JPS6047032A - タブレツトの製造方法 - Google Patents
タブレツトの製造方法Info
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- JPS6047032A JPS6047032A JP15306783A JP15306783A JPS6047032A JP S6047032 A JPS6047032 A JP S6047032A JP 15306783 A JP15306783 A JP 15306783A JP 15306783 A JP15306783 A JP 15306783A JP S6047032 A JPS6047032 A JP S6047032A
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- filler
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- Pending
Links
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Landscapes
- Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
- Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、フィラー表面を酸処理および水処理するこ
とによってウラン、トリウムなどを含む付着物を溶解、
または洗浄作用によってウラン、トリウムの検出量の低
いモールド樹脂を製造するタブレットの製造方法に関す
る。
とによってウラン、トリウムなどを含む付着物を溶解、
または洗浄作用によってウラン、トリウムの検出量の低
いモールド樹脂を製造するタブレットの製造方法に関す
る。
（従来技術）
モールド樹脂封止工、４のモールド樹脂はエポキシ樹脂
、充填剤であるフィラー、添加剤などから構成されてい
る。これらの原材料をそれぞれの配合比で混合、ねシ合
わせ、粉砕などの処理工程後一般的に円柱形状のタプレ
ツＮＣ成形される。そｉらｔ用いて組立の完了した１入
リードフレームをモールド金型にセット後、タブレット
をモールトフレスに投入、加圧注入し、Ｉ／ｃリードフ
Ｖ −ムを樹脂封止形Ｉ／Ｃに成形する。
、充填剤であるフィラー、添加剤などから構成されてい
る。これらの原材料をそれぞれの配合比で混合、ねシ合
わせ、粉砕などの処理工程後一般的に円柱形状のタプレ
ツＮＣ成形される。そｉらｔ用いて組立の完了した１入
リードフレームをモールド金型にセット後、タブレット
をモールトフレスに投入、加圧注入し、Ｉ／ｃリードフ
Ｖ −ムを樹脂封止形Ｉ／Ｃに成形する。
メモリ回路の集積度の進歩とともに集積密度の高い６４
にビン）ＲＡＭ％電荷結合素子（ＣＯＤ）などの樹脂封
止された素子のンフトエラーがパッケージ材料中に存在
するウラン、トリウムによって放射性崩壊する際にアル
ファ粒子が放出されて、メモリアレイ領域を透過する際
に記憶データを逆転してしまうことが一般的に知られて
きた。
にビン）ＲＡＭ％電荷結合素子（ＣＯＤ）などの樹脂封
止された素子のンフトエラーがパッケージ材料中に存在
するウラン、トリウムによって放射性崩壊する際にアル
ファ粒子が放出されて、メモリアレイ領域を透過する際
に記憶データを逆転してしまうことが一般的に知られて
きた。
したが、って、ンフトエラーを発生させるモールド樹脂
を構成するエポキシ樹脂、フィラー、添加剤などの原材
料の内ウラン、トリウムが含まれる原材量としては、エ
ポキシ樹脂、添加剤などの中にウラン、トリウムが含有
されているという報告は知られていない。
を構成するエポキシ樹脂、フィラー、添加剤などの原材
料の内ウラン、トリウムが含まれる原材量としては、エ
ポキシ樹脂、添加剤などの中にウラン、トリウムが含有
されているという報告は知られていない。
フィラー中には、一般的にウラン、トリウムの含有は多
くのデータの報告などによってフィラー中に含まれてい
ることが確認されている。
くのデータの報告などによってフィラー中に含まれてい
ることが確認されている。
第１図は、従来の市販されている４社の低アルファ線モ
ールド樹脂からフィラーを分離後フィラーに含まれてい
るウラン含有量検出値グラフである。最もウラン検出量
の低いソー力でも４．３ ｐｐｂ検出されたが、後述す
るこの発明の方法で処理したフィラー中殻も低いウラン
検出量は１．８ｐｐｂと低い検出」Ｔ七である。
ールド樹脂からフィラーを分離後フィラーに含まれてい
るウラン含有量検出値グラフである。最もウラン検出量
の低いソー力でも４．３ ｐｐｂ検出されたが、後述す
るこの発明の方法で処理したフィラー中殻も低いウラン
検出量は１．８ｐｐｂと低い検出」Ｔ七である。
以上のように、従来品のフィラーは各社の製造工程が明
確にされていないが、製品の分析値から少なからぬ」１
にのウランを含むものである。
確にされていないが、製品の分析値から少なからぬ」１
にのウランを含むものである。
この発明は、上記の点にかんがみなされたもので、ウラ
ン含有量の少ないモールド樹脂を作ることができ、シン
グル・ビットエラーの少ないモールド樹脂封止工、仝が
製造できるタブレットの製造方法を提供することを目的
とする。
ン含有量の少ないモールド樹脂を作ることができ、シン
グル・ビットエラーの少ないモールド樹脂封止工、仝が
製造できるタブレットの製造方法を提供することを目的
とする。
（発明の構成）
この発明のタブレットの製造方法は、エポキシ樹脂と充
填材であるフィラーをタブノット形成前に前処理を行う
ようにしたものである。
填材であるフィラーをタブノット形成前に前処理を行う
ようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明のタブレットの製造方法の実施例につい
て図面について説明する。第２図はその一実施例によっ
て得られたタブレットの実施後フィラーに含まれるウラ
ン含有量検出値のグラフである。
て図面について説明する。第２図はその一実施例によっ
て得られたタブレットの実施後フィラーに含まれるウラ
ン含有量検出値のグラフである。
この第２図において、Ｅは処理をしていないフィラーの
ウラン含有量検出値、Ｆは二塩基酸処理、たとえば濃硫
酸に１時間程度フィラーを攪拌処理、Ｇは一塩基酸処理
、たとえば塩酸で１時間程度フィラーを攪拌処理、■は
水洗処理、たとえば純水中で１時間程度フィラーを攪拌
処理、■はＧ処理、Ｈ処理を併用した場合のウラン含有
量検出値のデータである。
ウラン含有量検出値、Ｆは二塩基酸処理、たとえば濃硫
酸に１時間程度フィラーを攪拌処理、Ｇは一塩基酸処理
、たとえば塩酸で１時間程度フィラーを攪拌処理、■は
水洗処理、たとえば純水中で１時間程度フィラーを攪拌
処理、■はＧ処理、Ｈ処理を併用した場合のウラン含有
量検出値のデータである。
フィラーにはウランを含む付着物、金属の微粉などが入
っているのではないかという疑問から、この発明の前処
理を実施して、ウランの含有量測定を行ない、第２図の
結果を得た。これらのデータに、１ｍりこの発明の前処
理方法は有効であることを確認した。
っているのではないかという疑問から、この発明の前処
理を実施して、ウランの含有量測定を行ない、第２図の
結果を得た。これらのデータに、１ｍりこの発明の前処
理方法は有効であることを確認した。
フィラーをこの発明の方法である酸処理前はフィラー中
には６．２ ｐｐｂのウランを検出したが、Ｆ処理、Ｇ
処理、■処理、前処理を実施後、Ｆ、Ｇ。
には６．２ ｐｐｂのウランを検出したが、Ｆ処理、Ｇ
処理、■処理、前処理を実施後、Ｆ、Ｇ。
Ｉ−Ｉ、Ｉ処理したフィラーはウラン検出量が低下して
いる。特にＧ処理は最も検出量が低下し、効果が現われ
ている。前処理はＧ処理とＨ処理の併用効果が現われて
いる。この発明では、このフィラー中のウラン含イｊ量
に着して、それぞれの処理をしたフィシ−のウラン検出
量の調査を実施し、第２図に示したような分析データを
得たものである。
いる。特にＧ処理は最も検出量が低下し、効果が現われ
ている。前処理はＧ処理とＨ処理の併用効果が現われて
いる。この発明では、このフィラー中のウラン含イｊ量
に着して、それぞれの処理をしたフィシ−のウラン検出
量の調査を実施し、第２図に示したような分析データを
得たものである。
これらの不純物としてのウランは放射性が崩壊する際に
アルファ粒子が放出される。このアルファ粒子が半導体
チップ表面全透過する際、記憶ノード付近に多゛くの電
子−正孔対を生成し、これがランダムに発生するシング
ル、ビットエラーの原因となる。
アルファ粒子が放出される。このアルファ粒子が半導体
チップ表面全透過する際、記憶ノード付近に多゛くの電
子−正孔対を生成し、これがランダムに発生するシング
ル、ビットエラーの原因となる。
要するに電離作用の強い放射線がメモリ、アンイ領域を
透過する際に、記憶データを逆転してしまうという作用
があるために、メモリ回路などの封止樹脂はウラン含有
量の低いモールド樹脂が吸水されるわけである。
透過する際に、記憶データを逆転してしまうという作用
があるために、メモリ回路などの封止樹脂はウラン含有
量の低いモールド樹脂が吸水されるわけである。
この発明では、−塩基酸、二塩基酸で実施したが、これ
らの酸はフィラー表面に伺着した、ウラン、トリウムな
どの電離性放射線を放出する物質を含む付着物を溶解さ
せる溶剤であれば、−塩基酸、二塩基酸などに限定され
ない。
らの酸はフィラー表面に伺着した、ウラン、トリウムな
どの電離性放射線を放出する物質を含む付着物を溶解さ
せる溶剤であれば、−塩基酸、二塩基酸などに限定され
ない。
（発明の効果）
以上述べたごとく、この発明のタブレットの製造方法に
よれば、前処理を実施したフィラー全使用してウラン含
有量の少ないタブフッ） ｆｃ作るようにしたので、こ
のタブレットを用いてモールド樹脂封止Ｉ／Ｃを製造す
れば、シングル、ビットエラーの少ないモールド樹脂封
止工、仝が製造できる利点がある。
よれば、前処理を実施したフィラー全使用してウラン含
有量の少ないタブフッ） ｆｃ作るようにしたので、こ
のタブレットを用いてモールド樹脂封止Ｉ／Ｃを製造す
れば、シングル、ビットエラーの少ないモールド樹脂封
止工、仝が製造できる利点がある。
第１図は従来市販されている４社の低アルファ線モール
ド樹脂のフィラーに含まれるウラン含有量検出値グラフ
を示す図、第２図はこの発明のタブレットの製造方法の
一実施例により得られたフィラーに含まれるウラン含有
量検出値のグラフを示す図である。 Ｅ・・・処理なし、Ｆ・・・二塩基酸処理、Ｇ・・・−
塩基酸処理、Ｈ・・・水処理、工・・・Ｇ処理とＨ処理
の併用処理。 第１図 第２図 手続補正書 昭和に年渭月１８日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第 １５３０６７ 号２、発明
の名称 タブレットの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の梱
ド樹脂のフィラーに含まれるウラン含有量検出値グラフ
を示す図、第２図はこの発明のタブレットの製造方法の
一実施例により得られたフィラーに含まれるウラン含有
量検出値のグラフを示す図である。 Ｅ・・・処理なし、Ｆ・・・二塩基酸処理、Ｇ・・・−
塩基酸処理、Ｈ・・・水処理、工・・・Ｇ処理とＨ処理
の併用処理。 第１図 第２図 手続補正書 昭和に年渭月１８日 特許庁長官若杉和夫 殿 １、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第 １５３０６７ 号２、発明
の名称 タブレットの製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特 許 出願人 （０２９）沖電気工業株式会社 ４、代理人 ５、補正命令の日付 昭和 年 月 日 （自発）６、
補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の梱
Claims (4)
- （１）エポキシ樹脂と充填材であるフィラーと添加剤と
からなるモールド樹脂のタブレットの製造方法において
、上記フィラーをタブレット形成前に前処理を行うこと
全特徴とするタブレットの製造方法０ - （２）前処理は一塩基酸処理であることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のタブレットの製造方法。 - （３）前処理は水処理であること全特徴とする特許請求
の範囲第１項記載のタブレットの製造方法。 - （４）前処理は一塩基酸処理後、水処理を行うことを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載のタブレットの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15306783A JPS6047032A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | タブレツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15306783A JPS6047032A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | タブレツトの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047032A true JPS6047032A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15554257
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15306783A Pending JPS6047032A (ja) | 1983-08-24 | 1983-08-24 | タブレツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047032A (ja) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692011A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Production of epoxy resin molding material |
| JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
| JPS5864053A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS58102546A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
-
1983
- 1983-08-24 JP JP15306783A patent/JPS6047032A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5692011A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | Production of epoxy resin molding material |
| JPS57195151A (en) * | 1981-05-27 | 1982-11-30 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Low-radioactive resin composition |
| JPS5864053A (ja) * | 1981-10-13 | 1983-04-16 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
| JPS58102546A (ja) * | 1981-12-14 | 1983-06-18 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂封止形半導体装置 |
| JPS58127354A (ja) * | 1982-01-25 | 1983-07-29 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体素子封止用樹脂組成物 |
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