JPS6054171U - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
- Publication number
- JPS6054171U JPS6054171U JP14611183U JP14611183U JPS6054171U JP S6054171 U JPS6054171 U JP S6054171U JP 14611183 U JP14611183 U JP 14611183U JP 14611183 U JP14611183 U JP 14611183U JP S6054171 U JPS6054171 U JP S6054171U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- source
- tpt
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図イ９口は従来構造を示す上面図並びに断面図、第
２図イ９口は本考案装置の構造を示す上面図並びに断面
図であって、３はゲート電極、５はアモルファスシリコ
ン層、６，７はソース、ドレイン電極、を夫々示してい
る。
２図イ９口は本考案装置の構造を示す上面図並びに断面
図であって、３はゲート電極、５はアモルファスシリコ
ン層、６，７はソース、ドレイン電極、を夫々示してい
る。
Claims (1)
- 透明ガラス基板上に、ゲート電極、絶縁膜、アモルファ
スシリコン層、並びにソース、ドレイン電極を順次積層
してＴＰＴを形成すると共に、そのＴＰＴのソース、ド
レイン電極の何れか一方に透明表示電極を接続して構成
した液晶ストリツクス表示装置に於て、上記ソース、ド
レイン各電極をその間隔を略一定として互に折曲形成し
て成る液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611183U JPS6054171U (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14611183U JPS6054171U (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6054171U true JPS6054171U (ja) | 1985-04-16 |
| JPH0314652Y2 JPH0314652Y2 (ja) | 1991-04-02 |
Family
ID=30325328
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14611183U Granted JPS6054171U (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6054171U (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233858A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH0225038A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Seikosha Co Ltd | シリコン薄膜トランジスタおよびシリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2011233882A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP14611183U patent/JPS6054171U/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60233858A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-20 | Nec Corp | 薄膜トランジスタ |
| JPH0225038A (ja) * | 1988-07-13 | 1990-01-26 | Seikosha Co Ltd | シリコン薄膜トランジスタおよびシリコン薄膜トランジスタの製造方法 |
| JP2011233882A (ja) * | 2010-04-07 | 2011-11-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | トランジスタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0314652Y2 (ja) | 1991-04-02 |
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