JPS6050929A - 半導体用スタッド - Google Patents
半導体用スタッドInfo
- Publication number
- JPS6050929A JPS6050929A JP58158649A JP15864983A JPS6050929A JP S6050929 A JPS6050929 A JP S6050929A JP 58158649 A JP58158649 A JP 58158649A JP 15864983 A JP15864983 A JP 15864983A JP S6050929 A JPS6050929 A JP S6050929A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- stud
- kovar
- alloy
- ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/30—Die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/071—Connecting or disconnecting
- H10W72/073—Connecting or disconnecting of die-attach connectors
- H10W72/07331—Connecting techniques
- H10W72/07337—Connecting techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone or epoxy
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体用スタンドの改良に関する。
従来、半導体用スタンドは、銅無垢又はコバール無垢よ
り成り、その構造は第１図に示す如く円柱体１の上端外
周にフランジ２を設け、上端面中央に凸部３を設けたも
のである。
り成り、その構造は第１図に示す如く円柱体１の上端外
周にフランジ２を設け、上端面中央に凸部３を設けたも
のである。
斯かる材質、構造の半導体用スタンド４は、第１図の鎖
線に示す如く上端面にセラミンク５をろう付けし、凸部
３上に半導体６を載せて使用されるが、セラミック５の
熱膨張を考えた場合フランジ２から上方はセラミックの
熱膨張に近い材料が良く、円柱体１は熱放散の良い材料
が望ましい。
線に示す如く上端面にセラミンク５をろう付けし、凸部
３上に半導体６を載せて使用されるが、セラミック５の
熱膨張を考えた場合フランジ２から上方はセラミックの
熱膨張に近い材料が良く、円柱体１は熱放散の良い材料
が望ましい。
しかし前記の如く半導体用スタッド４は、銅無垢又はコ
バール無垢の単体から成るので、銅無垢の場合にはフラ
ンジ２から上方の部分の熱膨張に問題があり、コバール
無垢の場合には円柱体１の熱放散に問題があって、半導
体の性能維持が不可能であった。
バール無垢の単体から成るので、銅無垢の場合にはフラ
ンジ２から上方の部分の熱膨張に問題があり、コバール
無垢の場合には円柱体１の熱放散に問題があって、半導
体の性能維持が不可能であった。
本発明はこのような欠点を解消すべくなされたもので、
セラミックをろう付けする部分から上方をセラミ・ツタ
と間等に熱膨張するようになし、その他の部分を良好に
熱放散できるようになした半導体用スタッドを提供せん
とするものである。
セラミックをろう付けする部分から上方をセラミ・ツタ
と間等に熱膨張するようになし、その他の部分を良好に
熱放散できるようになした半導体用スタッドを提供せん
とするものである。
本発明の半導体用スタッドは、半導体装着される部分が
コバール又はＦｅ−Ｎ１合金より成り、その他の部分が
Ｃｕより成り、両者がろうイ」す。
コバール又はＦｅ−Ｎ１合金より成り、その他の部分が
Ｃｕより成り、両者がろうイ」す。
抵抗溶接、圧接のいずれかにより接合されて成るもので
ある。
ある。
以下本発明の半導体用スタンドの２つの実施例を図によ
って説明する。その１つは、第１図に示される半導体用
スタッド４の第２１ＥＩ ａに示す上端面中央の凸部３
ならびにフランジ２から上方の部分がコバールより成り
、フランジ２よりも下方の円柱体１の部分がＣｕより成
り、この両者が第２図すに示す如くろう付けにより接合
されて成るものである。
って説明する。その１つは、第１図に示される半導体用
スタッド４の第２１ＥＩ ａに示す上端面中央の凸部３
ならびにフランジ２から上方の部分がコバールより成り
、フランジ２よりも下方の円柱体１の部分がＣｕより成
り、この両者が第２図すに示す如くろう付けにより接合
されて成るものである。
他の１つは、第１図に示される半導体用スタッド４のフ
ランジ２に相当する部位が第３図ａに示す如く中央に穴
７をあけたＦｅ−Ｎｉ合金のディスクプレート８より成
り上端面中央の凸部３と一体のフランジ２よりも下方の
円柱体ｌの部分がＣｕより成り、この両者が第３図すに
示す如く嵌合の上ろう付けにより接合されて成るもので
ある。
ランジ２に相当する部位が第３図ａに示す如く中央に穴
７をあけたＦｅ−Ｎｉ合金のディスクプレート８より成
り上端面中央の凸部３と一体のフランジ２よりも下方の
円柱体ｌの部分がＣｕより成り、この両者が第３図すに
示す如く嵌合の上ろう付けにより接合されて成るもので
ある。
尚上記各実施例ともコバール又はＦｅ−Ｎｉ合金の部分
とＣｕの部分をろう付けにより接合されているが、抵抗
溶接や圧接により接合しても良いものである。
とＣｕの部分をろう付けにより接合されているが、抵抗
溶接や圧接により接合しても良いものである。
以上のように本発明の半導体用スタッドは、半導体装着
される少なくとも円柱体上端部のフランジ部分がコバー
ル又はＦ ｅ−Ｎ ｉ合金より成るので、セラミックと
同等に熱膨張することができ、また半導体装着される以
外の部分がＣｕより成るので、熱放散が良好である。従
ってこの半導体用スタンドに装着される半導体はその性
能を維持することができるという効果がある。
される少なくとも円柱体上端部のフランジ部分がコバー
ル又はＦ ｅ−Ｎ ｉ合金より成るので、セラミックと
同等に熱膨張することができ、また半導体装着される以
外の部分がＣｕより成るので、熱放散が良好である。従
ってこの半導体用スタンドに装着される半導体はその性
能を維持することができるという効果がある。
第１図は半導体用スクソドを示す正面図、第２図ａ、ｂ
は本発明の半導体用スタットの一実施例の製作方法を示
す図、第３図ａ、ｂは本発明の半導体用スタンドの他の
実施例のルｖ作方法を示す図である。 １−−−−円柱体、２−−−一一−フランジ、３−−−
凸部、４−−−−一一半導体用スタソト、５−−セラミ
・７り、６一−半導体、７−−−穴、８−−−−ディス
クプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
は本発明の半導体用スタットの一実施例の製作方法を示
す図、第３図ａ、ｂは本発明の半導体用スタンドの他の
実施例のルｖ作方法を示す図である。 １−−−−円柱体、２−−−一一−フランジ、３−−−
凸部、４−−−−一一半導体用スタソト、５−−セラミ
・７り、６一−半導体、７−−−穴、８−−−−ディス
クプレート。 出願人 田中貴金属工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体用スタッドに於いて、半導体装着される部分がコ
バール又はＦｅ−Ｎｉ合金より成り、その他の部分がＣ
ｕより成り、両者がろう付け。 抵抗溶接、圧接のいずれかにより接合されて成る半導体
用スタッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158649A JPS6050929A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体用スタッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58158649A JPS6050929A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体用スタッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6050929A true JPS6050929A (ja) | 1985-03-22 |
Family
ID=15676319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58158649A Pending JPS6050929A (ja) | 1983-08-30 | 1983-08-30 | 半導体用スタッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6050929A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312406A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | 東亜建設工業株式会社 | 捨石の投入均し装置 |
-
1983
- 1983-08-30 JP JP58158649A patent/JPS6050929A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63312406A (ja) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | 東亜建設工業株式会社 | 捨石の投入均し装置 |
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