JPS6052917A - 垂直磁気記録用デイスク基板 - Google Patents
垂直磁気記録用デイスク基板Info
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- JPS6052917A JPS6052917A JP16074183A JP16074183A JPS6052917A JP S6052917 A JPS6052917 A JP S6052917A JP 16074183 A JP16074183 A JP 16074183A JP 16074183 A JP16074183 A JP 16074183A JP S6052917 A JPS6052917 A JP S6052917A
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- Japan
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- film
- aluminum alloy
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Links
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直伍気記録用ディスク基板に関する。
従来、垂直磁気記＠全リジッド磁気ディスクへの適用を
めざして、陽極酸化したアルミ基板を用いてＯＱ Ｏｒ
垂＠磁化膜を作成している。このアルミ合金基板は、表
面を研磨した後陽極酸化してアルマイ） （Ａｅ２０ｓ
）層としたものである。（以下アルマイト基板と略称
する。〕 このアルマイト基板の場合には０ｏＯｒ垂＠磁化膜の初
期生成過程において、基板の影′ｌ＃をうけＣｏＣｒ膜
の結晶配向が乱される。そのため゛この結晶配向度を向
上させるのに、アルマイト基板上にＴｉ層を成膜しなけ
ればならガい。それ故、工程が複雑となりコスト高につ
ながる。またこのアルミ合金基板には、不純物兄貴とし
てＦθ、ＩＥｌｉ、Ｍｎ等を含むのが通常であり、これ
らの元素は合金中に金属間化合物として析出し、不純物
がアルマイト化されずに残るため凹み状の欠陥発生の要
因の１つとなっている。このため母材合金の高純度化を
図らねばならず、母材合金自身のコスト高につながる。
めざして、陽極酸化したアルミ基板を用いてＯＱ Ｏｒ
垂＠磁化膜を作成している。このアルミ合金基板は、表
面を研磨した後陽極酸化してアルマイ） （Ａｅ２０ｓ
）層としたものである。（以下アルマイト基板と略称
する。〕 このアルマイト基板の場合には０ｏＯｒ垂＠磁化膜の初
期生成過程において、基板の影′ｌ＃をうけＣｏＣｒ膜
の結晶配向が乱される。そのため゛この結晶配向度を向
上させるのに、アルマイト基板上にＴｉ層を成膜しなけ
ればならガい。それ故、工程が複雑となりコスト高につ
ながる。またこのアルミ合金基板には、不純物兄貴とし
てＦθ、ＩＥｌｉ、Ｍｎ等を含むのが通常であり、これ
らの元素は合金中に金属間化合物として析出し、不純物
がアルマイト化されずに残るため凹み状の欠陥発生の要
因の１つとなっている。このため母材合金の高純度化を
図らねばならず、母材合金自身のコスト高につながる。
さらにアルマイト条件の最適化を図り欠陥数を減少させ
ねは万らずここでも工程が複雑となってくる。
ねは万らずここでも工程が複雑となってくる。
本発明は以上の点に鑑み、基板の影響をうけず欠陥発生
の要因を少なりシ、磁気特性を向上させ、しかも工程を
簡素にし、コストを低減させることを目的とするもので
ある。
の要因を少なりシ、磁気特性を向上させ、しかも工程を
簡素にし、コストを低減させることを目的とするもので
ある。
本発明は、リジッド磁気ディスクの基板であるアルミ合
金基板にＮ１−Ｐメッキ（以下、Ｎ１−Ｐ基板と略称す
る）することによシ、基板の表面性の影響をうけずＯｏ
Ｏｒ膜の垂直配向性を良くするとともに媒体欠陥の要
因の１つである凹部を減少しようとするものである。
金基板にＮ１−Ｐメッキ（以下、Ｎ１−Ｐ基板と略称す
る）することによシ、基板の表面性の影響をうけずＯｏ
Ｏｒ膜の垂直配向性を良くするとともに媒体欠陥の要
因の１つである凹部を減少しようとするものである。
以下、本発明の具体的実施例について図・表と共に説明
する。
する。
第１１箇は本発明による基板・媒体構成口である。
１はアルミ合金基板、２はＮ１−Ｐメッキ層、３はＣ０
Ｃｒ垂直膜である。まずＡＱ−Ｚｎ合金の７０７５系ア
ルミ合金基板に無電解メッキ法によって非磁性Ｎ ｉ
−Ｐ Ｎ （約３０μｍ厚）を形成した後Ｃ０ａｒ薄Ｉ
ｌｌ （約１μｍ厚）をスパッタにより作製したもので
ある。また第２図は従来技術である基板媒体構成図であ
る。１はアルミ合金基板、４は陽極酸化されたアルマイ
ト層（約２μｍ厚）、５はスパッタにより作製したＴ
１層（約５ｏｏＸ厚）３はスパッタによる０ＯＯｒ垂直
膜である。第３図はＯＯＯｒ膜の垂面配向ＩＷヲ示すロ
ッキング曲線と（００２）面からの回折ピークｆ：表わ
したものであり、ロッキング曲線の半値幅△θ５ｏが小
さいほど配回が良いことを示す。表１にその値を示す。
Ｃｒ垂直膜である。まずＡＱ−Ｚｎ合金の７０７５系ア
ルミ合金基板に無電解メッキ法によって非磁性Ｎ ｉ
−Ｐ Ｎ （約３０μｍ厚）を形成した後Ｃ０ａｒ薄Ｉ
ｌｌ （約１μｍ厚）をスパッタにより作製したもので
ある。また第２図は従来技術である基板媒体構成図であ
る。１はアルミ合金基板、４は陽極酸化されたアルマイ
ト層（約２μｍ厚）、５はスパッタにより作製したＴ
１層（約５ｏｏＸ厚）３はスパッタによる０ＯＯｒ垂直
膜である。第３図はＯＯＯｒ膜の垂面配向ＩＷヲ示すロ
ッキング曲線と（００２）面からの回折ピークｆ：表わ
したものであり、ロッキング曲線の半値幅△θ５ｏが小
さいほど配回が良いことを示す。表１にその値を示す。
表 １
まずこの値からも分かるように、本発明による０ｏＯｒ
膜は非常に良い垂直配向度及び強度を示している。又、
従来技術によるｃｏｃｒ膜はＴｉ層層有方がＴｉ層無に
比較して垂直配向度は良い、これはＴ１重層体がＣ軸配
向しておｊ） ０ｏＣｒの分散角が小さくなっているも
のと考えられる。しかしＴ１層層有ものでも、本発明の
ものと比較してみればかなり劣っている。これらの理由
として、アルマイト基板はアルマイト層の熱膨張係数が
Ｍ合金の１４と小さいためアルマイト層を厚くつけるこ
とは出来ず、極力薄くし変形能を待たせなければならな
い。そのため２μｍ厚では基板材質の表面性の影響ヲ彊
＜うけ結晶配向が乱されることになる。一方本発明によ
るＮｉ’−Ｐ基板は熱膨張係数もＡｇ合金と近く５０μ
ｍ厚と厚いため、基板材質の影響を受けに＜＜、基板欠
陥の面で優れている。
膜は非常に良い垂直配向度及び強度を示している。又、
従来技術によるｃｏｃｒ膜はＴｉ層層有方がＴｉ層無に
比較して垂直配向度は良い、これはＴ１重層体がＣ軸配
向しておｊ） ０ｏＣｒの分散角が小さくなっているも
のと考えられる。しかしＴ１層層有ものでも、本発明の
ものと比較してみればかなり劣っている。これらの理由
として、アルマイト基板はアルマイト層の熱膨張係数が
Ｍ合金の１４と小さいためアルマイト層を厚くつけるこ
とは出来ず、極力薄くし変形能を待たせなければならな
い。そのため２μｍ厚では基板材質の表面性の影響ヲ彊
＜うけ結晶配向が乱されることになる。一方本発明によ
るＮｉ’−Ｐ基板は熱膨張係数もＡｇ合金と近く５０μ
ｍ厚と厚いため、基板材質の影響を受けに＜＜、基板欠
陥の面で優れている。
これは１ン１３のロッキング曲線からもわかるように、
Ｔｉ層無のρｏｏｒｌｌ！＠は基板の影響を強く受けギ
ザギザである。：ｇＴｉ層有０場合では基板の影響は若
干弱く々っているものの、まだかなり受けている。一方
不発明Ｎ ｉ −Ｐ基板のロッキング曲線は非常になめ
らかである。
Ｔｉ層無のρｏｏｒｌｌ！＠は基板の影響を強く受けギ
ザギザである。：ｇＴｉ層有０場合では基板の影響は若
干弱く々っているものの、まだかなり受けている。一方
不発明Ｎ ｉ −Ｐ基板のロッキング曲線は非常になめ
らかである。
第４１シＩに記録密度特性を示す。これはディスクｆ
１ｓ ｒｎ、 ／ ｓで回転させヘッドはウィンチェス
タ−型を用いたものである。（ａ）は本発明Ｎ１−Ｐ基
板、（ｂ）は従来のアルマイト基板（Ｔｉ層無）、（Ｃ
）は従来のアルマイト基板（Ｔ１ＷＪ有）である。以下
衣２に記録密１ｔＤｉ。の値を示す。
１ｓ ｒｎ、 ／ ｓで回転させヘッドはウィンチェス
タ−型を用いたものである。（ａ）は本発明Ｎ１−Ｐ基
板、（ｂ）は従来のアルマイト基板（Ｔｉ層無）、（Ｃ
）は従来のアルマイト基板（Ｔ１ＷＪ有）である。以下
衣２に記録密１ｔＤｉ。の値を示す。
表 ２
上記表からも明らかなように本発明Ｎ１−Ｐ基板は従来
技術によるアルマイト基板より非常に良い記録密度特性
を示している。
技術によるアルマイト基板より非常に良い記録密度特性
を示している。
以上の記述から明らかなように本発明には種々の効果が
ある。以下に効果をまとめる。
ある。以下に効果をまとめる。
◎基板の影響を受けにくく、ｃｏｃｒ膜の垂面配向度が
良くなる。
良くなる。
◎記録密度特性が良くなる。
◎Ｔｉ層を作成する必要がなくなり、工程が簡単になる
。
。
（０１１層を作成する必要がなくなり、コスト低減にな
る。
る。
なお実施例については、ｃｏＯｒ垂直磁化膜について述
べたが、他の垂直磁化膜量てについても本発明は適用出
昶るものである。例えば第５図に示すように１のアルミ
合金基板上に２のＮ１−Ｐメッキ層をもうけ、６の軟磁
性膜（パーマロイ。
べたが、他の垂直磁化膜量てについても本発明は適用出
昶るものである。例えば第５図に示すように１のアルミ
合金基板上に２のＮ１−Ｐメッキ層をもうけ、６の軟磁
性膜（パーマロイ。
Ｃｏ−Ｔｉ、Ｃｏ−Ｔａ、 ｅｔｃ、）上に５の０ｏＣ
ｒ垂＠磁化膜をつけたものにでも適用出来る。また従来
技術の基板上にＴｉ層をスパッタした上に本発明のＮ１
−Ｐメッキをしても同様に基板の影響を低減出来るもの
である。
ｒ垂＠磁化膜をつけたものにでも適用出来る。また従来
技術の基板上にＴｉ層をスパッタした上に本発明のＮ１
−Ｐメッキをしても同様に基板の影響を低減出来るもの
である。
第１図は本発明による基板・媒体構成図、第２図は従来
技術による基板・媒体構成（凶、第Ｓ図（ａ）（ｂ）
（ｃ）はそれぞれ本発明・従来技術（Ｔｉ層０）・従来
技術（Ｔｉ層０）による０ＯＯｒ膜の回折図形とロッキ
ング曲線であυ、第４図は（ａ）本発明、（ｂ）従来技
術（Ｔｉ層０）・（ｃ）従来技術（Ｔｉ層０）による記
録密度特性である。第５図は本発明を使った２層膜垂直
磁化膜である。 １・・・アルミ合金基板 ２・・・団ｉ −Ｐメッキ層 ３・・・Ｃ００ｒ垂直磁化膜 ４・・・アルマイト層 ５・・・Ｔｉ層 ６・・・軟磁性膜 （ａ）・・・本発明 （ｂ）・・・従来技術（Ｔｉ層無う （ｃ）・・・従来技術（Ｔｉ層有） 第１目 第２Ｎ
技術による基板・媒体構成（凶、第Ｓ図（ａ）（ｂ）
（ｃ）はそれぞれ本発明・従来技術（Ｔｉ層０）・従来
技術（Ｔｉ層０）による０ＯＯｒ膜の回折図形とロッキ
ング曲線であυ、第４図は（ａ）本発明、（ｂ）従来技
術（Ｔｉ層０）・（ｃ）従来技術（Ｔｉ層０）による記
録密度特性である。第５図は本発明を使った２層膜垂直
磁化膜である。 １・・・アルミ合金基板 ２・・・団ｉ −Ｐメッキ層 ３・・・Ｃ００ｒ垂直磁化膜 ４・・・アルマイト層 ５・・・Ｔｉ層 ６・・・軟磁性膜 （ａ）・・・本発明 （ｂ）・・・従来技術（Ｔｉ層無う （ｃ）・・・従来技術（Ｔｉ層有） 第１目 第２Ｎ
Claims (1)
- 磁気記録用ディスク基板において、上記基板上にＮ１−
Ｐメッキしたことを特徴とする垂直磁気記録用ディスク
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16074183A JPS6052917A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 垂直磁気記録用デイスク基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16074183A JPS6052917A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 垂直磁気記録用デイスク基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6052917A true JPS6052917A (ja) | 1985-03-26 |
Family
ID=15721448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16074183A Pending JPS6052917A (ja) | 1983-09-01 | 1983-09-01 | 垂直磁気記録用デイスク基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6052917A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217924A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気記録媒体 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862823A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-14 | Nec Corp | 垂直磁気記憶体 |
-
1983
- 1983-09-01 JP JP16074183A patent/JPS6052917A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5862823A (ja) * | 1981-10-08 | 1983-04-14 | Nec Corp | 垂直磁気記憶体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61217924A (ja) * | 1985-03-22 | 1986-09-27 | Mitsubishi Electric Corp | 垂直磁気記録媒体 |
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