JPS6050436A - コ−クス及びセミコ−クス組織の同定方法 - Google Patents
コ−クス及びセミコ−クス組織の同定方法Info
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- JPS6050436A JPS6050436A JP58158724A JP15872483A JPS6050436A JP S6050436 A JPS6050436 A JP S6050436A JP 58158724 A JP58158724 A JP 58158724A JP 15872483 A JP15872483 A JP 15872483A JP S6050436 A JPS6050436 A JP S6050436A
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- JP
- Japan
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- coke
- reflectance
- semi
- sample
- control circuit
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N15/00—Investigating characteristics of particles; Investigating permeability, pore-volume or surface-area of porous materials
- G01N15/10—Investigating individual particles
- G01N15/14—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry
- G01N15/1468—Optical investigation techniques, e.g. flow cytometry with spatial resolution of the texture or inner structure of the particle
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、コークスやセミコークスの最大反射率と最小
反射率とから組織の構造を同定する方法に関する。
反射率とから組織の構造を同定する方法に関する。
コークスは、その組織により強度等の性質が異なり、そ
の組織を的確に同定することは高炉を操業する上で重要
なことであるが、従来は同定を十分おこなうことができ
なかった。
の組織を的確に同定することは高炉を操業する上で重要
なことであるが、従来は同定を十分おこなうことができ
なかった。
すなわちコークスの組織として、光学的等方性構造、微
粒状モザイク構造、粗粒状モザイク構造、繊維状構造、
葉片状構造、不活性成分などがある。これら組織は、コ
ークスを偏光顕微鏡下で種々の模様や偏光を観察するこ
とにより、定性的な判定が可能である。
粒状モザイク構造、粗粒状モザイク構造、繊維状構造、
葉片状構造、不活性成分などがある。これら組織は、コ
ークスを偏光顕微鏡下で種々の模様や偏光を観察するこ
とにより、定性的な判定が可能である。
しかしこの判定は、肉眼による判別のため相当な熟練が
要求され、個人差も大きい。しかも定量的な把握は、き
わめて困難である。
要求され、個人差も大きい。しかも定量的な把握は、き
わめて困難である。
本発明はこの問題を解決すべくなされたもので、その目
的とするところは、最大及び最小反射率の測定値から組
織を自動的かつ定量的に同定できる方法を得んとするも
のである。
的とするところは、最大及び最小反射率の測定値から組
織を自動的かつ定量的に同定できる方法を得んとするも
のである。
すなわち本発、明の同定方法は、コークス又はセミコー
クス試料の多数点における最大反射率及び最小反射率を
測定してこれら反射率から異方性指数をめ、異方性指数
の分布から前記試料の組織を同定することを特徴とする
特以下本発明方法の一例を図面を参照して説明する。
クス試料の多数点における最大反射率及び最小反射率を
測定してこれら反射率から異方性指数をめ、異方性指数
の分布から前記試料の組織を同定することを特徴とする
特以下本発明方法の一例を図面を参照して説明する。
本発明は、まず第１図に示す反射率測定装置を用いてコ
ークス又はセミコークス試料Ｉの多数点における最大反
射率及び最小反射率を測定する。この装置は、自動走査
試料台２上に載せた試料１を偏光顕微鏡３で測定するも
ので、この顕微鏡３に光電変換器４、反射率記憶回路５
、反射率演算回路６を順に接続して最大反射率及び最小
反射率を測定するものである。この装置の制御は、シー
ケンス制御回路７でおこなう。
ークス又はセミコークス試料Ｉの多数点における最大反
射率及び最小反射率を測定する。この装置は、自動走査
試料台２上に載せた試料１を偏光顕微鏡３で測定するも
ので、この顕微鏡３に光電変換器４、反射率記憶回路５
、反射率演算回路６を順に接続して最大反射率及び最小
反射率を測定するものである。この装置の制御は、シー
ケンス制御回路７でおこなう。
この制御回路７は、上記光電変換器４、反射率記憶回路
５を制御するとともに偏光板回転制御回路８及びｘｙス
テージ走査制御回銘９に信号を出力している。偏光板回
転制御回路８は照光偏光板を回転駆動する偏光板回転装
置１０を制御するものである。またＸＹステージ走査制
御回路９は、自動走査試料台２をＸ、Ｙ方向に駆動制御
するものである。
５を制御するとともに偏光板回転制御回路８及びｘｙス
テージ走査制御回銘９に信号を出力している。偏光板回
転制御回路８は照光偏光板を回転駆動する偏光板回転装
置１０を制御するものである。またＸＹステージ走査制
御回路９は、自動走査試料台２をＸ、Ｙ方向に駆動制御
するものである。
最大及び最小反射率を測定するには、まずシーケンス制
御回路７から移動指令信号をｘｙステージ走査制御回路
９に出力し、この制御回路９から自動走査試料台２にス
テージ駆動信号を４えて、試料１を測定開始位置にセッ
トする。
御回路７から移動指令信号をｘｙステージ走査制御回路
９に出力し、この制御回路９から自動走査試料台２にス
テージ駆動信号を４えて、試料１を測定開始位置にセッ
トする。
しかる後、シーケンス制御回路７からＸＹステージ走査
制御回路９に信号を送り、第２図に示すステージ移動シ
ーケンスにしたがって自動走査試料台２の移動停止を繰
り返す。そして測定位置に停止した時に、偏光板回転制
御回路８に信号を送り、偏光板を回転させつつ、反射率
を測定し、これを反射率記憶回路５に記憶する。
制御回路９に信号を送り、第２図に示すステージ移動シ
ーケンスにしたがって自動走査試料台２の移動停止を繰
り返す。そして測定位置に停止した時に、偏光板回転制
御回路８に信号を送り、偏光板を回転させつつ、反射率
を測定し、これを反射率記憶回路５に記憶する。
そしてステージ回転、測定を繰り返し、測定終了後反射
率の演算を行なう。
率の演算を行なう。
ここで反射率の測定及び演算は、次のようにれかの角度
の値と一致する。偏光板を回転させた場合、その角度に
よって透過度が変化するため同一の標準反射板を用いて
も出力電圧は変化する。第４図に示すように、その角度
にょシ、同一反射率でも出力電圧は比例して変化する。
の値と一致する。偏光板を回転させた場合、その角度に
よって透過度が変化するため同一の標準反射板を用いて
も出力電圧は変化する。第４図に示すように、その角度
にょシ、同一反射率でも出力電圧は比例して変化する。
この関係から、ある任意の偏光板の回転角による検量線
が下式に従って第４図（印加電圧０．７３ＫＶの場合）
の如くまる。
が下式に従って第４図（印加電圧０．７３ＫＶの場合）
の如くまる。
Ｅ１＝ａｌＲ＋ｂｌ
ａｉ 、 ｂｉは角度によってまる係数第４図では■毎
の検量線がめであるので、その角度毎の反射率がめられ
る。そして偏光板を一定角度以上回転させ、微小角度毎
の検量線をめ、その検量線から反射率をめる。角度毎の
反射率中、最大値が最大反射率Ｒｍ、最小値が最小反射
率Ｒｍｉｓとなる。ここでこの方法でめた最大、最小反
射率と、ステージ回転による反射率とは微小角を小さく
すればする程一致する。しかし通常は５〜１０°毎でも
十分よい一致を示す。
の検量線がめであるので、その角度毎の反射率がめられ
る。そして偏光板を一定角度以上回転させ、微小角度毎
の検量線をめ、その検量線から反射率をめる。角度毎の
反射率中、最大値が最大反射率Ｒｍ、最小値が最小反射
率Ｒｍｉｓとなる。ここでこの方法でめた最大、最小反
射率と、ステージ回転による反射率とは微小角を小さく
すればする程一致する。しかし通常は５〜１０°毎でも
十分よい一致を示す。
この方法では１測定点につき例えば３６個の反射率を測
定し、Ｒ鱈とＲ９をその中から演算に鱈 この異方性指数φを多数点につきめる。
定し、Ｒ鱈とＲ９をその中から演算に鱈 この異方性指数φを多数点につきめる。
ただし試料のバインダー個所については、閾値カットに
よりφをめない。
よりφをめない。
このようにして得られた異方性指数φは、光学的異方性
の性質が大になる程１に近づき、逆にＯに近づくほど光
学的等方性となる。従って各点についての異方性指数φ
の演算値は０〜１０間に分布し、閾値レベルを設定する
ことにより試料１を同定することができる。
の性質が大になる程１に近づき、逆にＯに近づくほど光
学的等方性となる。従って各点についての異方性指数φ
の演算値は０〜１０間に分布し、閾値レベルを設定する
ことにより試料１を同定することができる。
なお本発明では、各組織が正規分布を形成すると仮定し
、正規分布演算を行ない閾値による組織同定を行なえる
ようにしてもよい。
、正規分布演算を行ない閾値による組織同定を行なえる
ようにしてもよい。
次に本発明の実施例につき説明する。
セミコース組織の試料について、上述した方法で異方性
指数φをめ、各指数の出現頻度をめた。第４図（イ）は
、２５６分割したヒストグラム、同図（ロ）は、移動平
均をした後正規分布演算を行なったもの、第５図（イ）
は１２８分割したヒストグラム、同図←）は移動平均を
した後正規分布演算を行なったもの、第６図（イ）は６
４分割したヒストグラム、同図（ロ）は移動平均をした
後正規分布演算を行なったものを示す。第３図（ロ）、
第４図（ロ）、第５図（ロ）において、分布ａは光学的
等方性構造を示し、分布すは微細なファインモデイクを
示し、分布Ｃは粗いファインモデイクを示し、分布ｄは
ファインとコースの中間組織を示し、分布ｅはコースモ
ザイク（細粒）を示し、分布ｆはコースモザイク（粗粒
）を示し、分布Ｇはフィシラス（繊維）を示す。又各号
布の面積が試料に占めるその組織の割合を示す。
指数φをめ、各指数の出現頻度をめた。第４図（イ）は
、２５６分割したヒストグラム、同図（ロ）は、移動平
均をした後正規分布演算を行なったもの、第５図（イ）
は１２８分割したヒストグラム、同図←）は移動平均を
した後正規分布演算を行なったもの、第６図（イ）は６
４分割したヒストグラム、同図（ロ）は移動平均をした
後正規分布演算を行なったものを示す。第３図（ロ）、
第４図（ロ）、第５図（ロ）において、分布ａは光学的
等方性構造を示し、分布すは微細なファインモデイクを
示し、分布Ｃは粗いファインモデイクを示し、分布ｄは
ファインとコースの中間組織を示し、分布ｅはコースモ
ザイク（細粒）を示し、分布ｆはコースモザイク（粗粒
）を示し、分布Ｇはフィシラス（繊維）を示す。又各号
布の面積が試料に占めるその組織の割合を示す。
従ってこの図から試料中の組織を定性的かつ定量的に同
定することができる。
定することができる。
以上説明したように本発明によれば、コークス又はセミ
コークスの組織を自動的かつ定性、定量的に同定するこ
とができ、同定作業を的確かつ効率よくおこなうことが
できる。
コークスの組織を自動的かつ定性、定量的に同定するこ
とができ、同定作業を的確かつ効率よくおこなうことが
できる。
なお本発明は、最大反射率、最小反射率を照光偏光板の
回転によらず、試料台の回転によ請求めてもよい。
回転によらず、試料台の回転によ請求めてもよい。
第１図は本発明方法で使用する反射率測定装置の一例を
示すブロック図、第２図は試料上の測定点を示す説明図
、第３図は偏光板の相対角度による出力電圧と標準板反
射率との関係を示す特性図、第４図（イ）は各異方性指
数φの出現頻度を２５６分割して示すヒストグラム図、
同図（ロ）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図
、第５図（イ）は１２８分割して示すヒストグラム図、
同図←）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図、
第６図（イ）は６４分割して示すヒストグラム図、同図
（ロ）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図であ
る。 １・・・コークス又はセミコークスのＥ料、２・・・自
動走査試料台、３・・・偏光顕微鏡、４・・・光電変換
器、５・・・反射率記憶回路、６・・・反射率演算回路
、７・・・シーケンス制御回路、８・・・偏光板回転制
御回路、９・・・ＸＹステーソ走査制御回路、１゜・・
・偏光板回転装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 標津板反射車 第４図 （イ） （ロ） １−ｊカ・）ｌ昌伎 第５図 （イ） １方恨ｊｉ軟 （ロ） 裏方・隈ｔｔｉ＆ 第６図 （イ） 裏方・Ｋ詣イ欠 （ロ） １−１ノ１中Ｌｔ旨掴陀に−
示すブロック図、第２図は試料上の測定点を示す説明図
、第３図は偏光板の相対角度による出力電圧と標準板反
射率との関係を示す特性図、第４図（イ）は各異方性指
数φの出現頻度を２５６分割して示すヒストグラム図、
同図（ロ）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図
、第５図（イ）は１２８分割して示すヒストグラム図、
同図←）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図、
第６図（イ）は６４分割して示すヒストグラム図、同図
（ロ）は同正規分布演算を行なったヒストグラム図であ
る。 １・・・コークス又はセミコークスのＥ料、２・・・自
動走査試料台、３・・・偏光顕微鏡、４・・・光電変換
器、５・・・反射率記憶回路、６・・・反射率演算回路
、７・・・シーケンス制御回路、８・・・偏光板回転制
御回路、９・・・ＸＹステーソ走査制御回路、１゜・・
・偏光板回転装置。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第３図 標津板反射車 第４図 （イ） （ロ） １−ｊカ・）ｌ昌伎 第５図 （イ） １方恨ｊｉ軟 （ロ） 裏方・隈ｔｔｉ＆ 第６図 （イ） 裏方・Ｋ詣イ欠 （ロ） １−１ノ１中Ｌｔ旨掴陀に−
Claims (2)
- （１） コークス又はセミコークス試料の多数点におけ
る最大反射率及び最小反射率を測定してこれら反射率か
ら異方性指数をめ、異方性指数の分布から前記試料の組
織を同定することを特徴とするコークス及びセミコーク
ス組織の同定方法。 - （２）最大反射率及び最小反射率を顕微鏡の照光偏光板
を回転させて測定することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載のコークス及びセミコークス組織の同定方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158724A JPS6050436A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | コ−クス及びセミコ−クス組織の同定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158724A JPS6050436A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | コ−クス及びセミコ−クス組織の同定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050436A true JPS6050436A (ja) | 1985-03-20 |
| JPH0116376B2 JPH0116376B2 (ja) | 1989-03-24 |
Family
ID=15677949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158724A Granted JPS6050436A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | コ−クス及びセミコ−クス組織の同定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050436A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187647A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Shimadzu Corp | フーリエ変換赤外分光光度計 |
| FR2658609A1 (en) * | 1990-02-21 | 1991-08-23 | Luzenac Talc | Method and device for measuring the reflectance of a graded (granular) product |
| JP2009036716A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Kansai Coke & Chem Co Ltd | 炭素含有粉塵の粉塵種判別方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4121523B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2008-07-23 | 独立行政法人海洋研究開発機構 | ビトリニット反射率測定方法およびビトリニット反射率測定装置 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158724A patent/JPS6050436A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02187647A (ja) * | 1989-01-13 | 1990-07-23 | Shimadzu Corp | フーリエ変換赤外分光光度計 |
| FR2658609A1 (en) * | 1990-02-21 | 1991-08-23 | Luzenac Talc | Method and device for measuring the reflectance of a graded (granular) product |
| JP2009036716A (ja) * | 2007-08-03 | 2009-02-19 | Kansai Coke & Chem Co Ltd | 炭素含有粉塵の粉塵種判別方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0116376B2 (ja) | 1989-03-24 |
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