JPS6048061B2 - 磁気バブル装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブル装置に関し、更に具体的には磁気バ
ブルを保持し、磁気バブルを伝播してメモリー機能をも
たせる磁気バブル素子チップを改良した磁気バブル装置
に関するものである。

面内回転磁場により、磁気バブルを駆動する方式、いわ
ゆるフィールドアクセス方式の磁気バブル装置では、バ
ブル磁区材料中に、バブル磁区が形成されるのに丁度適
当なバイアス磁場を加える。このバイアス磁場を発生さ
せる手段として上記の適当なバイアス磁場が発生するよ
うに着磁された永久磁石が用いられるのが一般的である
。永久磁石としてはバリウムフェライトやアルニコ磁石
などが用いられている。このような磁気バブル装置が広
い温度範囲にわたつて誤動作をおこすことなく動作する
ためには、いくつかの因子を十分に考慮したバブル磁区
材料や磁気バブル素子チップの最適設計がなされなけれ
ばならない。

例えはプロシーデイングス・オブ・ザ・アイ・イー 、
イー ・イー（ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＩＥ
ＥＥ）第６３巻第８号１１７６〜１１９５ページ（１９
７奔）の第４章には、（イ）バブル磁区材料の一軸異方
性磁界を大きくとり、パーマロイ等の軟磁性体からなる
いわゆる転送パターンの磁化によつて広い温度範囲にわ
たつてバブル磁フ区が自然発生しないこと （口）広い
温度範囲にわたつて、バイアス磁石によつて発生する磁
場強度の温度変化と、バブル磁区の安定存在バイアス磁
場領域の中央値の温度変化がよく一致していること←→
検出器信号の温度変化を考慮すること及び５（ニ）バブ
ル磁区発生器の特性の温度特性を考慮すべきことが述べ
られている。

この中で特に第２番目の項目は最も重要なものの一つで
あり、前述の論文第４章第Ｃ項にも述べられているよう
に、永久磁石から発生するバイアス磁場強度の温度変化
が与えられたバブル磁区材料のバブル消減磁界ＨＯの温
度変化に合致するように永久磁石の種類を選択するか、
もしくは、容易に入手可能な永久磁石材料のバイアス磁
場強度温度変化に合致するようなバブル消減磁界ＨＯの
温度変化をもつようにバブル磁区材料の組成や製法を決
定する方法をとることが指摘されている。実際には後者
の方法、即ちバブル磁区材料のＨＯ温度変化を永久磁石
の温度変化に合わせる方法がとられることが多い。例え
ばジャーナル・オブ・ザ・エレクトロケミカル ソサエ
テイー （ＪＯｕｒｎａｌＯｆｔｈｅＥｌｅｃｔｒＯｃ
ｈｅｍｉｃａｌＳＯｃｉｅｔｙ）第１２３巻第６号８５
６〜８６３ページ（１９７６年）のエス・エル・ブラン
ク（Ｓ −Ｌ −Ｂｌａｎｋ）等の論文には、（Ｙ，Ｓ
ｍ，ＬＵ，Ｃａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１２ガーネット
の八面体位置へのＬｕ３＋置換量を変えることによつて
、バブル磁区材料のＨＯの温度変化をコントロールする
方式が示されている。永久磁石としてバリウムフェライ
トを用いるとき、その磁界強度の温度変化は−０．２％
／゜Ｃであり、従つてバブル磁区材料のＨＯの温度係数
もこの場合−０．２％／゜Ｃとなるように選択されてい
る。しかしながら、従来開発された多くのバブル磁区材
料には、ＨＯの温度係数は永久磁石の温度係数と一致は
していないが、他の磁気特性の観点からは非常にすぐれ
ているものが多数存在する。

たとえば工ー争アイ命ピーｅコンファレンス・プロ場゛
シーデイングス （ＡＩＰＣＯｎｆｅｒｅｎｃｅＰｒＯ
ｃｅｅｄｉｎｇｓ）第２吋（アメリカン番インステイテ
ユート・オブ・フィジックス（ニューヨーク）発行１９
７師）９１〜９４ページには、いわゆる高ｇ値材料の記
述があり、この材料のＨＯの温度係数は−０．５８％／
゜Ｃと温度に対してＨＯの変化が急峻ではあるが、高周
波数まで安定に動作可能であることが述べられている。
従つてこの高ｇ値材料を広い温度範囲にわたつて使用可
能とするためには、上記論文中にも述べられているよう
に温度係数の異なる２種の永久磁石材料を組み合わせて
バイアス磁界系を形成するか、または温度係数が−０．
５８％／゜Ｃの新しい永久磁石そのものを開発するかし
なければならなかつた。一方、従来、磁気バブル装置に
用いられる目的の複合磁性膜に大別して二種類のものが
知られている。

一つはハードバブル抑制用複合磁性膜、他の一つはバブ
ル磁区自己支持用複合磁性膜である。ハードバブル抑制
川複合磁性膜は、バブル磁区材料に直接接して、少なく
ともその片面に第２の磁性薄膜を形成させ、この第２の
磁性薄膜の磁化容易軸が膜面内に存在するようにして、
９０磁磁壁を形成せしめる。

９０す磁壁による磁気モーメント同志の直接の交換相互
作用によつてバブル磁区中に多数の垂直ブロッホライン
を伴うような、いわゆるハードバブルを抑制するもので
ある。

上記の第２の磁性薄膜の種類とその飽和磁化（４７Ｍｓ
）の温度係数に着目してみる。

４７ＭＳの温度係数Ａを で定義し、Ｔ，＝２０゜Ｃ．．Ｔ２＝１００゜Ｃとする
。

第２の磁性薄膜の種類としては（イ）Ｙ３Ｆｅ，Ｏェ，
薄膜、（口）パーマロイ薄膜、（ハ）Ｙ，・，．３Ｇｄ
０．５４Ｆｅ，０，２薄膜、（ニ）イオン注入層（バブ
ル磁区材料膜の表面からＨ＋Ｎｅ＋などのイオンを注入
して、バブル磁区材料自身の磁気特性を変質させた層を
形成したもの。）などが知られている。４汀Ｍｓの温度
係数Ａは、（イ）は２０′Ｃで４汀Ｍｓ＝１７５０ガウ
ス、１０００Ｃで１４５０ガウスであるから、Ａ＝ー０
．２１％／゜Ｃ，（口）は組成により多少４賞Ｍｓ値と
その温度係数は異なるが約−０．１０％／゜Ｃ乃至一０
．２０％／０Ｃぃ（ハ）は約−０．２０％／０Ｃである
。

（ニ）１のイオン注入層の４７ＭＳの温度係数はバブル
磁石材料自身の４汀Ｍｓの温度係数と同じ程度の値を有
しているとみなしてよい。他の一つのバブル磁区自己支
持用複合磁性膜については、例えば特開昭５０−１４５
８９７号明細書にその構造等が述べられている。

この例ではバブル磁区支持膜の特性長の温度係数が士０
．１％以内であることが記述されているが、バイアス磁
界用膜の４賞Ｍｓについては全く言及されていない。本
発明の目的は、永久磁石の温度係数に一致しない温度係
数を有するバブル磁区材料のＨＯの温度係数を、バブル
磁区材料と、このバブル磁区材料の少くともその片面に
作られた面内磁化容易軸を有する磁性薄膜との静磁気的
相互作用の大きさの温度変化を利用することによつて、
永久磁石の温度係数に一致させた磁気バブル装置を提供
することである。すなわち、本発明は、バブル磁区材料
の少くともその片面に面内磁化容易軸を有する磁性薄膜
（第２の磁性薄膜）を形成した複合磁性膜においてはバ
ブル磁区材料が本来有していたバブル消減磁界ＨＯが次
に示す３つの現象に対応して変化す，ることに着目して
なされたものである。

すなわち、第一に、バブル磁区と面内磁化容易軸を有す
る第２の磁性薄膜との静磁気的相互作用によつてバブル
磁区材料の本来のバブル消減磁界ＨＯが、みかけ上増加
しＨＯ＋ΔＨＯ（ΔＨＯ〉０）となること、第二に、Δ
ＨＯの値は第２の磁性薄膜の４７ｒＭｓと膜厚に依存す
ること、第三に、発明者らが研究の結果、新たに見出し
−た事実として第２の磁性薄膜の４７ｒＭｓ温度係数Ａ
がＡ〉０もしくはＡ〈−０．５％／゜Ｃのときには、Δ
ＨＯが顕著な温度変化を示すことを利用して、バブル磁
区材料本来のＨＯの温度係数を、このような複合磁性膜
構造を採用することによつて、実質的に変化させうるこ
と、に着目してなされたものである。

第一、第二の項目に関しては、例えば１９７師春季応用
物理学関係連合講演会講演要旨集（３０ａ−Ｇ−１０）
に簡単な記述があるが、更に詳しくこの点につき説明す
る。

第１図は膜厚ｈ＝６．７μｍの磁性ガーネット膜の片面
にＹ３Ｆｅ５Ｏｌ。薄膜をつけたときのＨＯの変化を示
す図である。Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ２をつける前の、室温での
バブル磁区材料の特性は、ＨＯ＝７５０ｅ１特性長１＝
０．８１Ｌｍ１４７ｒＭＳ＝１４５ガウスであつた。こ
のバブル磁区材料に接してその片面に種々の厚さｔ（７
）Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ２膜（４πＭｓ＝１７５０ガウス）を
気相エピタキシャル成長法でつけた時ぃＨＯはｔととも
に上昇し、ついにはほぼ一定の値に飽和した。Ｙ３Ｆｅ
５Ｏｌ。に限らず、真空蒸着法で同じバブル磁区材料上
につけたパーマロイ薄膜や液相エピタキシャル法による
Ｙ２・４４３Ｇｄ０・５４Ｆｅ５０１。膜をけたときも
ＨＯはその膜厚に依存して変化した。これらの実験の結
果をまとめてみると、種々のタイプの複合磁性膜に対し
て第２図のグラフで一括して表現することができた。第
２図 ｔ●４ＩｒｒＭｐの横軸２１は？である。

ここにＨｌ４π ｈ・４７ｒＭＳ Ｍｓはバブル磁区材料の膜厚と飽和磁化、Ｔｌ４ＴＭＰ
はＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２、パーマロイ等面内磁化容易軸を有
する第２の磁性薄膜の膜厚と飽和磁化をそれぞれ表わす
。

縦軸２２はＨＯ／４πＭｓであり、バブル磁区材料１／
ｈをパラメータとして異なる曲線２３，２４，２５など
で表現できることを示している。以上の説明から、バブ
ル磁区材料のバブル消滅
ｔ・４πＭｐ磁界は、第２図に示されるようにＨ．４ｊ
Ｍ８が増加するとともに本来の値ＨＯよりも上昇してい
うことがわかる。

次に第三の項目、即ちΔＨＯの温度変化に着目してなさ
れた本発明を比較例、実施例をもつて詳しく説明する。

比較例１（Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ，Ｃａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５
０１２ガーネットからなるバブル磁区材料を液相エピタ
キシャル法でＧｄ３Ｇａ５Ｏｌ。

の（１１１）基板上に膜厚ｈ＝３．７０ｐｍの膜を成長
させた。このバブル磁区材料の２０゜Ｃでの磁気的性質
は４πＭＳ＝２７２ガウス、ＨＯ＝１３９０ｅ５１＝０
．４１ｐｍであつた。これらの特性の温度変化を−２０
℃から１１０℃の範囲で測定したところ、それぞれ第３
図３１，３２，３３の如くほぼ直線的に温度とともに減
少することが見出されノた。一方、従来から知られる複
合磁性膜構造の一種であるようなＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２＋バ
ブル磁区支持層から成る構造の膜でのバブル消減磁界の
温度変化を確認するために、あらかじめＧｄ３Ｇａ５Ｏ
ｌ２基板上に気７相エピタキシャル成長法でＹ３Ｆｅ５
Ｏｌ２薄膜をｔ＝８００Ａ０成長させてから、この膜の
上に、上述と同一の特性をもつ（Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ，Ｃａ
）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１。

ガーネット膜を液相エピタキシャル成長させた。Ｙ３Ｆ
ｅ５Ｏｌ。の４πＭｓを４πＭｐと表わすつとその温度
変化は第３図３４のようであつた。 Ｔ．４７ｒＭＰ
従つてＨ．４ｊＭ８の温度変化は計算することができ、
第３図３５の直線の如くであることがわかつた。このよ
うなＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２＋ （Ｙ９ｓｍ９Ｌｕ９ｃａ）３
（Ｆｅ，Ｇｅ）５０，，複合磁性膜のバブル消減磁界の
流度変化を測定したところ、第３図の曲線３６のようで
あつた。

Ｙ３Ｆｅ，Ｏｌ２のついていない、バブル磁区支持層の
みのときのＨＯの温度変化３２に几べてほぼ平行移動し
たにすぎなかつた。即ちム；ＨＯは温度によらずほぼ２
５０ｅと一定であつた。こｔ・４賞Ｍｐの現象は，．，
．！ＴＭＳが温度によらずはぼ一定であることに帰因し
、第２図のグラフでよく説明できた。この系での複合磁
性膜のバブル消減磁界の温度係数Ｂをで定義し、Ｔ１＝
２５゜Ｃ．．Ｔ，＝１００のｃの値を用いると、Ｂ＝ー
０．２５％／゜Ｃと計算された。

永久磁石として−０．２０％／゜Ｃのバイアス磁界温度
係数を有するバリウムフェライトを用いるとき、広い温
度範囲で動作可能な磁気バブル装置を作ることは不可能
であつた。同様に、従来ハードバブル抑制の目的でよく
用いられるパーマロイ＋バブル磁区支持層、またはイオ
ン注入層＋バブル磁区支持層から成る複合磁性膜構造を
用いても、バブル消減磁界の温度係数と、バリウムフェ
ライト永久磁石から発生するバイアス磁界の温度係数の
不一致が著しいため、上述のバブル磁区支持層組成の材
料を用いては実用化することはできなかつた。

実施例１ 本発明によれは、上述の、比較例１に用いたのとの同一
のバブル磁区材料、すなわち（Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ，Ｃａ）
３（Ｆｅ，Ｇｅ），０１２ガーネット膜をバブル磁区支
持層として用いて、バブル消減磁界ＨＯの温度係数をバ
リウムフェライトの温度係数に実質的に一致させた複合
磁性膜構造を実現できた。

本発明によれは、比較例１に用いたのと同一の（Ｙ，Ｓ
ｍ，Ｌｕ，Ｃａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０，２ガーネット
膜を液相エピタキシャル法でＧｄ３Ｇａ，Ｏｌ２（１１
１）基板上にｈ ＝３．７０ｐｍ成長させ、さらに真空
蒸着法でＧｄ，８ＣＯ８２非晶質合金薄膜を１０００Ａ
０蒸着した。

このＧｄ，８ＣＯ８２薄膜の磁化容易軸方向は面内にあ
り、Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ２或いはパーマロイ薄膜をバブル磁
区支持層に接して形成させたときの複合磁性膜と同様に
ハードバブル抑制効果があつた。Ｇｄ，，ＣＯ，，非晶
質薄膜の磁気補償温度は−４８゜Ｃであり、この材料の
４７ＴＭＳを４７Ｍｐとあられすと、その温度変化は第
４図４４の如く温度上昇とともに急速に４汀Ｍｐは増加
した。

Ｇｄｌ８ＣＯ８２薄膜の４？ＲＭｐの温度係数は（１）
式に従つて計算すると＋ｔ魯４ｊＭＰ１．１３％／゜Ｃ
であつた。

従つて？の温度変化Ｈ．４汀Ｍｓは第４図４５に示す如
く計算でき、温度上昇とともに著しく増加することがわ
かつた。

このようなＧｄ，８ＣＯ８２＋ （Ｙ，Ｓｍ，Ｌｕ，Ｃ
ａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０，，複合磁性膜のバブル消減
磁界の温度変化を測定したところ、第４図の曲線４６の
ようであつた。

曲線４６と、バブル磁区支持層のみのときのバブル消減
磁界の温度変化３２と比較してみると著しい改善が認め
られた。即ちこの改善効果は４７Ｍｐの温度係数Ａが正
であり、第２図のＨＯの変化のグラフと対照してみると
わかるよＴｅ４７ＭＰうに ？が温度上昇とともに著し
く増加しゝｈ・４ｊＭＳ たことに基く。

低温側では八ＨＯが小さく、高温側ではＡＨＯが大きく
なるような効果によつて急峻であつたＨＯの温度係数を
ゆるやかにすることができたのである。曲線４６の温度
係数を（２）式にあてはめて計算してみると−０．２０
％／゜Ｃと求まり、バリウムフェライト永久磁石の温度
係数一０．２０％／゜Ｃと一致させることができ、従つ
て本実施例の複合磁性膜構造を採用することにより広い
温度範囲にわたつて動作可能な磁気バブル装置を実用化
することができた。比較例２ （Ｙ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｃａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０ェ，ガ
ーネットから成る磁気バブル材料を液相エピタキシャル
法でＧｄ３Ｇａ５Ｏｌ２の（１１１）基板上に膜厚ｈ
＝３．２０ｐｍの膜を成長させた。

このバブル磁区材料の２０゜Ｃでの磁気的性質は４１Ｍ
Ｓ＝２３２ガウス、ＨＯ＝１３００ｅぃ１＝０．４０ｐ
ｍであつた。これらの特性の温度変化を−２０゜Ｃから
１１０゜Ｃの範囲で測定したところ、それぞれ第５図５
１，５２，５３の如くほぼ直線的に温度とともに減少す
ることが見出された。一方、従来から知られる複合磁性
膜構造の一種であるようなＹ３Ｆｅ５Ｏｌ。

＋バブル磁区支持層から成る構造の膜でのバブル消減磁
界の温度変化を確認するために、あらかじめＧｄ３Ｇａ
５Ｏｌ。基板上に気相エピタキシャル成長法でＹ３Ｆｅ
５Ｏｌ２薄膜をｔ＝８００Ａ０成長させてから、この膜
の上に、上述と同一の特性をもつ（Ｙ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｃ
ａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１２ガーネット膜を液相エピ
タキシャル成長させた。Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ。の４πＭｓを
４πＭｐと表わすとその温度変化は第５図５４のようで
あつた。 ｔ・４πＭｐ従つて？石バ？の温度変化は計
算することができ、第５図５５の直線の如くであること
がわかつた。

このようなＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２＋（Ｙ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｃａ
）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１２複合磁性膜のバブル消減磁
界の温度変化を測定したところ、第５図の曲線５６のよ
うであつた。

Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ。のついていない、バブル磁区支持層の
みのときのＨＯの温度変化５２に比べて、ほぼ平行移動
したにすぎなかつた。これは ｔ●４
′ＲｒＭｐ比較例１の場合と同様に？の温度変化が小−
ｈ・４πＭｓさいことに帰因するこ
とが第２図からも理解できる。

このような複合磁性膜のバブル消減磁界の温度係数Ｂを
（２）式に従つて計算すると−０．１６％／゜Ｃであり
、永久磁石として−０．２０％／゜Ｃのバイアス磁界温
度係数を有するバリウムフェライトを用いるとき、広い
温度範囲で動作可能な磁気バブル装置を作ることは不可
能であつた。

同様に、従来ハードバブル抑制の目的でよく用いられる
パーマロイ＋バブル磁区支持層、または、イオン注入層
＋バブル磁区支持層から成る複合磁性膜構造を用いても
、バブル消減磁界の温度係数と、バリウムフェライト永
久磁石から発生するバイアス磁界の温度係数の不一致が
著しいため、上述のバブル磁区支持層組成の材料を用い
ては実用化することはできなかつた。

実施例２ 本発明によれは、上述の比較例２に用いたのと同一のバ
ブル磁区材料、すなわち（Ｙ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｃａ）３（
Ｆｅ，Ｇｅ）５０１２ガーネット膜をバブル磁区支持層
として用いて、バブル消減磁界の温度係数をバリウムフ
ェライトの温度係数に実質的に一致させた複合磁性膜構
造を実現できた。

本発明によれば、比較例２に用いたのと同一の（Ｙ，Ｓ
ｍ，Ｔｍ，Ｃａ）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１。

ガーネット膜を液相エピタキシャル法でＧｄ３Ｇａ５Ｏ
ｌ２（１１１）基板上にｈ＝３．２０ｐｍ成長させ、さ
らに真空蒸着法でＧｄ３ＯＣＯ７Ｏ非晶質合金薄膜を８
５０Ａ０蒸着した。このＧｄ３。ＣＯ７講膜の磁化容易
軸方向は面内にあり、Ｙ３Ｆｅ５Ｏｌ２或いはパーマロ
イ薄膜をバブル磁区支持層に接して形成させたときの複
合磁性膜と同様にハードバブル抑制効果があつた。Ｇｄ
３ＯＣＯ７Ｏの非晶質薄膜の磁気補償温度は１９５゜Ｃ
であり、この材料の４７ｒＭｐの温度変化は第６図６４
の如く温度上昇とともに急速に減少し、その温度係数は
Ａ＝ー０．５６％／゜Ｃであつた。

従つてｔ・４７ＴＭＰ？の温度変化は第６図６５に示す
如く計算ｈ●４？ＲＭＳ でき、温度上昇とともに著しく減少することがわかつた
。

このようなＧｄ３ＯＣＯ７Ｏ＋（Ｙ，Ｓｍ，Ｔｍ，Ｃａ
）３（Ｆｅ，Ｇｅ）５０１。

複合磁性膜のバブル消減磁界の温度変化を測定したとこ
ろ、第６図の曲線６６のようであつた。曲線６６と、バ
ブル磁区支持層のみのときのバブル消減磁界の温度変化
５２と比較してみると著しい改善が認められた。即ち、
この改善効果は４πＭｐの温度係数Ａが負で、その絶対
値が大きく、第２図のＨＯの変化のグラフと対照してみ
るとわかるように、ヒ旬＾０が温度上昇と
ｈ・４（ＲＭＳともに著しく減少したことに基
く。

低温側ではΔＨＯが大きく、逆に高温側ではΔＨＯが小
さくなるノような効果によつてゆるやかであつたＨＯの
温度係数を急峻にすることができたのである。曲線６６
の温度係数を（２）式にあてはめて計算してみると一０
．２１％／０Ｃと求まり、バリウムフェライト永久磁石
の温度係数−０．２０％／゜Ｃと殆んど完全に一致７さ
せることができ、従つて本実施例の複合磁性膜構造を採
用することにより広い温度範囲にわたつて動作可能な磁
気バブル装置を実用化することができた。なお、上記実
施例に示したのは一例であり、本９発明の範囲は各種ガ
ーネット等において多様な選択を包含するものてあるこ
とは勿論である。

また、上記実施例ではガーネット膜バブル磁区材料上に
直接接して第２の磁性薄膜を形成した例を示したが、ガ
ーネット膜バブル磁区材料と第２の磁性薄膜の間に非磁
性材料の層、いわゆるスペーサ層、例えばＳｊＯ２層や
Ａｌ２Ｏ３を介することによつてガーネット膜と第２の
磁性薄膜の磁気モーメントによる交換相互作用を絶ちき
つても、ＨＯの上昇メカニズムは２つの磁性膜の静磁気
的相互作用によるものであるから、非磁性スペーサーが
存在し，ても本発明の中に包含される。そしてこのよう
なスペーサ層の厚さは２０００Ａ以下ぐらいが適当であ
る。但し非磁性スペーサーが存在するときにはハードバ
ブル抑制手段としては、本発明による磁性薄膜層はもは
や有効ではない。従つて、、この場合はハードバブル抑
制手段は従来から知られている方法で行えばよい。

【図面の簡単な説明】

第１図はＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２膜とバブル磁区支持層から成
る複合磁性膜においてＹ３Ｆｅ５Ｏｌ２膜厚の関数とし
てバブル消減磁界の変化を示す図、第２図は第１図をよ
ソー般的に格張してバブル消減磁界を、複合磁性膜を構
成する材料の飽和磁化、膜厚との関係を示す図、第３図
〜第６図は種々の特性の温度変化を示す図で、第３図、
第５図は従来例、第４図、第６図は本発明による実施例
を示す図である。 ３１，５１はバブル磁区支持層の飽和磁化、３２，５２
はバブル磁区支持層のバブル消減磁界、３３，５３はバ
ブル磁区支持層の１／Ｈｌ３４，４４，５４，６４はバ
ブル磁区支持層に接してつけられた面内磁化容易軸をも
つ第２の磁性薄膜層の飽和磁化、３５，４５，５５，６
５は（第２の磁性薄膜層の膜厚×飽和磁化）／（バブル
磁区支持層の膜厚×飽和磁化）の値、３６，４６，５６
，６６は複合磁性膜におけるバブル消減磁界、のそれぞ
れ温度変化を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ バブル磁区を支持しうる一軸磁気異方性を有するバ
   ブル磁区材料の少なくとも片面に面内磁化容易軸を有す
   る磁性薄膜を形成させた複合磁性膜を磁気バブル素子チ
   ップとし、磁区材料内に磁気バブルが形成できる強さの
   バイアス磁界を発生する求久磁石を備えて成る磁気バブ
   ル装置において、前記膜面内に磁化容易軸を有する磁性
   薄膜の飽和磁化の温度係数ＡがＡ＞０またはＡ＜−０．
   ５（％／℃）であることを特徴とする磁気バブル装置。 ２ 面内磁化容易軸を有する磁性薄膜はバブル磁区材料
   に直接接触して形成されている特許請求の範囲第１項記
   載の磁気バブル装置。３ 面内磁化容易軸を有する磁性
   薄膜はバブル磁区材料とは非磁性材料層を介して形成さ
   れている特許請求の範囲第１項記載の磁気バブル装置。 ４ 面内磁化容易軸を有する磁性薄膜は、非晶質希土類
   −遷移金属合金である特許請求の範囲第１項記載の磁気
   バブル装置。