JPS6048078B2 - 電子計算機 - Google Patents

電子計算機

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JPS6048078B2
JPS6048078B2 JP53089733A JP8973378A JPS6048078B2 JP S6048078 B2 JPS6048078 B2 JP S6048078B2 JP 53089733 A JP53089733 A JP 53089733A JP 8973378 A JP8973378 A JP 8973378A JP S6048078 B2 JPS6048078 B2 JP S6048078B2
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JP
Japan
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microprocessor
supplied
data register
storage device
external storage
Prior art date
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Application number
JP53089733A
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English (en)
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JPS5517855A (en
Inventor
義雄 刑部
洋 安田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Publication of JPS6048078B2 publication Critical patent/JPS6048078B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/406Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は外部記憶装置と、その外部記憶装置に対するダ
イナミック型のデータレジスタと、マイクロプロセッサ
とよりなり、データレジスタがマイクロプロセッサより
のクロック信号により制御されるようにした電子計算機
の改良に係わる。
先す第1図を参照して従来のこの種電子計算機について
説明する。1は外部記憶装置(メモリアレイ)であつて
、例えば4ビット1ワードのデータコード信号を16ワ
ード分記憶するための16×4個のメモリセルから成つ
ている。
2は外部記憶装置1に対するダイナミック型データレジ
スタである。
データレジスタ2は制御論理回路3を介して外部記憶装
置1に接続されている。そして、外部記憶装置1、デー
タレジスタ2及び制御論理回路3の間に於いて、データ
コード信号のやりとりが行われるように成されている。
5は外部記憶装置1に対するアドレスデコーダ、6は制
御論理回路3に対するモードデコーダである。
4はマイクロプロセッサである。
マイクロプロセッサ4よりのポートP、〜P、からはA
−Dの4ビットのアドレスコード信号が出力されて、こ
れがアドレスデコーダ5に供給され、このアドレスデコ
ーダ5よりのアドレス信号が外部記憶装置1に供給され
るように成されている。マイクロプロセッサ4のポート
P5〜P7からは3ビットのモードコード信号が出力さ
れてこれがモードデコーダ6に供給され、このモードデ
コーダ6より得られた網−ド信号が制御論理回路3に供
給されるように成されている。マイクロプロセッサ4の
ポートP8からはクロック信号が出力され、これがデー
タレジスタ2に供給されるように成されている。マイク
ロプロセッサ4のポートP9〜P、2からは4ビットj
のデータコード信号D1〜D4がデータレジスタ2に供
給されると共に、これよりの4ビットのデータコード信
号D、〜D、がマイクロプロセッサ4のポートP9〜P
12に夫々供給されるように成されている。次にこの電
子計算機の動作を説明しよう。ク1 マイクロプロセッ
サ4のポートP5〜P7よりスタンバイ状態を示すモー
ドコード信号が出力され、之に基づいてモードデコーダ
6より得られたスタンバイモード信号が制御論理回路3
に供給される。2マイクロプロセッサ4のボートP1〜
P4より外部記憶装置1の16ワードのうちの1ワード
に対応するメモリセル群を指定するためのアドレスコー
ド信号が出力されてアドレスデコーダ5に供給され、こ
れよりのアドレス信号が外部記憶装置1に供給される。
3マイクロプロセッサ4のボートP5〜P7よりイレー
ズモードコード信号がが出力されてモードデコーダ6に
供給され、これよりのイレーズモード信号が制御論理回
路3に供給される。
尚、このイレーズに要する時間は半導体不揮発性メモリ
の場合は約10msec以上である。4マイクロプロセ
ッサ4のボートP5〜P7よリライトトランスファモー
ドコード信号が出力されてモードデコーダ6に供給され
、これよりのライトトランスファモードコード信号が制
御論理回路3に供給される。
5マイクロプロセッサ4のボートP9〜Pl。
より外部記憶装置1に書込むべきデータコード信号D1
〜D4が出力される。6マイクロプロセッサ4のボート
P8よりのROョーr1ョーRO.,と変化するクロッ
ク信号をデータレジスタ2に供給してマイクロプロセッ
サ4のボートP9〜Pl2よりの4ビットのデージタル
コード信号D1〜D4をデータレジスタ2に書込む。
7マイクロプロセッサ4のボートP5〜P7よリライト
モードコード信号が出力されてモードデコーダ6に供給
され、これよりのライトモード信j号が制御論理回路3
に供給される。
之によりデータレジスタ2に記憶されている4ビットの
データコード信号D1〜D4が制御論理回路3を通じて
外部記憶装置1の先に指定されたアドレスのメモリセル
群に書込まれる。尚、この書込み3に要する時間は半導
体不揮発性メモリの場合は略10瓦Sec以上である。
8データレジスタ2に記憶されているデータコード信号
をリフレッシュするために、少なく共1TrLsecに
1回ずつマイクロプロセッサ4のポ4rートP8よりの
ROョ→r1ョ→ROJと変化するクロック信号をデー
タレジスタ2に供給する。
9マイクロプロセッサ4のボートP5〜P7よりスタン
バイモードコード信号が出力されてモードデコーダ6に
供給され、これよりのスタンバイモード信号が制御論理
回路3に供給されてスタンバイモードにされる。
一 以降、以上の過程を任意に繰返えしていくものであ
る。
ところでマイクロプロセッサのようにシーケンシャルな
動作を行う制御装置では、同時に2つ以上の制御動作を
行うことはできない。
従つて上述9の7及び8の動作時はマイクロプロセッサ
4では他の制御動作を行うことができない。その間は夫
々上述したように10TrL,sec以上である。従つ
てそれだけ電子計算機全体の動作時間が長くなつてしま
う。7 斯る点に鑑み本発明は上述した如き電子計算機
に於いてマイクロプロセッサによる制御を能率よく行つ
て全体としての動作時間を短かくすることのできるもの
を提案せんとするものである。
以下に第2図を参照して本発明の一実施例を説j明する
が、第1図と対応する部分には同一符号を付して重複説
明を省略する。本発明では、外部記憶装置1と、この外
部記憶装置1に対するダイナミック型データレジスタ2
と、このデータレジスタ2の内容を外部記憶装置1に書
き込むか又は外部記憶装置1の内容をデータレジスタ2
に読み出すかを制御するマイクロプロセッサ4と、デー
タレジスタ2のデータをリフレッシュする発振器7とを
有し、通常はマイクロプロセッサ4のクロック信号によ
りデータレジスタ2のデータをリフレッシュすると共に
、マイクロプロセッサ4により外部記憶装置1を書き込
み状態に制御するときには、発振器7の出力をデータレ
ジスタ2に供給するようにするものである。本実施例で
は、上述の1〜9の過程に於いて特に3、7及び8の過
程に於いて発振器7よりの発振出力をマイクロプロセッ
サからのクロック信号に換えてデータレジスタ2に供給
するものである。そこで、マイクロプロセッサ4のボー
トP8よりのクロック信号と発振器7よりの発振信号と
をオア回路8を介してデータレジスタ2に供給するよう
にする。
又、この発振器7の発振の有無はモードデコーダ6より
の制御信号によつて制御され、イレーズモード、ライト
モード及びリフレッシュモードに於いては発振器7より
発振信号を出力させるようにする。尚、6の過程では第
1図の場合と同様にマイクロプロセッサ4のボートP8
よりのクロック信号をオア回路8を介してデータレジス
タ2に供給するようにする。外部記憶装置1は之がMN
OS等のスタティックメモリである場合は必要ないが、
ダイナミックRAM等の如きダイナミックメモリの場合
は、これも1msecに1回程度データコード信号のリ
フレッシュをする必要があるので、この場合にはスタン
バイモードのときに発振器7よりの発振信号を外部記憶
装置1に供給するようにする。次に第3図以下を参照し
て本発明の他の実施例を説明するも大部分は第2図の実
施例と同じなのてその違う部分を抽出して説明する。
第3図ては常時発振する発振器7を設け、その出力をア
ンド回路9に供給する。そして、出力端子10からモー
ドデコーダ6よりの制御信号をアンド回路9に供給して
発振器7よりの発振信号のデータレジスタ2に対する供
給を制御する。尚、11はマイクロプロセッサ4のボー
トP8よりのクロック信号の供給される端子であり、1
2はオア回路8の出力端子てある。このオア回路8より
の出力はデータレジスタ2に供給される。第4図は第2
図の実施例の発振器7の具体構成を示したものであつて
、発振器7として非安定マルチバイブレータを使用し、
一対のトランジスタQ1、Q2の一方のトランジスタQ
2のコレクタよりの出力をオア回路8に供給し、一方の
トランジスタQ1のベースを端子10に導出し、これよ
りモードデコーダ6よりの制御信号をトランジスタQ1
のベースに供給して発振器7の発振を制御するようにし
た場合てある。
+Bは電源である。この場合は入力端子10にr1ョの
信号が供給されたとき発振器7は発振する。第5図では
インバータと抵抗器及びコンデンサとを組合せて構成し
た発振器7の前段にアンド回路13を設け、そのアンド
回路13の一方の入力端子に発振器7の出力端子をコン
デンサー抵抗器を通じて接続し、入力端子10からRl
Jの制御信号がアンド回路13に供給されたときは発振
器7が発振し、ROJのときは発振を停止するようにし
ている。
即ち、アンド回路13が開かれているときは発振器7の
帰還回路が閉じられるものである。第6図ではインバー
タとコンデンサと抵抗器で構成された発振器7の前段に
ノア回路14とナンド回路15との直列回路を接続し、
発振器7の出力端子を抵抗器一抵抗器を通じてノア回路
14の一方の入力端子に接続し、他方の入力端子に入力
端子10から制御信号を供給し、ノア回路14の出力を
インバータ15を介して発振器7に供給するようにして
いる。この場合には入力端子10にRO.Jの出力が供
給されたとき発振器7は発振しJ1ョが供給されたとき
は発振を停止するものである。上述せる本発明によれば
、外部記憶装置ど、この外部記憶装置に対するダイナミ
ック型データレジスタと、このデータレジスタの内容を
外部記憶装置に書き込むか又は外部記憶装置の内容をデ
ータレジスタに読み出すかを制御するマイクロプロセッ
サと、データレジスタのデータをリフレッシュする発振
器とを有し、通常はマイクロプロセッサのクロック信号
によりデータレジスタのデータ1をリフレッシュすると
共に、マイクロプロセッサにより外部記憶装置を書き込
み状態に制御するときには、発振器の出力をデータレジ
スタに供給するようにするようにしたので、その間マイ
クロプロセッサは他の制御動作を行うことができ、それ
だけ電子計算機全体の動作時間が短かくなる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来の電子計算機の一例を示すブロック線図、
第2図は本発明の一例を示すブロック線図、第3図、第
4図、第5図及び第6図は本発明5の他の実施例の一部
を示す回路図である。 1は外部記憶装置、2はダイナミック型データレジスタ
、3は制御論理回路、4はマイクロプロセッサ、5はア
ドレスデコーダ、6はモードデコーダ、7は発振器てあ
る。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 外部記憶装置と、該外部記憶装置に対するダイナミ
    ック型データレジスタと、該データレジスタの内容を上
    記外部記憶装置に書き込むか又は上記外部記憶装置の内
    容を上記データレジスタに読み出すかを制御するマイク
    ロプロセッサと、上記データレジスタのデータをリフレ
    ッシュする発振器とを有し、通常は上記マイクロプロセ
    ッサのクロック信号により上記データレジスタのデータ
    をリフレッシュすると共に、上記マイクロプロセッサに
    より上記外部記憶装置を書き込み状態に制御するときに
    は、上記発振器の出力を上記データレジスタに供給する
    ようにしたことを特徴とする電子計算機。
JP53089733A 1978-07-21 1978-07-21 電子計算機 Expired JPS6048078B2 (ja)

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JP53089733A JPS6048078B2 (ja) 1978-07-21 1978-07-21 電子計算機

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JP53089733A JPS6048078B2 (ja) 1978-07-21 1978-07-21 電子計算機

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Publication Number Publication Date
JPS5517855A JPS5517855A (en) 1980-02-07
JPS6048078B2 true JPS6048078B2 (ja) 1985-10-25

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JP53089733A Expired JPS6048078B2 (ja) 1978-07-21 1978-07-21 電子計算機

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JPS5968893A (ja) * 1982-10-13 1984-04-18 Fujitsu Ltd メモリ制御方式

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JPS5517855A (en) 1980-02-07

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