JPS59211284A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS59211284A
JPS59211284A JP58086149A JP8614983A JPS59211284A JP S59211284 A JPS59211284 A JP S59211284A JP 58086149 A JP58086149 A JP 58086149A JP 8614983 A JP8614983 A JP 8614983A JP S59211284 A JPS59211284 A JP S59211284A
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JP
Japan
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resistance
negative
semiconductor device
junction
negative resistance
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Tatsuji Masuda
増田　達治
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D8/00—Diodes
    • H10D8/20—Breakdown diodes, e.g. avalanche diodes

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置に関する。
従来の増幅、発振、演算装置の多くは複雑な回路を構成
することか必要であり、又動作周波数もあまり高くなか
った。本発明はこれらのり点に対処するものである。
本発明は、半導体１′・Ｎ接合に逆方向高電猶をかけた
場合に、雪崩現象によって生じたキャリアが高エネルギ
ー状態において印加高電界に垂直な方向に負の有効質量
を有し、キャリアの走行中における印加高電界に垂直な
方向の有効質量の平均イ直が負となる場合、同方向に負
抵抗を生じる現象に基づく半導体装置である。
以下実施例につき図面に従馴て説明する。
第１図はシリコン半導体Ｐ−Ｎ接合の接合面を結晶の（
１００）面に平行な平面接合としＰ型半導体部分に設け
た２個の平行な電極４−５間に負抵抗を有するようにし
である。更に電極６を設は負抵抗をより効果的に起すよ
うにしである。
第２図は、上に述べた実施例による回路例を示し、２個
の等しい祇抗Ｒ＋を端子８−９間に並列に連結すること
にまり印加高電界に垂直な方向に存在する負抵抗及び発
振、双安定状態等の負抵抗による特性を得ている。
第３図は、端子８−９間に存在する負抵抗（−ＲＮ）に
並列に存在する止折抗ＲＰを示し面抵抗による作用は次
に示すようになる。
Ｐ−Ｎ接合における雪崩現象によって生じた電流Ｉが増
加するに従い負抵抗（−ＲＮ）の絶対値ＲＮは減少しミ
正折抗Ｒｐと同じ値（ＲＮ＝Ｒｐ　）になったとき双安
定状態が生じ端子８及び９の電圧は正又は負の値をとる
。なおこの状熊においては、第４図に示すように電極１
２゜１３を設けることによりフリップフロップとしても
作用させることができる。
更に電流■が増加すると、偵抵抗（−ＲＮ）の絶対値Ｒ
Ｎは正抵抗Ｒ，ｐより小さくなＩ）（ＲＮ＜Ｒｐ）発振
可能な状態が生じる。
以上の実施例において、Ｅ＝７８ｖで雪崩現象が開始さ
れる試料について、Ｒ＋、＝ＩＫΩ、Ｒ２＝ａｏｏｎの
ときＥ＝１１．８Ｖ、Ｉ　＝　５．３　ｍ　Ａで双安定
状態が開始され、双安定状態における端子８−９間の電
圧はＥの増加に伴って１．０ｖから１．７Ｖまて、端子
８−９を短絡したときの電流は２．５　ｍ　Ａから４．
４　ｍ　Ａまで増加した。更にＥ＝１８．７Ｖ、Ｉ　＝
　１０．８　＋ｎ　Ａて発振状１ｇが生じ、発振出力約
２０１ｎＷ、効率約１０％、最高発振周波数約２５０Ｍ
Ｉ（Ｚが得られた。
以上に述べたように本発明によると従来より簡単な回路
で負抵抗による双安定、発振等の動作を高周波で行うこ
とができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は実施例の斜視図、第２図は実施例による回路図
、第３図は負抵抗と正抵抗１の関係図、第４図はフリッ
プフロップの実施例である。 １・・・Ｐ型半導体部分、２・Ｎ型半導体部分、３　、
、、　Ｐ　−Ｎ接合境界線、４，５，６，７，１２゜１
３・・電極、８，９，１０，１１，１４．１５端子、Ｅ
　電源、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，ＲＮ、　ＲＰ・抵抗。 ［相］ 出願人　　増　１）遼　治

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体Ｐ、Ｎ接合における雪崩」象を利用した印加逆方
    向高電界に垂直な方向のキャリアの負の有効質量による
    負抵抗を有する半導体装置。
JP58086149A 1983-05-16 1983-05-16 半導体装置 Granted JPS59211284A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5229636A (en) * 1987-09-01 1993-07-20 Tatsuji Masuda Negative effective mass semiconductor device and circuit
WO1999003204A1 (en) * 1997-07-08 1999-01-21 Tatsuji Masuda Sr flip flop

Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4834467A (ja) * 1971-09-07 1973-05-18

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US6239638B1 (en) 1997-07-08 2001-05-29 Tatsuji Masuda SR flip flop

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JPH0550149B2 (ja) 1993-07-28

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