JPS6046817B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法Info
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- JPS6046817B2 JPS6046817B2 JP55024985A JP2498580A JPS6046817B2 JP S6046817 B2 JPS6046817 B2 JP S6046817B2 JP 55024985 A JP55024985 A JP 55024985A JP 2498580 A JP2498580 A JP 2498580A JP S6046817 B2 JPS6046817 B2 JP S6046817B2
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 15
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000007751 thermal spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 28
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 15
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 8
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電子部品の製造方法に関し、特に固体電解コン
デンサにおける電極引出し層の形成方法の改良に関する
ものである。
デンサにおける電極引出し層の形成方法の改良に関する
ものである。
一般にこの種固体電解コンデンサは例えばタンタル、ニ
オブ、アルミニウムなどのように弁作用を有する金属粉
末を円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメ
ントに予め弁作用を有する金属線を陽極リードとして植
立し、この陽極りードの突出部分に第1の外部リード部
材を溶接すると共に、第2の外部リード部材をコンデン
サエレメントの周面に酸化層、半導体層、グラファイト
層を介して形成された電極引出し層に半田付けし、然る
後、コンデンサエレメントの全周面を樹脂材にて被覆し
て構成されている。
オブ、アルミニウムなどのように弁作用を有する金属粉
末を円柱状に加圧成形し焼結してなるコンデンサエレメ
ントに予め弁作用を有する金属線を陽極リードとして植
立し、この陽極りードの突出部分に第1の外部リード部
材を溶接すると共に、第2の外部リード部材をコンデン
サエレメントの周面に酸化層、半導体層、グラファイト
層を介して形成された電極引出し層に半田付けし、然る
後、コンデンサエレメントの全周面を樹脂材にて被覆し
て構成されている。
ところで、このコンデンサにおいて、電極引出し層はグ
ラファイト層上に、例えば銀粉、樹脂、溶剤よりなる液
状の導電性部材を浸漬塗布した後、加熱処理により溶剤
を除去することによつて形成されているのであるが、特
に第2の外部りード部材との半田付け性を良好ならしめ
るために、銀粉の全体に占める割合はほぼ7腫量%に設
定されている。
ラファイト層上に、例えば銀粉、樹脂、溶剤よりなる液
状の導電性部材を浸漬塗布した後、加熱処理により溶剤
を除去することによつて形成されているのであるが、特
に第2の外部りード部材との半田付け性を良好ならしめ
るために、銀粉の全体に占める割合はほぼ7腫量%に設
定されている。
しカル乍ら、近時銀を含む貴金属が異常に高騰している
上、電極引出し層における銀粉の使用量も多いことと相
俟つて、コンデンサの原価構成に占める電極引出し層の
比率は著しく大きくなつており、これがためにコンデン
サのコストも高ぐなるという欠点がある。
上、電極引出し層における銀粉の使用量も多いことと相
俟つて、コンデンサの原価構成に占める電極引出し層の
比率は著しく大きくなつており、これがためにコンデン
サのコストも高ぐなるという欠点がある。
従つて、電極引出し層を貴金属粉末を主成分とする導電
性部材以外の安価な導電性部材にて構成できれば、コン
デンサのコストを低減できるのみならず、貴金属資源を
有効に活用できる点からも望ましいものである。
性部材以外の安価な導電性部材にて構成できれば、コン
デンサのコストを低減できるのみならず、貴金属資源を
有効に活用できる点からも望ましいものである。
本発明はこのような点に鑑み、溶射例えばプラズマ溶射
を利用して部品本体の所望する周面に半田付け可能な卑
金属を被着させることによりコストを有効に低減させう
る電子部品の製造方法を提供するものである。
を利用して部品本体の所望する周面に半田付け可能な卑
金属を被着させることによりコストを有効に低減させう
る電子部品の製造方法を提供するものである。
本発明の説明に先立つて、プラズマ溶射装置の概要につ
いて簡単に説明する。
いて簡単に説明する。
この装置は第1図に示すように銅よりなる筒状のノズル
兼陽極Aの’後端部分にタングステンよりなる陰極Bを
、ノズルAの後端と陰極Bの先端との間に隙間Cが形成
されるように配置し、ノズルAの前端部分にはノズルA
内に卑計属粉末を供給するための孔Dを形成して構成さ
れている。この構成において、陽極Aと陰極Bとの間に
所定の電圧を印加すると共に、隙間Cよりアルゴン、窒
素などの作動ガスを流入させると、陽極Aと陰極Bとの
間にはアーク放電が生起される。
兼陽極Aの’後端部分にタングステンよりなる陰極Bを
、ノズルAの後端と陰極Bの先端との間に隙間Cが形成
されるように配置し、ノズルAの前端部分にはノズルA
内に卑計属粉末を供給するための孔Dを形成して構成さ
れている。この構成において、陽極Aと陰極Bとの間に
所定の電圧を印加すると共に、隙間Cよりアルゴン、窒
素などの作動ガスを流入させると、陽極Aと陰極Bとの
間にはアーク放電が生起される。
そして、作動ガスはアークによつて加熱され、その一部
が電離されてプラズマ状態となり、ノズルAの出口から
烈しく噴出してプラズマジェットEが形成される。尚、
プラズマジェットEの最高温度は約20000゜Cに達
し、ノズルAの出口付近における平均温度でも5000
〜10000゜Cの高温状態にある。そして、この状態
において、卑金属粉末を供給孔Dよりプラズマジェット
E中に吹き込むと卑金属粉末は瞬間的に溶融され、プラ
ズマジェットEに乗つて飛行し、基体Fに衝突して被膜
Gが形成される。次に本発明方法を固体電解コンデンサ
への適用例について第2図〜第6図を参照して説明する
。
が電離されてプラズマ状態となり、ノズルAの出口から
烈しく噴出してプラズマジェットEが形成される。尚、
プラズマジェットEの最高温度は約20000゜Cに達
し、ノズルAの出口付近における平均温度でも5000
〜10000゜Cの高温状態にある。そして、この状態
において、卑金属粉末を供給孔Dよりプラズマジェット
E中に吹き込むと卑金属粉末は瞬間的に溶融され、プラ
ズマジェットEに乗つて飛行し、基体Fに衝突して被膜
Gが形成される。次に本発明方法を固体電解コンデンサ
への適用例について第2図〜第6図を参照して説明する
。
まず、第2図〜第3図に示すように、上述のプラズマ溶
射装置を内蔵したプラズマ溶射ガン1,1を互いに傾斜
した状態て図示矢印方向に移動可能に配置する。そして
、このプラズマ溶射ガン1,1の下方には液槽2を配置
する。尚、この液槽2は第1の槽3と第2の槽4とに区
分されており、第1の槽3の側壁には水などの液体5を
供給するためのバイブ6が付設されている。そして、液
槽2の第1の槽3には弁作用を有する金属粉末を円柱状
に加圧成形し焼結すると共に、その周面に酸化層、半導
体層を介してグラファイト層を形成してなるコンデンサ
エレメント(部品本体)7を一定のピッチ間隔にて配置
する。尚、このコンデンサエレメント7はそれより導出
された陽極リード8の一端を帯状のホルダー9に固定す
ることによつて支持されている。この状態において、バ
イブ6より液体5を液槽2における第1の槽3に供給4
すると共に、コンデンサエレメント7のみが液面より露
呈するように第2の槽4にオーバーフローさせる。そし
て、プラズマ溶射ガン1,1を例えば5cm/Secの
速度で図示矢印方向に移動させると共に、この際、プラ
ズマ溶射ガン1,1内にア丁ーク放電を生起せしめ、プ
ラズマジェットに例えば錫、銅、ニッケルなどのように
半田付け可能な卑金属粉末を適宜供給すると、卑金属粉
末はプラズマジェット中で溶融され、プラズマジェット
に乗つてコンデンサエレメント7の周面に衝突して・一
回の通過で0.1〜0.2TWLの厚さの電極引出し層
10が形成される。次に、コンデンサエレメント7を液
槽2より取り出すと、第4図に示すように、卑金属粉末
はコンデンサエレメント7の所望する周面にのみ被着さ
れ、陽極リード8には全く被着されない。次に第5図に
示すように、陽極リード8にL形の第1の外部リード部
材11を溶接すると共に、第2の外部リード部材12を
コンデンサエレメント7の電極引出し層10に密着した
状態で溶融半田槽に浸漬し引上げることによつて半田付
け13する。然る後、第6図に示すように、コンデンサ
エレメント7の全周面を樹脂材14にて被覆することに
よつて固体電解コンデンサを得)る。このようにコンデ
ンサエレメント7におけるグラファイト層にはプラズマ
溶射により卑金属粉末が被着されるのであるが、それの
被着速度が極めて速いために、被膜(電極引出し層10
)の被着門強度が強い上に緻密な被膜に形成される。
射装置を内蔵したプラズマ溶射ガン1,1を互いに傾斜
した状態て図示矢印方向に移動可能に配置する。そして
、このプラズマ溶射ガン1,1の下方には液槽2を配置
する。尚、この液槽2は第1の槽3と第2の槽4とに区
分されており、第1の槽3の側壁には水などの液体5を
供給するためのバイブ6が付設されている。そして、液
槽2の第1の槽3には弁作用を有する金属粉末を円柱状
に加圧成形し焼結すると共に、その周面に酸化層、半導
体層を介してグラファイト層を形成してなるコンデンサ
エレメント(部品本体)7を一定のピッチ間隔にて配置
する。尚、このコンデンサエレメント7はそれより導出
された陽極リード8の一端を帯状のホルダー9に固定す
ることによつて支持されている。この状態において、バ
イブ6より液体5を液槽2における第1の槽3に供給4
すると共に、コンデンサエレメント7のみが液面より露
呈するように第2の槽4にオーバーフローさせる。そし
て、プラズマ溶射ガン1,1を例えば5cm/Secの
速度で図示矢印方向に移動させると共に、この際、プラ
ズマ溶射ガン1,1内にア丁ーク放電を生起せしめ、プ
ラズマジェットに例えば錫、銅、ニッケルなどのように
半田付け可能な卑金属粉末を適宜供給すると、卑金属粉
末はプラズマジェット中で溶融され、プラズマジェット
に乗つてコンデンサエレメント7の周面に衝突して・一
回の通過で0.1〜0.2TWLの厚さの電極引出し層
10が形成される。次に、コンデンサエレメント7を液
槽2より取り出すと、第4図に示すように、卑金属粉末
はコンデンサエレメント7の所望する周面にのみ被着さ
れ、陽極リード8には全く被着されない。次に第5図に
示すように、陽極リード8にL形の第1の外部リード部
材11を溶接すると共に、第2の外部リード部材12を
コンデンサエレメント7の電極引出し層10に密着した
状態で溶融半田槽に浸漬し引上げることによつて半田付
け13する。然る後、第6図に示すように、コンデンサ
エレメント7の全周面を樹脂材14にて被覆することに
よつて固体電解コンデンサを得)る。このようにコンデ
ンサエレメント7におけるグラファイト層にはプラズマ
溶射により卑金属粉末が被着されるのであるが、それの
被着速度が極めて速いために、被膜(電極引出し層10
)の被着門強度が強い上に緻密な被膜に形成される。
従つて、電極引出し層10のグラファイト層に対する電
気的な接続を良好に行うことができる。しかも、電極引
出し層10を構成する卑金属粉末は半田付けが可能てあ
る上、銀粉を主成分とす・る導電性部材に比べて格段に
安価であるために、第2の外部リード部材12の電極引
出し層10への半田付けを従来通り簡単かつ確実に行う
ことができる上、コンデンサのコストも有効に低減でき
る。さらには溶融された卑金属粉末はアーク通過後はエ
ネルギーの供給がなくなるために、急激に温度が低下し
、コンデンサエレメント7の周面に被着される際には2
00゜C以下に冷却されている。
気的な接続を良好に行うことができる。しかも、電極引
出し層10を構成する卑金属粉末は半田付けが可能てあ
る上、銀粉を主成分とす・る導電性部材に比べて格段に
安価であるために、第2の外部リード部材12の電極引
出し層10への半田付けを従来通り簡単かつ確実に行う
ことができる上、コンデンサのコストも有効に低減でき
る。さらには溶融された卑金属粉末はアーク通過後はエ
ネルギーの供給がなくなるために、急激に温度が低下し
、コンデンサエレメント7の周面に被着される際には2
00゜C以下に冷却されている。
従つて、コンデンサエレメント1の温度を上昇させるこ
とがないので、形成された被膜(電極引出し層)10に
熱歪が生じす、使用中において亀列が発生したり、或い
は漏洩電流特性が損なわれたりすることはない。特に、
コンデンサエレメント7の所望する周面への卑金属粉末
のプラズマ溶射に際し、コンデンサエレメント7の不所
望部分は液体5によつて簡単かつ確実にマスクされるた
めに、卑金属粉末の不所望部分への被着による特性上の
支障を皆無にできる上、作業能率をも高めることができ
る。
とがないので、形成された被膜(電極引出し層)10に
熱歪が生じす、使用中において亀列が発生したり、或い
は漏洩電流特性が損なわれたりすることはない。特に、
コンデンサエレメント7の所望する周面への卑金属粉末
のプラズマ溶射に際し、コンデンサエレメント7の不所
望部分は液体5によつて簡単かつ確実にマスクされるた
めに、卑金属粉末の不所望部分への被着による特性上の
支障を皆無にできる上、作業能率をも高めることができ
る。
次に具体的実施例について説明する。タンタル粉末を用
いた3V100pF用のコンデンサエレメントの周面(
グラファイト層上)に錫粉をプラズマ溶射し、特性測定
した処、下表に示す結果が得られた。上表より明らかな
ように、本発明品は本発明品と同一の3■100pF用
コンデンサエレメントの周面(グラファイト層上)に銀
粉、樹脂(バインダ)を含む導電性部材にて電極引出し
層を形成した従来品に比し、誘導体損失、漏洩電流特性
共に同レベルであり、特性上全く支障がなかつた。
いた3V100pF用のコンデンサエレメントの周面(
グラファイト層上)に錫粉をプラズマ溶射し、特性測定
した処、下表に示す結果が得られた。上表より明らかな
ように、本発明品は本発明品と同一の3■100pF用
コンデンサエレメントの周面(グラファイト層上)に銀
粉、樹脂(バインダ)を含む導電性部材にて電極引出し
層を形成した従来品に比し、誘導体損失、漏洩電流特性
共に同レベルであり、特性上全く支障がなかつた。
又、コストも15%程度低減できた。尚、本発明におい
て、電子部品は固体電解コンデンサの他、抵抗、一般の
セラミックコンデンサ、積層セラミックコンデンサ、バ
リスタなどにも適用できる。
て、電子部品は固体電解コンデンサの他、抵抗、一般の
セラミックコンデンサ、積層セラミックコンデンサ、バ
リスタなどにも適用できる。
又、部品本体の不所望部分を被覆する液体は流動状態に
する他、静止状態にすることもできる。又、プラズマ溶
射時の移動はプラズマ溶射ガンを移動させる他、部品本
体ないし双方を移動させることもできる。さらには溶射
はプラズマ溶射の他、メタリコンエ法などによる溶射も
利用できる。以上のように本発明によれば、部品本体の
所望する周面に半田付け可能な卑金属粉末を溶射により
避着させることによりコストを有効に低減できる上、作
業能率をも改善できる。
する他、静止状態にすることもできる。又、プラズマ溶
射時の移動はプラズマ溶射ガンを移動させる他、部品本
体ないし双方を移動させることもできる。さらには溶射
はプラズマ溶射の他、メタリコンエ法などによる溶射も
利用できる。以上のように本発明によれば、部品本体の
所望する周面に半田付け可能な卑金属粉末を溶射により
避着させることによりコストを有効に低減できる上、作
業能率をも改善できる。
第1図はプラズマ溶射装置の説明図、第2図〜第6図は
本発明方法の説明図てあつて、第2図は液槽に部品本体
をセットしてプラズマ溶射する状態を示す側断面図、第
3図は第2図の正断面図、第4図は部品本体を液槽より
取り出した状態を示す側面図、第5図は部品本体に外部
リード部材を接続した状態を示す側断面図、第6図は部
品本体を樹脂材にて外装した状態を示す側断面図である
。
本発明方法の説明図てあつて、第2図は液槽に部品本体
をセットしてプラズマ溶射する状態を示す側断面図、第
3図は第2図の正断面図、第4図は部品本体を液槽より
取り出した状態を示す側面図、第5図は部品本体に外部
リード部材を接続した状態を示す側断面図、第6図は部
品本体を樹脂材にて外装した状態を示す側断面図である
。
Claims (1)
- 1 部品本体の所望する周面を液面より露呈させると共
に、その周面に溶射により半田付け可能な卑金属を層状
に被着させることを特徴とする電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55024985A JPS6046817B2 (ja) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55024985A JPS6046817B2 (ja) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56122121A JPS56122121A (en) | 1981-09-25 |
| JPS6046817B2 true JPS6046817B2 (ja) | 1985-10-18 |
Family
ID=12153267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55024985A Expired JPS6046817B2 (ja) | 1980-02-28 | 1980-02-28 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6046817B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0385715A (ja) * | 1989-08-30 | 1991-04-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品の電極形成方法 |
-
1980
- 1980-02-28 JP JP55024985A patent/JPS6046817B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56122121A (en) | 1981-09-25 |
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