JPH01175754A - 交差配線を有する半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置における配線の交差構造に関し、
特に高耐圧集積回路の接合分離部の耐圧低下を防止する
交差構造に関する。

〔従来の技術〕

従来、この種の半導体装置における配線の交差方法とし
ては、第３図に示すものがある。これはＰ形半導体基板
１にＮ形エピタキシャル層２を形成し、これにＰ形の接
合分離用拡散層３を形成して素子領域の分離を行ってい
る。基板１に対して電位差の大きい高圧配線８と９は、
一方の高圧配線８をポリシリコン配線７を用いて、他方
の高圧配線９と接触することなく交差させている。

ここで、高圧のポリシリコン配線７が厚さ約１μｍの酸
化膜を介して接合分離用拡散層３付近を通ることにより
、エピタキシャル層２の表面付近で、空乏層４が内側（
接合分離用の拡散層側）に曲り、接合分離部の耐圧低下
が生じる。この接合分離部の耐圧低下を防ぐため、エピ
タキシャル層２の濃度を下げるか、あるいは酸化膜５の
厚さを大きくする構造がとられている。

〔発明が濯決しようとする問題点〕

上述した従来の半導体装置における配線の交差構造は、
エピタキシャル層の濃度を低下させた構造とすると、空
乏層の広がりが大きくなるため、エピタキシャル層の厚
さを増大させねばならないため、コストアップおよび接
合分離用拡散層の熱処理時間が大となるなどの欠点があ
る。また、酸化膜厚を増大させた構造とすると、他の低
電圧集積回路での製造条件と異った製造条件となり、製
造上の管理の複雑さが増すという欠点がある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明によれば、接合分離拡散領域を有する半導体基板
上にこの半導体基板に対して電位差の大きい配線を複数
有し、これらの複数の配線の交差を前記接合分離また拡
散領域上で行った交差配配線を有する半導体装置を得る
。

〔実施例〕

次に、図面を参照して本発明をより詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例の縦断面図である。

ｌはＰ形半導体基板、２はＮ形エピタキシャル層、３は
接合分離のＰ形層、４は空乏層、５は酸化膜、６は絶縁
層、７はポリシリコン配線、８は第１の高圧配線、９は
第２の高圧配線である。酸化膜５の膜厚及び絶縁層６の
厚さは共に約１μｍである。２つの高圧配線８，９は、
一方にポリシリコン配線７を用いて他方と接触すること
なく交差する。高圧配線８とＮ形エピタキシャル層２ま
での間隔は約２μｍである。このため、空乏層４はＮ形
エピタキシャル層２の表面付近で曲ることなく、充分な
幅をもつので耐圧を維持できる。

第２図は本発明の他の実施例を縦断面図である。

１０はＮ形半導体基板、１１はＰ形エピタキシャル層、
１２は接合分離のＮ形層、１３は第１の低圧配線、１４
は第２の低圧配線である。この実施例では高圧でバイア
スされたＮ形基板１０を用いた半導体装置において低圧
の配線１３，１４をそ−の接合分離拡散層１２上で交差
させることにより、接合分離部の耐圧低下を防止する利
点がある。

〔発明の効゛果〕

以上説明したように、本発明は、高耐圧集積回路におい
て、接合分離用拡散層上で基板との電位差の大きい複数
の配線を交差させることにより、基板に対して逆導電型
エピタキシャル層の表面付近で空乏層を曲げないため、
これによって接合分離部の耐圧を維持することができる
効果がある。

本発明は、製造工程を増すことなくこの接合部における
耐圧を上げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の縦断面図、第２図は本発明
の他の実施例の縦断面図、第３図は従来の半導体装置の
縦断面図である。 ｌ・・・・・・Ｐ形半導体基板、２・・・・・・Ｎ形エ
ピタキシャル層、３・・・・・・接合分離用Ｐ膨拡散層
、４・・・・・・空乏層、訃・・・・・酸化膜、６・・
・・・・絶縁層、７・・団・ポリシリコン配線、８・・
・・・・第１の高圧配線、９・・団・第２の高圧配線、
１０・・・・・・Ｎ型基板、１１・・・・・・Ｐ形エピ
タキシャル層、１２・・・・・・接合分離用Ｎ膨拡散層
、１３・・・・・・第１の低圧配線、１４・・・・・・
第２の低圧配線。 代理人　弁理士　　内　原　　　音 箭　／図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　接合分離拡散層を有する半導体基板上に該半導体基板
   との電位差の大きい複数の配線層を有し、これら配線層
   を前記接合分離拡散層上で交差せしめたことを特徴とす
   る交差配線を有する半導体装置。