JPS6048063B2 - magnetic bubble device - Google Patents
magnetic bubble deviceInfo
- Publication number
- JPS6048063B2 JPS6048063B2 JP6287678A JP6287678A JPS6048063B2 JP S6048063 B2 JPS6048063 B2 JP S6048063B2 JP 6287678 A JP6287678 A JP 6287678A JP 6287678 A JP6287678 A JP 6287678A JP S6048063 B2 JPS6048063 B2 JP S6048063B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- terminal
- permalloy
- conductor
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気バブル装置、特にその導体パターンやパ
ーマロイパターンの接続端子部に関し、端子部における
ワイヤボンディング強度の向上を目的とする。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a magnetic bubble device, particularly a connecting terminal portion of a conductor pattern or a permalloy pattern thereof, and an object of the present invention is to improve the wire bonding strength at the terminal portion.
第1図は従来の磁気バブルチップの端子部の概念図、第
2図は同磁気バブルチップのパッケージング後の状態を
示す断面図、第3図は通常の磁気バブルチップのパター
ン部の断面図である。Fig. 1 is a conceptual diagram of the terminal section of a conventional magnetic bubble chip, Fig. 2 is a cross-sectional view showing the state of the same magnetic bubble chip after packaging, and Fig. 3 is a cross-sectional view of the pattern section of a conventional magnetic bubble chip. It is.
1は、ガ下りニウム・ガリウム・ガーネット (G・G
−G)基板1’に、液相エピタキシャル法(LPE)法
で作成した磁性ガーネット膜等のような磁性薄膜であり
、これによりバルブ下メインの発生、保持を行う。1 is Gadakudanium, Gallium, Garnet (G・G
-G) A magnetic thin film such as a magnetic garnet film formed by liquid phase epitaxial (LPE) method on the substrate 1', which generates and maintains the under-valve main.
この磁性膜1上に5102等の絶縁物層2を形成して、
その上に、Al−Cu等の導体パターンを形成し、バル
ブ下メインの制御用回路とする。さらにこの導体パター
ン3上に、前記と同様の絶縁物層4を形成し、その上に
パーマロイ等の磁性体パターンを形成して、バルブドメ
インの転送、検出を行う。制御用の導体パターン3や転
送用のパーマロイパターン5等の機能パターンと、それ
ぞれの端子部3’、5’とは、同じ工程で作成されるが
、導体パターンが3000入、パーマロイパターンが4
000八程度と薄いため、接続端子部としては厚さが不
充分で、障害が生じている。すなわち、第2図のように
、バルブチップ10の端子部3’、5’にリードワイヤ
6を超音波ボンディングし、ワイヤ他端をセラミック基
板7上・のAuメッキパターン8にボンディングして、
樹脂9等でコーティングした後、コーティング膜9を熱
処理する。熱処理でコーティング膜が膨張収縮するが、
この際にワイヤ6と端子部3’、5’との間に応力がか
かり、端子部3’、5’が薄いためフに、ボンディング
部で断線する問題が起きている。IC等の場合は、パタ
ーン厚が1μm程度で充分厚いため、このような問題は
少ないが、磁気バブル素子の場合は、導体パターン3を
厚くするとパーマロイパターン5に段差が生じて特性を
低5下させるので、前記のように3000Λ程度が限界
である。パーマロイパターンも、あまり厚くすると磁極
の発生が困難になるので、4000八程度が限界であり
、接続端子部としては厚さが充分でない。もちろん、端
子部だけは厚く蒸着することも可能であるが、製造工程
が増え、製品のコスト高を招く。また特開昭51−11
4833号公報に記載のようにボンディング端子部のみ
に、別工程で更にアルミニウムなどの導体を積層するこ
とでボンディング端子部を厚くすることが提案されてい
る。しかしながらこの場合、後から積層される導体層は
、導体パターンや転送パターンなどの積層工程とは別工
程で作成される。そのため単にボンディング端子部のみ
のために、わざわざパターン形成工程を増やすのは、コ
スト高となり、有効な手段とはいえない。本発明は、従
来のこのような問題を解消し、製造工程を増やすことな
しに、接続端子部の膜厚を、ワイヤボンディング部にお
ける断線が生じない程度まで厚くすることができる磁気
バブル装置を実現することを目的とする。An insulator layer 2 such as 5102 is formed on this magnetic film 1,
A conductor pattern made of Al--Cu or the like is formed thereon to form a main control circuit under the valve. Further, on this conductive pattern 3, an insulating layer 4 similar to that described above is formed, and a magnetic material pattern such as permalloy is formed thereon to transfer and detect the valve domain. Functional patterns such as the conductor pattern 3 for control and the permalloy pattern 5 for transfer and the respective terminal parts 3' and 5' are created in the same process, but the conductor pattern contains 3000 pieces and the permalloy pattern contains 4 pieces.
Since the thickness is as thin as 0.008 mm, it is not thick enough to be used as a connecting terminal portion, causing problems. That is, as shown in FIG. 2, the lead wire 6 is ultrasonically bonded to the terminal portions 3' and 5' of the valve chip 10, and the other end of the wire is bonded to the Au plating pattern 8 on the ceramic substrate 7.
After coating with resin 9 or the like, the coating film 9 is heat-treated. The coating film expands and contracts during heat treatment, but
At this time, stress is applied between the wire 6 and the terminal portions 3', 5', and since the terminal portions 3', 5' are thin, there is a problem of wire breakage at the bonding portion. In the case of ICs, etc., this problem is rare because the pattern thickness is sufficiently thick at around 1 μm, but in the case of magnetic bubble elements, when the conductor pattern 3 is made thicker, a step is created in the permalloy pattern 5, which reduces the characteristics. Therefore, as mentioned above, the limit is about 3000Λ. If the permalloy pattern is made too thick, it will be difficult to generate magnetic poles, so the maximum thickness is about 4000 mm, which is not sufficient for a connection terminal portion. Of course, it is possible to deposit only the terminal portion thickly, but this increases the number of manufacturing steps and increases the cost of the product. Also, JP-A-51-11
As described in Japanese Patent No. 4833, it has been proposed to thicken the bonding terminal portion by further laminating a conductor such as aluminum in a separate process. However, in this case, the conductor layer to be laminated later is created in a separate process from the lamination process of the conductor pattern, transfer pattern, and the like. Therefore, it is not an effective means to increase the number of pattern forming steps just for the bonding terminal portion, which increases the cost. The present invention solves these conventional problems and realizes a magnetic bubble device that can increase the thickness of the connection terminal part to the extent that disconnection does not occur at the wire bonding part without increasing the manufacturing process. The purpose is to
この目的を達するために本発明は、端子部だけは、導体
パターン形成時に、同時にパーマロイパターン用の端子
パタ,ーンも形成し、パーマロイパターン形成時に、前
記導体パターン材で形成された端子パターン上にパーマ
ロイによる端子パターンを重ねて形成し、端子部の膜厚
が、導体パターンとパーマロイパターンを重ねた膜厚と
なるような構成を採つてい2る。次に、本発明の実施例
について詳述する。In order to achieve this object, the present invention provides that, when forming the conductor pattern, a terminal pattern for the permalloy pattern is also formed at the same time, and when forming the permalloy pattern, the terminal pattern formed of the conductor pattern material is A terminal pattern made of permalloy is superimposed on the conductor pattern and the terminal pattern is formed so that the thickness of the terminal portion is equal to the thickness of the conductor pattern and the permalloy pattern. Next, examples of the present invention will be described in detail.
第4図イ,叫よ、本発明による磁気バブル素子の製法を
示す図、第5図はワイヤボンディングされた磁気バブル
装置の斜視図である。本発明の磁気ハブ3ル装置を製造
するには、導体パターン3およびその端子パターン3″
を作成する際に同時に、パーマロイパターンの端子パタ
ーンを作成すべき位置に、パーマロイパターン用の端子
パターン31も作成しておく。これらのパターンは、同
一マスク3:により、同じ工程でパターニングできる。
次に絶縁物層4を形成するが、この場合、前記端子パタ
ーン3″,31の部分は露出させ、絶縁物層4が被さら
ないようにする。この絶縁物層4の上にパーマロイパタ
ーン5を形成するが、この場合も端4ζ子パターンは、
パーマロイパターン側だけでなく、導体パターン側にも
重ねて形成する。すなわち、に−Cu材による端子パタ
ーン31の上に、パーマロイパターンの端子パターン5
2を積層形成すると共に、導体パターン用端子パターン
3″上にもパーマロイ層51を積層形成する。したがつ
て、端子パターン部は、下層が導体パターン材のA1−
Cul上層がパーマロイの二層構造となり、端子部だけ
はJ導体パターンの膜厚+パーマロイパターンの膜厚ョ
となり、0.7μm程度の厚い膜厚が得られる。積層構
造の端子パターン上に、A1リードワイヤ6をボンディ
ングし、他端をセラミック基板7のAuメッキパターン
8上にボンディングした状態が第5図であり、この後コ
ーティング膜9を塗布して、熱処理する。FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing a magnetic bubble device according to the present invention, and FIG. 5 is a perspective view of a wire-bonded magnetic bubble device. To manufacture the magnetic hub 3 device of the present invention, a conductor pattern 3 and its terminal pattern 3'' are required.
At the same time, a terminal pattern 31 for the permalloy pattern is also created at the position where the terminal pattern of the permalloy pattern is to be created. These patterns can be patterned in the same process using the same mask 3.
Next, an insulating layer 4 is formed. In this case, the terminal patterns 3'' and 31 are exposed so as not to be covered with the insulating layer 4. On this insulating layer 4, a permalloy pattern 5 is formed. However, in this case as well, the edge 4ζ child pattern is
It is formed not only on the permalloy pattern side but also on the conductor pattern side. That is, on top of the terminal pattern 31 made of Ni-Cu material, the terminal pattern 5 of the permalloy pattern is placed.
2 is laminated, and a permalloy layer 51 is also laminated on the terminal pattern 3'' for conductor pattern.Therefore, in the terminal pattern part, the lower layer is A1- of the conductor pattern material.
The upper Cul layer has a two-layer structure of permalloy, and only the terminal portion has the thickness of the J conductor pattern + the thickness of the permalloy pattern, resulting in a thick film thickness of about 0.7 μm. FIG. 5 shows a state in which the A1 lead wire 6 is bonded onto the terminal pattern of the laminated structure, and the other end is bonded onto the Au plating pattern 8 of the ceramic substrate 7. After this, a coating film 9 is applied and heat treatment is performed. do.
熱処理時のコーティング膜の膨張収縮でリードワイヤの
ボンディング部で断線しないためには、3y程度の引張
り強さが必要・とされている。第6図は、ワイヤボンデ
ィング部の引張り強度を示すグラフである。従来のよう
に、パーマロイやA1−Cu上にA1ワイヤをボンディ
ングした場合の強度分布は、3y程度のものがピークを
示し、3y以下のものもかなりある。ところが本発明の
ように、A1−Cuとパーマロイの積層端子上にワイヤ
ボンディングしたときは、4.5fのものがピークで、
ほとんどのものが3y以上の強度を示している。このた
め本発明のように、2種類以上のパターンを形成する際
に、接続端子部だけは、各パターニング時に常に端子パ
ターンを形成して積層し、膜厚を厚くすれば、ワイヤボ
ンディング部の強度がコーティング膜の膨張収縮にも充
分耐え得る程度に向上し、従来の懸念が一掃されて製品
歩留りが改善される。特に、互いに積層される金属が本
実施例のようにN−Cuとパーマロイの場合は密着性が
良いので、強度上非常に有効である。A tensile strength of about 3y is required to prevent wire breakage at the bonding portion of the lead wire due to expansion and contraction of the coating film during heat treatment. FIG. 6 is a graph showing the tensile strength of the wire bonding portion. The intensity distribution when A1 wire is bonded onto permalloy or A1-Cu as in the past shows a peak at about 3y, and there are also quite a few cases below 3y. However, when wire bonding is performed on a laminated terminal of A1-Cu and permalloy as in the present invention, the peak value is 4.5 f.
Most of them show an intensity of 3y or higher. For this reason, as in the present invention, when forming two or more types of patterns, only the connection terminal part is always formed and laminated at each patterning time, and if the film thickness is increased, the strength of the wire bonding part is increased. The coating film is improved to the extent that it can sufficiently withstand expansion and contraction of the coating film, eliminating conventional concerns and improving product yield. In particular, when the metals laminated on each other are N-Cu and Permalloy as in this embodiment, the adhesion is good and this is very effective in terms of strength.
しかも、導体パターンやパーマロイパターンのパター
ニングの際に、同時に接続端子部もパターニングするの
で、工程が増えることは無く、コスト高になるおそれは
無い。Moreover, since the connection terminal portions are also patterned at the same time as the conductor pattern or permalloy pattern is patterned, there is no need for additional steps and there is no risk of increased costs.
なお図示例は、導体パターン3をバブル用磁性莫1側
に設けたコンダクタファースト形に本発明発実施したも
のであるが、パーマロイパターンが2 くブル用磁性
膜側にあるパーマロイファースト形こ実施しても、同様
に勝れた効果が得られる。The illustrated example is a conductor-first type in which the conductor pattern 3 is provided on the bubble magnetic film 1 side, but the permalloy-first type in which the permalloy pattern 2 is provided on the double bubble magnetic film side is implemented. However, you can get the same great effect.
第1図は従来の磁気バブルチップのパターンの況要を
示す斜視図、第2図は同磁気バブルチップのパッケージ
ング後の状態を示す断面図、第3図は通常の磁気バブル
チップのパターン部を示す断面図である。Fig. 1 is a perspective view showing the pattern of a conventional magnetic bubble chip, Fig. 2 is a sectional view showing the state of the same magnetic bubble chip after packaging, and Fig. 3 is a pattern of a conventional magnetic bubble chip. FIG.
Claims (1)
磁性体の2種の機能パターンを有し、かつ夫々の機能パ
ターンとその端子パターンが同時にパターニングされる
磁気バブルであつて、前工程のパターニングで形成され
た導体或いは磁性体の一方からなる端子パターン上に、
後工程のパターニング時にも重ねて導体或いは磁性体の
他方からなる端子パターンを形成し、それぞれの機能パ
ターンの接続端子部は前工程でも後工程でもパターニン
グすることで、導体と磁性体の積層構造に構成されてい
ることを特徴とする磁気バブル装置。1 A magnetic bubble having at least two types of functional patterns, a conductor and a magnetic material, which are patterned in separate processes, and each functional pattern and its terminal pattern are patterned at the same time, and which are not formed in the patterning process in the previous process. on a terminal pattern made of either a conductor or a magnetic material.
During the patterning process in the post-process, a terminal pattern consisting of the other conductor or magnetic material is formed by overlapping the other, and the connection terminal part of each functional pattern is patterned in both the pre-process and the post-process, thereby creating a laminated structure of the conductor and the magnetic material. A magnetic bubble device comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287678A JPS6048063B2 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | magnetic bubble device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287678A JPS6048063B2 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | magnetic bubble device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54154231A JPS54154231A (en) | 1979-12-05 |
| JPS6048063B2 true JPS6048063B2 (en) | 1985-10-25 |
Family
ID=13212897
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287678A Expired JPS6048063B2 (en) | 1978-05-26 | 1978-05-26 | magnetic bubble device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6048063B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57203285A (en) * | 1981-06-10 | 1982-12-13 | Nec Corp | Magnetic bubble storage device |
-
1978
- 1978-05-26 JP JP6287678A patent/JPS6048063B2/en not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54154231A (en) | 1979-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR910002313B1 (en) | Rotating converter | |
| US20050167794A1 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
| JP2000183094A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JPS59139636A (en) | Bonding method | |
| JPS6048063B2 (en) | magnetic bubble device | |
| JPH0758112A (en) | Semiconductor device | |
| JPS60160624A (en) | Dielectric isolation for semiconductor chip | |
| JP2850579B2 (en) | Film carrier for semiconductor device | |
| JPS61150253A (en) | Semiconductor lead frame | |
| JPH03101233A (en) | Electrode structure and its manufacture | |
| JPH081108Y2 (en) | IC module | |
| JPS621249A (en) | Semiconductor device | |
| JP2526592Y2 (en) | IC module | |
| JPS58130589A (en) | Hybrid integrated circuit | |
| KR940008317B1 (en) | Method of connecting semiconductor chip | |
| JPS5963752A (en) | Resin sealed type semiconductor device | |
| JPH0466384B2 (en) | ||
| JP2536174B2 (en) | Thin film magnetic head | |
| JPH0462474B2 (en) | ||
| JPS59232432A (en) | Manufacture of hybrid integrated circuit | |
| JPS5846060B2 (en) | Manufacturing method of mounting body | |
| JPS59123249A (en) | Manufacture of electronic circuit device | |
| JPS63252445A (en) | Manufacture of semiconductor device | |
| JPS5852337B2 (en) | Manufacturing method of mounting body | |
| JPH0546708B2 (en) |