JPS6049371B2 - 低域濾波器 - Google Patents
低域濾波器Info
- Publication number
- JPS6049371B2 JPS6049371B2 JP4162180A JP4162180A JPS6049371B2 JP S6049371 B2 JPS6049371 B2 JP S6049371B2 JP 4162180 A JP4162180 A JP 4162180A JP 4162180 A JP4162180 A JP 4162180A JP S6049371 B2 JPS6049371 B2 JP S6049371B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- attenuation
- inductance
- coil
- pass filter
- drop
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/03—Frequency selective two-port networks comprising means for compensation of loss
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1758—Series LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1766—Parallel LC in series path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1783—Combined LC in series path
Landscapes
- Filters And Equalizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、簡単な構成で減衰特性を改善した低域濾波器
に関するものである。
に関するものである。
従来の有極型ＬＣ低域濾波器は、例えば第１図に示すよ
うに、インダクタンスＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜
Ｃ９から構成され、直列腕としてはインダクタンスＬ１
〜Ｌ４とコンデンサＣ１〜Ｃ４との並列共振回路、並列
腕としてはコンデンサＣ５〜Ｃ９からなるものである。
うに、インダクタンスＬ１〜Ｌ４及びコンデンサＣ１〜
Ｃ９から構成され、直列腕としてはインダクタンスＬ１
〜Ｌ４とコンデンサＣ１〜Ｃ４との並列共振回路、並列
腕としてはコンデンサＣ５〜Ｃ９からなるものである。
第２図はこの低域濾波器の減衰特性を示し、ｆ１〜ｆ４
は並列共振回路共振周波数であり、ｆ１＝１／（２πＶ
Ｌ１・ Ｃｌ）、ｆ２＝１／（２πＶＬ２・ Ｃ２）、
ｆ３＝１／（２π、／Ｌ３・Ｃｓ）、ｆ４＝１／（２π
り／Ｌ４・ Ｃ４）で表わされる。このような低域濾波
器の伝送特性は、コイルのＱによつて左右されるのが一
般的であるから、高Ｑのコイルの実現が要望されている
。
は並列共振回路共振周波数であり、ｆ１＝１／（２πＶ
Ｌ１・ Ｃｌ）、ｆ２＝１／（２πＶＬ２・ Ｃ２）、
ｆ３＝１／（２π、／Ｌ３・Ｃｓ）、ｆ４＝１／（２π
り／Ｌ４・ Ｃ４）で表わされる。このような低域濾波
器の伝送特性は、コイルのＱによつて左右されるのが一
般的であるから、高Ｑのコイルの実現が要望されている
。
一般に回路の信号周波数が高くなる程、所望のインダク
タンスの値は小さくても良いことになり、コイルはイン
ダクタンスの値が小さいもの程Ｑが低いものであるから
、信号周波数が高い帯域用の低域濾波器の伝送特性を向
上させることが容易でなかつた。そこで従来は、タップ
付きコイルを用いて高Ｑのコイルを実現することが考え
られ、第１図のインダクタンスＬ２にタップ付きコイル
を適用した場合を第３図に示すものであつて、この場合
のタップによる１次側と２次側とのコイルの巻数比をｎ
とすると、Ｌ２′ ＝ｄ−Ｌ２・・・（１） ｃ２・ ＝ｃ２／ｎ■ ・・・（２） となる。
タンスの値は小さくても良いことになり、コイルはイン
ダクタンスの値が小さいもの程Ｑが低いものであるから
、信号周波数が高い帯域用の低域濾波器の伝送特性を向
上させることが容易でなかつた。そこで従来は、タップ
付きコイルを用いて高Ｑのコイルを実現することが考え
られ、第１図のインダクタンスＬ２にタップ付きコイル
を適用した場合を第３図に示すものであつて、この場合
のタップによる１次側と２次側とのコイルの巻数比をｎ
とすると、Ｌ２′ ＝ｄ−Ｌ２・・・（１） ｃ２・ ＝ｃ２／ｎ■ ・・・（２） となる。
又この並列共振回路の共振周波数ｆ２′は、ｆ２′＝１
／（２π、／Ｌ２′・Ｃ２′） ・・・（３）となる。
／（２π、／Ｌ２′・Ｃ２′） ・・・（３）となる。
しかし、前述の如きコイルを用いた場合、りーケージイ
ンダクタンスが比較的大きくなり、それにより減衰特性
が劣化することになる。
ンダクタンスが比較的大きくなり、それにより減衰特性
が劣化することになる。
このりーケージインダクタンスをＬＯとすると、第３図
の’等価回路は第４図に示すものとなる。この場合、イ
ンダクタンスＬ２とコンデンサＣ２とによる並列共振回
路の並列共振周波数と、リーケージインダクタンスＬＯ
が直列に接続された構成となることによる直列共振周波
数等が存在するためある周門波数ちにおいて第５図に示
すように、減衰特性の減衰域に於いて減衰量が小さくな
る落ち込みが生じる。このようなリーケージインダクタ
ンスによる減衰量の落ち込みを補償する為に、従来は次
のような手段が考えられていた。
の’等価回路は第４図に示すものとなる。この場合、イ
ンダクタンスＬ２とコンデンサＣ２とによる並列共振回
路の並列共振周波数と、リーケージインダクタンスＬＯ
が直列に接続された構成となることによる直列共振周波
数等が存在するためある周門波数ちにおいて第５図に示
すように、減衰特性の減衰域に於いて減衰量が小さくな
る落ち込みが生じる。このようなリーケージインダクタ
ンスによる減衰量の落ち込みを補償する為に、従来は次
のような手段が考えられていた。
（１）減衰量の落ち込みを予測し、その分だけ予め減衰
量を大きく設計する。
量を大きく設計する。
（２）減衰量の落ち込みを補償する減衰特性の戸波器を
縦続接続する。
縦続接続する。
前記（１）の手段による場合は、例えば第６図の減衰特
性に於いて、りーケージインダクタンスによる減衰量の
落ち込みが点線に示すようにあつたとしても、所望の減
衰量が確保できるように、予め実線の特性のように減衰
量を大きく設計するものであるが、りーケージインダク
タンスによる減衰量の落ち込み量を正確に予測する必要
があり、又減衰量が落ち込む周波数以外の帯域において
は必要以上の減衰量が得られるように構成するから、回
路規模が大きくなる欠点があつた。
性に於いて、りーケージインダクタンスによる減衰量の
落ち込みが点線に示すようにあつたとしても、所望の減
衰量が確保できるように、予め実線の特性のように減衰
量を大きく設計するものであるが、りーケージインダク
タンスによる減衰量の落ち込み量を正確に予測する必要
があり、又減衰量が落ち込む周波数以外の帯域において
は必要以上の減衰量が得られるように構成するから、回
路規模が大きくなる欠点があつた。
又前記（２）の手段による場合は、例えば第７図の減衰
特性に於いて、主沖波器の減衰特性が実線ａで示すもの
である場合、減衰量の落ち込み量以上の減衰量が得られ
る戸波器、例えば点線ｂで示す減衰特性の淵波器を縦続
接続し、それによつて点線ｃの如き総合特性が得られる
ようにするものであるが、主■波器に補助のｐ波器を縦
続接続するものであるから、構成が大きくなると共に不
経済である欠点があつた。
特性に於いて、主沖波器の減衰特性が実線ａで示すもの
である場合、減衰量の落ち込み量以上の減衰量が得られ
る戸波器、例えば点線ｂで示す減衰特性の淵波器を縦続
接続し、それによつて点線ｃの如き総合特性が得られる
ようにするものであるが、主■波器に補助のｐ波器を縦
続接続するものであるから、構成が大きくなると共に不
経済である欠点があつた。
本発明は、前述の如き従来の欠点を改善したもので、簡
単な構成によりリーケージインダクタンスによる減衰量
の落ち込みを補償することを目的とするものである。
単な構成によりリーケージインダクタンスによる減衰量
の落ち込みを補償することを目的とするものである。
以下実施例について詳細に説明する。第８図は本発明の
実施例の回路図てあり、第３図に示す従来例の構成に対
応するものであるが、インダクタンスＬ５を接続したこ
とにより、各回路素子を補正し、インダクタンス値及び
キャパシタンス値が異なつたものとなるので、Ｌビ〜Ｌ
！４″及びＣビ〜Ｃ９″の符号で示してある。
実施例の回路図てあり、第３図に示す従来例の構成に対
応するものであるが、インダクタンスＬ５を接続したこ
とにより、各回路素子を補正し、インダクタンス値及び
キャパシタンス値が異なつたものとなるので、Ｌビ〜Ｌ
！４″及びＣビ〜Ｃ９″の符号で示してある。
従つて並列共振回路の共振周波数ｆ１〜Ｆ４は、第３図
の回路との関係で次のように表わすことができる。１Ｊ
１− 〜′１ ノ
″′川
”ｌ）又並列腕のコンデンサＣ８″とインダクタンスＬ
５との直列回路のインピーダンス４は、その内部抵抗を
Ｒ２とすると、Ｊであるから、Ｌ５を に選定することにより、ＦＯの直列共振周波数に於いて
は、インピーダンス４はＲ２となる。
の回路との関係で次のように表わすことができる。１Ｊ
１− 〜′１ ノ
″′川
”ｌ）又並列腕のコンデンサＣ８″とインダクタンスＬ
５との直列回路のインピーダンス４は、その内部抵抗を
Ｒ２とすると、Ｊであるから、Ｌ５を に選定することにより、ＦＯの直列共振周波数に於いて
は、インピーダンス４はＲ２となる。
７ 通常は、特性インピーダンスで規準化された回路に
於いては、Ｒ２くく１であり、又Ｒ２くく（１／（２π
ち・Ｃ『））であるから、周波数ＦＯに於いては微小抵
拍只２によりアースしたことになり、この周波数点にお
ける減衰量は、インダクタノンスＬ５挿入前に比べ増加
する。
於いては、Ｒ２くく１であり、又Ｒ２くく（１／（２π
ち・Ｃ『））であるから、周波数ＦＯに於いては微小抵
拍只２によりアースしたことになり、この周波数点にお
ける減衰量は、インダクタノンスＬ５挿入前に比べ増加
する。
従つてりーケージインダクタンスによる減衰量の落ち込
みが生じる周波数に前記直列共振周波数ＦＯが一致する
ようにすることによつて、減衰量の落ち込みを補償する
ことができる。第９図は減衰特性及びインピーダンス特
性（不整合減衰量特性）を示すもので、点線Ａ″の如く
りーケージインダクタンスによつて減衰量の落ち込みが
周波数■に於いて生じた場合、第８図の実施例の如く、
インダクタンスＬ５を接続したことにより、周波数Ｆ。
みが生じる周波数に前記直列共振周波数ＦＯが一致する
ようにすることによつて、減衰量の落ち込みを補償する
ことができる。第９図は減衰特性及びインピーダンス特
性（不整合減衰量特性）を示すもので、点線Ａ″の如く
りーケージインダクタンスによつて減衰量の落ち込みが
周波数■に於いて生じた場合、第８図の実施例の如く、
インダクタンスＬ５を接続したことにより、周波数Ｆ。
に於ける減衰量が大きくなり、実線Ａの減衰特性が得ら
れることになる。なおインダクタンスＬ５によつて、使
用帯域に於いて減衰量の落ち込みが生じるが、使用帯域
に影響を及ぼさない帯域であることが多く低域淵波器と
しては問題はない。又インダクタンスＬ５を接続するこ
とにより伝送帯域に於けるインピーダンス特性が劣化す
ることになるが、各回路素子について、インダクタンス
Ｌ５を接続したことによる定数変更を行なうことによつ
て、インピーダンス特性の劣化を阻止することができる
。
れることになる。なおインダクタンスＬ５によつて、使
用帯域に於いて減衰量の落ち込みが生じるが、使用帯域
に影響を及ぼさない帯域であることが多く低域淵波器と
しては問題はない。又インダクタンスＬ５を接続するこ
とにより伝送帯域に於けるインピーダンス特性が劣化す
ることになるが、各回路素子について、インダクタンス
Ｌ５を接続したことによる定数変更を行なうことによつ
て、インピーダンス特性の劣化を阻止することができる
。
例えば第９図の点線Ｂ″をインダクタンスＬ５の接続前
のインピーダンス特性であるとすると、インダクタンス
Ｌ５を接続して素子近似を行なうことにより実線Ｂで示
すインピーダンス特性が得られた。インダクタンスＬ５
は、コンデンサＣ８″に直列に接続する以外に任意の並
列腕のコンデンサＣ５″〜Ｃ９″に直列に接続すること
ができるものであり、その場合、コンデンサの容量値の
最も大きいコンデンサを選定してインダクタンスＬ５を
接続することが、インダクタンスの値を小さくできるの
で好適である。
のインピーダンス特性であるとすると、インダクタンス
Ｌ５を接続して素子近似を行なうことにより実線Ｂで示
すインピーダンス特性が得られた。インダクタンスＬ５
は、コンデンサＣ８″に直列に接続する以外に任意の並
列腕のコンデンサＣ５″〜Ｃ９″に直列に接続すること
ができるものであり、その場合、コンデンサの容量値の
最も大きいコンデンサを選定してインダクタンスＬ５を
接続することが、インダクタンスの値を小さくできるの
で好適である。
又並列腕の複数のコンデンサにそれぞれインダクタンス
を接続することも可能である。以上説明したように、本
発明は、並列共振回路のコイルのタップを用いて縦続接
続し、高Ｑのコイルが得られるようにした低域ｐ波器に
於いて、コイルのりーケージインダクタンスによる減衰
量の落ち込みを、並列腕のコンデンサに直列に１個の微
小インダクタンスのコイルを接続して補償するものであ
り、簡単且つ経済的な構成となり、良好な伝送特性の低
域枦波器を提供することができる利点がある。
を接続することも可能である。以上説明したように、本
発明は、並列共振回路のコイルのタップを用いて縦続接
続し、高Ｑのコイルが得られるようにした低域ｐ波器に
於いて、コイルのりーケージインダクタンスによる減衰
量の落ち込みを、並列腕のコンデンサに直列に１個の微
小インダクタンスのコイルを接続して補償するものであ
り、簡単且つ経済的な構成となり、良好な伝送特性の低
域枦波器を提供することができる利点がある。
第１図は従来の基本的な低域？波器、第２図は第１図の
減衰特性曲線図、第３図は従来の低域？波器、第４図は
第３図の等価回路、第５図は第４図の減衰特性曲線図、
第６図及び第７図は従来の”りーケージインダクタンス
による減衰特性の劣化を補償する説明用特性曲線図、第
８図は本発明の実施例の低域？波器、第９図は第８図の
減衰特性及びインピーダンス特性曲線図である。 Ｌ１〜Ｌ５，Ｌｌ″〜Ｌ４″はインダクタンス、ＪＣｌ
〜Ｃ９，Ｃビ〜Ｃ９″はコンデンサである。
減衰特性曲線図、第３図は従来の低域？波器、第４図は
第３図の等価回路、第５図は第４図の減衰特性曲線図、
第６図及び第７図は従来の”りーケージインダクタンス
による減衰特性の劣化を補償する説明用特性曲線図、第
８図は本発明の実施例の低域？波器、第９図は第８図の
減衰特性及びインピーダンス特性曲線図である。 Ｌ１〜Ｌ５，Ｌｌ″〜Ｌ４″はインダクタンス、ＪＣｌ
〜Ｃ９，Ｃビ〜Ｃ９″はコンデンサである。
Claims (1)
- １ 直列腕に並列共振回路、並列腕にコンデンサを有し
、且つ前記並列共振回路の少なくとも一つがコイルのタ
ップを用いて縦続接続された低域濾波器に於いて、前記
タップを有するコイルのリーケージインダクタンスによ
る減衰量の落ち込みを補償するコイルを前記並列腕のコ
ンデンサに直列に接続したことを特徴とする低域濾波器
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162180A JPS6049371B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 低域濾波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4162180A JPS6049371B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 低域濾波器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56138313A JPS56138313A (en) | 1981-10-28 |
| JPS6049371B2 true JPS6049371B2 (ja) | 1985-11-01 |
Family
ID=12613401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4162180A Expired JPS6049371B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 低域濾波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049371B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356878U (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-31 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0856136A (ja) * | 1995-08-21 | 1996-02-27 | Hitachi Ltd | 弾性表面波フィルタ |
| JP6994988B2 (ja) * | 2018-03-12 | 2022-01-14 | 三菱電機特機システム株式会社 | フィルタおよび電子機器 |
-
1980
- 1980-03-31 JP JP4162180A patent/JPS6049371B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0356878U (ja) * | 1989-10-05 | 1991-05-31 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56138313A (en) | 1981-10-28 |
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