JPS6053085A - 接合形電界効果トランジスタ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は接合形電界効果トランジスタ（以下Ｊ−ＦＥＴ
と称する）の電極部構造に適用して特に有効な技術に関
する。

〔背景技術〕

出願人により開発された高集積化さｆＬｆｔＪ−ＦＥＴ
は、第１図、第２図に示すような構造を有している。同
図に示されるように、半導体基体、たとえばｐ型シリコ
ン基体１の上にｎ型シリコ７層２と、素子領域周辺部お
よび素子領域の一部分に前記ｎ型層２０表面からｐ型基
体と接続するように拡散した図示されないｐ＋型型数散
層、前記畝型拡散層の形成されないｎ型層２０表面にあ
さく格子状に拡散したゲートとなるｐ散拡散層４と、上
記ゲートに囲まれた部分の一部にソース又はドレインコ
ンタクト部となるｎ＋＋散層５，６を有していて、上記
ゲートと接続するアルミニウム配線７は上記ゲート上に
そって格子状に配設されるとともに一部では前記素子領
域の一部に形成されたｐ＋型型数散層ゲートとを接続す
るように形成され、上記ソース、又は、ドレインと接続
するアルミニウム配線８．９は、同図に示される様に斜
め方向に配設され交互にソース電極、ドレイン電極とし
たくし形電極構造を有している。同図において１３はシ
リコン酸化膜、１４はＣＶＤシリコン酸化物等からなる
層間絶縁膜である。

これ才でソース・ドレインのｎ＋型領領域そのコンタク
ト穴１０は正方形に形成されており、これに対してアル
ミニウム配紛８，９は４５°の斜め方向に配設されるが
、一方、アルミニウム配線の幅には制約があり、拡散層
のコンタクト孔ｌＯの角部が配線８，９の縁部とすれす
り、の位置に設けられるため、たとえば第３図、第４図
に示すように配線８，９のわずかな位置ずれによって隣
り合うソース・ドレイン間が短絡したり、コンタクト孔
ｌＯが配りから露出し「目ろきＪ（１１）不良を生じて
そこからの汚染によるケート・ドレイン耐圧劣化の原因
となったり、また、アルミニウム配線８，９０間隔を確
保できず、アルミニウム配線の位置ずれによるアルミニ
ウム配線間の短絡を起こす笠の問題点が生じるというこ
とが本出願人によってあきらかとされた。

〔発明の目的〕

本発明は上記した問題を解決するためになされたもので
アシ、その目的とするところは、メンシュゲート形Ｊ−
ＦＥＴにおいて、アルミニウム配線ずれによるアルミニ
ウム配線間および、ソース・ドレイン間の短絡や「目あ
き」不良をなくした電極構造を得ることにある。

本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は本
明細書の記述および添付図面からあきらかになるでろろ
う。

〔発明の概要〕

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記のとおりである。

すなわち、半導体基体の一主表面に形成された基体の導
電型と異なる導電型の格子状の拡散層をゲートとし、上
記格子で囲まれた部分に形成された拡散領域をソース・
ドレインとし、これらソース・ドレイン拡散領域全科め
方向に接続する配線を交互にソース・ドレイン電極とす
る接合形電界効果トランジスタであって、上記格子で囲
まれたソース・ドレインとなる拡散領域又は及びそのコ
ンタクト孔は配線の方向にそった斜め横長形に形成され
ていることにより、コンタクト孔の角部と配線の縁部と
の間に余裕をもたせてソース・ドレイン間の短絡や「目
あき」不良をなくし、又、配線間隔を十分に取れること
より、配線間短絡不良をなくし、前記目的が達成できる
。

〔実施例〕

第５図は本発明の一実施例であって、Ｊ−ＦＥＴノ拡ｆ
＆層とソース・ドレイン電極のノくターンを平面図で示
すものでおる。

同図において１２はソース・ドレイン領域に形成された
コンタクト孔であって、この上に形成されたソース・ド
レイン配線８，９の方向にそった斜め横長六角形にあけ
られたものである０ソース・ドレインコンタクトのため
のｎ＋＋散領域５，６はこれまでのように正方形ノくタ
ーンとするか、又は、第６図にこの部分の拡大図で点線
により示すようにコンタクト孔の周辺にそった斜め横長
六角形のパターンに形成する。

第７図は本発明の他の一実施例であって、Ｊ−ＦＥＴの
ソース・ドレイン領域に形成されるコンタクト孔及びｎ
＋型型数散層斜め長円形の・（ターンに形成した場合の
拡大図である。

〔効果〕

以上実施例で述べた本発明によれば下記の効果が得られ
る。

（１）　ソース・ドレインのコンタクト孔をアルミニウ
ム配線の方向にそった斜めの横長形に形成することによ
って、アルミニウム配線がコンタクト孔のソース・ドレ
イン拡散層を完全に覆い、「目あき」を生じることがな
くなり、「目あき」による耐圧劣化を防止できる。

（２）　ソース・ドレインコンタクト孔をアルミニウム
配線の方向にそった斜めの横長形に形成することより、
隣り合うアルミニウム配線間を充分に余裕をもって広く
とることができ、配線間が短絡するおそれもなくなった
。

例えば第１図を参照し、これまで正方形のコンタクト孔
１０の場合、その−辺の幅ｆ：４μ■】とした場合、対
角線の幅ａｌは６μｍ程度であるため、斜めに横切るア
ルミニウム配線の幅ｂｉは８μｍを必要とし、吟り合う
配線間隔Ｃ１は少なくとも２μｍ以上なければ！！：Ｌ
絡のおそれがあったが、本発明によれば第５図、第６図
を参照し横長形としたコンタクト穴の幅ａ２は４之５μ
ｍとなり、アルミニウム配線の幅ｂ２を６μｍに形成し
た場合にも配線縁部とコンタクト穴の間隔は充分に余裕
があり、配線間隔ｃ２を保つことができる。

（３）　（２）より、配線幅をせまくできることより一
層の高集積化が可能となるという効果が得らハ、る。

（４）なお、本発明はコンタクトホトエッチのマスクパ
ターンを変えるだけでプロセスを変更することなく実現
でき、半導体装置の付順性を向上できる。

（５）上記（１）　、　（２）より、半導体装置の信頼
性及び歩留りの向上を図れるという相乗効果が得られる
。

以上本発明者によってなさｉｚだ発明を実施例にもとづ
き具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更
可能であるととはいう才でもない。

〔利用分野〕

以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となったＪ−ＦＥＴの電極部形成技術に適用
した場合について説明したが、それに限定されるもので
はない。

本発明はＪ−ＦＥＴ一般に適用できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図はＪ−ＦＢＴの一例であって、拡散層とソース・
ドレイン配線のコンタクトするパターンを示す平面図で
ある。 第２図は第１図におけるＡ−Ａ断面面図である。 第３図はＪ−ＰＥＴにおいてソース・ドレイン配線がず
れた場合の例を示す平面図である。 第４図は第３図におけるＢ　−Ｔ３視断面図である。 第５図は本発明の一実施例であって、拡散層とソース・
ドレイン配線のコンタクトするパターンを示す平面図で
ある。 第６図は第５図における一部拡大図である。 第７図は本発明の他の一実施例であって、コンタクト部
分の拡大平面図である。 １・・・ｐ型シリコン基体、２・・・ｎ型層、４・・・
ｐ型領域（ゲート）、５・・・ｎ＋型領領域ソース）、
６・・・ｎ＋型領領域ドレイン）、７・・・ゲート・ア
ルミニウムＮｔｈ、８・・・ソース・アルミニウム電極
、９・・・ドレイン・アルミニウム電極、１０・・・コ
ンタクト孔、１１・・・目あき部、１２・・・コンタク
ト孔、１３・・・シリコン酸化膜、１４・・・ＣＶＤ酸
化膜。 代理人　弁理士　高　橋　明　夫 第　３　図 第　４　図 グ′ 第　５　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、半導体基体の一生面に形成された基体の導電型と異
   なる導電型の格子状の拡散層をゲートとし、上記格子で
   囲まれた部分に形成された拡散領域をソース・ドレイン
   とし、これらソース・ドレイン拡散領域を斜め方向に接
   続する配線を交互にソース・ドレイン電極とする接合形
   電界効果トランジスタであって、上記格子で囲まれたソ
   ース・ドレインとなる拡散領域又は及びそのコンタクト
   孔は配線の方向にそった斜め横長形に形成されているこ
   とを特徴とする接合形電界効果トランジスタ。 ２、上記拡散領域又は及びコンタクト孔の形状は斜め横
   長六角形又は斜め長円形である特許請求の範囲第１項に
   記載の接合形電界効果トランジスタ。