JPS6055352A - 電子写真感光体の製造方法 - Google Patents
電子写真感光体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6055352A JPS6055352A JP16317483A JP16317483A JPS6055352A JP S6055352 A JPS6055352 A JP S6055352A JP 16317483 A JP16317483 A JP 16317483A JP 16317483 A JP16317483 A JP 16317483A JP S6055352 A JPS6055352 A JP S6055352A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- amt
- sensitive body
- electrophotographic sensitive
- ratio
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
本発明は残留電位が低く、且つ高い帯電能を有する非晶
質シリコン感光体の製造方法に関するものである。
質シリコン感光体の製造方法に関するものである。
（従来技術）
非晶質シリコンａ−８ｉで電子写真感光体を作製するに
は通常Ｓ ＩＨ４のグロー放電分解が用いられる。
は通常Ｓ ＩＨ４のグロー放電分解が用いられる。
この場合例もドーグしないａ−８ｉは抵抗率が通常１０
１０Ω個以下であるために、表面に電荷を保持すること
ができない。そこで酸素あるいは窒素をドーグして膜を
高抵抗化する方法、またはａ−８ｉ層の表面あるいは基
板との界面にａ −ＳｉＣ，ａ−８ｉＮ 。
１０Ω個以下であるために、表面に電荷を保持すること
ができない。そこで酸素あるいは窒素をドーグして膜を
高抵抗化する方法、またはａ−８ｉ層の表面あるいは基
板との界面にａ −ＳｉＣ，ａ−８ｉＮ 。
ａ−８ｉＯｘなどの高抵抗物質、あるいは表面電荷の正
負によって、ｎ型もしくはｐ型のａ−３ｉ層を設けて、
表面、基板からの電荷の注入を阻止する方法を用いて必
要な帯電能を得ている。この電荷阻止層は、物質、製法
、目的によシ数１００ Ｘ−１μｍの膜厚が用いられる
。
負によって、ｎ型もしくはｐ型のａ−３ｉ層を設けて、
表面、基板からの電荷の注入を阻止する方法を用いて必
要な帯電能を得ている。この電荷阻止層は、物質、製法
、目的によシ数１００ Ｘ−１μｍの膜厚が用いられる
。
一方中間のａ−３ｉ層に要求される条件としては、第１
に光を当てない場合には、熱キャリアの発生が少なく暗
減衰時間の長いこと、第２に光を蟲てた場合には、発生
した光キャリアを途中で捕獲せずに界面まですみやかに
輸送することが要求される。しかしａ−３ｉ膜をプラズ
マＣＶＤ ’（グロー放電法）によって作製する場合、
第１の要件と第２の要件とは相反する条件となる。それ
はａ−８ｉを電子写真感光体として用いる場合には充分
な帯電能を得るために通常２０μｍ程度以上の膜厚が必
要なため、高速成長（〜１０／−程度以上）で作製する
。すると、太陽電池・光センサ等に用いられるａ−８ｔ
のように低速で作製したものよりも種々の欠陥（５ｉＨ
ｎ（ｎ＝２ 、３ ）がつくる準位、ダングリングボン
ド、マイクロボイド等）が多い。その結果、第１の要件
はほぼ満足しても第２の要件の条件は満足されない。特
に正帯電の場合、ａ−８ｉ層中に正孔に対する深い捕獲
準位が存在すると、そこに獲えられた正孔は熱により再
び励起され難く残留電位の原因になると考えられる。
に光を当てない場合には、熱キャリアの発生が少なく暗
減衰時間の長いこと、第２に光を蟲てた場合には、発生
した光キャリアを途中で捕獲せずに界面まですみやかに
輸送することが要求される。しかしａ−３ｉ膜をプラズ
マＣＶＤ ’（グロー放電法）によって作製する場合、
第１の要件と第２の要件とは相反する条件となる。それ
はａ−８ｉを電子写真感光体として用いる場合には充分
な帯電能を得るために通常２０μｍ程度以上の膜厚が必
要なため、高速成長（〜１０／−程度以上）で作製する
。すると、太陽電池・光センサ等に用いられるａ−８ｔ
のように低速で作製したものよりも種々の欠陥（５ｉＨ
ｎ（ｎ＝２ 、３ ）がつくる準位、ダングリングボン
ド、マイクロボイド等）が多い。その結果、第１の要件
はほぼ満足しても第２の要件の条件は満足されない。特
に正帯電の場合、ａ−８ｉ層中に正孔に対する深い捕獲
準位が存在すると、そこに獲えられた正孔は熱により再
び励起され難く残留電位の原因になると考えられる。
（発明の目的）
本発明はとのａ−３ｉ層に微量のホウ素をドーグするこ
とによシ上記の欠点を解決したものであシ、以下詳細に
説明する。
とによシ上記の欠点を解決したものであシ、以下詳細に
説明する。
（発明の構成）
以下に実施例によって具体的に説明する。
第１図に電荷阻止型の正帯電用ａ−８ｔ感光体の一例を
示す。第１層はノボラン（Ｂ２Ｈ６）を１１００ｐｐ程
度ドーフ０したｐ型ａ−８ｉ層で厚さは約０．５μｍで
基板からの電子の注入を阻止する。また、第３層はａ
−ＳｉＣ層でその厚さが約０．１μｍで表面からの正孔
の注入の阻止及び表面の安定化の働きをする。
示す。第１層はノボラン（Ｂ２Ｈ６）を１１００ｐｐ程
度ドーフ０したｐ型ａ−８ｉ層で厚さは約０．５μｍで
基板からの電子の注入を阻止する。また、第３層はａ
−ＳｉＣ層でその厚さが約０．１μｍで表面からの正孔
の注入の阻止及び表面の安定化の働きをする。
第２層の中間層はａ−８ｉ層であり、この中間層は、ノ
ボランとシランとをグロー放電室へ導入することによっ
て約２０μｍの厚さに形成し、その導入ガス比（Ｂ ２
Ｈ６／Ｓ ’Ｈ４）は約０．４ｐｐｍとし、従ってポロ
ンとＳｔとの比は約０．８ｐｐｍとする。こうして作成
した電子写真感光体の初期表面電位は約３００ボルト（
但し、コロナ放電電圧は＋７にボルト）であり、ポロン
無添加の初期表面電位（約３３０ボルト）から余シ低下
しておらず、又、残留電位は約２０ボルト（但し、入射
波長は６５０ ｎｍ ）であシ、ボロン無添加の残留電
位（約１００ボルト）から大きく低下している。
ボランとシランとをグロー放電室へ導入することによっ
て約２０μｍの厚さに形成し、その導入ガス比（Ｂ ２
Ｈ６／Ｓ ’Ｈ４）は約０．４ｐｐｍとし、従ってポロ
ンとＳｔとの比は約０．８ｐｐｍとする。こうして作成
した電子写真感光体の初期表面電位は約３００ボルト（
但し、コロナ放電電圧は＋７にボルト）であり、ポロン
無添加の初期表面電位（約３３０ボルト）から余シ低下
しておらず、又、残留電位は約２０ボルト（但し、入射
波長は６５０ ｎｍ ）であシ、ボロン無添加の残留電
位（約１００ボルト）から大きく低下している。
第２図は、Ｂ２Ｈ６とＳｉＨ４とのガス導入比に対する
、初期表面電位Ｖ８ｏ及び残留電位Ｖｒの傾向を示すも
のであシ、成長速度によって左右される中間層の膜質に
よっても異なるけれども、０．ｌｐｐｍ〜１ ｐｐｍ
（ｙｊｅロンとシリコンとの比でＵｏ、２ｐｐｍ〜２
ｐｐｍ ）の範囲であれば、初期表面電位は余シ低下せ
ず、残留電位を大きく低下させることができ、成長条件
の変動を考慮すると、０．２ｐｐｍ〜０．５ ｐｐｍ（
ボロンとシリコンとの比で、０．４ｐｐｍ〜ｌｐｐｍ）
が最適である。
、初期表面電位Ｖ８ｏ及び残留電位Ｖｒの傾向を示すも
のであシ、成長速度によって左右される中間層の膜質に
よっても異なるけれども、０．ｌｐｐｍ〜１ ｐｐｍ
（ｙｊｅロンとシリコンとの比でＵｏ、２ｐｐｍ〜２
ｐｐｍ ）の範囲であれば、初期表面電位は余シ低下せ
ず、残留電位を大きく低下させることができ、成長条件
の変動を考慮すると、０．２ｐｐｍ〜０．５ ｐｐｍ（
ボロンとシリコンとの比で、０．４ｐｐｍ〜ｌｐｐｍ）
が最適である。
（発明の効果）
本発明によれば、ａ−８ｔの膜質に応じた最適なホウ素
量を見い出してドープすれば初期表面電位を低下させず
に残留電位を小さくできる。
量を見い出してドープすれば初期表面電位を低下させず
に残留電位を小さくできる。
第１図は、電荷阻止型ａ−８ｉ感光体の構造を示す簡略
断面図、第２図は、初期表面電位（Ｖｓｏ ）と残留電
位（Ｖｒ）のホウ素ドーグ量依存性を示す特性図である
。 特許出願人 沖電気工業株式会社 ４２２− 第１図 第２図 手続補正書（睦） 】、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６３１７４号２ 発明の名
称 電子写真感光体の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号４、代理人 住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第１７行目から第１８行目に「第
１の要件と第２の要件とは」とあるのを「第１の条件と
第２の条件とは」と補正する。 （２）同１第３頁第６行目に「第１の要件は」とあるの
を「第１の条件は」と補正する。 （３） 同省第３頁第６行目に「第２の要件の条件は」
とあるのを「第２の条件は」と補正する。 （４） 図面「第２図」を別紙のとおシ補正する。
断面図、第２図は、初期表面電位（Ｖｓｏ ）と残留電
位（Ｖｒ）のホウ素ドーグ量依存性を示す特性図である
。 特許出願人 沖電気工業株式会社 ４２２− 第１図 第２図 手続補正書（睦） 】、事件の表示 昭和５８年 特 許 願第１６３１７４号２ 発明の名
称 電子写真感光体の製造方法 ３ 補正をする者 事件との関係 特許出願人 任 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号４、代理人 住 所（〒１０５） 東京都港区虎ノ門１丁目７番１２
号６、補正の内容 （１） 明細書第２頁第１７行目から第１８行目に「第
１の要件と第２の要件とは」とあるのを「第１の条件と
第２の条件とは」と補正する。 （２）同１第３頁第６行目に「第１の要件は」とあるの
を「第１の条件は」と補正する。 （３） 同省第３頁第６行目に「第２の要件の条件は」
とあるのを「第２の条件は」と補正する。 （４） 図面「第２図」を別紙のとおシ補正する。
Claims (1)
- 表面と導電性基板の界面との両方或いはいずれか一方に
電荷阻止層を有し、中間層が非晶質シリコンである電子
写真感光体の製造方法において、ボロンとシリコンとの
比を０．２ｐｐｍ〜２ｐｐｍとしたガスをグロー放電室
へ導入して前記中間層を形成することを特徴とした電子
写真感光体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16317483A JPS6055352A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
| US06/645,139 US4533564A (en) | 1983-09-07 | 1984-08-28 | Method of manufacturing an electrophotographic photoreceptor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16317483A JPS6055352A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055352A true JPS6055352A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15768645
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16317483A Pending JPS6055352A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 電子写真感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055352A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660444A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5888115A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58215656A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16317483A patent/JPS6055352A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5660444A (en) * | 1979-10-23 | 1981-05-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electrophotographic receptor |
| JPS5888115A (ja) * | 1981-11-17 | 1983-05-26 | Canon Inc | 光導電部材 |
| JPS58215656A (ja) * | 1982-06-09 | 1983-12-15 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 記録体 |
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