JPS6048063B2 - 磁気バブル装置 - Google Patents

磁気バブル装置

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Publication number
JPS6048063B2
JPS6048063B2 JP6287678A JP6287678A JPS6048063B2 JP S6048063 B2 JPS6048063 B2 JP S6048063B2 JP 6287678 A JP6287678 A JP 6287678A JP 6287678 A JP6287678 A JP 6287678A JP S6048063 B2 JPS6048063 B2 JP S6048063B2
Authority
JP
Japan
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pattern
terminal
permalloy
conductor
magnetic
Prior art date
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Expired
Application number
JP6287678A
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English (en)
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JPS54154231A (en
Inventor
格 大竹
祐嗣 山口
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS54154231A publication Critical patent/JPS54154231A/ja
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Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、磁気バブル装置、特にその導体パターンやパ
ーマロイパターンの接続端子部に関し、端子部における
ワイヤボンディング強度の向上を目的とする。
第1図は従来の磁気バブルチップの端子部の概念図、第
2図は同磁気バブルチップのパッケージング後の状態を
示す断面図、第3図は通常の磁気バブルチップのパター
ン部の断面図である。
1は、ガ下りニウム・ガリウム・ガーネット (G・G
−G)基板1’に、液相エピタキシャル法(LPE)法
で作成した磁性ガーネット膜等のような磁性薄膜であり
、これによりバルブ下メインの発生、保持を行う。
この磁性膜1上に5102等の絶縁物層2を形成して、
その上に、Al−Cu等の導体パターンを形成し、バル
ブ下メインの制御用回路とする。さらにこの導体パター
ン3上に、前記と同様の絶縁物層4を形成し、その上に
パーマロイ等の磁性体パターンを形成して、バルブドメ
インの転送、検出を行う。制御用の導体パターン3や転
送用のパーマロイパターン5等の機能パターンと、それ
ぞれの端子部3’、5’とは、同じ工程で作成されるが
、導体パターンが3000入、パーマロイパターンが4
000八程度と薄いため、接続端子部としては厚さが不
充分で、障害が生じている。すなわち、第2図のように
、バルブチップ10の端子部3’、5’にリードワイヤ
6を超音波ボンディングし、ワイヤ他端をセラミック基
板7上・のAuメッキパターン8にボンディングして、
樹脂9等でコーティングした後、コーティング膜9を熱
処理する。熱処理でコーティング膜が膨張収縮するが、
この際にワイヤ6と端子部3’、5’との間に応力がか
かり、端子部3’、5’が薄いためフに、ボンディング
部で断線する問題が起きている。IC等の場合は、パタ
ーン厚が1μm程度で充分厚いため、このような問題は
少ないが、磁気バブル素子の場合は、導体パターン3を
厚くするとパーマロイパターン5に段差が生じて特性を
低5下させるので、前記のように3000Λ程度が限界
である。パーマロイパターンも、あまり厚くすると磁極
の発生が困難になるので、4000八程度が限界であり
、接続端子部としては厚さが充分でない。もちろん、端
子部だけは厚く蒸着することも可能であるが、製造工程
が増え、製品のコスト高を招く。また特開昭51−11
4833号公報に記載のようにボンディング端子部のみ
に、別工程で更にアルミニウムなどの導体を積層するこ
とでボンディング端子部を厚くすることが提案されてい
る。しかしながらこの場合、後から積層される導体層は
、導体パターンや転送パターンなどの積層工程とは別工
程で作成される。そのため単にボンディング端子部のみ
のために、わざわざパターン形成工程を増やすのは、コ
スト高となり、有効な手段とはいえない。本発明は、従
来のこのような問題を解消し、製造工程を増やすことな
しに、接続端子部の膜厚を、ワイヤボンディング部にお
ける断線が生じない程度まで厚くすることができる磁気
バブル装置を実現することを目的とする。
この目的を達するために本発明は、端子部だけは、導体
パターン形成時に、同時にパーマロイパターン用の端子
パタ,ーンも形成し、パーマロイパターン形成時に、前
記導体パターン材で形成された端子パターン上にパーマ
ロイによる端子パターンを重ねて形成し、端子部の膜厚
が、導体パターンとパーマロイパターンを重ねた膜厚と
なるような構成を採つてい2る。次に、本発明の実施例
について詳述する。
第4図イ,叫よ、本発明による磁気バブル素子の製法を
示す図、第5図はワイヤボンディングされた磁気バブル
装置の斜視図である。本発明の磁気ハブ3ル装置を製造
するには、導体パターン3およびその端子パターン3″
を作成する際に同時に、パーマロイパターンの端子パタ
ーンを作成すべき位置に、パーマロイパターン用の端子
パターン31も作成しておく。これらのパターンは、同
一マスク3:により、同じ工程でパターニングできる。
次に絶縁物層4を形成するが、この場合、前記端子パタ
ーン3″,31の部分は露出させ、絶縁物層4が被さら
ないようにする。この絶縁物層4の上にパーマロイパタ
ーン5を形成するが、この場合も端4ζ子パターンは、
パーマロイパターン側だけでなく、導体パターン側にも
重ねて形成する。すなわち、に−Cu材による端子パタ
ーン31の上に、パーマロイパターンの端子パターン5
2を積層形成すると共に、導体パターン用端子パターン
3″上にもパーマロイ層51を積層形成する。したがつ
て、端子パターン部は、下層が導体パターン材のA1−
Cul上層がパーマロイの二層構造となり、端子部だけ
はJ導体パターンの膜厚+パーマロイパターンの膜厚ョ
となり、0.7μm程度の厚い膜厚が得られる。積層構
造の端子パターン上に、A1リードワイヤ6をボンディ
ングし、他端をセラミック基板7のAuメッキパターン
8上にボンディングした状態が第5図であり、この後コ
ーティング膜9を塗布して、熱処理する。
熱処理時のコーティング膜の膨張収縮でリードワイヤの
ボンディング部で断線しないためには、3y程度の引張
り強さが必要・とされている。第6図は、ワイヤボンデ
ィング部の引張り強度を示すグラフである。従来のよう
に、パーマロイやA1−Cu上にA1ワイヤをボンディ
ングした場合の強度分布は、3y程度のものがピークを
示し、3y以下のものもかなりある。ところが本発明の
ように、A1−Cuとパーマロイの積層端子上にワイヤ
ボンディングしたときは、4.5fのものがピークで、
ほとんどのものが3y以上の強度を示している。このた
め本発明のように、2種類以上のパターンを形成する際
に、接続端子部だけは、各パターニング時に常に端子パ
ターンを形成して積層し、膜厚を厚くすれば、ワイヤボ
ンディング部の強度がコーティング膜の膨張収縮にも充
分耐え得る程度に向上し、従来の懸念が一掃されて製品
歩留りが改善される。特に、互いに積層される金属が本
実施例のようにN−Cuとパーマロイの場合は密着性が
良いので、強度上非常に有効である。
しかも、導体パターンやパーマロイパターンのパター
ニングの際に、同時に接続端子部もパターニングするの
で、工程が増えることは無く、コスト高になるおそれは
無い。
なお図示例は、導体パターン3をバブル用磁性莫1側
に設けたコンダクタファースト形に本発明発実施したも
のであるが、パーマロイパターンが2 くブル用磁性
膜側にあるパーマロイファースト形こ実施しても、同様
に勝れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の磁気バブルチップのパターンの況要を
示す斜視図、第2図は同磁気バブルチップのパッケージ
ング後の状態を示す断面図、第3図は通常の磁気バブル
チップのパターン部を示す断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 夫々別工程でパターニングされる少なくとも導体と
    磁性体の2種の機能パターンを有し、かつ夫々の機能パ
    ターンとその端子パターンが同時にパターニングされる
    磁気バブルであつて、前工程のパターニングで形成され
    た導体或いは磁性体の一方からなる端子パターン上に、
    後工程のパターニング時にも重ねて導体或いは磁性体の
    他方からなる端子パターンを形成し、それぞれの機能パ
    ターンの接続端子部は前工程でも後工程でもパターニン
    グすることで、導体と磁性体の積層構造に構成されてい
    ることを特徴とする磁気バブル装置。
JP6287678A 1978-05-26 1978-05-26 磁気バブル装置 Expired JPS6048063B2 (ja)

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JP6287678A JPS6048063B2 (ja) 1978-05-26 1978-05-26 磁気バブル装置

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JP6287678A JPS6048063B2 (ja) 1978-05-26 1978-05-26 磁気バブル装置

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JPS54154231A JPS54154231A (en) 1979-12-05
JPS6048063B2 true JPS6048063B2 (ja) 1985-10-25

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JPS57203285A (en) * 1981-06-10 1982-12-13 Nec Corp Magnetic bubble storage device

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JPS54154231A (en) 1979-12-05

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