JPH04264307A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH04264307A JPH04264307A JP3047503A JP4750391A JPH04264307A JP H04264307 A JPH04264307 A JP H04264307A JP 3047503 A JP3047503 A JP 3047503A JP 4750391 A JP4750391 A JP 4750391A JP H04264307 A JPH04264307 A JP H04264307A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、磁器コンデンサとし
て使用される誘電体磁器組成物、特にＳｒＴｉＯ３ −
Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器
誘電体に関する。
て使用される誘電体磁器組成物、特にＳｒＴｉＯ３ −
Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器
誘電体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、磁器コンデンサ等に多用されてい
るチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）系磁器は強誘電
性及び圧電性磁器であり、強誘電性を示すものはペロブ
スカイト構造を有している。
るチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３ ）系磁器は強誘電
性及び圧電性磁器であり、強誘電性を示すものはペロブ
スカイト構造を有している。
【０００３】一般に上記ＢａＴｉＯ３ 系磁器誘電体に
は、誘電率が大きくなるほど誘電率の温度変化、すなわ
ち−２５℃〜＋８５℃での基準値（２０℃の値）に対す
る変化が例えば±数１０％となるように大きく、また誘
電損失を表わす指標である ｔａｎδ（誘電正接という
）が大きいという欠点がある。これに対して、低い周波
数帯域において、比較的 ｔａｎδが小さい、つまり誘
電損失が少なく、誘電率の温度変化が小さい磁器誘電体
として、ＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２
−ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器誘電体が用いられるように
なった。
は、誘電率が大きくなるほど誘電率の温度変化、すなわ
ち−２５℃〜＋８５℃での基準値（２０℃の値）に対す
る変化が例えば±数１０％となるように大きく、また誘
電損失を表わす指標である ｔａｎδ（誘電正接という
）が大きいという欠点がある。これに対して、低い周波
数帯域において、比較的 ｔａｎδが小さい、つまり誘
電損失が少なく、誘電率の温度変化が小さい磁器誘電体
として、ＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２
−ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器誘電体が用いられるように
なった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記Ｓ
ｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉ
Ｏ３ 系の磁器誘電体は低周波帯域では比較的に ｔａ
ｎδが小さいものの、５００ｋＨｚ程度の高い周波数帯
域になると ｔａｎδが大となりエネルギー損失が大き
いという欠点があった。
ｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉ
Ｏ３ 系の磁器誘電体は低周波帯域では比較的に ｔａ
ｎδが小さいものの、５００ｋＨｚ程度の高い周波数帯
域になると ｔａｎδが大となりエネルギー損失が大き
いという欠点があった。
【０００５】本発明の目的は、前述の磁器誘電体、特に
ＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴ
ｉＯ３ 系磁器誘電体における欠点を解決して、比較的
高い誘電率と優れた温度特性を有し、高周波帯域での
ｔａｎδが小さく、かつ昇圧破壊電圧が高い磁器コンデ
ンサ用の誘電体磁器組成物を提供することにある。
ＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴ
ｉＯ３ 系磁器誘電体における欠点を解決して、比較的
高い誘電率と優れた温度特性を有し、高周波帯域での
ｔａｎδが小さく、かつ昇圧破壊電圧が高い磁器コンデ
ンサ用の誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段および作用】本発明者らは
前記の目的を達成すべく、従来のＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ
２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器誘電
体の各成分（以下主成分と称する）の組成比を検討する
とともに、主成分に対してさらに添加すべき微量成分（
以下添加物と称する）の種類および添加量について研究
を重ねた結果、主成分、特にＰｂＴｉＯ３ の配合量に
より、比較的高い誘電率を持った誘電体とすることがで
きること、また、ＴｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３ 、および
ＣｅＯ２ の配合量により高周波帯域でのｔａｎ δを
改善できること、さらに添加成分としてＣｕＯを添加せ
しめることにより優れた温度特性を持たせ得ること、そ
してＭｇＴｉＯ３ を添加することにより昇圧破壊電圧
をより高くすることができること等を見出し本発明に到
達した。
前記の目的を達成すべく、従来のＳｒＴｉＯ３ −Ｂｉ
２ Ｏ３ −ＴｉＯ２ −ＰｂＴｉＯ３ 系の磁器誘電
体の各成分（以下主成分と称する）の組成比を検討する
とともに、主成分に対してさらに添加すべき微量成分（
以下添加物と称する）の種類および添加量について研究
を重ねた結果、主成分、特にＰｂＴｉＯ３ の配合量に
より、比較的高い誘電率を持った誘電体とすることがで
きること、また、ＴｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３ 、および
ＣｅＯ２ の配合量により高周波帯域でのｔａｎ δを
改善できること、さらに添加成分としてＣｕＯを添加せ
しめることにより優れた温度特性を持たせ得ること、そ
してＭｇＴｉＯ３ を添加することにより昇圧破壊電圧
をより高くすることができること等を見出し本発明に到
達した。
【０００７】したがって、本発明は、主成分として以下
の成分： ＳｒＴｉＯ３ ４０．０ 〜 ５５．０ 重
量％ＰｂＴｉＯ３ １０．０ 〜 ３０．０
重量％Ｂｉ２ Ｏ３ １０．０ 〜
３０．０ 重量％ＴｉＯ２ ５．
０ 〜 １５．０ 重量％を含有し、かつ上記主成分
１００重量部に対し添加物として以下の成分： ＭｇＴｉＯ３ ０．５ 〜 ３．５ 重
量部ＣａＴｉＯ３ ０．１ 〜 ３．０
重量部ＣｅＯ２ ０．０２ 〜
０．３０ 重量部ＣｕＯ ０．０
５ 〜 ０．５０ 重量部を含有してなる組成を有する
ことを特徴とする誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。
の成分： ＳｒＴｉＯ３ ４０．０ 〜 ５５．０ 重
量％ＰｂＴｉＯ３ １０．０ 〜 ３０．０
重量％Ｂｉ２ Ｏ３ １０．０ 〜
３０．０ 重量％ＴｉＯ２ ５．
０ 〜 １５．０ 重量％を含有し、かつ上記主成分
１００重量部に対し添加物として以下の成分： ＭｇＴｉＯ３ ０．５ 〜 ３．５ 重
量部ＣａＴｉＯ３ ０．１ 〜 ３．０
重量部ＣｅＯ２ ０．０２ 〜
０．３０ 重量部ＣｕＯ ０．０
５ 〜 ０．５０ 重量部を含有してなる組成を有する
ことを特徴とする誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。
【０００８】次に、この発明の誘電体磁器組成物におい
て、成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。
て、成分組成を上記の通りに限定した理由を説明する。
【０００９】（ａ）ＳｒＴｉＯ３
主成分中の含有量が５５．０重量％を超えると誘電率が
低下するようになり、含有量の増加につれて焼成温度が
上昇し焼結性が悪くなり、一方その含有量が４０．０重
量％未満になると誘電率が低下することから、その含有
量を４０．０〜５５．０重量％と定めた。
低下するようになり、含有量の増加につれて焼成温度が
上昇し焼結性が悪くなり、一方その含有量が４０．０重
量％未満になると誘電率が低下することから、その含有
量を４０．０〜５５．０重量％と定めた。
【００１０】（ｂ）Ｂｉ２ Ｏ３
主成分中の含有量が３０．０重量％を超えると焼結が困
難となり、焼成温度幅が狭くなる。たとえ焼結したとし
ても多孔質になるため実用的素子を得ることが困難であ
る。 一方、その含有量が１０．０重量％未満になると誘電率
がそれ程高くないのに誘電率の温度特性が悪くなること
から、その含有量を１０．０〜３０．０重量％と定めた
。
難となり、焼成温度幅が狭くなる。たとえ焼結したとし
ても多孔質になるため実用的素子を得ることが困難であ
る。 一方、その含有量が１０．０重量％未満になると誘電率
がそれ程高くないのに誘電率の温度特性が悪くなること
から、その含有量を１０．０〜３０．０重量％と定めた
。
【００１１】（ｃ）ＴｉＯ２
ＴｉＯ２ 成分には高周波帯域での ｔａｎδを小さく
する作用があるが、主成分の含有量が１５．０重量％を
超えると高周波帯域での ｔａｎδが大きくなり、一方
その含有量が ５．０重量％未満になると焼結性が悪く
なるので、その含有量を ５．０〜１５．０重量％と定
めた。
する作用があるが、主成分の含有量が１５．０重量％を
超えると高周波帯域での ｔａｎδが大きくなり、一方
その含有量が ５．０重量％未満になると焼結性が悪く
なるので、その含有量を ５．０〜１５．０重量％と定
めた。
【００１２】（ｄ）ＰｂＴｉＯ３
ＰｂＴｉＯ３ 成分は比較的高い誘電率を持った磁器組
成物とするために配合されるが、主成分中その含有量が
３０．０重量％を超えると誘電率の温度特性が悪くなり
、焼結性も劣るようになる。一方、その含有量が１０．
０重量％未満になると誘電率が低下するようになること
から、その含有量を１０．０〜３０．０重量％と定めた
。
成物とするために配合されるが、主成分中その含有量が
３０．０重量％を超えると誘電率の温度特性が悪くなり
、焼結性も劣るようになる。一方、その含有量が１０．
０重量％未満になると誘電率が低下するようになること
から、その含有量を１０．０〜３０．０重量％と定めた
。
【００１３】（ｅ）ＭｇＴｉＯ３
ＭｇＴｉＯ３ 成分には昇圧破壊電圧を高くする作用が
あるが、主成分 １００重量部に対して ３．５重量部
を超えると高周波側の ｔａｎδが増大する。一方、同
じ基準で０．５ 重量部未満ではその添加効果が認めら
れないので、その添加量を主成分１００ 重量部に対し
０．５〜３．５ 重量部と定めた。
あるが、主成分 １００重量部に対して ３．５重量部
を超えると高周波側の ｔａｎδが増大する。一方、同
じ基準で０．５ 重量部未満ではその添加効果が認めら
れないので、その添加量を主成分１００ 重量部に対し
０．５〜３．５ 重量部と定めた。
【００１４】（ｆ）ＣａＴｉＯ３
ＣａＴｉＯ３ 成分には、高周波帯域での ｔａｎδを
小さくする作用があるが、主成分 １００重量部に対し
て３．０ 重量部を超えると、誘電率が低下する。一方
、その含有量が上の基準で ０．１重量部未満では、添
加効果が認められないので、その添加量を主成分 １０
０重量部に対し、 ０．１〜３．０ 重量部と定めた。
小さくする作用があるが、主成分 １００重量部に対し
て３．０ 重量部を超えると、誘電率が低下する。一方
、その含有量が上の基準で ０．１重量部未満では、添
加効果が認められないので、その添加量を主成分 １０
０重量部に対し、 ０．１〜３．０ 重量部と定めた。
【００１５】（ｇ）ＣｅＯ２
ＣｅＯ２ 成分には、ＣａＴｉＯ３ 、ＴｉＯ２ と同
様、高周波帯域での ｔａｎδを小さくする作用がある
が、主成分 １００重量部に対して０．３０重量部を超
えると、誘電率が低下する。一方、その含有量が上の基
準で０．０２重量部未満では、添加効果が認められない
ので、その添加量を主成分 １００重量部に対し、０．
０２〜０．３０重量部と定めた。
様、高周波帯域での ｔａｎδを小さくする作用がある
が、主成分 １００重量部に対して０．３０重量部を超
えると、誘電率が低下する。一方、その含有量が上の基
準で０．０２重量部未満では、添加効果が認められない
ので、その添加量を主成分 １００重量部に対し、０．
０２〜０．３０重量部と定めた。
【００１６】（ｈ）ＣｕＯ
ＣｕＯ成分には温度特性に貢献する作用があるが、主成
分 １００重量部に対して０．５０重量部を超えると
ｔａｎδを増大させる。一方、同じ基準で０．０５重量
部未満では誘電率の温度特性改善効果が認められないの
で、その添加量を主成分 １００重量部に対し０．０５
〜０．５０重量部と定めた。
分 １００重量部に対して０．５０重量部を超えると
ｔａｎδを増大させる。一方、同じ基準で０．０５重量
部未満では誘電率の温度特性改善効果が認められないの
で、その添加量を主成分 １００重量部に対し０．０５
〜０．５０重量部と定めた。
【００１７】以下、本発明の誘電体磁器組成物を実施例
により比較例と対比して説明する。
により比較例と対比して説明する。
【００１８】
【実施例】それぞれ９８％以上の純度を有するＳｒＴｉ
Ｏ３ 、Ｂｉ２ Ｏ３ 、ＴｉＯ２ およびＰｂＴｉＯ
３ （以上主成分）および添加物としてＭｇＴｉＯ３
、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ２ およびＣｕＯを表１に示
す組成比になるように秤量した。この際、添加物の量は
主成分 １００重量部に対する重量割合で示されている
。次に、不純物の混入を防止するためにポリエチレンポ
ットおよびウレタンボールを用いて上記組成比の材料を
湿式混合した。次いで混合物の脱水および乾燥を行った
後、バインダーとしてポリビニルアルコール水溶液を添
加し、直径１６ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に、２，０００
ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で加圧成形した。
Ｏ３ 、Ｂｉ２ Ｏ３ 、ＴｉＯ２ およびＰｂＴｉＯ
３ （以上主成分）および添加物としてＭｇＴｉＯ３
、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ２ およびＣｕＯを表１に示
す組成比になるように秤量した。この際、添加物の量は
主成分 １００重量部に対する重量割合で示されている
。次に、不純物の混入を防止するためにポリエチレンポ
ットおよびウレタンボールを用いて上記組成比の材料を
湿式混合した。次いで混合物の脱水および乾燥を行った
後、バインダーとしてポリビニルアルコール水溶液を添
加し、直径１６ｍｍ、厚さ１ｍｍの円板に、２，０００
ｋｇ／ｃｍ２ の圧力で加圧成形した。
【００１９】次いで、成形体をエレマ発熱体を用いる電
気トンネル炉に装入して約 １，２００〜１，３００
℃の温度で本焼成を行って試料 １〜１９を得た。
気トンネル炉に装入して約 １，２００〜１，３００
℃の温度で本焼成を行って試料 １〜１９を得た。
【００２０】
【表１】
表１中＊印を付した番号の試料は、本発明の範囲外の、
組成を持つものであることを示し、下線を施した数値は
適正範囲外の数値であることを示す。
組成を持つものであることを示し、下線を施した数値は
適正範囲外の数値であることを示す。
【００２１】このようにして得られた磁器素子に銀電極
を焼き付け、特性試験を行い、誘電率ε、１ｋＨｚ お
よび５００ｋＨｚにおける ｔａｎδ（％）、誘電率の
温度変化率ＴＣ（％）、すなわち−２５℃および＋８５
℃での基準値（２０℃の値）に対する変化、ならびにＢ
ＤＶと表示されている昇圧破壊電圧（ｋＶ／ｍｍ）を測
定した。これらの結果を表２に示した。
を焼き付け、特性試験を行い、誘電率ε、１ｋＨｚ お
よび５００ｋＨｚにおける ｔａｎδ（％）、誘電率の
温度変化率ＴＣ（％）、すなわち−２５℃および＋８５
℃での基準値（２０℃の値）に対する変化、ならびにＢ
ＤＶと表示されている昇圧破壊電圧（ｋＶ／ｍｍ）を測
定した。これらの結果を表２に示した。
【００２２】
【表２】
表２中下線を施した数値は目標範囲外の数値であること
を示す。
を示す。
【００２３】表２に示された結果から明らかであるよう
に、本発明の範囲外の組成を持つ試料は、目標とする比
較的高い誘電率（１，５００〜２，３００）を有してい
ないか、あるいは所望の ｔａｎδ条件（周波数１ｋＨ
ｚで ０．１〜０．３ ％、５００ｋＨｚで ２．５％
以下）を満たしていないかいずれかの欠陥を有している
ことがわかる。
に、本発明の範囲外の組成を持つ試料は、目標とする比
較的高い誘電率（１，５００〜２，３００）を有してい
ないか、あるいは所望の ｔａｎδ条件（周波数１ｋＨ
ｚで ０．１〜０．３ ％、５００ｋＨｚで ２．５％
以下）を満たしていないかいずれかの欠陥を有している
ことがわかる。
【００２４】以上、本発明を実施例に基づいて説明した
が、本発明に係る磁器組成物によるコンデンサの製造に
ついては実施例以外の方法でもよく、また組成について
通常用いられる酸化物、すなわち、ＳｒＴｉＯ３ 、Ｂ
ｉ２Ｏ３ 、ＴｉＯ２ 、ＰｂＴｉＯ３ 、ＭｇＴｉＯ
３ 、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ２ およびＣｕＯで示し
たが出発原料はこれらに限られるものではなく、要する
にＳｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｍｇな
どがその代表的な酸化物に換算して本発明の組成となる
ように含まれていればよい。
が、本発明に係る磁器組成物によるコンデンサの製造に
ついては実施例以外の方法でもよく、また組成について
通常用いられる酸化物、すなわち、ＳｒＴｉＯ３ 、Ｂ
ｉ２Ｏ３ 、ＴｉＯ２ 、ＰｂＴｉＯ３ 、ＭｇＴｉＯ
３ 、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ２ およびＣｕＯで示し
たが出発原料はこれらに限られるものではなく、要する
にＳｒ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｐｂ、Ｃａ、Ｃｅ、Ｃｕ、Ｍｇな
どがその代表的な酸化物に換算して本発明の組成となる
ように含まれていればよい。
【００２５】すなわち、焼結によってペロブスカイト構
造が得られるようなＳｒまたはＳｒ化合物とＴｉまたは
Ｔｉ化合物、焼結によってＢｉ２ Ｏ３ を得ることが
可能なＢｉまたはＢｉ化合物、焼結によってＴｉＯ２
を得ることが可能なＴｉまたはＴｉ化合物、焼結によっ
てＰｂＴｉＯ３ を得ることが可能なＰｂまたはＰｂ化
合物、添加物ＭｇＴｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ
２ についても焼結によってこれらを得ることが可能な
それぞれの金属またはその化合物を出発原料として差し
支えない。
造が得られるようなＳｒまたはＳｒ化合物とＴｉまたは
Ｔｉ化合物、焼結によってＢｉ２ Ｏ３ を得ることが
可能なＢｉまたはＢｉ化合物、焼結によってＴｉＯ２
を得ることが可能なＴｉまたはＴｉ化合物、焼結によっ
てＰｂＴｉＯ３ を得ることが可能なＰｂまたはＰｂ化
合物、添加物ＭｇＴｉＯ３ 、ＣａＴｉＯ３ 、ＣｅＯ
２ についても焼結によってこれらを得ることが可能な
それぞれの金属またはその化合物を出発原料として差し
支えない。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
１，５００〜２，３００ 程度の比較的高い誘電率を
有し、その誘電率の温度変化率が−２５℃〜＋８５℃に
おいて±１０％以内という優れた温度特性を持ち、誘電
損失を表わす指標である ｔａｎδが周波数１ｋＨｚで
０．１〜 ０．３（％）、特に高周波帯域５００ｋＨ
ｚで小さく ２．５％以下であって、かつ１ｍｍ当たり
の昇圧破壊電圧が１０ｋＶ以上である等、優れた特性を
具備した誘電体磁器組成物が提供されることになる。
１，５００〜２，３００ 程度の比較的高い誘電率を
有し、その誘電率の温度変化率が−２５℃〜＋８５℃に
おいて±１０％以内という優れた温度特性を持ち、誘電
損失を表わす指標である ｔａｎδが周波数１ｋＨｚで
０．１〜 ０．３（％）、特に高周波帯域５００ｋＨ
ｚで小さく ２．５％以下であって、かつ１ｍｍ当たり
の昇圧破壊電圧が１０ｋＶ以上である等、優れた特性を
具備した誘電体磁器組成物が提供されることになる。
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分として以下の成分：ＳｒＴｉＯ
３ ４０．０ 〜 ５５．０ 重量％ＰｂＴ
ｉＯ３ １０．０ 〜 ３０．０ 重量％Ｂ
ｉ２ Ｏ３ １０．０ 〜 ３０．０ 重
量％ＴｉＯ２ ５．０ 〜 １５
．０ 重量％を含有し、かつ上記主成分 １００重量部
に対し添加物として以下の成分： ＭｇＴｉＯ３ ０．５ 〜 ３．５ 重
量部ＣａＴｉＯ３ ０．１ 〜 ３．０
重量部ＣｅＯ２ ０．０２ 〜
０．３０ 重量部ＣｕＯ ０．０
５ 〜 ０．５０ 重量部を含有してなる組成を有する
ことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047503A JP2848712B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3047503A JP2848712B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04264307A true JPH04264307A (ja) | 1992-09-21 |
| JP2848712B2 JP2848712B2 (ja) | 1999-01-20 |
Family
ID=12776913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3047503A Expired - Lifetime JP2848712B2 (ja) | 1991-02-20 | 1991-02-20 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2848712B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451721B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US6522521B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Reduction-resistant dielectric ceramic compact and laminated ceramic capacitor |
| EP1500636A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
| JP2010185331A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の動弁装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651443A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of methylenedicarbanilate |
| JPS60189107A (ja) * | 1984-03-07 | 1985-09-26 | ティーディーケイ株式会社 | 磁器誘電体組成物 |
| JPH01102804A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02123612A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 磁器誘電体組成物 |
-
1991
- 1991-02-20 JP JP3047503A patent/JP2848712B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5651443A (en) * | 1979-10-01 | 1981-05-09 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | Preparation of methylenedicarbanilate |
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| JPH01102804A (ja) * | 1987-10-14 | 1989-04-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JPH02123612A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-11 | Tdk Corp | 磁器誘電体組成物 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6451721B2 (en) * | 1999-12-27 | 2002-09-17 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition |
| US6522521B2 (en) | 2000-07-31 | 2003-02-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Reduction-resistant dielectric ceramic compact and laminated ceramic capacitor |
| EP1500636A1 (en) * | 2003-07-24 | 2005-01-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
| US6967180B2 (en) | 2003-07-24 | 2005-11-22 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Dielectric ceramic composition and ceramic electronic component |
| JP2010185331A (ja) * | 2009-02-12 | 2010-08-26 | Nissan Motor Co Ltd | 内燃機関の動弁装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2848712B2 (ja) | 1999-01-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
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