JPS6050006B2 - 高誘電率磁器組成物 - Google Patents
高誘電率磁器組成物Info
- Publication number
- JPS6050006B2 JPS6050006B2 JP57097932A JP9793282A JPS6050006B2 JP S6050006 B2 JPS6050006 B2 JP S6050006B2 JP 57097932 A JP57097932 A JP 57097932A JP 9793282 A JP9793282 A JP 9793282A JP S6050006 B2 JPS6050006 B2 JP S6050006B2
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- Japan
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- dielectric constant
- temperature
- high dielectric
- present
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はセラミックコンデンサおよび電歪素子などの用
途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物に関
するものである。
途に適した温度特性のすぐれた高誘電率磁器組成物に関
するものである。
従来、上記の用途には、ＢａＴｉＯ。
、ＢａＳｎＯ３、ＣａＴｉＯ。などを主成分とし、これ
を種々の添加物などで変性した磁器が実用化されている
。これらの磁器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電
率の温度変化率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化
率を小さくすると常音の誘電率が小さくなり、誘電率が
大きくかつ誘電率の温度変化率の小さい磁器を得ること
は困難であつた。本発明はこのような欠点を改善し、誘
電率が大きく、かつ誘電率の温度変化率が小さい磁器組
成物を提供するものてある。すなわち、本発明の組成物
はＸＰｂＮｉ、Ｉ３Ｎｂ２ｈＯ３−（１−Ｘ）Ｐｂ２’
ｎ、ｌ３Ｎｂ２ｌａＯ３（ただし、０．２≦Ｘ≦０．８
）で示される組成（Ｐｂ原子の１５％以下をＢｒ、Ｃａ
およびＢａ原子のうちの一種以上で置換した組成を含む
）からなるか、またはこれを主成分とすることを特徴と
する高誘電率磁器組成物てある。誘電材料の具備すべき
特性はその用途により異なるが、セラミックコンデンサ
および電歪素子などでは誘電率が大きく、かつその温度
変化率の小さい材料が要求される。
を種々の添加物などで変性した磁器が実用化されている
。これらの磁器は常温付近の誘電率を大きくすると誘電
率の温度変化率が大きくなり、一方、誘電率の温度変化
率を小さくすると常音の誘電率が小さくなり、誘電率が
大きくかつ誘電率の温度変化率の小さい磁器を得ること
は困難であつた。本発明はこのような欠点を改善し、誘
電率が大きく、かつ誘電率の温度変化率が小さい磁器組
成物を提供するものてある。すなわち、本発明の組成物
はＸＰｂＮｉ、Ｉ３Ｎｂ２ｈＯ３−（１−Ｘ）Ｐｂ２’
ｎ、ｌ３Ｎｂ２ｌａＯ３（ただし、０．２≦Ｘ≦０．８
）で示される組成（Ｐｂ原子の１５％以下をＢｒ、Ｃａ
およびＢａ原子のうちの一種以上で置換した組成を含む
）からなるか、またはこれを主成分とすることを特徴と
する高誘電率磁器組成物てある。誘電材料の具備すべき
特性はその用途により異なるが、セラミックコンデンサ
および電歪素子などでは誘電率が大きく、かつその温度
変化率の小さい材料が要求される。
なお、誘電率が大きいことはコンデンサなどの小形化に
重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得るた
めには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする必
要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成物
を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。実
施例 １原料としてＰｂＯ９Ｎｉ９Ｎｂ２Ｏ５９ＺｎＯ
９ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ。
重要である。また広い温度範囲で安定した特性を得るた
めには材料定数特に誘電率の温度変化率を小さくする必
要がある。本発明はこのような用途に適する磁器組成物
を提供する。以下に本発明を実施例により説明する。実
施例 １原料としてＰｂＯ９Ｎｉ９Ｎｂ２Ｏ５９ＺｎＯ
９ＢａＣＯ３、ＳｒＣＯ。
、ＣａＣＯ。を用いて、これらを第１表に示した組成比
に秤量し混合したものを８５０℃で２時間仮焼してから
、ボールミルで湿式粉砕した。粉砕したものを乾燥した
のち、ポリビニルアルコール・の水溶液をバインダとし
て直径１３７ｗｔ）長さ約１０ｗｌの円柱状に加圧成形
し、これをマグネシア磁器製容器に入れて、９８０〜１
１６００Ｃで２時間焼成した。焼成した磁器を厚さ１＝
に切断し、この両面に電極としてＣｒ−Ａｕを蒸着した
のち誘電率（Ｅに）・と誘電正接（Ｄ）を１ｋＨ２で室
温に於いて測定した。誘電率の温度変化率は２０゜Ｃを
基準として−２５℃〜８５℃の範囲で測定した。その結
果を第１表に示す。第１表でＮＯ．ｌと１７は本発明の
範囲外の実施例てあり、ＮＯ．２〜１６は本発明の実施
例である。
に秤量し混合したものを８５０℃で２時間仮焼してから
、ボールミルで湿式粉砕した。粉砕したものを乾燥した
のち、ポリビニルアルコール・の水溶液をバインダとし
て直径１３７ｗｔ）長さ約１０ｗｌの円柱状に加圧成形
し、これをマグネシア磁器製容器に入れて、９８０〜１
１６００Ｃで２時間焼成した。焼成した磁器を厚さ１＝
に切断し、この両面に電極としてＣｒ−Ａｕを蒸着した
のち誘電率（Ｅに）・と誘電正接（Ｄ）を１ｋＨ２で室
温に於いて測定した。誘電率の温度変化率は２０゜Ｃを
基準として−２５℃〜８５℃の範囲で測定した。その結
果を第１表に示す。第１表でＮＯ．ｌと１７は本発明の
範囲外の実施例てあり、ＮＯ．２〜１６は本発明の実施
例である。
第１表から明らかなように、本発明の範囲内の組成物よ
りなる磁器は、大きな誘電率（εｒ）（４０８０〜８１
８０）と比較的小さな誘電率の温度変化率（−２５〜８
５℃の温度範囲で−５１〜７８％）を示す。すなわち、
これは、ＸＰｂＮｌｌｌ３Ｎｂ２ｌ３Ｏ３−（１−Ｘ）
ＰｂＺｎｌ／３ＮＹ）２ノ。０３系の限られた範囲内（
Ｘ＝０．２〜０．８）で４０００以上の大きな誘電率を
示すものである。
りなる磁器は、大きな誘電率（εｒ）（４０８０〜８１
８０）と比較的小さな誘電率の温度変化率（−２５〜８
５℃の温度範囲で−５１〜７８％）を示す。すなわち、
これは、ＸＰｂＮｌｌｌ３Ｎｂ２ｌ３Ｏ３−（１−Ｘ）
ＰｂＺｎｌ／３ＮＹ）２ノ。０３系の限られた範囲内（
Ｘ＝０．２〜０．８）で４０００以上の大きな誘電率を
示すものである。
また、焼成温度が９８０〜１１４０℃の範囲内であり、
従来のＢａＴｌＯ３系材料に比べていちじるしく低いこ
とも本発明の特長である。以上のように、本発明の組成
物は誘電率が大きく、かつその温度変化率が小さく、更
には焼成温一度が低いという特長をもつため、セラミッ
クコンデンサ用組成物、特に積層コンデンサ用材料とし
て工業的価値が高いものである。
従来のＢａＴｌＯ３系材料に比べていちじるしく低いこ
とも本発明の特長である。以上のように、本発明の組成
物は誘電率が大きく、かつその温度変化率が小さく、更
には焼成温一度が低いという特長をもつため、セラミッ
クコンデンサ用組成物、特に積層コンデンサ用材料とし
て工業的価値が高いものである。
実施例２
実施例１に記載した方法て製作した円板状試料の両電極
間に電圧（４）．０１Ｈｚて測定）を印加しそのときの
試料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて測定した
。
間に電圧（４）．０１Ｈｚて測定）を印加しそのときの
試料の厚さ方向の電歪を差動トランスを用いて測定した
。
歪の測定は試料をシリコン油中につけて行なつた。ＮＯ
．３と５の試料では印加電圧が２０ＫＶ／Ｃ７！の場合
に電歪は室温でそれぞれ０．４８Ｘ１０−３と０．３９
×１０−３であつた。また、この歪の温度による変化は
−２０〜６０℃の温度範囲てそれぞれ１１％と２３％で
あつた。本発明の組成物は電歪が大きく、かつ歪の温度
による変化が小さいため、ＶＴＲオートトラッキング用
ヘッド駆動素子，ミラー制御素子，貼り合わせ型のたわ
み素子などの各種の変化素子に適している。以上のよう
に本発明の高誘電率磁器組成物は、誘電率が大きく、か
つ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温度もいちじ
るしく低いため、セラミックコンデンサ用材料として有
用であるとともに電歪が大きくかつその温度による変化
が小さいという特長を持つため、各種の変位素子用材料
としても利用価値が高いものである。
．３と５の試料では印加電圧が２０ＫＶ／Ｃ７！の場合
に電歪は室温でそれぞれ０．４８Ｘ１０−３と０．３９
×１０−３であつた。また、この歪の温度による変化は
−２０〜６０℃の温度範囲てそれぞれ１１％と２３％で
あつた。本発明の組成物は電歪が大きく、かつ歪の温度
による変化が小さいため、ＶＴＲオートトラッキング用
ヘッド駆動素子，ミラー制御素子，貼り合わせ型のたわ
み素子などの各種の変化素子に適している。以上のよう
に本発明の高誘電率磁器組成物は、誘電率が大きく、か
つ誘電率の温度による変化が小さく、焼成温度もいちじ
るしく低いため、セラミックコンデンサ用材料として有
用であるとともに電歪が大きくかつその温度による変化
が小さいという特長を持つため、各種の変位素子用材料
としても利用価値が高いものである。
なお、本発明でｘの値が０．２未満とＸの値が０．８を
超え組成、およびＰｂ（７）Ｓｒ，ＢａならびにＣａの
うちの少なくとも一つによる置換が１５％を超える組成
は、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、
本発明の範囲を誘電率が４０００以上の組成に限定した
。
超え組成、およびＰｂ（７）Ｓｒ，ＢａならびにＣａの
うちの少なくとも一つによる置換が１５％を超える組成
は、誘電率が小さくなるため、本発明の範囲から除き、
本発明の範囲を誘電率が４０００以上の組成に限定した
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ＸＰｂＮｉ＿１／＿３Ｎｂ＿２／＿３Ｏ＿３−（１
−Ｘ）ＰｂＺｎ＿１／＿３Ｎｂ＿２／＿３Ｏ＿３（ただ
し、０．２≦Ｘ≦０．８）で示される組成物からなり、
またはこの組成物を主成分とすることを特徴とする高誘
電率磁器組成物。 ２ Ｐｂ原子の１５％以下をＳｒ、Ｃａ及びＢａ原子の
うちの一種以上で置換したことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載の高誘電率磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57097932A JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214201A JPS58214201A (ja) | 1983-12-13 |
| JPS6050006B2 true JPS6050006B2 (ja) | 1985-11-06 |
Family
ID=14205441
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57097932A Expired JPS6050006B2 (ja) | 1982-06-07 | 1982-06-07 | 高誘電率磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050006B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2566995B2 (ja) * | 1986-11-04 | 1996-12-25 | 株式会社東芝 | 高誘電率磁器組成物及びセラミックコンデンサ |
| JP2762309B2 (ja) * | 1989-12-22 | 1998-06-04 | マルコン電子株式会社 | 誘電体磁器組成物及びこれを使用した電子部品 |
-
1982
- 1982-06-07 JP JP57097932A patent/JPS6050006B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58214201A (ja) | 1983-12-13 |
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