JPS6050918A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
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- JPS6050918A JPS6050918A JP58157983A JP15798383A JPS6050918A JP S6050918 A JPS6050918 A JP S6050918A JP 58157983 A JP58157983 A JP 58157983A JP 15798383 A JP15798383 A JP 15798383A JP S6050918 A JPS6050918 A JP S6050918A
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- cooling
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- ultraviolet
- wafer
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0434—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
- C23C16/488—Protection of windows for introduction of radiation into the coating chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（利用分野）
本発明は半導体処理装置に関するものであシ、特に光化
学反応による化学蒸着法を利用して、ウェーハに薄膜を
形成するための半導体処理装置に関するものである。
学反応による化学蒸着法を利用して、ウェーハに薄膜を
形成するための半導体処理装置に関するものである。
（従来技術）
ＩＣあるいはＬＳＩ等を製造するだめのウェーハには、
ＰＶＤ （１’ｈｙｓｉｃｓ、Ｊ Ｖａｐｏｒ Ｄａｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）あるいはＣＶＤ （Ｃｈ＋！＋ｎ１
ｃａ／ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ８ｉｔｉｏｎ ）と呼ば
れる蒸、ｎ処理が施こされる。
ＰＶＤ （１’ｈｙｓｉｃｓ、Ｊ Ｖａｐｏｒ Ｄａｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）あるいはＣＶＤ （Ｃｈ＋！＋ｎ１
ｃａ／ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏ８ｉｔｉｏｎ ）と呼ば
れる蒸、ｎ処理が施こされる。
該蒸着処理の際には、該ウェーハを〃）な９の高？！５
Ｎに庄で加熱してやることが必要となるが、該加熱操作
に加えて紫外線照射を行なうと、前記加熱温度を低く１
′ることができる。
Ｎに庄で加熱してやることが必要となるが、該加熱操作
に加えて紫外線照射を行なうと、前記加熱温度を低く１
′ることができる。
このＪ：９にウェーハの加熱と紫り１線照射による光化
学１５ζ応とを利用した化学蒸着法は、装置の檜成が比
較的簡単であり、かつ処理温度を下り゛ることかできる
ため、広く実用化されている。
学１５ζ応とを利用した化学蒸着法は、装置の檜成が比
較的簡単であり、かつ処理温度を下り゛ることかできる
ため、広く実用化されている。
以下に、図面を参照して、従来例を簡単に説明する。
第１図は、従来例の概略溝成を示す断面図である。
耐熱透光性容器４ｇおよび容器蓋４ｂは、ガスケツ）４
ｃを介して、図示されない手段により結合されている。
ｃを介して、図示されない手段により結合されている。
該容器蓋４ｂには数個のサセプタ支持具３が垂下してい
る。サセプタ２は、前記耐熱透光性容器４ａの下方に位
置するように、前記各々のサセプタ支持具３の下端に係
止されている。
る。サセプタ２は、前記耐熱透光性容器４ａの下方に位
置するように、前記各々のサセプタ支持具３の下端に係
止されている。
ウェーハ１は前記サセプタ２の上面に載置されている。
反応ガス導入パイプ１４の一端は反応ガス供給装置１９
に接続され、その他端すなわち反応ガス供給口１４ａは
、前記容器蓋４ｂに設けられた小穴より前記耐熱透光性
容器４ａ内へ挿入されている。
に接続され、その他端すなわち反応ガス供給口１４ａは
、前記容器蓋４ｂに設けられた小穴より前記耐熱透光性
容器４ａ内へ挿入されている。
また、反応ガス排出パイプ１５の一端は真空ポンプ２０
に接続され、その他端、すなわち反応ガス吸入口１５ａ
は、前記容器蓋４ｂに設けられた小穴より、前記耐熱透
光性容器４ａ内へ挿入されている。。
に接続され、その他端、すなわち反応ガス吸入口１５ａ
は、前記容器蓋４ｂに設けられた小穴より、前記耐熱透
光性容器４ａ内へ挿入されている。。
前記反応ガス供給口１４ｇおよび反応ガス吸入口１５ａ
は、前記ウェーハｌの表面近くに、かつ該ウェーハ１の
側面より外側で各々が対向するように設置されている。
は、前記ウェーハｌの表面近くに、かつ該ウェーハ１の
側面より外側で各々が対向するように設置されている。
前記耐熱透光性容器４ａの側面および底面には、近接対
向して、複数の赤外録ランプ６が設置されている。
向して、複数の赤外録ランプ６が設置されている。
１）１１記容器蓋４ｂの中央部には光照射窓としての紫
外線透過ガラス窓５ｂがガスケツ）４ｃを介して、図示
されない手段により前記容器ｔｉ ４ ｂ上に固着され
ている。前記紫外線透過ガラス窓５ｂの上方には、光照
射レンズ系７が図示されない手段により設置されている
。
外線透過ガラス窓５ｂがガスケツ）４ｃを介して、図示
されない手段により前記容器ｔｉ ４ ｂ上に固着され
ている。前記紫外線透過ガラス窓５ｂの上方には、光照
射レンズ系７が図示されない手段により設置されている
。
ｉｔｔ照射レンズ系７の設置は、該光照射レンズ系７に
対して紫外線１０が入射された場合、前記耐熱透光性容
ｆ！Ｓ４ａ内のウェーハ１に対して良好な紫外線照射が
行なわれるようになされている。゛前述の宿成による従
来例において、まず、真空ポンプ２０を駆動させて、耐
熱透光性容器４ａ内を高真空状態にする。同時に樺外線
ラング６を点燈して、該耐熱透光性容器４ａ内に収納さ
れたウェーハ１を予定温度に加熱する。。
対して紫外線１０が入射された場合、前記耐熱透光性容
ｆ！Ｓ４ａ内のウェーハ１に対して良好な紫外線照射が
行なわれるようになされている。゛前述の宿成による従
来例において、まず、真空ポンプ２０を駆動させて、耐
熱透光性容器４ａ内を高真空状態にする。同時に樺外線
ラング６を点燈して、該耐熱透光性容器４ａ内に収納さ
れたウェーハ１を予定温度に加熱する。。
次に、反応ガス供給装置１９を駆動し、反応ガスＰ（給
口１４ａより、反応ガスを噴出さ硝る。該反応ガスは、
紫外線によシ活性化されるよりなシランガス等が用いら
れる。
口１４ａより、反応ガスを噴出さ硝る。該反応ガスは、
紫外線によシ活性化されるよりなシランガス等が用いら
れる。
該反応ガスは、反応ガス流線１７に沿ってウェーハ１の
底面を流れたのち、前記真空ポンプ２０の駆動により、
反応ガス吸入口１５ａ内へ吸引される。
底面を流れたのち、前記真空ポンプ２０の駆動により、
反応ガス吸入口１５ａ内へ吸引される。
この状態において、光照射レンズ系７から、前記耐熱透
光性容器４ａ内に収納されたウェー ／−１１に紫外線
１０を照射する。
光性容器４ａ内に収納されたウェー ／−１１に紫外線
１０を照射する。
以上のような操作によシ、反応ガスの化学反応によって
得られる反応生成物が、ある予定の温度（・て加熱され
た前記ウェーッ・１の直面上に付着堆積し、これにより
薄膜の蒸着は完了する。
得られる反応生成物が、ある予定の温度（・て加熱され
た前記ウェーッ・１の直面上に付着堆積し、これにより
薄膜の蒸着は完了する。
しかし、従来例では、反応ガス供給口１４ａ ｘ、ｊｌ
噴出した反応ガスは、ウェー７１１の表面を流れていく
と同時に容器内部全体にも拡散するため、その一部は、
反応ガス吸入口１５ａにより吸引されず、耐熱透光性容
器４ａ内へ残留する。
噴出した反応ガスは、ウェー７１１の表面を流れていく
と同時に容器内部全体にも拡散するため、その一部は、
反応ガス吸入口１５ａにより吸引されず、耐熱透光性容
器４ａ内へ残留する。
前記耐熱透光性容器４ａ内へ残留した反応ガスから、紫
外１Ｐｉ１１０の照射をうけ、同時に赤外線ランプその
他の手段によシ、前記臨界光化学反応温度以上に加熱さ
れた前記耐熱透光性容器４ａの内向、サセプタ２の表面
あるいは紫外線透過ガラス窓５ｂの内面に、前記反応生
成物が析出される。
外１Ｐｉ１１０の照射をうけ、同時に赤外線ランプその
他の手段によシ、前記臨界光化学反応温度以上に加熱さ
れた前記耐熱透光性容器４ａの内向、サセプタ２の表面
あるいは紫外線透過ガラス窓５ｂの内面に、前記反応生
成物が析出される。
前記紫外線透過ガラス窓５ｂの内面に析出した該反応生
成物は、紫外線１０の通過を妨げるので、ウェーハ１へ
の紫外線照射量を減少させる。
成物は、紫外線１０の通過を妨げるので、ウェーハ１へ
の紫外線照射量を減少させる。
したがって、従来例においては、前記ウェーＩ・１への
紫外線による分解析出速度が遅くなシ、また反応ガスの
利用率が悪く、さらには一定厚み以上の反応生成物質膜
を一工程で形成することができない場合すら発生すると
いう欠点がちった。
紫外線による分解析出速度が遅くなシ、また反応ガスの
利用率が悪く、さらには一定厚み以上の反応生成物質膜
を一工程で形成することができない場合すら発生すると
いう欠点がちった。
（目 的）
本発明は前述の欠点を除去するためになされたものであ
シ、その目的は、紫外線透過ガラス窓への反応生成物の
付着堆積を防止し、光化学反応による化学蒸着法の利用
によるウェーッ・の薄膜形成を実用的な効率で達成させ
ることのできる半導体処理興代を提供することにある。
シ、その目的は、紫外線透過ガラス窓への反応生成物の
付着堆積を防止し、光化学反応による化学蒸着法の利用
によるウェーッ・の薄膜形成を実用的な効率で達成させ
ることのできる半導体処理興代を提供することにある。
（概 要）
前記の目的を達成するだめに、本発明は、その一部に紫
外線透過窓を有肱その内部に被処理ウェーハを保持する
手段を有する密封可能な耐熱性反応容器と、前記被処理
ウェーッ・を所定σ）温度に加熱する手段と、前記紫外
線透過窓を通して、前記被処理ウェー ／％を照射する
光照射レンズ系と、前記反応容器を気密に貫通して設け
られた反応ガス導入パイプおよび反応ガス排出・よイブ
と、前記紫外線透過窓を冷却する手段とを設けた点に特
徴がある。
外線透過窓を有肱その内部に被処理ウェーハを保持する
手段を有する密封可能な耐熱性反応容器と、前記被処理
ウェーッ・を所定σ）温度に加熱する手段と、前記紫外
線透過窓を通して、前記被処理ウェー ／％を照射する
光照射レンズ系と、前記反応容器を気密に貫通して設け
られた反応ガス導入パイプおよび反応ガス排出・よイブ
と、前記紫外線透過窓を冷却する手段とを設けた点に特
徴がある。
（実施例）
以下に図面を参照して、本発明の詳細な説明する。
第２図は、本発明の第１の実施例の概略構成を示す断面
図である。
図である。
第２図において、第１図と同一の符号は、同一または同
等部分をあられしており、前述と同様の機能を有してい
る。
等部分をあられしており、前述と同様の機能を有してい
る。
第２図において、冷却ガス導入ノ（イブ１２の一端は、
冷却装置２３に接続され、その他端、すなわち冷却ガス
供給口１２２Ｌは、前記紫外線透過ガラス窓５ｂの外周
端部に設置されている。前記冷却・装置２３は、冷却ガ
ス供給後［２１に接続されている。
冷却装置２３に接続され、その他端、すなわち冷却ガス
供給口１２２Ｌは、前記紫外線透過ガラス窓５ｂの外周
端部に設置されている。前記冷却・装置２３は、冷却ガ
ス供給後［２１に接続されている。
まだ、冷却ガス排出パイプ１３の一端は冷却ガス吸収％
＠２２に接続され、その他端、すなわち、冷却ガス吸入
口１３ａは、前記紫外線透過ガラス窓５ｂの外周端部に
、前記冷却ガス供給口１２ａと対向するように設置され
ている。
＠２２に接続され、その他端、すなわち、冷却ガス吸入
口１３ａは、前記紫外線透過ガラス窓５ｂの外周端部に
、前記冷却ガス供給口１２ａと対向するように設置され
ている。
以上のような構成による本発明の第１の実施例において
、反応ガスの供給、排気、ウェー／・１上への反応生成
物の析出などが、第１図の場合と同様に行なわれる。
、反応ガスの供給、排気、ウェー／・１上への反応生成
物の析出などが、第１図の場合と同様に行なわれる。
また、同時に、冷却ガス供給装置２１は、冷却ガスを冷
却装置２３に通過させることにより冷却し、冷却ガス導
入パイプ１２を通し、冷却ガス供給口１２ａより噴出さ
せる。前記冷却ガスは、冷却ガス流線１６に沿って紫外
線透過ガラス窓５ｂの界面を流れたのち、冷却ガス吸収
装置２２の駆動により冷却ガス吸入口１３ａ内に吸引さ
れる。
却装置２３に通過させることにより冷却し、冷却ガス導
入パイプ１２を通し、冷却ガス供給口１２ａより噴出さ
せる。前記冷却ガスは、冷却ガス流線１６に沿って紫外
線透過ガラス窓５ｂの界面を流れたのち、冷却ガス吸収
装置２２の駆動により冷却ガス吸入口１３ａ内に吸引さ
れる。
これによって、前記紫外線透過ガラス窓５ｂは前記冷却
ガスによシ冷却される。なお、この場合、該冷却２ｊス
は、どのような種類の気体であってもよい。
ガスによシ冷却される。なお、この場合、該冷却２ｊス
は、どのような種類の気体であってもよい。
第２の場合、容器内では、反応ガス吸入口１５ｍにより
吸引されず、耐熱透光性容器４ａ内に残留した反応ガス
は、紫外線１０の照射を受け、また紫外線透過ガラス窓
５ｂに接触するが、該紫外線透過ガラス窓５ｂは、冷却
ガスによシ反応生成物が析出しない温度以下に冷却され
ているから、該紫外線透過ガラス窓５ｂに反応生成物が
析出することはない。
吸引されず、耐熱透光性容器４ａ内に残留した反応ガス
は、紫外線１０の照射を受け、また紫外線透過ガラス窓
５ｂに接触するが、該紫外線透過ガラス窓５ｂは、冷却
ガスによシ反応生成物が析出しない温度以下に冷却され
ているから、該紫外線透過ガラス窓５ｂに反応生成物が
析出することはない。
第３図は、本発明の第２の実施例の概略構成を示す断面
図である− 第３図において、第１図および第２図と同一の符号は、
同一または同等部分をあられしている。
図である− 第３図において、第１図および第２図と同一の符号は、
同一または同等部分をあられしている。
本発明の第２の実施例Ｌ１第２図との対比から明らかな
ように、前記第１の実施例における冷却ガス供給口１２
ａおよび冷却ガス吸入口１３ａｆ、、耐熱透光性容器４
ａの内側に設けたものである。
ように、前記第１の実施例における冷却ガス供給口１２
ａおよび冷却ガス吸入口１３ａｆ、、耐熱透光性容器４
ａの内側に設けたものである。
すなわち、容器Ｍ４ｂに２つの小穴を設け、各々の該小
穴より冷却ガス導入パイプ１２および冷却ガス排出パイ
プ１３を前記耐熱透光性容器４ａ内へ挿入し、冷却ガス
供給口１２ａおよび冷却ガス吸入口１３ａを前記紫外線
透過ガラス窓５ｂの外周端部にそれぞれ対向して設置し
たものである。前記冷却ガス排出パイプ１３は、冷却ガ
ス吸入口１３ａの他端において、反応ガス排出パイプ１
５と同様に＾空ポンプ２０に接続されている。
穴より冷却ガス導入パイプ１２および冷却ガス排出パイ
プ１３を前記耐熱透光性容器４ａ内へ挿入し、冷却ガス
供給口１２ａおよび冷却ガス吸入口１３ａを前記紫外線
透過ガラス窓５ｂの外周端部にそれぞれ対向して設置し
たものである。前記冷却ガス排出パイプ１３は、冷却ガ
ス吸入口１３ａの他端において、反応ガス排出パイプ１
５と同様に＾空ポンプ２０に接続されている。
前記冷却ガス導入パイプ１２の冷却ガス供給口１２ａの
他端は、冷却装置２３に接続されている。
他端は、冷却装置２３に接続されている。
前記冷却装置２３に接続される装置は、冷却ガスに用い
るガスの種類により具なる 第２の実施例においては、前記冷却ガスには次の２１ｉ
ｌ類の気体の使用が考えられる。
るガスの種類により具なる 第２の実施例においては、前記冷却ガスには次の２１ｉ
ｌ類の気体の使用が考えられる。
ｆＪｌは、ウェーッ・１に薄膜蒸着を行なう反応ガスと
同じ反応ガスを使用する場合である。この場合は、前記
冷却装置２３は前記反応ガス供給装置１９に接続される
。
同じ反応ガスを使用する場合である。この場合は、前記
冷却装置２３は前記反応ガス供給装置１９に接続される
。
第２は、窒素、アルゴンあるいはその他の不活性ガス、
あるいはそれらの混合ガスを使用する場合である。この
場合は、前記冷却装置２３は冷却ガス供給装置２１に接
続される。第３図に訃いて、前記冷却ガス供給装［１２
１は２点鎖線で示しである。
あるいはそれらの混合ガスを使用する場合である。この
場合は、前記冷却装置２３は冷却ガス供給装置２１に接
続される。第３図に訃いて、前記冷却ガス供給装［１２
１は２点鎖線で示しである。
いずれの場合も、前記紫外線透過ガラス窓５ｂの内側表
面に供給される冷却ガスは、前記冷却装置２３により、
紫外線１０の照射を受けても反応生成物が析出しない温
度以下に冷却されている。
面に供給される冷却ガスは、前記冷却装置２３により、
紫外線１０の照射を受けても反応生成物が析出しない温
度以下に冷却されている。
また、紫外線透過ガラス窓５ｂの、反応生成物の析出を
妨げようとする面を直接冷却するので、反応物析出防止
の効果は、第１の実施例に比べて高い。
妨げようとする面を直接冷却するので、反応物析出防止
の効果は、第１の実施例に比べて高い。
第２の実施例においても、冷却ガス供給口１２ａより噴
出した冷却ガスは、ウェーハ１の薄膜蒸着用の反応ガス
と同様に、拡散作用があるために、そのすべてが冷却ガ
ス吸入口１３ａ内に吸引されるとは限らない。
出した冷却ガスは、ウェーハ１の薄膜蒸着用の反応ガス
と同様に、拡散作用があるために、そのすべてが冷却ガ
ス吸入口１３ａ内に吸引されるとは限らない。
しかし、冷却ガスとしてウェーハ１に薄膜蒸着を行なう
反応ガスと同じ反応ガスを使用する場合は、耐熱透光性
容器４ａ内に拡散した反応ガスに対して不純物を混入す
ることに々らないので、ウェーハに対して常に良好に薄
膜を蒸着することができる。
反応ガスと同じ反応ガスを使用する場合は、耐熱透光性
容器４ａ内に拡散した反応ガスに対して不純物を混入す
ることに々らないので、ウェーハに対して常に良好に薄
膜を蒸着することができる。
冷却ガスとして不活性ガスを使用する場合は、該不活性
ガスは、耐熱透光性容器４ａ内に若干残留し、ウェーハ
１蒸着用の反応ガスと混合されるので、該反応ガスに対
して、あらかじめ、その成分をやや濃くするような調整
が必要である。
ガスは、耐熱透光性容器４ａ内に若干残留し、ウェーハ
１蒸着用の反応ガスと混合されるので、該反応ガスに対
して、あらかじめ、その成分をやや濃くするような調整
が必要である。
第４図は、本発明の第３の実施例の概略構成を示す断面
図である。
図である。
第４図において、第１図〜第３図と同一の符号は、同一
または同等部分をあられしている。
または同等部分をあられしている。
本発明の第３の実施例は、第３図に示した本発明の第２
の実施例の耐熱透光性容器４ａと容器蓋４ｂの相対位置
間係を上下逆にしたものである。
の実施例の耐熱透光性容器４ａと容器蓋４ｂの相対位置
間係を上下逆にしたものである。
なお、この例では、ウェーハ１は、サセプタ２より落下
しないように、図示されない手段により前記勺セプタ２
に固着されている。
しないように、図示されない手段により前記勺セプタ２
に固着されている。
赤外絆ランプ６０点燈によりウェーハ１ｔま加熱され、
オた該耐熱透光性容器４Ｒ内に導入された反応ガスも加
熱される。該加熱された反応ガスは、当然、前記耐熱透
ブ０性容器４ａ内の上方に集することになる。
オた該耐熱透光性容器４Ｒ内に導入された反応ガスも加
熱される。該加熱された反応ガスは、当然、前記耐熱透
ブ０性容器４ａ内の上方に集することになる。
第３の実施例は、紫外線１０の照射のだめの紫外線透過
ノＪラヌ窓５ｂを、前記耐熱透光性容器４ａの下部、す
なわち、ウェーハ１の下部に設けることにより、紫外線
照射による臨界反応温度以上に加熱された前記反応ガス
の該紫外ｎ透過ガラス窓５ｂに対する接触量を少なくシ
、該紫外線透過ガラス窓５ｂ表面への反応生成物の析出
を、より効果的におさえようとするものである。
ノＪラヌ窓５ｂを、前記耐熱透光性容器４ａの下部、す
なわち、ウェーハ１の下部に設けることにより、紫外線
照射による臨界反応温度以上に加熱された前記反応ガス
の該紫外ｎ透過ガラス窓５ｂに対する接触量を少なくシ
、該紫外線透過ガラス窓５ｂ表面への反応生成物の析出
を、より効果的におさえようとするものである。
したがって、前記紫外線透過ガラス窓５ｂを半導体処理
装置の下部に設け、さらに第２の実施例の操作を行なう
この第３の実施例によれば、前記第２の実施例に比べ、
前記紫外線透過ガラス窓５ｂの交換、あるいは反応生成
物の除去、作業の実施−リイクルが延び、その稼動率お
よび経済性が上昇する。
装置の下部に設け、さらに第２の実施例の操作を行なう
この第３の実施例によれば、前記第２の実施例に比べ、
前記紫外線透過ガラス窓５ｂの交換、あるいは反応生成
物の除去、作業の実施−リイクルが延び、その稼動率お
よび経済性が上昇する。
寸た、第３の実施例は第２の実施例の変形として説明し
たが、第１の実施例の変形とし又も適用できることは当
然である。すなわち、冷却ガスを紫外線透過ヲノラヌ窓
５ｂの外面にそって流すようにしてもよい。
たが、第１の実施例の変形とし又も適用できることは当
然である。すなわち、冷却ガスを紫外線透過ヲノラヌ窓
５ｂの外面にそって流すようにしてもよい。
以上、第１〜第３の実施例においては、ウェーハ１の加
熱手段として、耐熱透光性容器４ａの外側に設置された
赤外線ランプ６を用いた。しかし、本発明はこれに限定
されず、ニクロム綜等の抵抗器を用いて加熱したり、あ
るいは、コイルを用いＣ１交流の電磁誘導によって生ず
る渦′ｒｌＸ、流を利用しで加熱しでもよいことは当然
である。これらの場合は、半導体処理装置の容器として
は耐熱性を有していればよく、前述したような透光性を
有する必要はない。壕だ、該加熱手段は、前記容器外部
に設置えするほか、容器内部にも設置でき、あるいは−
リセプタ内部に組み込むことも可能である。
熱手段として、耐熱透光性容器４ａの外側に設置された
赤外線ランプ６を用いた。しかし、本発明はこれに限定
されず、ニクロム綜等の抵抗器を用いて加熱したり、あ
るいは、コイルを用いＣ１交流の電磁誘導によって生ず
る渦′ｒｌＸ、流を利用しで加熱しでもよいことは当然
である。これらの場合は、半導体処理装置の容器として
は耐熱性を有していればよく、前述したような透光性を
有する必要はない。壕だ、該加熱手段は、前記容器外部
に設置えするほか、容器内部にも設置でき、あるいは−
リセプタ内部に組み込むことも可能である。
（効 果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、つぎ
のような効果が達成できる。１（１）冷却された冷却ガ
スをその内／外表面に流すことにより、紫外線透過ガラ
ス窓全冷却することによって、反応生成物の前記ツノラ
スへの付着を防止し、さらに紫外線透過ガラス窓をウェ
ーハよりも下方に設けて、その冷却効果を高めることに
より、反応生成物の付着をより完全に防止することがで
きる。
のような効果が達成できる。１（１）冷却された冷却ガ
スをその内／外表面に流すことにより、紫外線透過ガラ
ス窓全冷却することによって、反応生成物の前記ツノラ
スへの付着を防止し、さらに紫外線透過ガラス窓をウェ
ーハよりも下方に設けて、その冷却効果を高めることに
より、反応生成物の付着をより完全に防止することがで
きる。
したがって紫外線および反応ガスの利用率を高めること
ができ、ウェーハ表面の薄膜蒸着を効率よく行なうこと
ができる。また、紫外線透過ガラス窓の交換、清浄化な
どの保守回数を減らせるので装置の稼動率を向上するこ
とができる。
ができ、ウェーハ表面の薄膜蒸着を効率よく行なうこと
ができる。また、紫外線透過ガラス窓の交換、清浄化な
どの保守回数を減らせるので装置の稼動率を向上するこ
とができる。
第１図は従来の半導体処理装置の概略構成を示す断面図
、第２図は本発明の第１の実施例の概略構成を示す断面
図、第３図は本発明の第２の実施例の概略構成を示す断
面図、第４図は本発明の第３の実施例の概略構成を示す
断面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・サセプタ、４ａ・・・耐熱
透光性容器、４ｂ川容器蓋、５ｂ・・・紫外線透過ガラ
ス窓、６・・・赤外線ランプ、７・・・光照射レンズ系
、ｌＯ・・・紫外ＦＡ、１２・・・冷却ガス導入パイプ
、１３・・・冷却ガス排出パイプ、１４・・・反応ガフ
導入パイプ、１５・・・反応ガス排出パイプ、１６・・
・冷却カスｂ１１；線、１７・・・反応カス流線、１９
・・・反応ガス供給装置、２ｏ・・・ｔＧ２ボング、２
１・・・冷却ガフ、供給装置、２２・・・冷却ガス吸引
装置、２３・・・冷却装置 代理人弁理士 平 木 道 人 外１名第１図 第２図 ７３図 、２１
、第２図は本発明の第１の実施例の概略構成を示す断面
図、第３図は本発明の第２の実施例の概略構成を示す断
面図、第４図は本発明の第３の実施例の概略構成を示す
断面図である。 １・・・ウェーハ、２・・・サセプタ、４ａ・・・耐熱
透光性容器、４ｂ川容器蓋、５ｂ・・・紫外線透過ガラ
ス窓、６・・・赤外線ランプ、７・・・光照射レンズ系
、ｌＯ・・・紫外ＦＡ、１２・・・冷却ガス導入パイプ
、１３・・・冷却ガス排出パイプ、１４・・・反応ガフ
導入パイプ、１５・・・反応ガス排出パイプ、１６・・
・冷却カスｂ１１；線、１７・・・反応カス流線、１９
・・・反応ガス供給装置、２ｏ・・・ｔＧ２ボング、２
１・・・冷却ガフ、供給装置、２２・・・冷却ガス吸引
装置、２３・・・冷却装置 代理人弁理士 平 木 道 人 外１名第１図 第２図 ７３図 、２１
Claims (5)
- （１） ｍ封可能に構成された耐熱性反応容器と、前記
容器内に被処理ウェーハを保持する手段と、前記反応容
器の器壁の一部にこれと気密に固着された紫外線透過窓
と、前記被処理ウェーハを所定の温度に加熱する手段と
、前記紫外線透過窓を通して、前記幀処理つエーノ・に
紫外線を照射する光照射レンズ系と、前記反応容器を気
密に貫通して設けられた反応ガス導入パイプおよび反応
ガス排出パイプとを備えた半導体処理装置であって、さ
らに紫外線透過窓を冷却する手段を設けたことを特徴と
する半導体処理装置。 - （２）前記紫外線透過窓を冷却する手段は、紫外線透過
窓の外面に沿って冷却ガスを流す手段であることをＩｒ
＃徴とする前記特許請求の範囲第１項記載の半導体処理
装置、。 - （３）前記紫外線透過窓を冷却する手段は、紫外線透過
窓の内面に沿って冷却ガスを流す手段であることを特徴
とする特許 半導体処理装置、 - （４）前記冷却ガスの成分が反応ガスのそれとほソ同−
であることを＊微とする前記特許請求の範囲第３項記載
の半導体処理装置。 - （５）前記紫外線透過窓が前記和処理ウエー・・を保持
する手段よシも下方に設けられたことを特徴とする前記
特許請求の５間第１項から第４項記載の半導体処理装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157983A JPS6050918A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58157983A JPS6050918A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050918A true JPS6050918A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15661677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58157983A Pending JPS6050918A (ja) | 1983-08-31 | 1983-08-31 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050918A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61139022A (ja) * | 1984-12-12 | 1986-06-26 | Toshiba Corp | 光励起反応装置 |
| JPS62191592A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-08-21 | エ−．ア−ルストロム コ−ポレ−シヨン | 製紙機械用ヘツドボツクス |
| JPS6350026A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Nikon Corp | 光励起プロセス装置 |
| JPS6394998U (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-18 | ||
| JPS63175197U (ja) * | 1987-02-19 | 1988-11-14 | ||
| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143718U (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | ||
| JPS57187033A (en) * | 1981-05-12 | 1982-11-17 | Seiko Epson Corp | Vapor phase chemical growth device |
| JPS5895818A (ja) * | 1981-12-02 | 1983-06-07 | Ushio Inc | 被膜形成方法 |
-
1983
- 1983-08-31 JP JP58157983A patent/JPS6050918A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5143718U (ja) * | 1974-09-27 | 1976-03-31 | ||
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|---|---|---|---|---|
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| JPS6350026A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-02 | Nikon Corp | 光励起プロセス装置 |
| JPS6394998U (ja) * | 1986-12-04 | 1988-06-18 | ||
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| US5288684A (en) * | 1990-03-27 | 1994-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Photochemical vapor phase reaction apparatus and method of causing a photochemical vapor phase reaction |
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