JPS604871A - 半導体装置の飽和電流測定方法 - Google Patents
半導体装置の飽和電流測定方法Info
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- JPS604871A JPS604871A JP11313583A JP11313583A JPS604871A JP S604871 A JPS604871 A JP S604871A JP 11313583 A JP11313583 A JP 11313583A JP 11313583 A JP11313583 A JP 11313583A JP S604871 A JPS604871 A JP S604871A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の飽和電流測定方法に関する。
半導体装置の飽和電流自動測定方法の原理は、第１図の
電流−電圧特性曲線図に示すように、飽和点より十分高
い電圧Ａの電圧パルスを供試半導体装置に印加し、その
時の電流Ｂを表示することによってめられる。しかし、
第２図の電流−電圧特性曲線図に示すように、ガンダイ
オード、あるいはＧａＡｓ ＦＥＴのように、飽和電流
領域において発振Ｖｏｓｃの起る半導体装置の場合には
、第１図に示す方法では飽和電流は測定できない。
電流−電圧特性曲線図に示すように、飽和点より十分高
い電圧Ａの電圧パルスを供試半導体装置に印加し、その
時の電流Ｂを表示することによってめられる。しかし、
第２図の電流−電圧特性曲線図に示すように、ガンダイ
オード、あるいはＧａＡｓ ＦＥＴのように、飽和電流
領域において発振Ｖｏｓｃの起る半導体装置の場合には
、第１図に示す方法では飽和電流は測定できない。
本発明の目的は、飽和電流領域において発振を起す半導
体装置においても適用可能な半導体装置の飽和電流測定
方法を提供することにある。
体装置においても適用可能な半導体装置の飽和電流測定
方法を提供することにある。
第２図は本発明の詳細な説明するための電流−電圧特性
曲線図である。図において、横軸のＡＩ。
曲線図である。図において、横軸のＡＩ。
Ａ、、Ａ、、・・・・・・に対応する電圧パルスを供試
半導体装置に印加し、順次その勾配、ΔＢ／△Ａｉ測定
してゆく。勾配は、電圧の低い場合には比較的大きいが
゛、電圧が大きくなるにしたがって勾配はしだいに低下
してゆく。この勾配の大きさに一定の規格をもうけてお
き、勾配が規格値以下になった点の電流値を飽和電流と
するものである。
半導体装置に印加し、順次その勾配、ΔＢ／△Ａｉ測定
してゆく。勾配は、電圧の低い場合には比較的大きいが
゛、電圧が大きくなるにしたがって勾配はしだいに低下
してゆく。この勾配の大きさに一定の規格をもうけてお
き、勾配が規格値以下になった点の電流値を飽和電流と
するものである。
第２図の例ではＢ６が飽和電流になる。
本発明の測定方法を用いれば、ガンダイオードＧａＡｓ
ＦＢＴ等の飽和電流を容易に測定することができる。
ＦＢＴ等の飽和電流を容易に測定することができる。
第１図は従来の飽和電流測定方法を説明するための供試
半導体装置の電流−電圧特性曲線図、第２図は本発明の
一実施例を説明するための供試半導体装置の電流−電圧
特性曲線図である。 ＡＩ Ａ１１ Ａ２．・・・、・・・・・・印加パルス
電圧、 Ｂ、Ｂ、。 Ｂ２．・・・、・・・・・・印加パルス電圧によるパル
ス電流。 Ｃ万− 箭 １図 ：ぎ圧− 第 Ｚ 図
半導体装置の電流−電圧特性曲線図、第２図は本発明の
一実施例を説明するための供試半導体装置の電流−電圧
特性曲線図である。 ＡＩ Ａ１１ Ａ２．・・・、・・・・・・印加パルス
電圧、 Ｂ、Ｂ、。 Ｂ２．・・・、・・・・・・印加パルス電圧によるパル
ス電流。 Ｃ万− 箭 １図 ：ぎ圧− 第 Ｚ 図
Claims (1)
- 供試半導体装置に対し電流−電圧特性の勾配を電圧の低
い点より順次測定してゆき、その勾配の大ききが一定値
以下になった点の電流値を飽和電流とすることを特徴と
する半導体装置の飽和電流測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313583A JPS604871A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の飽和電流測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11313583A JPS604871A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の飽和電流測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604871A true JPS604871A (ja) | 1985-01-11 |
Family
ID=14604434
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11313583A Pending JPS604871A (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | 半導体装置の飽和電流測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604871A (ja) |
-
1983
- 1983-06-23 JP JP11313583A patent/JPS604871A/ja active Pending
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