JPS6047472A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
- Publication number
- JPS6047472A JPS6047472A JP58154799A JP15479983A JPS6047472A JP S6047472 A JPS6047472 A JP S6047472A JP 58154799 A JP58154799 A JP 58154799A JP 15479983 A JP15479983 A JP 15479983A JP S6047472 A JPS6047472 A JP S6047472A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- light
- refractive index
- protective film
- incident
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/40—Optical elements or arrangements
- H10F77/413—Optical elements or arrangements directly associated or integrated with the devices, e.g. back reflectors
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像索子に係わシ、特に受光感度を向上さ
せた固体撮像索子に関するものである。
せた固体撮像索子に関するものである。
第１図は従来の固体撮像素子の一例を示す要部縦断面構
成図である。同図において、ｌはシリコン基板、２はフ
ォトダイオードからなる感光部、３は透光性絶縁膜、４
はＡｔ信号線、Ｐ−８：ゲート線するいはスイッチング
トランジスタ等の遮光体、５は表面保護膜、Ｌは入射光
である。
成図である。同図において、ｌはシリコン基板、２はフ
ォトダイオードからなる感光部、３は透光性絶縁膜、４
はＡｔ信号線、Ｐ−８：ゲート線するいはスイッチング
トランジスタ等の遮光体、５は表面保護膜、Ｌは入射光
である。
しかしながら、前述した構成による固体撮像索子は、感
光部２の開口面積に対して遮光体得の占める表面積の割
合が大きいため、開口率が小さくなシ、入射光りに対す
る光利用率を低下させているため、受光感度を低下させ
ているという問題があった。
光部２の開口面積に対して遮光体得の占める表面積の割
合が大きいため、開口率が小さくなシ、入射光りに対す
る光利用率を低下させているため、受光感度を低下させ
ているという問題があった。
したがって本発明は前述した従来の問題に艦みてなされ
たものであシ、その目的とするところは、光利用率を向
上させ、感光部の受光量を上昇させた固体撮像素子を提
供することにある。
たものであシ、その目的とするところは、光利用率を向
上させ、感光部の受光量を上昇させた固体撮像素子を提
供することにある。
このような目的を達成するために本発明は、隣接する受
光部間の非感光部上に断面が凸形状を有する球面状の低
屈折率保護膜を設け、その上に前記保護膜よシも高い屈
折率を有する保護膜を設けたものである。
光部間の非感光部上に断面が凸形状を有する球面状の低
屈折率保護膜を設け、その上に前記保護膜よシも高い屈
折率を有する保護膜を設けたものである。
次に図面を用いて本発明の実施例を詳釉１に脱ＥｊＪＪ
する。
する。
第２図は１本発明による固体撮像素子の一例を示す要部
断面構成図であシ、第１図と同一部分また線相等する部
分には同一符号を付す。同図において、非感光部として
の遮光体４上には断面を球面状とした低屈折率の保護膜
６が形成され、さらに表面保護膜５上には感光部として
のフォトダイオード２と対応する部位を断面が台形状と
し、かつ非感光部としての遮光体４と対応する部位を凹
形状とした屈折率の高い保護膜７が形成されている。
断面構成図であシ、第１図と同一部分また線相等する部
分には同一符号を付す。同図において、非感光部として
の遮光体４上には断面を球面状とした低屈折率の保護膜
６が形成され、さらに表面保護膜５上には感光部として
のフォトダイオード２と対応する部位を断面が台形状と
し、かつ非感光部としての遮光体４と対応する部位を凹
形状とした屈折率の高い保護膜７が形成されている。
このような構成によれば、入射光りのうち、最上面の保
秩膜７の凸形平担部に入射する入射光りはこの保護膜７
および表面保護膜５ｔ−直進的に透過してフォトダイオ
ード２に入射する。一方、遮光体４と対応する保護膜７
の凹形状部分に入射する入射角の大きい入射光は、該凹
形状部分が屈折率が高いので、保＠股７を透過して遜光
体今上の球面保幽膜６上に集光され、これらの光のうち
、入射角の大きい光りは屈折率の低い球面状保睡膜６の
表面保護膜５との界面でフォトダイオード２側に反射さ
れて集光されることになる。この結果、感光部としての
フォトダイオード２へ入射する光量が以前よシも大幅に
増大して感度を向上させることができる。
秩膜７の凸形平担部に入射する入射光りはこの保護膜７
および表面保護膜５ｔ−直進的に透過してフォトダイオ
ード２に入射する。一方、遮光体４と対応する保護膜７
の凹形状部分に入射する入射角の大きい入射光は、該凹
形状部分が屈折率が高いので、保＠股７を透過して遜光
体今上の球面保幽膜６上に集光され、これらの光のうち
、入射角の大きい光りは屈折率の低い球面状保睡膜６の
表面保護膜５との界面でフォトダイオード２側に反射さ
れて集光されることになる。この結果、感光部としての
フォトダイオード２へ入射する光量が以前よシも大幅に
増大して感度を向上させることができる。
以上説明したように本発明によれば、感光部の受光量を
増大させることができるので、光利用率が大幅に向上し
、感度を上昇させることができるという極めて優れた効
果が得られる。
増大させることができるので、光利用率が大幅に向上し
、感度を上昇させることができるという極めて優れた効
果が得られる。
第１図は従来の固体撮像素子の一例を示す要部断面構成
図、第２図は本発明による固体４ｊＩｊ、像素子の一例
を示す要部断面工程図である。 １・・・・７リコ／基板、２・用フォトダイオード、３
・・・・透光性絶縁膜、４曲逍光体、５・、・６表面保
−膜、６・・・・低屈折率保護膜、７曲高屈折率保護膜
。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
図、第２図は本発明による固体４ｊＩｊ、像素子の一例
を示す要部断面工程図である。 １・・・・７リコ／基板、２・用フォトダイオード、３
・・・・透光性絶縁膜、４曲逍光体、５・、・６表面保
−膜、６・・・・低屈折率保護膜、７曲高屈折率保護膜
。 代理人 弁理士 高 橋 明 夫
Claims (1)
- 半導体基板上に複数の感光部を備えた固体撮像素子にお
いて、前記感光部相互間の非感光部上に低屈折率の保護
膜を設けるとともに、該保護膜上に該保護膜よ）も高い
屈折率を有する保護膜を設けたことを％徴とする固体撮
像−素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154799A JPS6047472A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58154799A JPS6047472A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6047472A true JPS6047472A (ja) | 1985-03-14 |
Family
ID=15592141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58154799A Pending JPS6047472A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6047472A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323052A (en) * | 1991-11-15 | 1994-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image pickup device with wide angular response |
| US5670384A (en) * | 1993-09-17 | 1997-09-23 | Polaroid Corporation | Process for forming solid state imager with microlenses |
| EP0892287A3 (en) * | 1997-07-15 | 2000-03-08 | Hewlett-Packard Company | Enhanced light collection efficiency sensor with microlens array |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58154799A patent/JPS6047472A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5323052A (en) * | 1991-11-15 | 1994-06-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image pickup device with wide angular response |
| US5670384A (en) * | 1993-09-17 | 1997-09-23 | Polaroid Corporation | Process for forming solid state imager with microlenses |
| EP0892287A3 (en) * | 1997-07-15 | 2000-03-08 | Hewlett-Packard Company | Enhanced light collection efficiency sensor with microlens array |
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