JPS6046558A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPS6046558A JPS6046558A JP58154058A JP15405883A JPS6046558A JP S6046558 A JPS6046558 A JP S6046558A JP 58154058 A JP58154058 A JP 58154058A JP 15405883 A JP15405883 A JP 15405883A JP S6046558 A JPS6046558 A JP S6046558A
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔発明の利用分野〕
本発明は、特に半導体の製造に使用される、細小投影式
アライナ等の露光装置において、露光位置にセットした
状態のレチクルやマスクに装着された異物付着防止膜の
微小異物を検出するに好適な露光装置に関する。 〔発明の背景〕 半導体夷造に用いられる縮小投影式アライナに、第１図
のように、レチクル１に紫外線２を照射し、レチクル上
のノｆターン３を縮小レンズ４を介し、ウェハ５上に縮
小投影し、ステップ・アンド−リピート駆動しながら、
ウェハ全面の露光をするものである。レチクル面上に異
物６が存在すると、ウェハ上の／４’ターン７のすべて
に異物の像８が転写されるため、全チップが不良となる
場合がある。 したがって、レチクル面上の異物検査に、歩留り向上の
上で欠かせない。従−米、レチクル面上の異物検ｆは、
実際に微光されたウェハのノ９ターンを顕微鏡を用いて
、目視横置することにより行なっていたが、一枚のウニ
への検査に１時間近くもかかり、作業者にとって、精神
的にも肉体的にも、大きな負担となっていた。 レチクル自動交換機能を持った縮小投影式アライナでは
、レチクル収納部と露光位置をつなぐ搬送途中に、レー
ザ走査式のレチクル面上自動異物検査装置が備えられて
いるが、同じ１／チクルを用いて長期間露光を行なう場
合でも、ウェハの一部ロット毎にレチクルを取り出し、
搬送途中の検査装置に戻して検査を行なう必要があるた
め、搬送時での異物付着の可能性や、検査毎にレチクル
・アライメント’にやり直す必要がある等の欠点があっ
た。また、この種の検査装置は、装置自体が複雑なため
、露光位置に設置しようとしても不可能であり、また異
物付着防止膜全装着
アライナ等の露光装置において、露光位置にセットした
状態のレチクルやマスクに装着された異物付着防止膜の
微小異物を検出するに好適な露光装置に関する。 〔発明の背景〕 半導体夷造に用いられる縮小投影式アライナに、第１図
のように、レチクル１に紫外線２を照射し、レチクル上
のノｆターン３を縮小レンズ４を介し、ウェハ５上に縮
小投影し、ステップ・アンド−リピート駆動しながら、
ウェハ全面の露光をするものである。レチクル面上に異
物６が存在すると、ウェハ上の／４’ターン７のすべて
に異物の像８が転写されるため、全チップが不良となる
場合がある。 したがって、レチクル面上の異物検査に、歩留り向上の
上で欠かせない。従−米、レチクル面上の異物検ｆは、
実際に微光されたウェハのノ９ターンを顕微鏡を用いて
、目視横置することにより行なっていたが、一枚のウニ
への検査に１時間近くもかかり、作業者にとって、精神
的にも肉体的にも、大きな負担となっていた。 レチクル自動交換機能を持った縮小投影式アライナでは
、レチクル収納部と露光位置をつなぐ搬送途中に、レー
ザ走査式のレチクル面上自動異物検査装置が備えられて
いるが、同じ１／チクルを用いて長期間露光を行なう場
合でも、ウェハの一部ロット毎にレチクルを取り出し、
搬送途中の検査装置に戻して検査を行なう必要があるた
め、搬送時での異物付着の可能性や、検査毎にレチクル
・アライメント’にやり直す必要がある等の欠点があっ
た。また、この種の検査装置は、装置自体が複雑なため
、露光位置に設置しようとしても不可能であり、また異
物付着防止膜全装着
【７た場合の１／チクルやマスクに
対応できなかった。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、露光位置にセットしたレチクルやマス
クに異物が付着して起こる不良を低減するため、微小異
物を容易に検出１〜、しかも小型化の可能な異物検査装
置を有する露光装置を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するために、本発明による露光装置に、
レチクルまたはマスク上の回路パターンを光学系を用い
て加工しようとする物体に転写する露光装置において、
露光位置にセットされたレチクルまたにマスクに装着さ
れている異物付着防止膜またはそれと同等の効果を持つ
厚手のレチークルの非パターン面上に存在する微小異物
を検出するため、上記を一様照明するための照明光学装
置と、上記レチクルまたはマスクの周囲の一部に設けら
れた、照明光の上記膜からの正反射光を通過させない窓
を通して異物からの散乱光を検出するための検出光学装
置とから成る異物検査装置を有することを要旨とする。 平滑な面に一様な照明光を照射した場合、面上に異物が
存在すると、光が乱され、側方から見ると、異物の位置
がきらきらと輝く。この光の散乱現象は、異物の大きさ
が数ミクロンのオーダーでも発生するため、異物検出の
有効な手段である。 しかし、一般に、レチクル面上には様々な角度に形成さ
れたノ４’ターンの段差や欠陥パターンを修正した白点
修正や黒点修正があり、これからの散乱光が、微小異物
からの散乱光と混在するため、分離のため、レーザ・ス
ポットの走査等を行なう必要があり、露光位置にセット
した状態で検査するには異物検査装置が大きくなりすぎ
た。 ところで、異物付着防止膜は、第２図および第３図に示
すように金属製の枠９の上に＋トロ士ルローズ等の薄膜
１０ヲ貼ったものである。レチクル１面上に異物６が存
在すると（第４図）、異物の像８はウェハ５上に結ぶた
め、検出すべき異物の大きさは数ミクロンと小さいが、
異物付着防止膜１０上に異物６が存在すると（第５図）
、異物の像８はウェハ５上には結像せず、ぼけるため検
出すべき異物の大きさは数十ミクロンと大きくなる。ま
た、異物付着防止膜上には前述したレチクル面上のノ４
ターン段差や修正箇所もないため、純粋忙異物からの散
乱光のみを抽出でき、異物検査装置の小型化が図れる。 本発明は、このような点に着目し、これまで、不可能と
されていた露光位置における異物検査を、異物付着防止
膜よもしくは、同等の効果を持つ厚手レチクルの非パタ
ーン面上の異物の検出に限定し・実現したものである。 上記膜上を照明する照明光学装置は露光装置の露光照明
光学系を用いることも、これと別に設けることもできる
。また、異物からの散乱光を観察するための上記窓は、
上記膜からの正反射光がはいらないように、照明光学装
置が検査しようとする膜を斜めから照明し、その照明光
を真横から見る位置にあることも、また直線偏光された
照明光を使用し、正反射光の偏光面に垂直な偏光面を有
する成分のみを通過させる偏光板を含むときは、正反射
光かにいる位置にあることもできる。 本発明の有利な実施の態様においては、検出装置ｌｔは
、集光レンズと、微小異物を検出しようとする面の上記
レンズによる結像位置に置かれたりニアセンサとから成
る検出光学系ユニットを有し、上記面の全面検査は上記
ユニットヲ検出方向に対して直角な方向に移動させるこ
とによって行なわれる。 以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。 〔発明の実施例〕 第６図および第７図は、装置を最も小型化するために、
異物検出を目視確認により行なう一実施例を示す。露光
位置にセットされたレチクル１上に装着した異物付着防
止膜１０の斜め方向から一様照明を行なう。この実施例
では、螢光灯１１と照度向上のためのシリンドリカルレ
ンツ１１から成る照明系を採用しているが、光ファイバ
により導光したり、発光ダイオードを並べる等の方法も
使用できる。照明光の波長は短い方が良いが、特に露光
光の波長に近い場合には、ウェハに感光する恐れもある
ため、ウェハのない検査時にのみ照明されるよう、シャ
ッタやスイッチを設ける必要がある。 なお、一様照明を得るため、螢光灯１１の中心をシリン
ドリカルレンズ１２の焦点にあわせ、平行光を得ている
。 異物不着防止膜１０上に異物６が存在すると、散乱光１
３が発生する。この散乱光を照明光と直角方向からガラ
ス窓１４ヲ介して、目視位置１５から観察すると、異物
があればきらきらと光って見える。 なお、゛解明系、検出系とも、上下面の検査のために２
セット設ける必要がある。 この方法でに、数ミクロン程度の小さな異物も光って見
えることがあるため、ガラス窓１４は、光量を低減でき
るＮＤフィルタのようら材質で作るとよい。また、照明
光に紫外線が含まれる場合には、安全のためｑ色フィル
タを挿入する。窓ガラスは、レチクルを密閉状態に置き
、異物付着を防止するために不可欠である。また、露光
時に紫外線が洩るのを防ぐため、シャッタ１６ヲ設け、
検査時のみを開くような機構を設けるのがよい。 照明光としては、第６図のような斜め方向からのものと
、露光用の照明光学系による垂直方向からのものが考え
られる。数十ミクロン程度の異物の場合、両者とも、十
分に異物散乱光を発することができるが、コンタクトホ
ール形成用レチクルのように、レチクル下面への透過光
の少ない場合には、下面の検査は不可能となる。 第８図は、第６図の方法を改良して、異物の自動検出が
できるようにした例である。 照明系は、第６図と同様、螢光灯１１とシリンドリカル
レンズ１２から成る。検出系に、集光レンズ１９とリニ
アセンサ２０ヲのせたユニット１８と、これをＸ方向に
走査するＸステージ１７および異物付着防止のための窓
ガラス１４から成る。 異物付着防止膜１０の面と、集光レンズ】９．リニアセ
ンサ頷の関係は、第９図に示すように、結像関係にあり
、異物付着防止膜１０上の点ＡＩ 、 Ｂｌ 。 ＣＩ 、 ＤＩが、リ−：７−１！ ７す膜上でＡ２
、８２ 、 Ｃ２゜Ｄ２となるよう、 リニアセンサ２
０ｔｌ−集光レンズ１９に対して傾けて設けである。こ
の光学系では、第８図におけるＹｌ−Ｙ２軸のみ検出さ
れるため、異物付着防止膜１０の全面を検査するには、
ユニット１８’ｅＸ方向に走査する必要がある。 第１０図は、Ｎ個の画素を持つリニアセンサ上の一画素
を抽出し、その出カ■全縦軸に、ユニットＸ方向位置を
横軸にプロットしたものである。異物の大小により、散
乱光出力は変化するため、閾値３３ヲ設け、これを越す
ものは欠陥異物３１ 、これ以下のものは無効異物３２
として電気的に処理する必要がある。 閾値３３に、画素毎に異なるため、実際の検出回路は第
１】図のような構成となる。タイミング発生器４０によ
り、画素切替カウンタ４１が変化する。このカウンタか
らの切替信号４２により各画素のアナログ信号がスイッ
チ４３で切り換えられる。カウンタ内容は、閾値メモリ
４４にも送られ、閾値データｔ ＤＩＡ変換器４５でア
ナログ・データに変換され、閾値が設定される。リニア
センサの各画素４６ニ光４７が到達すると電流が発生し
、それが抵抗４８により電圧に変換され、アナログ信号
が得られる。この信号が、コンミ９レータ４９ヲ介して
、閾値と比較され、閾値以上の時、パルス発生回路間に
よりパルスが発生し、カウンタ４１の内容５１がマイク
ロコンピュータ５２へ転送される。タイミング発生器４
０はＸステージ駆動用モータ５３の駆動にも使われ、Ｘ
軸位置カウンタ５４の内容５５もマイクロコンピュータ
５２に送られる。これらのデータをもとに、モニタＩ上
に異物分布マッグ５７が出力され、異物の位置が表示さ
れる。なおリニアセンサ’ｅ走査ｆると同等の機能を固
体カメラ等のイメージセンサで実現することも可能であ
る。 第６図から第１１図の実施例でに、検出系は、照明系か
らの正反射光が到達しない位置に設けられていたが、第
１２図および第１３図は、偏光を用い、正反射光側に検
出系を設けるようにした例である。 螢光灯１】とシリンドリカルレンズ１２から成る前述の
照明系の後に偏光板２１ヲ設け、Ｓ偏光のみを照射する
。検出系は、これと反対側に配置され、ここには、Ｓ偏
５１遮断するための偏光板ｎが設けられる。一般に、異
物付着防止膜１０での反射は正反射である丸め、Ｓ偏光
は保たれ、偏光板ｎで遮断されるが、異物６が存在する
と、散乱光１３では偏光が乱されＰ偏光が発生するため
、偏光板２２を通過し、目視位置１５で観察できる。 なお、偏光板は、第６図における窓ガラス】４の役目も
兼ねる。 本発明に、異物付着防止膜と同等の効果を得るため作ら
れた厚手のレチクルの非パターン面上の微小異物検出や
、縮小投影式アライナ以外の露光装置にも適用可能であ
る。 〔発明の効果〕 以上説明した通り、本発明によれば、露光位置にセット
したままの状態で、レチクルに装着した異物付着防止膜
上の微小異物を容易に検出できるため、これまで必要と
された長時間の目視検査作業を必要とし、作業者を精神
的、肉体的な疲労から開放でき、また、異物検査を常時
性なえるため、歩留りが大幅に向上するなど、半導体製
造分野において大きな効果がある。
対応できなかった。 〔発明の目的〕 本発明の目的は、露光位置にセットしたレチクルやマス
クに異物が付着して起こる不良を低減するため、微小異
物を容易に検出１〜、しかも小型化の可能な異物検査装
置を有する露光装置を提供することにある。 〔発明の概要〕 上記目的を達成するために、本発明による露光装置に、
レチクルまたはマスク上の回路パターンを光学系を用い
て加工しようとする物体に転写する露光装置において、
露光位置にセットされたレチクルまたにマスクに装着さ
れている異物付着防止膜またはそれと同等の効果を持つ
厚手のレチークルの非パターン面上に存在する微小異物
を検出するため、上記を一様照明するための照明光学装
置と、上記レチクルまたはマスクの周囲の一部に設けら
れた、照明光の上記膜からの正反射光を通過させない窓
を通して異物からの散乱光を検出するための検出光学装
置とから成る異物検査装置を有することを要旨とする。 平滑な面に一様な照明光を照射した場合、面上に異物が
存在すると、光が乱され、側方から見ると、異物の位置
がきらきらと輝く。この光の散乱現象は、異物の大きさ
が数ミクロンのオーダーでも発生するため、異物検出の
有効な手段である。 しかし、一般に、レチクル面上には様々な角度に形成さ
れたノ４’ターンの段差や欠陥パターンを修正した白点
修正や黒点修正があり、これからの散乱光が、微小異物
からの散乱光と混在するため、分離のため、レーザ・ス
ポットの走査等を行なう必要があり、露光位置にセット
した状態で検査するには異物検査装置が大きくなりすぎ
た。 ところで、異物付着防止膜は、第２図および第３図に示
すように金属製の枠９の上に＋トロ士ルローズ等の薄膜
１０ヲ貼ったものである。レチクル１面上に異物６が存
在すると（第４図）、異物の像８はウェハ５上に結ぶた
め、検出すべき異物の大きさは数ミクロンと小さいが、
異物付着防止膜１０上に異物６が存在すると（第５図）
、異物の像８はウェハ５上には結像せず、ぼけるため検
出すべき異物の大きさは数十ミクロンと大きくなる。ま
た、異物付着防止膜上には前述したレチクル面上のノ４
ターン段差や修正箇所もないため、純粋忙異物からの散
乱光のみを抽出でき、異物検査装置の小型化が図れる。 本発明は、このような点に着目し、これまで、不可能と
されていた露光位置における異物検査を、異物付着防止
膜よもしくは、同等の効果を持つ厚手レチクルの非パタ
ーン面上の異物の検出に限定し・実現したものである。 上記膜上を照明する照明光学装置は露光装置の露光照明
光学系を用いることも、これと別に設けることもできる
。また、異物からの散乱光を観察するための上記窓は、
上記膜からの正反射光がはいらないように、照明光学装
置が検査しようとする膜を斜めから照明し、その照明光
を真横から見る位置にあることも、また直線偏光された
照明光を使用し、正反射光の偏光面に垂直な偏光面を有
する成分のみを通過させる偏光板を含むときは、正反射
光かにいる位置にあることもできる。 本発明の有利な実施の態様においては、検出装置ｌｔは
、集光レンズと、微小異物を検出しようとする面の上記
レンズによる結像位置に置かれたりニアセンサとから成
る検出光学系ユニットを有し、上記面の全面検査は上記
ユニットヲ検出方向に対して直角な方向に移動させるこ
とによって行なわれる。 以下に、図面を参照しながら、実施例を用いて本発明を
一層詳細に説明するが、それらは例示に過ぎず、本発明
の枠を越えることなしにいろいろな変形や改良があり得
ることは勿論である。 〔発明の実施例〕 第６図および第７図は、装置を最も小型化するために、
異物検出を目視確認により行なう一実施例を示す。露光
位置にセットされたレチクル１上に装着した異物付着防
止膜１０の斜め方向から一様照明を行なう。この実施例
では、螢光灯１１と照度向上のためのシリンドリカルレ
ンツ１１から成る照明系を採用しているが、光ファイバ
により導光したり、発光ダイオードを並べる等の方法も
使用できる。照明光の波長は短い方が良いが、特に露光
光の波長に近い場合には、ウェハに感光する恐れもある
ため、ウェハのない検査時にのみ照明されるよう、シャ
ッタやスイッチを設ける必要がある。 なお、一様照明を得るため、螢光灯１１の中心をシリン
ドリカルレンズ１２の焦点にあわせ、平行光を得ている
。 異物不着防止膜１０上に異物６が存在すると、散乱光１
３が発生する。この散乱光を照明光と直角方向からガラ
ス窓１４ヲ介して、目視位置１５から観察すると、異物
があればきらきらと光って見える。 なお、゛解明系、検出系とも、上下面の検査のために２
セット設ける必要がある。 この方法でに、数ミクロン程度の小さな異物も光って見
えることがあるため、ガラス窓１４は、光量を低減でき
るＮＤフィルタのようら材質で作るとよい。また、照明
光に紫外線が含まれる場合には、安全のためｑ色フィル
タを挿入する。窓ガラスは、レチクルを密閉状態に置き
、異物付着を防止するために不可欠である。また、露光
時に紫外線が洩るのを防ぐため、シャッタ１６ヲ設け、
検査時のみを開くような機構を設けるのがよい。 照明光としては、第６図のような斜め方向からのものと
、露光用の照明光学系による垂直方向からのものが考え
られる。数十ミクロン程度の異物の場合、両者とも、十
分に異物散乱光を発することができるが、コンタクトホ
ール形成用レチクルのように、レチクル下面への透過光
の少ない場合には、下面の検査は不可能となる。 第８図は、第６図の方法を改良して、異物の自動検出が
できるようにした例である。 照明系は、第６図と同様、螢光灯１１とシリンドリカル
レンズ１２から成る。検出系に、集光レンズ１９とリニ
アセンサ２０ヲのせたユニット１８と、これをＸ方向に
走査するＸステージ１７および異物付着防止のための窓
ガラス１４から成る。 異物付着防止膜１０の面と、集光レンズ】９．リニアセ
ンサ頷の関係は、第９図に示すように、結像関係にあり
、異物付着防止膜１０上の点ＡＩ 、 Ｂｌ 。 ＣＩ 、 ＤＩが、リ−：７−１！ ７す膜上でＡ２
、８２ 、 Ｃ２゜Ｄ２となるよう、 リニアセンサ２
０ｔｌ−集光レンズ１９に対して傾けて設けである。こ
の光学系では、第８図におけるＹｌ−Ｙ２軸のみ検出さ
れるため、異物付着防止膜１０の全面を検査するには、
ユニット１８’ｅＸ方向に走査する必要がある。 第１０図は、Ｎ個の画素を持つリニアセンサ上の一画素
を抽出し、その出カ■全縦軸に、ユニットＸ方向位置を
横軸にプロットしたものである。異物の大小により、散
乱光出力は変化するため、閾値３３ヲ設け、これを越す
ものは欠陥異物３１ 、これ以下のものは無効異物３２
として電気的に処理する必要がある。 閾値３３に、画素毎に異なるため、実際の検出回路は第
１】図のような構成となる。タイミング発生器４０によ
り、画素切替カウンタ４１が変化する。このカウンタか
らの切替信号４２により各画素のアナログ信号がスイッ
チ４３で切り換えられる。カウンタ内容は、閾値メモリ
４４にも送られ、閾値データｔ ＤＩＡ変換器４５でア
ナログ・データに変換され、閾値が設定される。リニア
センサの各画素４６ニ光４７が到達すると電流が発生し
、それが抵抗４８により電圧に変換され、アナログ信号
が得られる。この信号が、コンミ９レータ４９ヲ介して
、閾値と比較され、閾値以上の時、パルス発生回路間に
よりパルスが発生し、カウンタ４１の内容５１がマイク
ロコンピュータ５２へ転送される。タイミング発生器４
０はＸステージ駆動用モータ５３の駆動にも使われ、Ｘ
軸位置カウンタ５４の内容５５もマイクロコンピュータ
５２に送られる。これらのデータをもとに、モニタＩ上
に異物分布マッグ５７が出力され、異物の位置が表示さ
れる。なおリニアセンサ’ｅ走査ｆると同等の機能を固
体カメラ等のイメージセンサで実現することも可能であ
る。 第６図から第１１図の実施例でに、検出系は、照明系か
らの正反射光が到達しない位置に設けられていたが、第
１２図および第１３図は、偏光を用い、正反射光側に検
出系を設けるようにした例である。 螢光灯１】とシリンドリカルレンズ１２から成る前述の
照明系の後に偏光板２１ヲ設け、Ｓ偏光のみを照射する
。検出系は、これと反対側に配置され、ここには、Ｓ偏
５１遮断するための偏光板ｎが設けられる。一般に、異
物付着防止膜１０での反射は正反射である丸め、Ｓ偏光
は保たれ、偏光板ｎで遮断されるが、異物６が存在する
と、散乱光１３では偏光が乱されＰ偏光が発生するため
、偏光板２２を通過し、目視位置１５で観察できる。 なお、偏光板は、第６図における窓ガラス】４の役目も
兼ねる。 本発明に、異物付着防止膜と同等の効果を得るため作ら
れた厚手のレチクルの非パターン面上の微小異物検出や
、縮小投影式アライナ以外の露光装置にも適用可能であ
る。 〔発明の効果〕 以上説明した通り、本発明によれば、露光位置にセット
したままの状態で、レチクルに装着した異物付着防止膜
上の微小異物を容易に検出できるため、これまで必要と
された長時間の目視検査作業を必要とし、作業者を精神
的、肉体的な疲労から開放でき、また、異物検査を常時
性なえるため、歩留りが大幅に向上するなど、半導体製
造分野において大きな効果がある。
第１図は縮小投影式アライナの斜視図、第２図に異物付
着防止膜装置レチクルの斜視図、第３図は第２図に示す
レチクルの断面図、第４図および第５図は異物付着防止
膜の効果を示すための図式図、第６図は本発明の一実施
の態様による露光装置レチクル付近の斜視図、第７図は
第６囚に示す装置の側面図、第８図に本発明の他の一つ
の実施の態様による露光装置の斜視図、第９図は第８図
に示す装置の側面図、第１０図は第８図および第９図中
のりニアセンサの出力波形図、第１１図は第８図および
第９図に示す装置の駆動装置の構成を示すブロック図、
第１２図は本発明のさらに他の一つの実施の態様による
露光装置の斜視図、第１３図は第１２図に示す装置の側
面図である。 １・・・レチクル、３・・りやターン、６・・・異物、
１０・・・異物付着防止膜、１】・・・螢光灯、１２・
・・シリンドリカルレンズ、１３・・・散乱光、１４・
・・窓ガラス、１５・・・目視位置、１６・・・シャッ
タ、１９・・・集光レンズ、加・・・リニアセンサ、２
１ 、２２・・・偏光板。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 ：、１５３図 ０ 第４図 第５図 ’＝ｊ６図 １ ｉｊＺ図 第８図 第９図 ！ 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図
着防止膜装置レチクルの斜視図、第３図は第２図に示す
レチクルの断面図、第４図および第５図は異物付着防止
膜の効果を示すための図式図、第６図は本発明の一実施
の態様による露光装置レチクル付近の斜視図、第７図は
第６囚に示す装置の側面図、第８図に本発明の他の一つ
の実施の態様による露光装置の斜視図、第９図は第８図
に示す装置の側面図、第１０図は第８図および第９図中
のりニアセンサの出力波形図、第１１図は第８図および
第９図に示す装置の駆動装置の構成を示すブロック図、
第１２図は本発明のさらに他の一つの実施の態様による
露光装置の斜視図、第１３図は第１２図に示す装置の側
面図である。 １・・・レチクル、３・・りやターン、６・・・異物、
１０・・・異物付着防止膜、１】・・・螢光灯、１２・
・・シリンドリカルレンズ、１３・・・散乱光、１４・
・・窓ガラス、１５・・・目視位置、１６・・・シャッ
タ、１９・・・集光レンズ、加・・・リニアセンサ、２
１ 、２２・・・偏光板。 代理人弁理士 秋 本 正 実 第１図 第２図 ：、１５３図 ０ 第４図 第５図 ’＝ｊ６図 １ ｉｊＺ図 第８図 第９図 ！ 第１０図 第１１図 第１２図 第１３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 レチクルまたはマスク上の回路ノ母ターンを光学
系を用いて加工しようとする物体忙転写する露光装置に
おいて、露光位置にセットされたレチクルま念はマスク
に装着されている異物付着防止膜またはそれと同等の効
果を持つ厚手のレチクルの非パターン面上に存在する微
小異物を検出するため、上記膜を一様照明するための照
明光学装置と、上記レチクルまたはマスクの周囲の壁に
設けられた、照明光の上記膜からの正反射光を通過させ
Ａい窓を通して異物からの散乱光を検出するための検出
装置とから成る異物横比装置を有することを特徴と″す
る露光装置。 ２４ 上記照明光学装置が上記膜を斜めから照明し、上
記窓がその照明−ｙｔ、ｆ：真横から見る位置にあるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 ３、上記照明光学装置の照明光が′ａ元用の光であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 ４、上記検出装置が集光レンズと、微小異物を検出しよ
うとする面の上記レンズによる結像位置に置かれたりニ
アセンサとから成る検出光学系ユニットを有し、上記面
の全面検査が上記ユニットを検出方向に対して直角な方
向に移動させることによって行なわれることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の露光装置。 ５、上記照明光学装置の照明光が直線偏光であり、上記
正反射光ｆｔ通過させない窓が正反射光の偏光１Ｍ’［
垂直な偏光面を有する成分のみを通過させる偏光板を含
むことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の露光装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154058A JPS6046558A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154058A JPS6046558A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 縮小投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6046558A true JPS6046558A (ja) | 1985-03-13 |
| JPH0563931B2 JPH0563931B2 (ja) | 1993-09-13 |
Family
ID=15575986
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154058A Granted JPS6046558A (ja) | 1983-08-25 | 1983-08-25 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046558A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430513A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Nec Kyushu Ltd | 縮少投影露光装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS5780546A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Detecting device for foreign substance |
| JPS58120155A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | レチクル異物検出装置 |
-
1983
- 1983-08-25 JP JP58154058A patent/JPS6046558A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5480082A (en) * | 1977-12-05 | 1979-06-26 | Ibm | Mask for projecting print |
| JPS5780546A (en) * | 1980-11-07 | 1982-05-20 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | Detecting device for foreign substance |
| JPS58120155A (ja) * | 1982-01-12 | 1983-07-16 | Hitachi Ltd | レチクル異物検出装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0430513A (ja) * | 1990-05-28 | 1992-02-03 | Nec Kyushu Ltd | 縮少投影露光装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0563931B2 (ja) | 1993-09-13 |
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