JPS6049678A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6049678A JPS6049678A JP58156792A JP15679283A JPS6049678A JP S6049678 A JPS6049678 A JP S6049678A JP 58156792 A JP58156792 A JP 58156792A JP 15679283 A JP15679283 A JP 15679283A JP S6049678 A JPS6049678 A JP S6049678A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- negative resistance
- junction
- electric field
- negative
- generated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D8/00—Diodes
- H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置に関する。
従来の増幅、発振、演算装置の多くは複雑な回路を構成
することが必要であり、又動作周波数もあまり高くなか
った。本発明はこれらの欠点に対処するものである。
することが必要であり、又動作周波数もあまり高くなか
った。本発明はこれらの欠点に対処するものである。
本発明は、半導体Ｐ−Ｎ接合遷移領域に逆方向高電界を
かけたとき、雪崩現象によって生じたキャリアが高エネ
ルギー状態において前記印加電界に垂直な方向に負の有
効質量を有し、キャリアの走行中における前記方向の有
効質量の平均値が負となる場合、前記方向に負抵抗を生
じる現象に基く半導体装置である。
かけたとき、雪崩現象によって生じたキャリアが高エネ
ルギー状態において前記印加電界に垂直な方向に負の有
効質量を有し、キャリアの走行中における前記方向の有
効質量の平均値が負となる場合、前記方向に負抵抗を生
じる現象に基く半導体装置である。
以下実施例につき図面に従って説明する。
第１図は、本発明による一実施例の概略図である。図に
おいてシリコン半導体Ｐ−Ｎ接合の接合面は結晶の（１
００）面に平行な平面接合とし、Ｐ型半導体領域に設け
た２個の平行な長方形の電極４−５間に負抵抗を有する
ようにしである。更に電極６を設は負抵抗をより効果的
に起すようにしである。
おいてシリコン半導体Ｐ−Ｎ接合の接合面は結晶の（１
００）面に平行な平面接合とし、Ｐ型半導体領域に設け
た２個の平行な長方形の電極４−５間に負抵抗を有する
ようにしである。更に電極６を設は負抵抗をより効果的
に起すようにしである。
第２図は、前記実施例による回路の一例を示し、２個の
等しい値の抵抗Ｒ１、ｎ、２をそれぞれ端子８．９に並
列に接続することにより印加逆方向電界に垂直な方向に
存在する負抵抗及び発振、双安定等の負抵抗による特性
状態を得ている。
等しい値の抵抗Ｒ１、ｎ、２をそれぞれ端子８．９に並
列に接続することにより印加逆方向電界に垂直な方向に
存在する負抵抗及び発振、双安定等の負抵抗による特性
状態を得ている。
第３図は、端子８−９間に存在する負抵抗（−、ＲＮ）
に並列に存在する正抵抗Ｒｐを示し、両抵抗による作用
は以下に示すようになる。
に並列に存在する正抵抗Ｒｐを示し、両抵抗による作用
は以下に示すようになる。
Ｐ−Ｎ接合における雪崩現象によって生じた電流■が増
加するに従い負抵抗（−Ｉｔ Ｎ ）の絶対値Ｒ，Ｎは
減少し、正抵抗ｕｐと同じ値（ＩＬＮ二Ｒｐ）になった
とき双安定状態が生じ、端子８（又は９）は端子９．（
又は８）に対し一定の正又は負の電圧値をとることがで
きる。なおこの状態においては、第４図に示すように入
力端として電極１２．１３を設けることによりフリップ
フロップとしても作用させることができる。
加するに従い負抵抗（−Ｉｔ Ｎ ）の絶対値Ｒ，Ｎは
減少し、正抵抗ｕｐと同じ値（ＩＬＮ二Ｒｐ）になった
とき双安定状態が生じ、端子８（又は９）は端子９．（
又は８）に対し一定の正又は負の電圧値をとることがで
きる。なおこの状態においては、第４図に示すように入
力端として電極１２．１３を設けることによりフリップ
フロップとしても作用させることができる。
更に電流■が増加すると、負抵抗（−ＲＮ）の絶対値Ｒ
Ｎは正抵抗Ｒｐより小さくなり（几Ｎ〈ｕｐ）発振可能
な状態が生じる。
Ｎは正抵抗Ｒｐより小さくなり（几Ｎ〈ｕｐ）発振可能
な状態が生じる。
以」二の実施例において、Ｅ ： ７．８ Ｖで雪崩現
象が開始される試料について、Ｒ１＝ Ｂ、 ２二１に
αＲｇ＝３０００１Ｒ４＝４ＫＧ（７）ときＥ＝１．１
．８Ｖ、Ｉ−５，３ｍＡで双安定状態が開始され、双安
定状態における端子８−９間の電圧はＥの増加に伴って
１．０■から１．７■まで、端子８−９を短絡したとき
の電流は２．５ ｍ Ａから４．４ ｍ Ａまで増加し
た。更にＥ＝１．３．７Ｖ、Ｉ＝１０．８ｍＡで発振状
態が生じ、発振出力約２０ｍＷ、効率約１０％、最高発
振周波数約２５０ＭＨｚが得られた。
象が開始される試料について、Ｒ１＝ Ｂ、 ２二１に
αＲｇ＝３０００１Ｒ４＝４ＫＧ（７）ときＥ＝１．１
．８Ｖ、Ｉ−５，３ｍＡで双安定状態が開始され、双安
定状態における端子８−９間の電圧はＥの増加に伴って
１．０■から１．７■まで、端子８−９を短絡したとき
の電流は２．５ ｍ Ａから４．４ ｍ Ａまで増加し
た。更にＥ＝１．３．７Ｖ、Ｉ＝１０．８ｍＡで発振状
態が生じ、発振出力約２０ｍＷ、効率約１０％、最高発
振周波数約２５０ＭＨｚが得られた。
以上に説明しｔこように、本発明によれば、その負抵抗
が雪崩現象により生じたキャリアの負の有効’ｆｌ Ｍ
に基いているため、従来とは構成の異った簡単な装置で
増幅、双安定、発振等の動作を高周波で効率よく行うこ
とが可能となる。
が雪崩現象により生じたキャリアの負の有効’ｆｌ Ｍ
に基いているため、従来とは構成の異った簡単な装置で
増幅、双安定、発振等の動作を高周波で効率よく行うこ
とが可能となる。
第１図は実施例の断面斜視図、第２図は実施例による回
路図、第３図は負抵抗と正抵抗の関係図、第４図はフリ
ップフロップの実施例である。 １・・・シリコンＰ型半導体領域、２・・シリコンＮ型
半導体領域、３・・・・Ｐ−Ｎ接合境界線、４゜５、．
６，７，１２，１．８・・・・・電極、８，９，１０゜
１１、１４．１５・・・・端子、Ｅ・・・・電源、且Ｉ
、且２゜Ｒｓ、 Ｒ４，ＫＮ、 １１．Ｐ・・・・抵抗
。 出願人 増 １）達 治
路図、第３図は負抵抗と正抵抗の関係図、第４図はフリ
ップフロップの実施例である。 １・・・シリコンＰ型半導体領域、２・・シリコンＮ型
半導体領域、３・・・・Ｐ−Ｎ接合境界線、４゜５、．
６，７，１２，１．８・・・・・電極、８，９，１０゜
１１、１４．１５・・・・端子、Ｅ・・・・電源、且Ｉ
、且２゜Ｒｓ、 Ｒ４，ＫＮ、 １１．Ｐ・・・・抵抗
。 出願人 増 １）達 治
Claims (1)
- 半導体Ｐ−Ｎ接合遷移領域における雪崩現象を利用した
、印加逆方向電界に垂直な方向のキャリアの負の有効質
量による負抵抗を有する半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156792A JPS6049678A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58156792A JPS6049678A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6049678A true JPS6049678A (ja) | 1985-03-18 |
Family
ID=15635405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58156792A Pending JPS6049678A (ja) | 1983-08-26 | 1983-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6049678A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987003426A1 (fr) * | 1985-11-28 | 1987-06-04 | Tatsuji Masuda | Dispositif semiconducteur |
| US5229636A (en) * | 1987-09-01 | 1993-07-20 | Tatsuji Masuda | Negative effective mass semiconductor device and circuit |
| WO1999003204A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Tatsuji Masuda | Sr flip flop |
-
1983
- 1983-08-26 JP JP58156792A patent/JPS6049678A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987003426A1 (fr) * | 1985-11-28 | 1987-06-04 | Tatsuji Masuda | Dispositif semiconducteur |
| US5229636A (en) * | 1987-09-01 | 1993-07-20 | Tatsuji Masuda | Negative effective mass semiconductor device and circuit |
| WO1999003204A1 (en) * | 1997-07-08 | 1999-01-21 | Tatsuji Masuda | Sr flip flop |
| US6239638B1 (en) | 1997-07-08 | 2001-05-29 | Tatsuji Masuda | SR flip flop |
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