程において前記
白欠陥に対して実質的に未露光になる解像度を有
するネガ型レジストを被覆する工程と、前記ガラ
ス基板の他方の主面側から前記金属薄膜パターン
を通して前記ネガ型フオトレジストを露光する工
程と、前記ネガ型フオトレジストを現像して前記
金属薄膜パターン上と前記白欠陥部分上に対する
未露光部分を除去する工程と、前記ネガ型レジス
トの露光部分が被覆されている面上と前記除去に
よる前記金属薄膜パターン上とに新たな遮光性の
金属薄膜を形成する工程と、前記露光部分のネガ
型フオトレジストを剥離する工程を必須構成とし
ている。
以下、実施例図面を参照して本発明を詳細に説
明する。
明する。
第３図は、透光性のアルミノボロシリケートガ
ラス（（株）保谷硝子製：LE−30）等から製作さ
れたガラス基板１の主面上に、遮光性金属薄膜と
してクロム（Cr）等の金属薄膜パターン２（膜
厚：約700Å）を真空蒸着等により所定形状に形
成した場合、その金属薄膜パターン２に白欠陥部
分３（寸法：３μｍ）を有する事例を示し、同図
ａにおいて、ネガ型フオトレジスト４（例えば、
東京応化工業（株）製：OMR−83、膜厚：約
7000Å）を、金属薄膜パターン２の形成されてい
る以外の領域における前記ガラス基板の一方の主
面上（白欠陥部分３を有するガラス基板表面部分
を含む。）と金属薄膜パターン２上とに被覆す
る。このレジスト４の解像度が、白欠陥部分３の
寸法を解像しない程度であれば、後の露光・現像
工程において白欠陥部分３があたかも存在してい
ない、換言すれば未露光と同様に作用する。一般
に、ネガ型レジストの解像度は、そのレジストに
ついて所定の露光・現像条件において求められた
最高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸
法値（３μｍ）以上に選定した場合、その白欠陥
部分３に対して未露光部分として取り扱われる。
なお、露光・現像の各条件を変えた場合には、レ
ジストの解像度も増大することがあることから、
必ずしも個々のレジスト材料に挙げられた解像度
に限定されず、本発明におけるネガ型レジストの
解像度は、後の露光・現像工程において白欠陥部
分に対して実質的に未露光部分として作用する程
度であればよい。
ラス（（株）保谷硝子製：LE−30）等から製作さ
れたガラス基板１の主面上に、遮光性金属薄膜と
してクロム（Cr）等の金属薄膜パターン２（膜
厚：約700Å）を真空蒸着等により所定形状に形
成した場合、その金属薄膜パターン２に白欠陥部
分３（寸法：３μｍ）を有する事例を示し、同図
ａにおいて、ネガ型フオトレジスト４（例えば、
東京応化工業（株）製：OMR−83、膜厚：約
7000Å）を、金属薄膜パターン２の形成されてい
る以外の領域における前記ガラス基板の一方の主
面上（白欠陥部分３を有するガラス基板表面部分
を含む。）と金属薄膜パターン２上とに被覆す
る。このレジスト４の解像度が、白欠陥部分３の
寸法を解像しない程度であれば、後の露光・現像
工程において白欠陥部分３があたかも存在してい
ない、換言すれば未露光と同様に作用する。一般
に、ネガ型レジストの解像度は、そのレジストに
ついて所定の露光・現像条件において求められた
最高値であることから、本例の白欠陥部分３の寸
法値（３μｍ）以上に選定した場合、その白欠陥
部分３に対して未露光部分として取り扱われる。
なお、露光・現像の各条件を変えた場合には、レ
ジストの解像度も増大することがあることから、
必ずしも個々のレジスト材料に挙げられた解像度
に限定されず、本発明におけるネガ型レジストの
解像度は、後の露光・現像工程において白欠陥部
分に対して実質的に未露光部分として作用する程
度であればよい。
次に、同図ｂにおいて、ガラス基板１の他方の
主面側から、紫外光１６（光量：50mj／cm2）を
照射し、金属薄膜パターン２を通して露光する。
この露光により、金属薄膜パターン２が占めてい
る領域以外のレジスト部分は露光部分１４を形成
し、金属薄膜パターン２上のレジスト部分はもと
より、白欠陥部分３上のレジスト部分は未露光部
分１５を形成する。
主面側から、紫外光１６（光量：50mj／cm2）を
照射し、金属薄膜パターン２を通して露光する。
この露光により、金属薄膜パターン２が占めてい
る領域以外のレジスト部分は露光部分１４を形成
し、金属薄膜パターン２上のレジスト部分はもと
より、白欠陥部分３上のレジスト部分は未露光部
分１５を形成する。
次に、同図ｃにおいて、ネガ型レジスト１３に
応じた専用現像液により現像処理され、未露光部
分１５は除去され、露光部分１４はほぼ半分の厚
さの残存レジスト部分１７を形成する。その結
果、金属薄膜パターン２と白欠陥部分３は露出す
る。
応じた専用現像液により現像処理され、未露光部
分１５は除去され、露光部分１４はほぼ半分の厚
さの残存レジスト部分１７を形成する。その結
果、金属薄膜パターン２と白欠陥部分３は露出す
る。
次に、同図ｄにおいて、新たなクロム等の遮光
性金属薄膜１８（膜厚：約700Å）を残存レジス
ト部分１８と金属薄膜パターン２（白欠陥部分３
を含む。）上に真空蒸着等により形成する。
性金属薄膜１８（膜厚：約700Å）を残存レジス
ト部分１８と金属薄膜パターン２（白欠陥部分３
を含む。）上に真空蒸着等により形成する。
そして、同図ｅにおいて、使用したネガ型レジ
ストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸化水素
水と熱濃硫酸の混合液）により残存レジスト部分
１７を剥離し、その残存レジスト部分１７上の金
属薄膜１８をも同時に剥離して、新たな金属薄膜
１９を金属薄膜パターン２上に形成すると共に、
白欠陥部分３に埋設形成する。
ストに応じたレジスト剥離液（本例：過酸化水素
水と熱濃硫酸の混合液）により残存レジスト部分
１７を剥離し、その残存レジスト部分１７上の金
属薄膜１８をも同時に剥離して、新たな金属薄膜
１９を金属薄膜パターン２上に形成すると共に、
白欠陥部分３に埋設形成する。
以上のとおり、本発明によれば、再欠陥の発生
原因となる金属薄膜パターン上の突出部分を除去
し、修正すべき金属薄膜を金属薄膜パターンと白
欠陥部分にほぼ平坦状に形成し、かつ露光工程に
おいて露光径の調整を不用にして、修正方法を容
易にすることができる。
原因となる金属薄膜パターン上の突出部分を除去
し、修正すべき金属薄膜を金属薄膜パターンと白
欠陥部分にほぼ平坦状に形成し、かつ露光工程に
おいて露光径の調整を不用にして、修正方法を容
易にすることができる。
なお、本発明における材質は前述した実施例に
限定されず、例えばガラス基板についてソーダラ
イムガラス、合成石英等、金属薄膜について酸化
クロム、モリブデン、タングステン、チタン等の
薄膜、及び成膜法としてスパツタリング、イオン
プレーテイング等を使用してもよい。
限定されず、例えばガラス基板についてソーダラ
イムガラス、合成石英等、金属薄膜について酸化
クロム、モリブデン、タングステン、チタン等の
薄膜、及び成膜法としてスパツタリング、イオン
プレーテイング等を使用してもよい。
第１図は白欠陥部分を有する金属薄膜パターン
を形成したフオトマスクを示し、同図ａは正面図
及び同図ｂは断面図である。第２図は従来の白欠
陥部分の修正に係るフオトマスクの製造工程を示
す断面図である。第３図は本発明による一実施例
であるフオトマスクのパターン修正方法を示す断
面図である。 １……ガラス基板、２……金属薄膜パターン、
３……白欠陥部分、１３……ネガ型フオトレジス
ト、１４……レジストの露光部分、１５……レジ
ストの未露光部分、１６……紫外光、１７……残
存レジスト部分、１８……新たな金属薄膜、１９
……剥離後の新たな金属薄膜。
を形成したフオトマスクを示し、同図ａは正面図
及び同図ｂは断面図である。第２図は従来の白欠
陥部分の修正に係るフオトマスクの製造工程を示
す断面図である。第３図は本発明による一実施例
であるフオトマスクのパターン修正方法を示す断
面図である。 １……ガラス基板、２……金属薄膜パターン、
３……白欠陥部分、１３……ネガ型フオトレジス
ト、１４……レジストの露光部分、１５……レジ
ストの未露光部分、１６……紫外光、１７……残
存レジスト部分、１８……新たな金属薄膜、１９
……剥離後の新たな金属薄膜。
Claims (1)
- １ 透光性のガラス基板の一方の主面上に形成さ
れた遮光性の金属薄膜パターンに白欠陥部分を有
するフオトマスクのパターン修正方法において、
前記金属薄膜パターンの形成されている以外の領
域における前記ガラス基板の一方の主面上と前記
金属薄膜パターン上とに、後記する露光・現像工
程において前記白欠陥部分に対して実質的に未露
光になる解像度を有するネガ型フオトレジストを
被覆する工程と、前記ガラス基板の他方の主面側
から前記金属薄膜パターンを通して前記ネガ型フ
オトレジストを露光する工程と、前記ネガ型フオ
トレジストを現像して前記金属薄膜パターン上と
前記白欠陥部分上に対する未露光部分を除去する
工程と、前記ネガ型レジストの露光部分が被覆さ
れている面上と前記除去による前記金属薄膜パタ
ーン上とに新たな遮光性の金属薄膜を形成する工
程と、前記露光部分のネガ型フオトレジストを剥
離する工程とを含むことを特徴とするフオトマス
クのパターン修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58179764A JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075836A JPS6075836A (ja) | 1985-04-30 |
| JPS6235666B2 true JPS6235666B2 (ja) | 1987-08-03 |
Family
ID=16071474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58179764A Granted JPS6075836A (ja) | 1983-09-28 | 1983-09-28 | フォトマスクのパタ−ン修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075836A (ja) |
-
1983
- 1983-09-28 JP JP58179764A patent/JPS6075836A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075836A (ja) | 1985-04-30 |
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