JPS6049680A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPS6049680A
JPS6049680A JP58157338A JP15733883A JPS6049680A JP S6049680 A JPS6049680 A JP S6049680A JP 58157338 A JP58157338 A JP 58157338A JP 15733883 A JP15733883 A JP 15733883A JP S6049680 A JPS6049680 A JP S6049680A
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JP
Japan
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light
receiving section
photocurrents
metal
semiconductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP58157338A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshihide Suzuki
俊秀 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6049680A publication Critical patent/JPS6049680A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
    • H10F77/20—Electrodes
    • H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
    • H10F77/241—Electrodes for devices having potential barriers comprising ring electrodes

Landscapes

  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置にかかり、特に、金属−半導体接合
の光起電効果を利用し光検出する機能を有する半導体装
置に関するものである。
従来、金属−半導体接合を利用した光電変換素子は、金
属電極を光が透過するほどの薄さにした場合やくし形雷
、極構造がとられ、主に電力変換を目的としたため、接
合面積が比較的太き力場台が多かった。しかし人から、
電力変換を目的とじカぃ場合、すカわち、光検出器とし
て利用する場合は、光電流出力は少さく力るもの、接合
面積を小さくした方が、金属−半導体接合容量が少さく
でき光応答速度も速くなる。また、接合面積が小さく力
っただけ接合の逆方向リーク電流が減少し、基板上の結
晶欠陥上に接合を設ける確率も小さくなり、より、理想
的な特性を有する光検出器となる。
本発明はこのような光検出を目的とする金属−半導体接
合に有効−＆ｍ造を提案するものであり、受光部におけ
る光電流収集のための金属電極を受光部の周辺だけに設
けることを特徴とする。
以下、本発明の実施例を図面によって説明する。
第１図は断面図、第２図は正面図である。それぞれの図
に示したように、半導体基板１上に光電流収集のための
金属電極２を受光部３の周辺だけに設けたことを特徴と
する。４は、絶縁層である。
受光部３の径が、金属−半導体接合により生じる空乏層
の受光面方向への広がり幅と基板材料のキャリア拡散長
の２倍以内々らば、受光部で発生したキャリアは損失な
く金属電極に到達し、光電流として寄与する。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図はそれぞれ本発明実施例の断面図お
よび正面図である。 々お図において、１は半導体基板、２は金属電極、３は
受光部、４は絶縁層、である。 ３− 拓ｌ囚 第２圀

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属−半導体接合構造による光起電効果を利用して光を
    検出する半導体装置にお（・て、充電流収集金属電極が
    受光部の周辺のみに設けられていることを特徴とする半
    導体装置。
JP58157338A 1983-08-29 1983-08-29 半導体装置 Pending JPS6049680A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507875A (zh) * 2017-08-14 2017-12-22 江苏科来材料科技有限公司 一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构及制备方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107507875A (zh) * 2017-08-14 2017-12-22 江苏科来材料科技有限公司 一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构及制备方法
CN107507875B (zh) * 2017-08-14 2024-01-26 江苏科来材料科技有限公司 一种背接触太阳能电池片电极环绕交错结构及制备方法

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