JPS63258050A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS63258050A JPS63258050A JP62093509A JP9350987A JPS63258050A JP S63258050 A JPS63258050 A JP S63258050A JP 62093509 A JP62093509 A JP 62093509A JP 9350987 A JP9350987 A JP 9350987A JP S63258050 A JPS63258050 A JP S63258050A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- leads
- die pad
- resin member
- semiconductor chip
- lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/5363—Shapes of wire connectors the connected ends being wedge-shaped
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分膏〕
この発明は樹脂封止型の半導体装置に関するものである
。
。
従来のこの種半導体装置は第3図および第4図に示す如
く構成されている。即ちダイパッド1に取付けられた半
導体チップ2とリード3を金線4によって接続し、これ
らの部材をVI!脂部材5によ1で封止するように構成
されている。
く構成されている。即ちダイパッド1に取付けられた半
導体チップ2とリード3を金線4によって接続し、これ
らの部材をVI!脂部材5によ1で封止するように構成
されている。
この従来のものでは、ダイパッド1とリード3が同一平
面内にあり、このような部分が数個所以上あるリードフ
レームに対し、接着剤によってチップ2をリード3の先
端に接続し、樹脂5にて成形し、I)1脂のダムとなる
リード3間に配置されたタイパ部を切断する。その後リ
ード3を所定長に切断し、曲げ加工し成形する。成形さ
れたり−ド3がプリント基板の回路との接続端子として
利用される。
面内にあり、このような部分が数個所以上あるリードフ
レームに対し、接着剤によってチップ2をリード3の先
端に接続し、樹脂5にて成形し、I)1脂のダムとなる
リード3間に配置されたタイパ部を切断する。その後リ
ード3を所定長に切断し、曲げ加工し成形する。成形さ
れたり−ド3がプリント基板の回路との接続端子として
利用される。
この従来のものは以上のように構成されているので、リ
ードの成形工程におけろ高度の成形技術と成形形状の維
持管理が困難であり、またリード部分が全体の寸法増大
に影響するなどの問題があった0 この発明はこのような従来のものの問題点を解消するた
めになされたもので、リード成形工程を簡略化できろと
共に、単位面積当りの樹脂成形個数を増大し、小形の半
導体装置を得ろことを目的とする。
ードの成形工程におけろ高度の成形技術と成形形状の維
持管理が困難であり、またリード部分が全体の寸法増大
に影響するなどの問題があった0 この発明はこのような従来のものの問題点を解消するた
めになされたもので、リード成形工程を簡略化できろと
共に、単位面積当りの樹脂成形個数を増大し、小形の半
導体装置を得ろことを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、ダイパッドに取付けられ
た半導体チップとリードを電気的に接続し、リードを一
部を残してダイパッドおよび半導体チップと共に樹脂部
材で封止し、この樹脂部材の表面とほぼ同一面に露出す
るリードの露出部を外部接続用の端子としたものである
。
た半導体チップとリードを電気的に接続し、リードを一
部を残してダイパッドおよび半導体チップと共に樹脂部
材で封止し、この樹脂部材の表面とほぼ同一面に露出す
るリードの露出部を外部接続用の端子としたものである
。
この発明におけるリードは、成形工程が必要でなくなり
、半導体装置が精度よく安価に生産できると共に小形化
できる。
、半導体装置が精度よく安価に生産できると共に小形化
できる。
以下この発明の一実施例を第1図および第2図にもとづ
いて説明する。即ち第1図および第2図において、1は
ダイパッド、2はダイパッド1に取付けられた半導体チ
ップ、3は外部接続用端子となる露出部31を有するリ
ード、4は半導体チップ2とリード3とを接続する金線
、5はダイパッド1、チップ2、リード3および金線4
を一体に成形する樹脂部材である。
いて説明する。即ち第1図および第2図において、1は
ダイパッド、2はダイパッド1に取付けられた半導体チ
ップ、3は外部接続用端子となる露出部31を有するリ
ード、4は半導体チップ2とリード3とを接続する金線
、5はダイパッド1、チップ2、リード3および金線4
を一体に成形する樹脂部材である。
このように構成されたものを製作するには、まず同一平
面上にあるリードフレームを金型を利用しリード3を段
違いに成形する。ダイパッド1にチップ2を接着剤によ
って固定すると共に、金線4によってリード3の露出部
31の反対面に接続する。この状態で41)J)11部
材5によってリード3の一部31が露出するよう成形し
た後、リード3の他端を41111部材5の裏面近傍で
切断する。
面上にあるリードフレームを金型を利用しリード3を段
違いに成形する。ダイパッド1にチップ2を接着剤によ
って固定すると共に、金線4によってリード3の露出部
31の反対面に接続する。この状態で41)J)11部
材5によってリード3の一部31が露出するよう成形し
た後、リード3の他端を41111部材5の裏面近傍で
切断する。
なお上記実施例では、リード3の露出部31ば内側先端
部に設けたが、中間部または外側先端部に設けてもよい
。またリード3の露出部はチップの上下両面に形成して
もよい。
部に設けたが、中間部または外側先端部に設けてもよい
。またリード3の露出部はチップの上下両面に形成して
もよい。
上記のようにこの発明による半導体装置は、リードの成
形工程を省略し小形化するよう構成したので、安価で生
産性が高く品質の安定したものが得られる。
形工程を省略し小形化するよう構成したので、安価で生
産性が高く品質の安定したものが得られる。
第1図および第2図はいずれもこの発明の実施例を示す
図で、第1図は斜視図、第2図は拡大断面図、第3図お
よび第4図はいずれも従来のとの種半導体装置を示す図
で、第3図は斜視図、第4図は拡大断面図である。 図中、1はダイパッド、2は半導体チップ、3はリード
、31は露出部、4は金線、5は樹脂部材である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
図で、第1図は斜視図、第2図は拡大断面図、第3図お
よび第4図はいずれも従来のとの種半導体装置を示す図
で、第3図は斜視図、第4図は拡大断面図である。 図中、1はダイパッド、2は半導体チップ、3はリード
、31は露出部、4は金線、5は樹脂部材である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- ダイパッドに取付けられた半導体チップ、この半導体
チップに電気的に接続されるリード、このリードを一部
を残して上記ダイパッドおよび半導体チップと共に封止
する樹脂部材を備え、この樹脂部材の表面とほぼ同一面
に露出する上記リードの露出部を外部接続用の端子とし
てなる半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093509A JPS63258050A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62093509A JPS63258050A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63258050A true JPS63258050A (ja) | 1988-10-25 |
Family
ID=14084315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62093509A Pending JPS63258050A (ja) | 1987-04-15 | 1987-04-15 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63258050A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224317A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | ヒューズ付き固体電解コンデンサ |
| JPH02303056A (ja) * | 1989-05-17 | 1990-12-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体集積回路の製造方法 |
| US5139969A (en) * | 1990-05-30 | 1992-08-18 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making resin molded semiconductor device |
| DE4238646A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-06-03 | Gold Star Electronics | New encapsulated semiconductor memory chip - has chips with bonding pads on central region, lead frame with leads connected to bonding parts, insulating adhesive, metal wire for electrical connection etc. |
| US5512781A (en) * | 1992-12-01 | 1996-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package device for super high-frequency band |
| JPH08213504A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Matsushita Electron Corp | 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法 |
| WO1999000826A3 (en) * | 1997-06-27 | 1999-05-27 | Matsushita Electronics Corp | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US5969416A (en) * | 1997-09-19 | 1999-10-19 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Ball grid array semiconductor package |
| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| KR100487464B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임을이용한반도체칩패키지 |
| JP2015138881A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 古河電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
-
1987
- 1987-04-15 JP JP62093509A patent/JPS63258050A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02224317A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Nec Corp | ヒューズ付き固体電解コンデンサ |
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| DE4238646A1 (en) * | 1991-11-14 | 1993-06-03 | Gold Star Electronics | New encapsulated semiconductor memory chip - has chips with bonding pads on central region, lead frame with leads connected to bonding parts, insulating adhesive, metal wire for electrical connection etc. |
| DE4238646B4 (de) * | 1991-11-14 | 2006-11-16 | Goldstar Electron Co., Ltd., Cheongju | Halbleiter-Bauelement mit spezieller Anschlusskonfiguration |
| US5512781A (en) * | 1992-12-01 | 1996-04-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor package device for super high-frequency band |
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| US6861735B2 (en) | 1997-06-27 | 2005-03-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US6900524B1 (en) | 1997-06-27 | 2005-05-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Resin molded semiconductor device on a lead frame and method of manufacturing the same |
| US7538416B2 (en) | 1997-06-27 | 2009-05-26 | Panasonic Corporation | Resin molded type semiconductor device and a method of manufacturing the same |
| US5969416A (en) * | 1997-09-19 | 1999-10-19 | Samsung Aerospace Industries, Ltd. | Ball grid array semiconductor package |
| KR100487464B1 (ko) * | 1997-12-12 | 2005-08-10 | 삼성전자주식회사 | 리드프레임을이용한반도체칩패키지 |
| JP2015138881A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 古河電気工業株式会社 | 基板および基板の製造方法 |
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