JPS6052105A - 高周波増幅装置 - Google Patents
高周波増幅装置Info
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- JPS6052105A JPS6052105A JP15653584A JP15653584A JPS6052105A JP S6052105 A JPS6052105 A JP S6052105A JP 15653584 A JP15653584 A JP 15653584A JP 15653584 A JP15653584 A JP 15653584A JP S6052105 A JPS6052105 A JP S6052105A
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- JP
- Japan
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- transistor
- collector
- high frequency
- load
- emitter
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- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 16
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3211—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in differential amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3223—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion using feed-forward
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はベースで信号源により制御され、コレクタが高
周波増幅装置の出力部を構成していて負荷に接続される
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、エミッ
タ負帰還を具え、ベースが第１のトランジスタのベース
に結合された第８のトランジスタとを具え、第２のトラ
ンジスタがエミッタホロワとして第８のトランジスタの
コレクタに結合され、エミッタが第１のトランジスタの
コレクタに結合され、コレクタが電源電圧に接続されて
いる高周波増幅装置に関するものである。
周波増幅装置の出力部を構成していて負荷に接続される
第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、エミッ
タ負帰還を具え、ベースが第１のトランジスタのベース
に結合された第８のトランジスタとを具え、第２のトラ
ンジスタがエミッタホロワとして第８のトランジスタの
コレクタに結合され、エミッタが第１のトランジスタの
コレクタに結合され、コレクタが電源電圧に接続されて
いる高周波増幅装置に関するものである。
このような高周波増幅装置はＷ、Ｊ、 ＭｃＣａｌｌａ
の論文［Ａｎ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ＩＦ−Ａｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ Ｊ （［ＢＢ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ 、第５Ｃ
−ａ巻、第６号、 １９７８年１２月、第４４０〜４４
７頁所収）に開示されている。
の論文［Ａｎ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ＩＦ−Ａｍｐｌ
ｉｆｉｅｒ Ｊ （［ＢＢ、 Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ
５ｏｌｉｄ ５ｔａｔｅ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ 、第５Ｃ
−ａ巻、第６号、 １９７８年１２月、第４４０〜４４
７頁所収）に開示されている。
この従来技術の高周波増幅装置の出力インピーダンスは
第２のトランジスタのエミッタ出力インピーダンスによ
り決まり、従って十分低く、例えば、高周波増幅装置の
出力部にある負荷での信号の反射を短絡し、負荷インピ
ーダンスの変化が出力電圧に及ぼす影響が小さい。
第２のトランジスタのエミッタ出力インピーダンスによ
り決まり、従って十分低く、例えば、高周波増幅装置の
出力部にある負荷での信号の反射を短絡し、負荷インピ
ーダンスの変化が出力電圧に及ぼす影響が小さい。
この既知の高周波増幅装置の利得は主として第１のトラ
ンジスタにより決まり、副次的に第２のトランジスタに
より決まる。しかし、高利得が欲しい時は、第２のトラ
ンジスタ内忙生ずるひずみが全体のひずみに相対的に大
きな影響を及ぼす。
ンジスタにより決まり、副次的に第２のトランジスタに
より決まる。しかし、高利得が欲しい時は、第２のトラ
ンジスタ内忙生ずるひずみが全体のひずみに相対的に大
きな影響を及ぼす。
蓋し、第１のトランジスタ内に生ずるひずみは一部負荷
を通らず、第８のトランジスタを介して大地に短絡され
るからである。
を通らず、第８のトランジスタを介して大地に短絡され
るからである。
本発明の目的は上述した従来技術の高周波増幅装置より
も少ししかひずまない冒頭に述べたタイプの高周波増幅
装置を提供するＫある。
も少ししかひずまない冒頭に述べたタイプの高周波増幅
装置を提供するＫある。
本発明によれば、このタイプの高周波増幅装置において
第１のトランジスタの電圧利得を第８のトランジスタの
電圧利得とほぼ等しくしたことを特徴とする。
第１のトランジスタの電圧利得を第８のトランジスタの
電圧利得とほぼ等しくしたことを特徴とする。
この本発明の手段を用いると、エミッタ負帰還により高
度に線形化された第８のトランジスタのコレクタに欲す
る出力電圧の信頼できる基準が得られる。そしてこの基
準と第１のトランジスタの出力電圧との間の変動は第２
のトランジスタにより補償される。而して、これらの変
動は第１のトランジスタに生ずるひずみだゆで生じ、第
２のトランジスタのベース−エミッタ電圧はこれらの変
動だけで決まるから、このベース−エミッタ’ＦＩＬ圧
の変動、従って第２のトランジスタに生ずるひずみは前
記従来技術の高周波増幅装置におけるよりもずっと小さ
く、第１のトランジスタのひずみは完全に補償される。
度に線形化された第８のトランジスタのコレクタに欲す
る出力電圧の信頼できる基準が得られる。そしてこの基
準と第１のトランジスタの出力電圧との間の変動は第２
のトランジスタにより補償される。而して、これらの変
動は第１のトランジスタに生ずるひずみだゆで生じ、第
２のトランジスタのベース−エミッタ電圧はこれらの変
動だけで決まるから、このベース−エミッタ’ＦＩＬ圧
の変動、従って第２のトランジスタに生ずるひずみは前
記従来技術の高周波増幅装置におけるよりもずっと小さ
く、第１のトランジスタのひずみは完全に補償される。
本発明に係る高周波増幅装置の好適な一実施例は平衡を
とったもので、第４と、第５と、第６のトランジスタを
設け、これらを夫々第１と、第２・と、第８のトランジ
スタに対して平衡させ、負荷を第１のトランジスタのコ
レクタと第４のトランジスタのコレクタとの間に接続し
たことを特徴とする。
とったもので、第４と、第５と、第６のトランジスタを
設け、これらを夫々第１と、第２・と、第８のトランジ
スタに対して平衡させ、負荷を第１のトランジスタのコ
レクタと第４のトランジスタのコレクタとの間に接続し
たことを特徴とする。
この手法を適用すると負荷電流に直流電流が含まれず、
高周波増幅装置の高周波信号電流だけが負荷を流れる。
高周波増幅装置の高周波信号電流だけが負荷を流れる。
このような構造は音響フィルタの前置増幅器として用い
るのに特罠適している。
るのに特罠適している。
図面につき実施例を挙げて本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明罠係る高周波増幅装置を示すが、これは
第１のトランジスタＴ０と、ベースが第１のトランジス
タＴ□のベースと結合されている所謂第８のトランジス
タＴ８と、これらの２個のトランジスタＴ０とＴ８のコ
レクタの間にエミッタホロワとして接続されている第２
のトランジスタ丁、とを具える。第１のトランジスタＴ
□のベースと第８のトランジスタＴ８のベースとは共通
に入力信号源Ｓに接続されており、それらのコレクタ・
は夫々負荷ＺＬとコレクタ抵抗Ｒ８とを介して電源電圧
に接続され、エミッタは夫々エミッタ抵抗Ｒ□及びＲ３
を介して接地されている。第２のトランジスタＴ２のエ
ミッタは第１のトランジスタＴ□のコレクタに結合され
、ベースは第８のトランジスタＴ８のコレクタに結合さ
れ、コレクタは電源電圧に接続されている。
第１のトランジスタＴ０と、ベースが第１のトランジス
タＴ□のベースと結合されている所謂第８のトランジス
タＴ８と、これらの２個のトランジスタＴ０とＴ８のコ
レクタの間にエミッタホロワとして接続されている第２
のトランジスタ丁、とを具える。第１のトランジスタＴ
□のベースと第８のトランジスタＴ８のベースとは共通
に入力信号源Ｓに接続されており、それらのコレクタ・
は夫々負荷ＺＬとコレクタ抵抗Ｒ８とを介して電源電圧
に接続され、エミッタは夫々エミッタ抵抗Ｒ□及びＲ３
を介して接地されている。第２のトランジスタＴ２のエ
ミッタは第１のトランジスタＴ□のコレクタに結合され
、ベースは第８のトランジスタＴ８のコレクタに結合さ
れ、コレクタは電源電圧に接続されている。
エミッタ抵抗Ｒ□を用いて第１のトランジスタＴ□の相
互アドミッタンスを所定の負荷インピーダンスｚＬ及び
所定のベース入力信号の振幅とから出発してトランジス
タＴ０のコレクタに所望の出力信号振幅ないし少なくと
もその近似値が得られるようにセットする。この目的で
エミッタ抵抗Ｒ□を比較的φさくしたり、並列に入れた
容量により高周波に対し短絡される電流源（図示せず）
Ｋより置換えることができる。こうすると第１のトラン
ジスタＴ□のベース−エミッタダイオードの非線形の電
圧−電流特性間の信号の変化が可成り大きくなり、この
結果第１のトランジスタＴ０のコレクタ出力電流に相当
なひずみが生ずること・がある。 ′ このコレクタ出力電流のひずみ成分はエミッタホロワＴ
、のエミッタ電流により補償され、高周波増幅装置の出
力軍手、即ち、加えられる全出力電流の結果としての負
荷ｚＬ両端間の電圧は第８のトランジスタＴ８のコレク
タ電圧に従う。この第８のトランジスタＴ８を線形化す
ることにより、上記コレクタ電圧、従って高周波増幅装
置の出力電圧をひずみを伴なわずにベース入力電圧に対
して変化させることができる。この目的で、エミッタ抵
抗Ｒ４ｋ 、それ自体は既知の態様で、この第８のトラ
ンジスタＴ８のペース−エミッタダイオード両端間の電
圧変化が少なくとも第１のトランジスタＴ０の変化より
も小さくシ、コレクタ電流に目・立つひずみを生じない
ように選ぶ。この結果、エミッタ抵抗Ｒ２は一般にエミ
ッタ抵抗Ｒ０よりも何倍も大きくなる。
互アドミッタンスを所定の負荷インピーダンスｚＬ及び
所定のベース入力信号の振幅とから出発してトランジス
タＴ０のコレクタに所望の出力信号振幅ないし少なくと
もその近似値が得られるようにセットする。この目的で
エミッタ抵抗Ｒ□を比較的φさくしたり、並列に入れた
容量により高周波に対し短絡される電流源（図示せず）
Ｋより置換えることができる。こうすると第１のトラン
ジスタＴ□のベース−エミッタダイオードの非線形の電
圧−電流特性間の信号の変化が可成り大きくなり、この
結果第１のトランジスタＴ０のコレクタ出力電流に相当
なひずみが生ずること・がある。 ′ このコレクタ出力電流のひずみ成分はエミッタホロワＴ
、のエミッタ電流により補償され、高周波増幅装置の出
力軍手、即ち、加えられる全出力電流の結果としての負
荷ｚＬ両端間の電圧は第８のトランジスタＴ８のコレク
タ電圧に従う。この第８のトランジスタＴ８を線形化す
ることにより、上記コレクタ電圧、従って高周波増幅装
置の出力電圧をひずみを伴なわずにベース入力電圧に対
して変化させることができる。この目的で、エミッタ抵
抗Ｒ４ｋ 、それ自体は既知の態様で、この第８のトラ
ンジスタＴ８のペース−エミッタダイオード両端間の電
圧変化が少なくとも第１のトランジスタＴ０の変化より
も小さくシ、コレクタ電流に目・立つひずみを生じない
ように選ぶ。この結果、エミッタ抵抗Ｒ２は一般にエミ
ッタ抵抗Ｒ０よりも何倍も大きくなる。
このようにして得られる、ペース入力電圧に対して線形
に変化するトランジスタＴ８のコレクタ電流から出発し
て、コレクタ電圧の振幅、従って・高周波増幅装置の出
方電圧の振幅をコレクタ抵抗Ｒ８により所望の値に調整
することができる。
に変化するトランジスタＴ８のコレクタ電流から出発し
て、コレクタ電圧の振幅、従って・高周波増幅装置の出
方電圧の振幅をコレクタ抵抗Ｒ８により所望の値に調整
することができる。
第１と第８のトランジスタＴ□及びＴ、の電圧利得が互
に対応するならば、トランジスタで、の前記エミッタ電
流は第１のトランジスタＴ□のコレクタ出力電流内のひ
ずみ成分に対応し、この結果このひずみ成分は第８のト
ランジスタＴ２を介して大地に短絡され、負荷ｚＬを流
れない。
に対応するならば、トランジスタで、の前記エミッタ電
流は第１のトランジスタＴ□のコレクタ出力電流内のひ
ずみ成分に対応し、この結果このひずみ成分は第８のト
ランジスタＴ２を介して大地に短絡され、負荷ｚＬを流
れない。
第１と第８のトランジスタＴ□及びＴ８の電圧利得が、
例えば、負荷インピーダンスｚＬの変化のため、互に多
少ずれると、第２のトランジスタＴ。
例えば、負荷インピーダンスｚＬの変化のため、互に多
少ずれると、第２のトランジスタＴ。
がエミッタ電流を出す。このエミッタ電流は前記ひずみ
成分だけでなく、信号成分も含む。そしてこの信号成分
が負荷ＺＬ両端間に一方では基準として働らくトランジ
スタＴ８のコレクタ電圧と、他方ではトランジスタＴ□
のコレクタ出力電流の結果として生ずる負荷ｚＬ両端間
の電圧との間の電圧差を補償する電圧を生ずる。
成分だけでなく、信号成分も含む。そしてこの信号成分
が負荷ＺＬ両端間に一方では基準として働らくトランジ
スタＴ８のコレクタ電圧と、他方ではトランジスタＴ□
のコレクタ出力電流の結果として生ずる負荷ｚＬ両端間
の電圧との間の電圧差を補償する電圧を生ずる。
負荷鮮から高周波増幅装置の方に向かう高周波信号電圧
は、第８のトランジスタで、を介して・大地に分路され
、例えば、負荷として音響フィルタを用いる時、所謂三
重過渡反射が除ける。
は、第８のトランジスタで、を介して・大地に分路され
、例えば、負荷として音響フィルタを用いる時、所謂三
重過渡反射が除ける。
第２図は第１図の高周波増幅装置を実用的な平衡をとっ
た構造圧したものである。対応する要素には第１図と同
じ符号を付しである。
た構造圧したものである。対応する要素には第１図と同
じ符号を付しである。
第１のトランジスタＴ□は第４のトランジスタＴ、と共
に第１の平衡のとれた差動増幅器を形成する。この差動
増幅器は互に等しく直列に接続されたエミッタ抵抗Ｒ０
及びＲ６と、抵抗Ｒ□及びＲ６の共通接続点と大地との
間に接続されたセツティング電流源Ｓ０とを有する。第
２のトランジスタＴ、は第６のトランジスタＴ５と共に
第２の平衡のとれた差動増幅器を形成する。この第２０
差動増幅器は第１の平衡のとれた差動増＠器と電源電圧
との間にカスコードに接続されている。第８のトランジ
スタＴ、は第６のトランジスタＴ６と共に第８の平衡の
とれた差動増幅器を形成する。この第８の平衡のとれた
差動増幅器は第１の平衡のとれた差動増幅器と並列に配
置され、互に等しく直列に接続されたエミッタ抵抗Ｒ３
及びＲ，（この共通、接続点は接地されたセツティング
電流源８．に接続する。）と、トランジスタＴ８及びＴ
６の夫々のコレクタと電源電圧との間に接続された互に
等しいコレクタ抵抗Ｒ８及びＲ６を具える。第１と第８
の差動増幅器の平衡のとれたベース久方端子をこれまた
平衡のとれた構造をしている大刀信号源ＳＫ接続する。
に第１の平衡のとれた差動増幅器を形成する。この差動
増幅器は互に等しく直列に接続されたエミッタ抵抗Ｒ０
及びＲ６と、抵抗Ｒ□及びＲ６の共通接続点と大地との
間に接続されたセツティング電流源Ｓ０とを有する。第
２のトランジスタＴ、は第６のトランジスタＴ５と共に
第２の平衡のとれた差動増幅器を形成する。この第２０
差動増幅器は第１の平衡のとれた差動増＠器と電源電圧
との間にカスコードに接続されている。第８のトランジ
スタＴ、は第６のトランジスタＴ６と共に第８の平衡の
とれた差動増幅器を形成する。この第８の平衡のとれた
差動増幅器は第１の平衡のとれた差動増幅器と並列に配
置され、互に等しく直列に接続されたエミッタ抵抗Ｒ３
及びＲ，（この共通、接続点は接地されたセツティング
電流源８．に接続する。）と、トランジスタＴ８及びＴ
６の夫々のコレクタと電源電圧との間に接続された互に
等しいコレクタ抵抗Ｒ８及びＲ６を具える。第１と第８
の差動増幅器の平衡のとれたベース久方端子をこれまた
平衡のとれた構造をしている大刀信号源ＳＫ接続する。
第２の差動増幅器のベース久方端子は第８の差動増幅器
のコレクタ出方端子忙接続し、エミッタ出力端子を一方
では第１の差動増幅器の第１と第４のトランジスタＴ０
及びＴ、のコレクタに接続し、他方では負荷ｚＬＫ接続
する。負荷ＺＬは与えられた用途では音響フィルタによ
り形成され、これを並列ＲＬＣ回路網ＲＬＣで示しであ
る。
のコレクタ出方端子忙接続し、エミッタ出力端子を一方
では第１の差動増幅器の第１と第４のトランジスタＴ０
及びＴ、のコレクタに接続し、他方では負荷ｚＬＫ接続
する。負荷ＺＬは与えられた用途では音響フィルタによ
り形成され、これを並列ＲＬＣ回路網ＲＬＣで示しであ
る。
上記の第１と、第２と、第８の差動増幅器の機能は第１
図に示した高周波増幅装置の第１と、第２と、第８のト
ランジスタの機能に夫々対応する。
図に示した高周波増幅装置の第１と、第２と、第８のト
ランジスタの機能に夫々対応する。
しかし、第１図に示した実施例では、エミッタホロワで
、のコレクターエミッタ電圧に対応して、負荷ｚＬの両
端間に直流電圧を生ずる直流が負荷Ｚｔ、を流れるが、
これと対照的に第２図に示した・平衡のとれた構造では
このような負荷ＺＬを鉦れる直流が避けられる。
、のコレクターエミッタ電圧に対応して、負荷ｚＬの両
端間に直流電圧を生ずる直流が負荷Ｚｔ、を流れるが、
これと対照的に第２図に示した・平衡のとれた構造では
このような負荷ＺＬを鉦れる直流が避けられる。
負荷ｚＬとして音響ＴＶ−ＩＦフィルタを具える実用的
な実施例に工でＲ−ｉ９にΩ、Ｌ＝１．９μＨ１Ｃ＝１
０１）Ｆ）では１高周波増幅装置がＴＶ−ＩＦ前置増幅
器として機能し、セツティング電流源Ｂ□及びＳ２が夫
々値１．２ ｍＡ及び６．２鮎を有し、抵抗Ｒ□ないし
Ｒ６が夫々値４５Ω、４００Ω、８にΩ、４５Ω、４０
０Ω、８にΩを有していた。
な実施例に工でＲ−ｉ９にΩ、Ｌ＝１．９μＨ１Ｃ＝１
０１）Ｆ）では１高周波増幅装置がＴＶ−ＩＦ前置増幅
器として機能し、セツティング電流源Ｂ□及びＳ２が夫
々値１．２ ｍＡ及び６．２鮎を有し、抵抗Ｒ□ないし
Ｒ６が夫々値４５Ω、４００Ω、８にΩ、４５Ω、４０
０Ω、８にΩを有していた。
明らかに、本発明は前述した構・造に限られるものでは
なく、特許請求の範囲に規定された範囲内でいくつかの
変形例を考えることができる。また負荷として、音響フ
ィルタの代りに異なるタイプの信号処理回路や共同アン
テナシステム内に信号を分けるケーブルを高周波増幅装
置の出力端子に接続することができる。
なく、特許請求の範囲に規定された範囲内でいくつかの
変形例を考えることができる。また負荷として、音響フ
ィルタの代りに異なるタイプの信号処理回路や共同アン
テナシステム内に信号を分けるケーブルを高周波増幅装
置の出力端子に接続することができる。
第１図は本発明に係る高周波増幅装置の回路図、第２図
は負荷として音響フィルタを具える平衡をとった構造の
高周波増幅装置の回路図である。 Ｔ・・・トランジスタ（Ｔ□・・・第１のトランジスタ
、Ｔ２・・・第２のトランジスタ、Ｔ８・・・第８のト
ランジスタ等々） Ｒ・・・抵抗 ｚＬ・・・負荷 Ｓ□、Ｓｇ・・・セツティング電流源。 特許′出願人 工ヌ・ぺ−−フィリップス・フルーイラ
ンペン７アプリケン
は負荷として音響フィルタを具える平衡をとった構造の
高周波増幅装置の回路図である。 Ｔ・・・トランジスタ（Ｔ□・・・第１のトランジスタ
、Ｔ２・・・第２のトランジスタ、Ｔ８・・・第８のト
ランジスタ等々） Ｒ・・・抵抗 ｚＬ・・・負荷 Ｓ□、Ｓｇ・・・セツティング電流源。 特許′出願人 工ヌ・ぺ−−フィリップス・フルーイラ
ンペン７アプリケン
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ ベースで信号源により制御され、コレクタが高周波
増幅装置の出力部を構成していて負荷に接続される第１
のトランジスタと、第２のトランジスタと、エミッタ負
帰還を具え、ベースが第１のトランジスタのベースに結
合された第８のトランジスタとを具え、第２のトランジ
スタがエミッタホロワとして第８のトランジスタのコレ
クタに結合され、エミッタが第１のトランジスタのコレ
クタに結合され、コレクタが電源電圧に接続されている
高周波増幅装置において、第１のトランジスタの電圧利
得を第８のトランジスタの電圧利得とほぼ等しくしたこ
とを特徴とする高周波増幅装置。 ｉ 第４と、第５と、第６のトランジスタを設け、これ
らを夫々第１と、第２と、第８のトランジスタに対し【
平衡させ、負荷を第１のトランジスタのコレクタと第４
のトランジスタのコレクタとの間に接続したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項記載の高周波増幅装置。 ＆ 負荷を音響フィルタにより形成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第２項記載の高周波増幅装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8302720 | 1983-08-01 | ||
| NL8302720A NL8302720A (nl) | 1983-08-01 | 1983-08-01 | Hf-versterker met distorsie-compensatie. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052105A true JPS6052105A (ja) | 1985-03-25 |
Family
ID=19842217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15653584A Pending JPS6052105A (ja) | 1983-08-01 | 1984-07-28 | 高周波増幅装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0133724A3 (ja) |
| JP (1) | JPS6052105A (ja) |
| BR (1) | BR8403788A (ja) |
| ES (1) | ES534718A0 (ja) |
| NL (1) | NL8302720A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5130567A (en) * | 1989-05-12 | 1992-07-14 | U.S. Philips Corporation | Bipolar transistor arrangement with distortion compensation |
| KR19980703507A (ko) * | 1996-02-01 | 1998-11-05 | 요트. 게. 아. 롤페즈 | 용량적으로 로딩된 팔로어의 왜곡 보상 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4146844A (en) * | 1977-10-31 | 1979-03-27 | Tektronix, Inc. | Feed-forward amplifier |
| JPS54161253A (en) * | 1978-06-10 | 1979-12-20 | Toshiba Corp | High-frequency amplifier circuit |
-
1983
- 1983-08-01 NL NL8302720A patent/NL8302720A/nl not_active Application Discontinuation
-
1984
- 1984-07-28 JP JP15653584A patent/JPS6052105A/ja active Pending
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