JPS6055344A - ガラスマスク - Google Patents
ガラスマスクInfo
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- JPS6055344A JPS6055344A JP58162519A JP16251983A JPS6055344A JP S6055344 A JPS6055344 A JP S6055344A JP 58162519 A JP58162519 A JP 58162519A JP 16251983 A JP16251983 A JP 16251983A JP S6055344 A JPS6055344 A JP S6055344A
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- Japan
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- pattern
- mask
- glass
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- Pending
Links
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000000428 dust Substances 0.000 abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract description 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 abstract 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、集積回路製造におけるフォトリン工程で使
用されるガラスマスクに関するものである。
用されるガラスマスクに関するものである。
（従来技術）
従来のガラスマスクを第１図に示す。この図のように従
来のガラスマスクは、ガラス基板１上に、金属膜または
金属酸化膜からなるマスクパターン２を形成して構成さ
れる。
来のガラスマスクは、ガラス基板１上に、金属膜または
金属酸化膜からなるマスクパターン２を形成して構成さ
れる。
このようなガラスマスクにおいては、第２図に示すよう
に、マスクパターン２にゴミ３が付着する。また、第３
図に示すように、マスクパターン２に傷によってマスク
パターン欠陥４が生じることがある。そして、これらが
生じた場合、シリコンウェハ上のレジストにマスクパタ
ーン２を転写させると、レジスト上にゴミ３やノ４ター
ン欠陥４も転写され、正常なパターンが得られない。し
たがって、集積回路の歩留り低下につながるという欠点
があった。
に、マスクパターン２にゴミ３が付着する。また、第３
図に示すように、マスクパターン２に傷によってマスク
パターン欠陥４が生じることがある。そして、これらが
生じた場合、シリコンウェハ上のレジストにマスクパタ
ーン２を転写させると、レジスト上にゴミ３やノ４ター
ン欠陥４も転写され、正常なパターンが得られない。し
たがって、集積回路の歩留り低下につながるという欠点
があった。
そこで、ゴミ３に関しては、ガラスマスクを洗浄するこ
とによシ除去している。しかるに、洗浄を行うとマスク
パターン２が薄くなったシ傷つくため、洗浄をくり返す
ことでガラスマスクの寿命が低下してしまう。さらに、
洗浄工程の追加は、生産性の低下につながる。
とによシ除去している。しかるに、洗浄を行うとマスク
パターン２が薄くなったシ傷つくため、洗浄をくり返す
ことでガラスマスクの寿命が低下してしまう。さらに、
洗浄工程の追加は、生産性の低下につながる。
（発明の目的）
この発明は上記の点に鑑みなされたもので、パターン欠
陥の発生を防止でき、しかも付着したゴミがシリコンウ
ェハ上のレジストに転写されるのを防止できるガラスマ
スクを提供することを目的とする。
陥の発生を防止でき、しかも付着したゴミがシリコンウ
ェハ上のレジストに転写されるのを防止できるガラスマ
スクを提供することを目的とする。
（実施例）
以下この発明の一実施例を図面を、参照して説明する。
第４図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この
図において、１１は第１のガラス基板で、その一方の面
には、金属膜または金属酸化膜からなるマスクツやター
ン１２が形成される。このマスクパターン１２が形成さ
れた第１のガラス基板１１の一方の面には、殆ど密着す
るようにして第２のガラス基板１３が重ねられる。そし
て、この第２のガラス基板１３と前記第１のガラス基板
１１の周辺部は、たとえば接着剤１４によシ互いに接着
される。それにより、第１と第２のガラス基板１１．１
３間には、ゴミや薬液などが入らなくなる。
図において、１１は第１のガラス基板で、その一方の面
には、金属膜または金属酸化膜からなるマスクツやター
ン１２が形成される。このマスクパターン１２が形成さ
れた第１のガラス基板１１の一方の面には、殆ど密着す
るようにして第２のガラス基板１３が重ねられる。そし
て、この第２のガラス基板１３と前記第１のガラス基板
１１の周辺部は、たとえば接着剤１４によシ互いに接着
される。それにより、第１と第２のガラス基板１１．１
３間には、ゴミや薬液などが入らなくなる。
以上の説明から明らかなように、一実施例では、マスク
パターン１２が一対のガラス基板１１．１３間に存在す
る構造となる。したがって、ガラス基板１１．１３が防
護体となるから、ガラスマスク取扱い時に起る傷による
マスクパターン１２の欠陥（）ぐターン欠陥）は発生し
なくなる。
パターン１２が一対のガラス基板１１．１３間に存在す
る構造となる。したがって、ガラス基板１１．１３が防
護体となるから、ガラスマスク取扱い時に起る傷による
マスクパターン１２の欠陥（）ぐターン欠陥）は発生し
なくなる。
また、ゴミは直接マスクパターン１２に付着せず、たと
えば第５図に示すようにガラス基板１３の外側面に付着
する（第５図においては符号１５でゴミを示す）ので、
同図に示すように平行光線１６を用い−（マスクパター
ン１２ｉシリコンウエハ１７上のレジスト１８に転写す
る場合に、ゴミ１５は転写されなくなる。すなわち、ガ
ラス基板１３の外側面にゴミ１５が付着した場合、その
ゴミ１５とレジスト１８の表面の焦点距離ｆがΔｆ＝〔
ｄ；ガラス基板１３の厚さ）／［：ｎ；屈折率〕だけず
れるので、ゴミ１５は転写されなくなる。
えば第５図に示すようにガラス基板１３の外側面に付着
する（第５図においては符号１５でゴミを示す）ので、
同図に示すように平行光線１６を用い−（マスクパター
ン１２ｉシリコンウエハ１７上のレジスト１８に転写す
る場合に、ゴミ１５は転写されなくなる。すなわち、ガ
ラス基板１３の外側面にゴミ１５が付着した場合、その
ゴミ１５とレジスト１８の表面の焦点距離ｆがΔｆ＝〔
ｄ；ガラス基板１３の厚さ）／［：ｎ；屈折率〕だけず
れるので、ゴミ１５は転写されなくなる。
ゆえに、上記一実施例によれば、正常なマスクパターン
１２を転写できる。したがって、集積回路の良品歩留シ
を著しく向上させることができる。
１２を転写できる。したがって、集積回路の良品歩留シ
を著しく向上させることができる。
また、上述のように、付着したゴミ１５が転写されない
ということは、ゴミ１５を除去するための洗浄を省略で
きる。したがって、洗浄工程削除により集積回路製造の
生産性の向上を図ることができるとともに、ガラスマス
クの寿命の延長を図ることができる。勿論、この−実施
例のガラスマスクによれば、一対のガラス基板１１．１
３の間にマスクパターン１２が存在する構造であるから
、たとえ洗浄を行っても、それによシマスクノやターン
１２が薄くなったり傷ついたシすることがなく、寿命が
低下することはない。
ということは、ゴミ１５を除去するための洗浄を省略で
きる。したがって、洗浄工程削除により集積回路製造の
生産性の向上を図ることができるとともに、ガラスマス
クの寿命の延長を図ることができる。勿論、この−実施
例のガラスマスクによれば、一対のガラス基板１１．１
３の間にマスクパターン１２が存在する構造であるから
、たとえ洗浄を行っても、それによシマスクノやターン
１２が薄くなったり傷ついたシすることがなく、寿命が
低下することはない。
なお、以上のようなこの発明の一実施例のガラスマスク
においてマスクパターン１２の製法は、従来の製法と変
わることなく行えることは勿論でちゃ、またガラス基板
１１．１３を合わせることについても別に特殊な製造は
必要としない。
においてマスクパターン１２の製法は、従来の製法と変
わることなく行えることは勿論でちゃ、またガラス基板
１１．１３を合わせることについても別に特殊な製造は
必要としない。
（発明の効果）
以上詳述したようにこの発明のガラスマスクによれば、
互いに重ねられた一対のガラス基板間においてマスクパ
ターンを設けるようにしたので、寿命の延長を図ること
ができるとともに、正常なパターンをシリコンウェハ上
のレジストに転写して集積回路の良品歩留りを著しく向
上させることができ、さらには集積回路製造の生産性の
同上を図ることができる。
互いに重ねられた一対のガラス基板間においてマスクパ
ターンを設けるようにしたので、寿命の延長を図ること
ができるとともに、正常なパターンをシリコンウェハ上
のレジストに転写して集積回路の良品歩留りを著しく向
上させることができ、さらには集積回路製造の生産性の
同上を図ることができる。
第１図株従来のガラスマスクを示す断面図、第２図はゴ
ミが付着した従来のガラスマスクを示を断面図、第３図
はマスクパターン欠陥が生じた従来のガラスマスクを示
す断面図、第４図はこの発明のガラスマスクの一実施例
を示す断面図、第５図はゴミが付着したこの発明の一実
施例のガラス−ｒ スフＫ ヨりマスクパターンをシリ
コンウェハ上のレジストに転写する時の状態−を示す断
面図である。 １１・・・第１のガラス基板、１２・・・マスクパター
ン、１３・・・第２のガラス基板。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （ほか１名）第 １
図 ２ 第２図 ス 第５図 １ ３２１−
ミが付着した従来のガラスマスクを示を断面図、第３図
はマスクパターン欠陥が生じた従来のガラスマスクを示
す断面図、第４図はこの発明のガラスマスクの一実施例
を示す断面図、第５図はゴミが付着したこの発明の一実
施例のガラス−ｒ スフＫ ヨりマスクパターンをシリ
コンウェハ上のレジストに転写する時の状態−を示す断
面図である。 １１・・・第１のガラス基板、１２・・・マスクパター
ン、１３・・・第２のガラス基板。 特許出願人 沖電気工業株式会社 （ほか１名）第 １
図 ２ 第２図 ス 第５図 １ ３２１−
Claims (1)
- 互いに重ねられた一対のガラス基板間においてマスクパ
ターンを有することを特徴とするガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162519A JPS6055344A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | ガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58162519A JPS6055344A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | ガラスマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055344A true JPS6055344A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15756159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58162519A Pending JPS6055344A (ja) | 1983-09-06 | 1983-09-06 | ガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055344A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106358397A (zh) * | 2015-07-13 | 2017-01-25 | 加藤电机（香港）有限公司 | 盖体开合装置及具备此盖体开合装置的设备 |
-
1983
- 1983-09-06 JP JP58162519A patent/JPS6055344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106358397A (zh) * | 2015-07-13 | 2017-01-25 | 加藤电机（香港）有限公司 | 盖体开合装置及具备此盖体开合装置的设备 |
| CN106358397B (zh) * | 2015-07-13 | 2020-07-03 | 加藤电机（香港）有限公司 | 盖体开合装置及具备此盖体开合装置的设备 |
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