JPS6047003A - プラズマ重合法及びその重合装置 - Google Patents
プラズマ重合法及びその重合装置Info
- Publication number
- JPS6047003A JPS6047003A JP15474983A JP15474983A JPS6047003A JP S6047003 A JPS6047003 A JP S6047003A JP 15474983 A JP15474983 A JP 15474983A JP 15474983 A JP15474983 A JP 15474983A JP S6047003 A JPS6047003 A JP S6047003A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma
- gas
- substrate
- supply
- film
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- Granted
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- Polymerisation Methods In General (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はプラズマを用いた高分子薄膜の生成法、特に
、複数の材料を用いた複合−材としての高分子薄膜の生
成法に関する。
、複数の材料を用いた複合−材としての高分子薄膜の生
成法に関する。
有助モノマーガスを電気的にプラズマ化ｆるとプラズマ
に近接した基板・容し等の我面上に有―取仔膜が形成さ
れる現象が見られ、ンラズマ距会と呼はれている。
に近接した基板・容し等の我面上に有―取仔膜が形成さ
れる現象が見られ、ンラズマ距会と呼はれている。
この、プラズマ重合は、はとんどあらゆる有ｂガスから
触媒なしに有ＦＰｉ物のき成ができ、ガス圧、プラズマ
化のための入力等の制御によって容易に班会速度を制御
でき、供給する七ツマ−をｉ数紳の混合カスとすること
によって同学に共ＩＫ会合体得られるという特徴がある
０しかし、この方法によっては、生ｖ：、膜！７）成分
を厚へ方向にわたって変化させ、あるいは交互に嚢なる
高分子膜層を積層させるといった梢密な制御は不可能で
おる。
触媒なしに有ＦＰｉ物のき成ができ、ガス圧、プラズマ
化のための入力等の制御によって容易に班会速度を制御
でき、供給する七ツマ−をｉ数紳の混合カスとすること
によって同学に共ＩＫ会合体得られるという特徴がある
０しかし、この方法によっては、生ｖ：、膜！７）成分
を厚へ方向にわたって変化させ、あるいは交互に嚢なる
高分子膜層を積層させるといった梢密な制御は不可能で
おる。
また、高分子膜のル敗途中でスパッタリングによって高
分子膜中に金りを含有させる試みもあるが、スパッタリ
ングによって祉金縞自′有量を精密に制御することは不
Ｉｌ＋］能であること、スパッタリングを維持するため
のキャリアカス圧が比較的高く、生成膜に１譬を与える
という問題を含んでいた。
分子膜中に金りを含有させる試みもあるが、スパッタリ
ングによって祉金縞自′有量を精密に制御することは不
Ｉｌ＋］能であること、スパッタリングを維持するため
のキャリアカス圧が比較的高く、生成膜に１譬を与える
という問題を含んでいた。
この発明は、上記のプラズマ重合の％微を最大限に活用
し、生成膜の性質・構造を正確に制−でき、従来合成す
ることが離しかった各種の複合膜を合成可能にしようと
するものである。
し、生成膜の性質・構造を正確に制−でき、従来合成す
ることが離しかった各種の複合膜を合成可能にしようと
するものである。
以下図面を鯵熱してこの発明を実施例によって詳細に説
明する。
明する。
第１図は複数種の材料をガスとして９（給する場合の取
合装置を示し、１は真空槽であシ、７゛ラズマ生成のた
めの尚周波コイル２を図示のように真空槽外に巻付ける
場合はカラス部■絶縁材料で作られる。３．３′は原料
カスの供給口であり、！に数種の原料ガスをそれぞれ４
（体のまま、それぞれの供給口３．３′等から所定縁す
ら真空槽内に供給される。これらＬｖ原＃＋ガスは勿論
、心安に応じ不活性或いは活性なキャリアカスと混合し
て供給されてもよい。
合装置を示し、１は真空槽であシ、７゛ラズマ生成のた
めの尚周波コイル２を図示のように真空槽外に巻付ける
場合はカラス部■絶縁材料で作られる。３．３′は原料
カスの供給口であり、！に数種の原料ガスをそれぞれ４
（体のまま、それぞれの供給口３．３′等から所定縁す
ら真空槽内に供給される。これらＬｖ原＃＋ガスは勿論
、心安に応じ不活性或いは活性なキャリアカスと混合し
て供給されてもよい。
４は基板であシ、その弐面に薄膜を成長させるため、支
持台５は宣周波コイル２或いは原料ガス供給口３に対し
て負電位を印加される。６は排気口であυ、真空ポンプ
によって残留ガスを排気する。
持台５は宣周波コイル２或いは原料ガス供給口３に対し
て負電位を印加される。６は排気口であυ、真空ポンプ
によって残留ガスを排気する。
この装置において、原料ガス供給口３．３’Ｎ￥−から
所定の比率で、それぞれ吊体のｉｔ具望槽１内に供給さ
れた複数種Ｌ１）ＩｊＡ料カスは、高周波コイル２によ
ってプラズマ化され、活性化され、電場によって基板今
上に輸送され、１！縫膜を形成する 捷だ、プラズマ中においてはイオンに比較して亀子υス
ピードが大きく、プラズマ領域の外側にυを予震が拡が
り、この領域はプラズマ中心に比して負諷位○領域とな
る。このため、この負凧泣領域に基板を配置すると、特
にｌＬ圧を印加しなくても、イオン群は自然に形成され
た電場によって基板上に輸送される。
所定の比率で、それぞれ吊体のｉｔ具望槽１内に供給さ
れた複数種Ｌ１）ＩｊＡ料カスは、高周波コイル２によ
ってプラズマ化され、活性化され、電場によって基板今
上に輸送され、１！縫膜を形成する 捷だ、プラズマ中においてはイオンに比較して亀子υス
ピードが大きく、プラズマ領域の外側にυを予震が拡が
り、この領域はプラズマ中心に比して負諷位○領域とな
る。このため、この負凧泣領域に基板を配置すると、特
にｌＬ圧を印加しなくても、イオン群は自然に形成され
た電場によって基板上に輸送される。
このプラズマ＆ば装置にあって扛、縁数神の原料ガスを
、それぞれに精密に、゛流量を制御出来、重合膜の組成
を自由に選択することが容易である。そして、残留ガス
は直ちに排気され、膜の組成は原料ガスのＯＩＬ人比に
鋭敏・に反応し、膜の４蚕方向に膜の組成を連続的に変
化させ、またはｊ−状に性質の異なる膜ｆＴし成させる
ことも容易である。
、それぞれに精密に、゛流量を制御出来、重合膜の組成
を自由に選択することが容易である。そして、残留ガス
は直ちに排気され、膜の組成は原料ガスのＯＩＬ人比に
鋭敏・に反応し、膜の４蚕方向に膜の組成を連続的に変
化させ、またはｊ−状に性質の異なる膜ｆＴし成させる
ことも容易である。
また、原１＃１ガスは有脱モノマーガスたりでなく、無
［幾化合物のガスを利用しうることも明られぞれ惧荀【
コ３．３′から４人すれは、Ｔｌを含有したボリエナレ
ン膜をＨ＆に育ることが出来る。
［幾化合物のガスを利用しうることも明られぞれ惧荀【
コ３．３′から４人すれは、Ｔｌを含有したボリエナレ
ン膜をＨ＆に育ることが出来る。
このように、篩分子と金ｌｌＩ４１Ａｔ子θ結合した重
は膜は、崎電率が大きく、又、比抵抗が小さいものを併
ることが出来るυで、！ｒ素材としての利ｉｌｊが期待
されているが、従来、その驚り原子ｖａｌ＝八Ｍ、を自
由ｅＬ制却することが難しかったものである。
は膜は、崎電率が大きく、又、比抵抗が小さいものを併
ることが出来るυで、！ｒ素材としての利ｉｌｊが期待
されているが、従来、その驚り原子ｖａｌ＝八Ｍ、を自
由ｅＬ制却することが難しかったものである。
金ｔｔ’−４原−１−あるいは無１威化会物の混入ね、
上記の１１／ｌｌυようにカスｒｉ＝υもの７ヒけでな
く、−口４＝、液体Ｑものを真空中で蒸発させることに
よって反応領域に供給することが出来る。
上記の１１／ｌｌυようにカスｒｉ＝υもの７ヒけでな
く、−口４＝、液体Ｑものを真空中で蒸発させることに
よって反応領域に供給することが出来る。
第２図ＶＣ示す重合装置は、真空槽ｌへの原料ガス供給
口３′線蒸発相７に接続される。蒸発槽７中ｉｃは加熱
フィラメント８が配置され、ここで加熱蒸発さｈた金栖
、熱融化合物はガス状で供給口３′から真空槽１内に供
給される。カス、）ＩＨ皺は絞シ或いはシャンク９によ
って制卸することが出来る。
口３′線蒸発相７に接続される。蒸発槽７中ｉｃは加熱
フィラメント８が配置され、ここで加熱蒸発さｈた金栖
、熱融化合物はガス状で供給口３′から真空槽１内に供
給される。カス、）ＩＨ皺は絞シ或いはシャンク９によ
って制卸することが出来る。
このように蒸発＠７を別に設けることによシ、蒸発権７
内の圧力を低く医ち、蒸発を容易にし、加熱フィラメン
トの配置を容易にすると共に、真空槽１中に導入された
七ツマーカスが加熱フィラメント８に接触して分解し、
予定外Ｖ成分が重合膜に混入するのを防止することが出
来る。
内の圧力を低く医ち、蒸発を容易にし、加熱フィラメン
トの配置を容易にすると共に、真空槽１中に導入された
七ツマーカスが加熱フィラメント８に接触して分解し、
予定外Ｖ成分が重合膜に混入するのを防止することが出
来る。
第３図に示す東＆＆ｔｉＨ，真空槽ｌ内に直接蒸兆用の
加熱フィラメント８を配設したｆｉｌで、この取合装置
はプラズマ中への原材供給装置の構造が菌中になるとい
う利点がある。
加熱フィラメント８を配設したｆｉｌで、この取合装置
はプラズマ中への原材供給装置の構造が菌中になるとい
う利点がある。
このような装置によル、モノマーガスとじてエチレン、
ブタジェン、メククリル酸メチル等を用い、碑ヤリアガ
スとしてＡ、Ｎ、、、０２ 等をＪｆｌい、抵抗加熱に
よりＡＡ、Ｉｎ、Ｓｎ 等の金目を混入することによシ
比抵抗の小さい取合膜を容易に１＠ることか出来た。そ
の−例を下表に示す０ これらの有限膜の基板としてガラスケ用いる場合は七ツ
マーガス中に有１洩シリコシを混入すると、ガラスとの
密着強匪を向上させ”ることか出来る。
ブタジェン、メククリル酸メチル等を用い、碑ヤリアガ
スとしてＡ、Ｎ、、、０２ 等をＪｆｌい、抵抗加熱に
よりＡＡ、Ｉｎ、Ｓｎ 等の金目を混入することによシ
比抵抗の小さい取合膜を容易に１＠ることか出来た。そ
の−例を下表に示す０ これらの有限膜の基板としてガラスケ用いる場合は七ツ
マーガス中に有１洩シリコシを混入すると、ガラスとの
密着強匪を向上させ”ることか出来る。
また、上記の各取合装置は高周波ＴＩ４場の印加のため
コイルを＾空槽外に配置しているが、勿論、真空槽内に
配置蝮してもよく、またコンデンサ型の印加装置ｆ：用
いてもよい。さらに、プラズマ化のために光による励起
を利用することもできる。この場合、モノマーの種類に
よって特定波長■光を吸収するので、特定のモノマーた
けを励起できる。
コイルを＾空槽外に配置しているが、勿論、真空槽内に
配置蝮してもよく、またコンデンサ型の印加装置ｆ：用
いてもよい。さらに、プラズマ化のために光による励起
を利用することもできる。この場合、モノマーの種類に
よって特定波長■光を吸収するので、特定のモノマーた
けを励起できる。
この弗明は、上記のように、取合膜を形成するモノマー
、金楠、半尋体、化合物等の＠科をそれぞれ単独でグラ
ズブ中に供給し、基板上に輸送し重合するようにしたの
で、プラズマ取合膜の成分を自由に制御でき、層状に成
分の変化した狙き膜を得ることもできるほか、金槁尋を
台む比抵抗の小さい有除膜を重合できる等、従来のプラ
ズマ亜鋒法では伶られない！Ｉ［シい性質會もった＠１
Ｆを容易に風合出来る効果を奏するものである。
、金楠、半尋体、化合物等の＠科をそれぞれ単独でグラ
ズブ中に供給し、基板上に輸送し重合するようにしたの
で、プラズマ取合膜の成分を自由に制御でき、層状に成
分の変化した狙き膜を得ることもできるほか、金槁尋を
台む比抵抗の小さい有除膜を重合できる等、従来のプラ
ズマ亜鋒法では伶られない！Ｉ［シい性質會もった＠１
Ｆを容易に風合出来る効果を奏するものである。
第１図、第２図、第３図はそれぞれこＶ発ψ」のプラズ
マ康会法を実施Ｊ゛るための東金装置の村を急回である
。 １：真空槽 ２：高り波コイル ３：＠科供給口 ４：
基板 ６：排気口 ７二蒸光檀８：加熱フィラメント
９：シャツタ
マ康会法を実施Ｊ゛るための東金装置の村を急回である
。 １：真空槽 ２：高り波コイル ３：＠科供給口 ４：
基板 ６：排気口 ７二蒸光檀８：加熱フィラメント
９：シャツタ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）イｆ氾モノマーガスをプラズマ化し、基板上に重合
膜を；レリシさせるプラズマ重合法において、プラズマ
空間に碌数種の材料ガスを各勢独に供給し、基板上にそ
の混舒膜を形成させることを特徴とするプラズマ重は法 ２）真空憤、該具墾佃中へ有融モノマーガスを尋人する
供給口、ｌ（９檜を排気する排気口及び上把真架槽中Ｏ
ガスをプラズマ化するため品周波電場を印加するための
プラズマ装置からなシ、該プラズマ空間に複畝柚の原料
ガスを各別に供給す勾だめの複数の供給装置を有するこ
とを特徴とするプラズマ重合装置、３） 上記複叡υ挑
ミ本Ｆ供給装置が、モノマーガスの専入供給日及び惰内
に設けられた蒸発諒とからなる％８’ｆ・６〜氷の乾曲
第２項りプラズマ重合装置
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15474983A JPS6047003A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマ重合法及びその重合装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15474983A JPS6047003A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマ重合法及びその重合装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047003A true JPS6047003A (ja) | 1985-03-14 |
| JPH0460122B2 JPH0460122B2 (ja) | 1992-09-25 |
Family
ID=15591067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15474983A Granted JPS6047003A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | プラズマ重合法及びその重合装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109803A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法 |
| JPS6320101A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-27 | Sanyo Tokushu Seiko Kk | 先端裂け防止圧延方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57182302A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-10 | Shuzo Hattori | Apparatus for forming polymer film by plasma polymerization |
| JPS59193904A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子薄膜形成装置 |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP15474983A patent/JPS6047003A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57182302A (en) * | 1981-05-06 | 1982-11-10 | Shuzo Hattori | Apparatus for forming polymer film by plasma polymerization |
| JPS59193904A (ja) * | 1983-04-18 | 1984-11-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高分子薄膜形成装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62109803A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-21 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 有機薄膜形成方法 |
| JPS6320101A (ja) * | 1986-07-15 | 1988-01-27 | Sanyo Tokushu Seiko Kk | 先端裂け防止圧延方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0460122B2 (ja) | 1992-09-25 |
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