JPS6050338B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

半導体集積回路装置

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JPS6050338B2
JPS6050338B2 JP55019432A JP1943280A JPS6050338B2 JP S6050338 B2 JPS6050338 B2 JP S6050338B2 JP 55019432 A JP55019432 A JP 55019432A JP 1943280 A JP1943280 A JP 1943280A JP S6050338 B2 JPS6050338 B2 JP S6050338B2
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JP
Japan
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integrated circuit
die pad
pad frame
semiconductor integrated
circuit chip
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JP55019432A
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正晴 竹内
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W70/00Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40Leadframes
    • H10W70/411Chip-supporting parts, e.g. die pads
    • HELECTRICITY
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    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/071Connecting or disconnecting
    • H10W72/075Connecting or disconnecting of bond wires
    • H10W72/07541Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature
    • H10W72/07551Controlling the environment, e.g. atmosphere composition or temperature characterised by changes in properties of the bond wires during the connecting
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10WGENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は集積回路チップを設定するダイパッドフレー
ムを改善した樹脂封止形の半導体集積回路装置に関する
ものである。
第1図は樹脂封止形の半導体集積回路の一例てあるデュ
アルインライン形集積回路を示す。
同図において、1はダイパッドフレームで、これには集
積回路チップ2がソルダーまたは接着剤により固定され
ている。、3、3はリードフレームで、金属細線4、4
により上記集積回路チップ2に電気的に接続されている
。5は成形樹脂で、この成形樹脂5により上記ダイパッ
ドフレーム1、集積回路チップ2、リードフレーム3、
3、金属細線4、4が一体的に結合されている。
第2図のように、従来のダイパッドフレーム1は平板か
らなり、その両端部には工程での姿勢保持に必要なダイ
パッド支持フレーム6、6が形成されている。上記構成
において、ダイパッドフレーム1と集積回路チップ2間
には熱膨張係数の差があり、この差によるバイメタル作
用により集積回路チップ2に曲げ応力が発生する。この
ため、上記のような単なる平板状のダイパッドフレーム
1では、その長さを長くして、長の集積回路チップを設
定した場合、チップ割れやチップ歪による特性劣化を生
ずる欠点があつた。この発明は上記欠点を除去するため
になされたもので、ダイパッドフレームの長さ方向に間
欠的に切欠部を形成するとともに、この切欠部の両端部
を伸縮可能に構成することにより、ダイパッドフレーム
と集積回路チップ間のバイメタル作用に起因する曲け応
力を小さくし、長尺の集積回路チップを無理なく設定で
きるようにした半導体集積回路装置を提供することを目
的とする。
以下、この発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
第3図において、1はダイパッドフレームで、このダイ
パッドフレーム1にはその長さ方向に間欠的に切欠部7
が形成され、各切欠部7の両端部8、8は伸縮可能なU
字形に構成されている。第4図において、2は長尺の集
積回路チップで、上記各切欠部7をまたがつてダイパッ
ドフレーム1に固定されている。J 上記構成において
は、ダイパッドフレーム1と集積回路チップ2間の熱膨
張係数の差により発生するバイメタル作用は、切欠部7
により分断された個々のチップ設定部9での小さな範囲
のものにとどめられる。
また、上記、バイメタル作用によダリ発生する各チップ
設定部9、9間での伸縮応力は、各切欠部7の両端部8
、8に集中して、この両端部8、8の伸縮効果により吸
収される。このような理由から、集積回路チップ2に作
用する曲げ応力はきわめて小さい。すなわち、第3図に
示された形状のダイパッドフレーム1では、長尺の集積
回路チップ2を無理なく設定することができる。なお、
上記切欠部7の両端部8,8はU字形としたが、■字形
、W字形などでも同等の効果がある。
以上のように、この発明によれば、ダイパッドフレーム
と集積回路チップ間のバイメタル作用に起因する曲げ応
力を小さし、長尺の集積回路チップを無理なく設定でき
る半導体集積回路装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
第1図は半導体集積回路装置の断面図、第2図は従来の
ダイパッドフレームの斜視図、第3図はこの発明による
ダイパッドフレームの斜視図、第4図はこの発明による
ダイパッドフレームに集積回路チップを設定した状態の
斜視図である。 1・・・・・・ダイパッドフレーム、2・・・・・・集
積回路チップ、7・・・・・・切欠部、8・・・・・・
両端部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 集積回路チップを設定するダイパッドフレームに、
    その長さ方向に間欠的に切欠部を形成するとともに、各
    切欠部の両端部を伸縮可能に構成したことを特徴とする
    半導体集積回路装置。
JP55019432A 1980-02-19 1980-02-19 半導体集積回路装置 Expired JPS6050338B2 (ja)

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JPS56115552A JPS56115552A (en) 1981-09-10
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US5021864A (en) * 1989-09-05 1991-06-04 Micron Technology, Inc. Die-mounting paddle for mechanical stress reduction in plastic IC packages

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JPS56115552A (en) 1981-09-10

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