JPS58214154A - フオトマスク - Google Patents
フオトマスクInfo
- Publication number
- JPS58214154A JPS58214154A JP57098063A JP9806382A JPS58214154A JP S58214154 A JPS58214154 A JP S58214154A JP 57098063 A JP57098063 A JP 57098063A JP 9806382 A JP9806382 A JP 9806382A JP S58214154 A JPS58214154 A JP S58214154A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- thin film
- transparent
- ultraviolet light
- chromium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 12
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- LJAOOBNHPFKCDR-UHFFFAOYSA-K chromium(3+) trichloride hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cr+3] LJAOOBNHPFKCDR-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/38—Masks having auxiliary features, e.g. special coatings or marks for alignment or testing; Preparation thereof
- G03F1/48—Protective coatings
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造ｒ：、程中のフォトレジスト
工程に用いるフォトマスクに関するものである。
工程に用いるフォトマスクに関するものである。
・１ｎ常、半導体装Ｉ４の喪造工程中のフォトレジスト
処理に用いるフォトマスクは紫外光を透過し１樟る透明
基板の一方の表面に感光剤の感光波長域の紫外光を線断
する目的で金属薄膜画像を形成させたフォトマスクをウ
ェハー上に形成された１１＆光剤イ皮考崖被１（４に密
層させて用いている。
処理に用いるフォトマスクは紫外光を透過し１樟る透明
基板の一方の表面に感光剤の感光波長域の紫外光を線断
する目的で金属薄膜画像を形成させたフォトマスクをウ
ェハー上に形成された１１＆光剤イ皮考崖被１（４に密
層させて用いている。
第１図は、辿常のフォトマスクの１例の１所面図である
。
。
例えば、紫外光を透過し得る透明基板としてガラス基板
１の一方の衣■に感光剤の感光波長域の紫外光を遮ｊ析
する金属薄膜としてクロム４ＩｌＩＡを形成させ公知の
７オトレジスト処理により、クロム薄１藺画鐵２を形成
したものである。
１の一方の衣■に感光剤の感光波長域の紫外光を遮ｊ析
する金属薄膜としてクロム４ＩｌＩＡを形成させ公知の
７オトレジスト処理により、クロム薄１藺画鐵２を形成
したものである。
ｌｌＪ記フォトマスクを半導体装置の＃造工程中のフォ
トレジスト処理に用いた場合、ウェハーとフォトマスク
の密着、−扼離を繰返すことにより、フォトマスク表面
に感光剤がイ」着したり、ウェハー表面上に在る半導体
製造工程中に発生した屑や、突起物により、ガラス基板
１０辰面に１易が生じたりクロム薄膜−ＩＩ！２の欠落
が生じる。その結果、製品良品率を低下させ或いはフォ
トマスクの寿命を短縮させる原因となる。これを防ぐた
めにフォトマスクを洗浄する必要が生じるが洗浄の際に
ガラス基板ｌの表面とクロム薄膜−Ｉ＃２とによって形
成される段部に汚れが堆積し、これを取り除くことがな
かなか難しく洗浄能率を低下させる原因となる。また、
ガラス基板１．０表面に生じた鴎やクロム薄膜層Ｉ＃２
の欠落は致命的なフォトマスクの欠陥となり、製品良品
率の低下を招くため、フォトマスクの交換を強いられる
ことになり、フォトマスクの消費量の増大につながる。
トレジスト処理に用いた場合、ウェハーとフォトマスク
の密着、−扼離を繰返すことにより、フォトマスク表面
に感光剤がイ」着したり、ウェハー表面上に在る半導体
製造工程中に発生した屑や、突起物により、ガラス基板
１０辰面に１易が生じたりクロム薄膜−ＩＩ！２の欠落
が生じる。その結果、製品良品率を低下させ或いはフォ
トマスクの寿命を短縮させる原因となる。これを防ぐた
めにフォトマスクを洗浄する必要が生じるが洗浄の際に
ガラス基板ｌの表面とクロム薄膜−Ｉ＃２とによって形
成される段部に汚れが堆積し、これを取り除くことがな
かなか難しく洗浄能率を低下させる原因となる。また、
ガラス基板１．０表面に生じた鴎やクロム薄膜層Ｉ＃２
の欠落は致命的なフォトマスクの欠陥となり、製品良品
率の低下を招くため、フォトマスクの交換を強いられる
ことになり、フォトマスクの消費量の増大につながる。
本発明け、フォトマスクの微細−Ｉ象の形成された側の
表面に１ｍ単な処理を施すことにより、フォトマスクの
洗浄能率の向上及び消費量の低減を提供するものである
。
表面に１ｍ単な処理を施すことにより、フォトマスクの
洗浄能率の向上及び消費量の低減を提供するものである
。
本発明によるフォトマスクは紫外光を透過し得る透明基
板の一方の表面及び同−而に形成された感光剤の感光波
長域の紫外光を遮ｌ析する金属薄膜画慮上に紫外光を透
過し得る透明薄膜層を形成させたことを特徴とする。
板の一方の表面及び同−而に形成された感光剤の感光波
長域の紫外光を遮ｌ析する金属薄膜画慮上に紫外光を透
過し得る透明薄膜層を形成させたことを特徴とする。
以下、本発明を実施例により説明する。
第２図は、本発明の１実、流刑によるフォトマスクの１
＠面図である。第２図に示すようにノ享さ２朋のガラス
安板１１の一方の表面に公知の蒸着法まを形成し、公知
の７オトレジスト処理により、所望のクロム傅嗅画鐵１
２を形成した鎌、該クロム薄膜層１象１２上及び前記ク
ロム４膜画１象１２を形成した同−而のカラス基板１１
の表向にプラズマ気相成長により１＋１えば、５０００
Ａのシリコン窒化膜層１３を形成する。この結果ガラス
基板１１の表面とクロム薄膜画像１２とによって形成さ
れる段部がなだらかＫなる。しかる後半導体製、癒工程
中のフォトレジスト処理に用いた場合尚該表圓はガラス
基板１１とクロム薄膜画家１２とによって形成される段
部がなだらかになっているのでウェハーとフォトマスク
の笛着、黍離を禰返すことによって、フォトマスクに付
着した感光剤を除去するための洗浄の際汚れが落ち易く
なる。また、ウェハー表面に在る屑や、突起物によって
、生じるガラス基板表面の傷や、クロム薄；漢画像の欠
落も透明薄膜層により、その発生を防ぐことができる。
＠面図である。第２図に示すようにノ享さ２朋のガラス
安板１１の一方の表面に公知の蒸着法まを形成し、公知
の７オトレジスト処理により、所望のクロム傅嗅画鐵１
２を形成した鎌、該クロム薄膜層１象１２上及び前記ク
ロム４膜画１象１２を形成した同−而のカラス基板１１
の表向にプラズマ気相成長により１＋１えば、５０００
Ａのシリコン窒化膜層１３を形成する。この結果ガラス
基板１１の表面とクロム薄膜画像１２とによって形成さ
れる段部がなだらかＫなる。しかる後半導体製、癒工程
中のフォトレジスト処理に用いた場合尚該表圓はガラス
基板１１とクロム薄膜画家１２とによって形成される段
部がなだらかになっているのでウェハーとフォトマスク
の笛着、黍離を禰返すことによって、フォトマスクに付
着した感光剤を除去するための洗浄の際汚れが落ち易く
なる。また、ウェハー表面に在る屑や、突起物によって
、生じるガラス基板表面の傷や、クロム薄；漢画像の欠
落も透明薄膜層により、その発生を防ぐことができる。
一方、透明４膜層に欠陥が生じた場合は加熱リン酸によ
り透明薄膜層をエツチング１余去し、再び形成し、フォ
トレジスト処理に１！２用することができる。
り透明薄膜層をエツチング１余去し、再び形成し、フォ
トレジスト処理に１！２用することができる。
に記友流刑では、ガラス基板を透明基板の材料として用
いる場合を示したが、石英基板など蓄外光を透過するも
のであれば限定するものではない。
いる場合を示したが、石英基板など蓄外光を透過するも
のであれば限定するものではない。
また、金属薄、嗅の材料としてクロムを用いたが、藪化
クロムまたはクロムと酸化クロムの２層構造などのよう
に感光剤の感光波長域の紫外光を４断する材質であれば
特に限定しない。また、透明薄喚ｌ瘤の材料としてシリ
コン窒化膜を用いたが、シリコン１唆化嗅など、感光剤
の１光波長域の紫外光を透過し得る材質であれば特に限
定しない。
クロムまたはクロムと酸化クロムの２層構造などのよう
に感光剤の感光波長域の紫外光を４断する材質であれば
特に限定しない。また、透明薄喚ｌ瘤の材料としてシリ
コン窒化膜を用いたが、シリコン１唆化嗅など、感光剤
の１光波長域の紫外光を透過し得る材質であれば特に限
定しない。
以上詳細に説明したように本発明によるフォトマスクを
半導体装置の製造工程中のフォトレジスト処理に用いた
場合、フォトマスクの洗浄能率の向上及び消費量の低域
を計ることができる。
半導体装置の製造工程中のフォトレジスト処理に用いた
場合、フォトマスクの洗浄能率の向上及び消費量の低域
を計ることができる。
第１図は通常のフォトマスクのり１而図である。
Ｊ２図は本発明のＩ実ＩＭ列のフォトマスクの断面図で
ある。 なお図において、ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・
・・・クロム薄ｉ換画１ψ、１１・・・・・・ガラス基
板、２２・・・・・・りＯムｌ１１１に画＋１．１３・
・・・・・シリコン窒化１１〆、である。
ある。 なお図において、ｌ・・・・・・ガラス基板、２・・・
・・・クロム薄ｉ換画１ψ、１１・・・・・・ガラス基
板、２２・・・・・・りＯムｌ１１１に画＋１．１３・
・・・・・シリコン窒化１１〆、である。
Claims (1)
- 透明基板の一切の上衣面上に感光剤の感光波長域の紫外
光を遮断する金属薄膜ｕｌｌｉｉ’ｌが設けられ、核金
属ノ孝膜画障が設けられた側の前記遺明羞阪主表面上に
前記紫外光を透過する透明４模１−が設けられているこ
とを特徴とするフォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098063A JPS58214154A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | フオトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57098063A JPS58214154A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | フオトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58214154A true JPS58214154A (ja) | 1983-12-13 |
Family
ID=14209863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57098063A Pending JPS58214154A (ja) | 1982-06-08 | 1982-06-08 | フオトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58214154A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168085A3 (en) * | 2000-06-19 | 2005-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Reference plate for exposure apparatus |
-
1982
- 1982-06-08 JP JP57098063A patent/JPS58214154A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1168085A3 (en) * | 2000-06-19 | 2005-12-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Reference plate for exposure apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI226971B (en) | Photomask blank and photomask | |
| US4081314A (en) | Method of making a scratch-resistant mask for photolithographic processing | |
| JPS58214154A (ja) | フオトマスク | |
| US3986876A (en) | Method for making a mask having a sloped relief | |
| EP1310827B1 (en) | Photomask with dust-proofing device and exposure method using the same | |
| JPH05107744A (ja) | フオトマスクの異物除去方法 | |
| US20120154771A1 (en) | Immersion multiple-exposure method and immersion exposure system for separately performing multiple exposure of micropatterns and non-micropatterns | |
| JPS6087327A (ja) | クロムマスクの製造方法 | |
| JPS6218560A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPS5878151A (ja) | フオトマスク | |
| JP2004020710A (ja) | 光学素子の製造方法 | |
| JPS6270849A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPS6140100B2 (ja) | ||
| JPH04104153A (ja) | マスクの製造方法 | |
| US20050260503A1 (en) | Reticle film stabilizing method | |
| JPH01167758A (ja) | ホトマスク | |
| JPS61107350A (ja) | フオトマスクブランクとフオトマスク | |
| JPS61267762A (ja) | フォトマスクブランクとフォトマスクの製造方法 | |
| JPH1115141A (ja) | マスク基板の製造方法 | |
| JPS6055344A (ja) | ガラスマスク | |
| JPH03265121A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0350522Y2 (ja) | ||
| JPH0551893B2 (ja) | ||
| JPH0493943A (ja) | レティクル | |
| JPH04324445A (ja) | 露光用マスクおよびその製造方法 |