JPS61238064A - アモルフアス電子写真感光体 - Google Patents
アモルフアス電子写真感光体Info
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- JPS61238064A JPS61238064A JP7838585A JP7838585A JPS61238064A JP S61238064 A JPS61238064 A JP S61238064A JP 7838585 A JP7838585 A JP 7838585A JP 7838585 A JP7838585 A JP 7838585A JP S61238064 A JPS61238064 A JP S61238064A
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- JP
- Japan
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- layer
- amorphous
- resistance
- region
- xcx
- Prior art date
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- Granted
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は光例えば紫外光線、可視光線、赤外光線、Ｘ線
、γ線などのような電磁波に感受性を有する光導電部材
に関するものである。
、γ線などのような電磁波に感受性を有する光導電部材
に関するものである。
（従来技術およびその問題点）
固体撮像装置或いは像形成分野における電子写真用像形
成部材や、原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては以下に述べる特性が要求される。即ち
■高感度であること、■ＳＮ比（光電流（工ｐ）／暗電
流（工□）が高いこと、■照射する電磁波のスペクトル
特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること
、■光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、■固
体撮像装置においては残像を所定時間内に容易に処理で
きること、■特に事務用として使用される電子写真装置
用としては操作者に対して無公害であることなどの特性
が要求される。
成部材や、原稿読取装置における光導電層を形成する光
導電材料としては以下に述べる特性が要求される。即ち
■高感度であること、■ＳＮ比（光電流（工ｐ）／暗電
流（工□）が高いこと、■照射する電磁波のスペクトル
特性にマツチングした吸収スペクトル特性を有すること
、■光応答性が速く所望の暗抵抗値を有すること、■固
体撮像装置においては残像を所定時間内に容易に処理で
きること、■特に事務用として使用される電子写真装置
用としては操作者に対して無公害であることなどの特性
が要求される。
そこで従来の光導電材料に比べて上記のような各種の要
件を多く満すものとして非晶質半導体例えばアモルファ
スシリコン（以下ａ−ｓｉｃと表記する場合がある）が
注目され、例えば特開昭５４−７８１３５号、特開昭５
４−８６５４１号としてその技術が公開されている。し
かし従来のアモルファスシリコンにより構成された光導
電層を有する光導電部材では、高速プリンタ例えば最近
普及し始めつつある高速レーザプリンタ用としては光感
度が不十分である。
件を多く満すものとして非晶質半導体例えばアモルファ
スシリコン（以下ａ−ｓｉｃと表記する場合がある）が
注目され、例えば特開昭５４−７８１３５号、特開昭５
４−８６５４１号としてその技術が公開されている。し
かし従来のアモルファスシリコンにより構成された光導
電層を有する光導電部材では、高速プリンタ例えば最近
普及し始めつつある高速レーザプリンタ用としては光感
度が不十分である。
そこで従来から例えば第１図のように支持体（Ｓ）。
キャリア発生層（０（ｎ型）９表面保護層（ＳＧ）＋９
層などからなる例えば電子写真用感光体においては、そ
の耐圧を上げることにより光感度を向上させ、また酸素
、炭素、窒素ガスなどの導入により暗抵抗の適正化を図
って光感度を上昇させることが行われている。
層などからなる例えば電子写真用感光体においては、そ
の耐圧を上げることにより光感度を向上させ、また酸素
、炭素、窒素ガスなどの導入により暗抵抗の適正化を図
って光感度を上昇させることが行われている。
しかし従来の光導電部材のようにＰ−ｎ接合を逆バイア
ス状態で使用するもの、即ちｐ −ｎ接合のｎ側に正の
高電圧を印加する方法では、第２図に示すエネルギバン
ド図のようにキャリア発生層＋（１（ｎ層）が耐圧保持
層を兼ねる。そのため光吸収係数を上げるべくキャリヤ
発生層（（ｌに光学的バンドギャップの小さい材料を用
いた場合には、耐圧を十分にとれず光感度の向上を充分
図り得ない。
ス状態で使用するもの、即ちｐ −ｎ接合のｎ側に正の
高電圧を印加する方法では、第２図に示すエネルギバン
ド図のようにキャリア発生層＋（１（ｎ層）が耐圧保持
層を兼ねる。そのため光吸収係数を上げるべくキャリヤ
発生層（（ｌに光学的バンドギャップの小さい材料を用
いた場合には、耐圧を十分にとれず光感度の向上を充分
図り得ない。
即ちよく知られるように光感度を上げるためには光吸収
係数を上げることが必要であり、そのためには光学的エ
ネルギギャップ（以下Ｅｇｙｐｔと称することかある。
係数を上げることが必要であり、そのためには光学的エ
ネルギギャップ（以下Ｅｇｙｐｔと称することかある。
）を小さくする必要がある。一方これに対して耐圧を上
げるためにはＫｇｏｐｔの大きい材料を選ばなければな
らないとする背反的な条件がある。従って耐圧の向上の
ためには結局キャリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚くする方
法をとらざるを得ない。しかし現在以上に膜厚を大にす
ることは製造上困難であり、結局従来方法では現在以上
に光感度を上昇させることは困難である。
げるためにはＫｇｏｐｔの大きい材料を選ばなければな
らないとする背反的な条件がある。従って耐圧の向上の
ためには結局キャリヤ発生層（ｉ）の膜厚を厚くする方
法をとらざるを得ない。しかし現在以上に膜厚を大にす
ることは製造上困難であり、結局従来方法では現在以上
に光感度を上昇させることは困難である。
しかもこれに加えて酸素、炭素、窒素などの導入による
高暗抵抗化方法を、光照射によって発生したフォトキャ
リアにより光導電部材表面に電荷画像を形成する原理の
ものに採用した場合には、暗抵抗が著しく高くなるのを
防ぎ得ないため光感度の低下を招き、結果として転写画
像は白色部が灰色になって所謂黒色化を招く欠点がある
。
高暗抵抗化方法を、光照射によって発生したフォトキャ
リアにより光導電部材表面に電荷画像を形成する原理の
ものに採用した場合には、暗抵抗が著しく高くなるのを
防ぎ得ないため光感度の低下を招き、結果として転写画
像は白色部が灰色になって所謂黒色化を招く欠点がある
。
本発明は上記のようなアモルファス半導体による光導電
部材の諸欠点の一掃を図り、従来のものと比較して特に
光感度にすぐれ（例えば従来の１０〜１００倍）、しか
も耐圧を向上できるアモルファス電子写真感光体の提供
を可能するものである。
部材の諸欠点の一掃を図り、従来のものと比較して特に
光感度にすぐれ（例えば従来の１０〜１００倍）、しか
も耐圧を向上できるアモルファス電子写真感光体の提供
を可能するものである。
（発明の概要）
本発明の主たる特徴とするところは、第５図（α）に示
す断面部分構造図のように、キャリヤ発生層（ｉＪを含
む層をコレクタ領域として、支持体（Ｓ）上に非晶質層
からなるエミツタ層（２））、ベース層（Ｂ）、コレク
タ層ｔＣ）をＣｖＤ方法により堆積して、エミッタ領域
（３）とベース領域ＣＢ）およびベース領域（Ｂｌとコ
レクタ領域（Ｃ）のキれぞれの接合部付近に空乏層が形
成される非晶質半導体からなる接合型トランジスタを形
成した点にある。
す断面部分構造図のように、キャリヤ発生層（ｉＪを含
む層をコレクタ領域として、支持体（Ｓ）上に非晶質層
からなるエミツタ層（２））、ベース層（Ｂ）、コレク
タ層ｔＣ）をＣｖＤ方法により堆積して、エミッタ領域
（３）とベース領域ＣＢ）およびベース領域（Ｂｌとコ
レクタ領域（Ｃ）のキれぞれの接合部付近に空乏層が形
成される非晶質半導体からなる接合型トランジスタを形
成した点にある。
そして光照射時キャリヤ発生層（ｉ）からベース領域０
３）に流れこむ正孔に対応してエミッタ領域（ト））か
ら電流増幅率βによって定まる増幅された電子流、即ち
表面電荷を放電するに必要な増幅された光電流を流しつ
るようにして光電流の増幅機能をもたせ、これＫより光
感度の向上を図るようにしたものである。即ち以上の非
晶質半導体からなるペテロ接合トランジスタでは、エミ
ツタ層＠）のエネルギギャップを大きくとれるため、電
流増幅率が大きく、非晶質層あるため、格子整合の自由
が結晶に比べて大きいので実現し易いと云う特徴を有す
る外、非晶質からなるので曲面や大面積の支持体上にも
容易に形成できるという利点を有する。
３）に流れこむ正孔に対応してエミッタ領域（ト））か
ら電流増幅率βによって定まる増幅された電子流、即ち
表面電荷を放電するに必要な増幅された光電流を流しつ
るようにして光電流の増幅機能をもたせ、これＫより光
感度の向上を図るようにしたものである。即ち以上の非
晶質半導体からなるペテロ接合トランジスタでは、エミ
ツタ層＠）のエネルギギャップを大きくとれるため、電
流増幅率が大きく、非晶質層あるため、格子整合の自由
が結晶に比べて大きいので実現し易いと云う特徴を有す
る外、非晶質からなるので曲面や大面積の支持体上にも
容易に形成できるという利点を有する。
また本発明では例えば第６図＋１））に示す断面部分構
造図のように、コレクタ層（Ｃｊがキャリヤ発生層（ｉ
）と一般に設けられる表面保護層（８Ｇ）との間に感光
体に光を導入できる耐圧保持層（ＶＨ）を設けることに
より、キャリヤ発生層（Ｚ）の膜厚を厚くすることなく
耐圧を保持できるように形成して、光感度の向上を図り
つるようにしたものである。
造図のように、コレクタ層（Ｃｊがキャリヤ発生層（ｉ
）と一般に設けられる表面保護層（８Ｇ）との間に感光
体に光を導入できる耐圧保持層（ＶＨ）を設けることに
より、キャリヤ発生層（Ｚ）の膜厚を厚くすることなく
耐圧を保持できるように形成して、光感度の向上を図り
つるようにしたものである。
次に本発明を実施例について説明する。
（実施例）
（構成）
第４図は高抵抗コレクタ領域をｎ型、ベース領域をｐ型
、エミッタ領域をｎ型とした電子写真感光体の例を示す
本発明の一実施例構成図である。
、エミッタ領域をｎ型とした電子写真感光体の例を示す
本発明の一実施例構成図である。
図において（Ｓ）は導電性支持体例えばアルミニウム製
ドラム、（樽はｎ＋α−８ｔ Ｉ ＸｘＯＸ ： Ｈ（
Ｘ ＝ ０．４〜０．６）テ作られたエミッタ領域であ
って、周期率表第５族元素例えば燐を高濃度にドープし
て膜厚が１００〜５０００Ａ、体積抵抗が１０２〜１ｏ
５ΩｃｒＩＬＫなるように選定される。しかしエネルギ
ギャップ内状態密度ｇ（Ｅ）や光学的エネルギギャップ
ＢｇＯｐｔに問題がなければできる限り低抵抗なことが
望ましい。
ドラム、（樽はｎ＋α−８ｔ Ｉ ＸｘＯＸ ： Ｈ（
Ｘ ＝ ０．４〜０．６）テ作られたエミッタ領域であ
って、周期率表第５族元素例えば燐を高濃度にドープし
て膜厚が１００〜５０００Ａ、体積抵抗が１０２〜１ｏ
５ΩｃｒＩＬＫなるように選定される。しかしエネルギ
ギャップ内状態密度ｇ（Ｅ）や光学的エネルギギャップ
ＢｇＯｐｔに問題がなければできる限り低抵抗なことが
望ましい。
なおこのときの光学的エネルギギャップＥｇｏｐｔは第
５図に示すエネルギバンド図のように２．４ｅＶになる
が、これはエネルギギャップ内状態密度ｇ国や体積抵抗
などが許す限り大きい方がよい。
５図に示すエネルギバンド図のように２．４ｅＶになる
が、これはエネルギギャップ内状態密度ｇ国や体積抵抗
などが許す限り大きい方がよい。
次にｆａｌｌはｐ＋α−８ｉ １−ｚ Ｏ２： Ｈ（Ｘ
＝ ０．２〜０．４）で作られたｐベース領域であって
、例えば電子写真感光体として使用され感光体表面に１
０００〜５００■の正の高電圧が印加されたとき、コレ
クタ側への空乏層がエミッタ側へ突きぬけて電位低下を
起さない程度の不純物密度と膜厚を得るように形成され
るが、トランジスタ動作をする限り薄いものがよく、高
濃度であったり厚かったりすると像流れや感度の低下な
どを引き起す。ここではオ６族元素例えばボロンをドー
プして体積抵抗を１０５〜１０’Ω・ｃｍ程度とし、膜
厚を１ｏｏ〜５ａａａ＾としているが、゛好ましくは１
ｏｏｏ−３ｏｏｏ；がよい。またエネルギギャップＥｇ
ｙｐｔは小さいものがよく、例えばａ−８ｉＧｅ：Ｈ，
ｃＬ−Ｇｅ ：ＨとＥｇｙｐｔが小さいもの程よいが、
こ＼では５０ Ｖ／μｍ程度の電界をかけて使用する電
子写真感光体を対象としているので、上記したα−８ｉ
１−ｚ Ｃｚ ： Ｈ（ｘ＝０．２〜０．４）膜を採
用し、光学的エネルギギャップＥｇＯｐｔを第５図のよ
うに１．９ ｅＶとした。
＝ ０．２〜０．４）で作られたｐベース領域であって
、例えば電子写真感光体として使用され感光体表面に１
０００〜５００■の正の高電圧が印加されたとき、コレ
クタ側への空乏層がエミッタ側へ突きぬけて電位低下を
起さない程度の不純物密度と膜厚を得るように形成され
るが、トランジスタ動作をする限り薄いものがよく、高
濃度であったり厚かったりすると像流れや感度の低下な
どを引き起す。ここではオ６族元素例えばボロンをドー
プして体積抵抗を１０５〜１０’Ω・ｃｍ程度とし、膜
厚を１ｏｏ〜５ａａａ＾としているが、゛好ましくは１
ｏｏｏ−３ｏｏｏ；がよい。またエネルギギャップＥｇ
ｙｐｔは小さいものがよく、例えばａ−８ｉＧｅ：Ｈ，
ｃＬ−Ｇｅ ：ＨとＥｇｙｐｔが小さいもの程よいが、
こ＼では５０ Ｖ／μｍ程度の電界をかけて使用する電
子写真感光体を対象としているので、上記したα−８ｉ
１−ｚ Ｃｚ ： Ｈ（ｘ＝０．２〜０．４）膜を採
用し、光学的エネルギギャップＥｇＯｐｔを第５図のよ
うに１．９ ｅＶとした。
次に（Ｃ）は高抵抗コレクタ領域であって、ベース領域
（ジ側からキャリヤ発生層ｆ□である高抵抗α−Ｊ：Ｈ
膜と、耐圧保持層（ＶＨ）である高抵抗α−Ｂｉｔ−Ｘ
ＯＸ：Ｈ（Ｘ −０，２〜α４）およびα−８１ｌ−Ｘ
ＣＸ：Ｈ（Ｘ−０，！＋〜Ｑ、６ ）膜で作られた表面
保護層（ＳＧ）から形成される。この場合高抵抗キャリ
ヤ発生層（０は前記したように光感度の向上のため１ｉ
：ｇｏｐｔが小さく選ばれるが、α−８ｔＧθ：Ｈ９α
−Ｏ８：Ｈなら更によい。ここでは５０Ｖ／μｍ程度の
電界をかけて使用する電子写真用感光体を対象にしてい
るので、α−８ｔ：Ｈ膜を用い、その膜厚を１００Ａ
〜１０μｍにした。
（ジ側からキャリヤ発生層ｆ□である高抵抗α−Ｊ：Ｈ
膜と、耐圧保持層（ＶＨ）である高抵抗α−Ｂｉｔ−Ｘ
ＯＸ：Ｈ（Ｘ −０，２〜α４）およびα−８１ｌ−Ｘ
ＣＸ：Ｈ（Ｘ−０，！＋〜Ｑ、６ ）膜で作られた表面
保護層（ＳＧ）から形成される。この場合高抵抗キャリ
ヤ発生層（０は前記したように光感度の向上のため１ｉ
：ｇｏｐｔが小さく選ばれるが、α−８ｔＧθ：Ｈ９α
−Ｏ８：Ｈなら更によい。ここでは５０Ｖ／μｍ程度の
電界をかけて使用する電子写真用感光体を対象にしてい
るので、α−８ｔ：Ｈ膜を用い、その膜厚を１００Ａ
〜１０μｍにした。
また耐圧保持層（ＶＨ）である高抵抗α−８ｉｃ：Ｈ膜
は耐圧保持とキャリア輸送および感光体の光を導入でき
るように体積抵抗が１０１０〜１ｏ１５Ω・αとなるよ
うにし、第５図のようにθＶＵ上のエネルへ ギギャップＥｇｙｐｔが得られるようにする。
は耐圧保持とキャリア輸送および感光体の光を導入でき
るように体積抵抗が１０１０〜１ｏ１５Ω・αとなるよ
うにし、第５図のようにθＶＵ上のエネルへ ギギャップＥｇｙｐｔが得られるようにする。
（ＳＧ）はα−８ｔ、−ｘＣｘ（ｘ＝０．４〜Ｑ、６）
で作られた表面保護層であって、体積抵抗を１０１２〜
１ｏ１６Ω・儂、膜厚を１０ＯＡ−１μｍとして耐環境
性をもだせる。
で作られた表面保護層であって、体積抵抗を１０１２〜
１ｏ１６Ω・儂、膜厚を１０ＯＡ−１μｍとして耐環境
性をもだせる。
（製作方法）
先づアルミニウム製ドラム（支持体（Ｓ））の温度を終
始２５０℃〜３００℃に保ち、１Ｏ−６ｔｏｒｒの高真
空に引く。次に５（Ｈ４とＯＨ４との比率Ｓ ｚ Ｈ４
／ＣＨ４〜１０ ””〜１０−２． ＰＨ，とＦ３ｔＨ
４の比率ＰＨ，／５ｔＨ４＝１０−’のもとに、周波数
１３．５６メガヘルツの電源により０．０１〜０．５Ｗ
／ｃｄのもとで、プラズマＯＶＤ法により膜厚５ｏｏｏ
Ｘのｎ＋エミッタ領域を形成する。そしてその上にＳｉ
Ｈ４／ＣＨ４＝１〜１１１−’、 Ｂ２Ｈ６／Ｅ３ｉＨ
４＝ｊＯ−５〜１０づのもとに１五５６メガヘルツの電
源により０．０５〜［１，零細へ 層（ベース領域（Ｂ））を形成する。次にその土に８ｆ
！Ｈ４／Ｈ２−Ｅｌ ４ 、 Ｂ２Ｈ６／５（Ｈ４＝１
０”” 〜１０−５゜５ｔＨ４／Ｃ：Ｈ４＝１〜１０
、 Ｂ２Ｈ６／５（Ｈ４＝１０ 〜１０゜およびＳ
ＺＨ４１０Ｈ４＝１０− ’〜１０−２．Ｂ２Ｈ６／５
ｔＨ４＝Ｏ〜１０−５としてそれぞれプラズマＣｖＤ法
により、膜厚４〜５μｍの高抵抗キャリア発生層Ｕ＞と
、高抵抗層（ＶＨ）および表面保護層（ＳＧ）を形成し
て製作される。
始２５０℃〜３００℃に保ち、１Ｏ−６ｔｏｒｒの高真
空に引く。次に５（Ｈ４とＯＨ４との比率Ｓ ｚ Ｈ４
／ＣＨ４〜１０ ””〜１０−２． ＰＨ，とＦ３ｔＨ
４の比率ＰＨ，／５ｔＨ４＝１０−’のもとに、周波数
１３．５６メガヘルツの電源により０．０１〜０．５Ｗ
／ｃｄのもとで、プラズマＯＶＤ法により膜厚５ｏｏｏ
Ｘのｎ＋エミッタ領域を形成する。そしてその上にＳｉ
Ｈ４／ＣＨ４＝１〜１１１−’、 Ｂ２Ｈ６／Ｅ３ｉＨ
４＝ｊＯ−５〜１０づのもとに１五５６メガヘルツの電
源により０．０５〜［１，零細へ 層（ベース領域（Ｂ））を形成する。次にその土に８ｆ
！Ｈ４／Ｈ２−Ｅｌ ４ 、 Ｂ２Ｈ６／５（Ｈ４＝１
０”” 〜１０−５゜５ｔＨ４／Ｃ：Ｈ４＝１〜１０
、 Ｂ２Ｈ６／５（Ｈ４＝１０ 〜１０゜およびＳ
ＺＨ４１０Ｈ４＝１０− ’〜１０−２．Ｂ２Ｈ６／５
ｔＨ４＝Ｏ〜１０−５としてそれぞれプラズマＣｖＤ法
により、膜厚４〜５μｍの高抵抗キャリア発生層Ｕ＞と
、高抵抗層（ＶＨ）および表面保護層（ＳＧ）を形成し
て製作される。
（作用）
以上のように作られたアモルファスシリコン（ｃＬ−Ｂ
ｉ）による電子写真用感光体としての特性は次に示す通
りである。第５図はコロナ放電により表面が５００〜６
００Ｖの正帯電したときのエネルギギャップ図であって
、これから明らかなように電圧は主としてコレクタ領域
（０）によって保たれていることが判る。また光が照射
された状態では、光吸収係数を大とした高抵抗キャリア
発生層（ｔ）が光を吸収して、電子は表面側ヘトリフト
され正孔はベース側ヘトリフトされる。そして正孔がベ
ースへ溜るとベース電位を引下げ、これによりエミッタ
から電流増幅率β倍された電子を流して表面の電荷を放
電する。そこでトナーを表面につけて転写操作を行えば
画像を得ることができ、例えば感光体の全面に光を照射
すれば電荷像を消しうる。
ｉ）による電子写真用感光体としての特性は次に示す通
りである。第５図はコロナ放電により表面が５００〜６
００Ｖの正帯電したときのエネルギギャップ図であって
、これから明らかなように電圧は主としてコレクタ領域
（０）によって保たれていることが判る。また光が照射
された状態では、光吸収係数を大とした高抵抗キャリア
発生層（ｔ）が光を吸収して、電子は表面側ヘトリフト
され正孔はベース側ヘトリフトされる。そして正孔がベ
ースへ溜るとベース電位を引下げ、これによりエミッタ
から電流増幅率β倍された電子を流して表面の電荷を放
電する。そこでトナーを表面につけて転写操作を行えば
画像を得ることができ、例えば感光体の全面に光を照射
すれば電荷像を消しうる。
（効果）
以上のように本発明では光キヤリア発生層（Ｚ）の表面
に耐圧保持を増強するための高抵抗層（ＶＨ）を設けて
いる。従って従来のようにキャリア発生層（ｉ）の膜厚
を厚くしたりすることなく充分な耐圧を得ながら、キャ
リア発生層（ｉｌのエネルギギャップを小さくできるた
め、従来に比べて光感度を向上できる。また本発明では
接合形トランジスタをキャリア発生層（１）を含むコレ
クタ領域の層厚方向に形成して光電流を増幅するように
しているので、これによっても光感度は向上する。
に耐圧保持を増強するための高抵抗層（ＶＨ）を設けて
いる。従って従来のようにキャリア発生層（ｉ）の膜厚
を厚くしたりすることなく充分な耐圧を得ながら、キャ
リア発生層（ｉｌのエネルギギャップを小さくできるた
め、従来に比べて光感度を向上できる。また本発明では
接合形トランジスタをキャリア発生層（１）を含むコレ
クタ領域の層厚方向に形成して光電流を増幅するように
しているので、これによっても光感度は向上する。
実験によれば前記の方法で作成した光感光体を用いて帯
電電圧５００〜７００ｖで使用したところ、光感度とし
て従来のもののｉｏ〜１００倍程度のものが得られるこ
とが確められた。また感光体全体の膜厚を従来の約１／
２の１０μｍにできることが確かめられ、また高抵抗層
表面保護層により充分な耐環境性を保持しながら生産性
を向上しうることが確められた。
電電圧５００〜７００ｖで使用したところ、光感度とし
て従来のもののｉｏ〜１００倍程度のものが得られるこ
とが確められた。また感光体全体の膜厚を従来の約１／
２の１０μｍにできることが確かめられ、また高抵抗層
表面保護層により充分な耐環境性を保持しながら生産性
を向上しうることが確められた。
なお以上の実施例ではコレクタ領域、ベース領域、エミ
ッタ領域の形成にα−ＢｉＣ： Ｈ膜を用いたが、例え
ばα−８ＺＮｘ： Ｈ膜やα−ＢｉｂＸ： Ｈ膜を用い
ることができる。またα−ｓｉのターミネータとして水
素を用いたが、弗素などのノ〜ツゲン原子を用いてもよ
いことは云うまでもない。また更に以上ではｎｐｔ型に
ついて説明したが、ｐｎｆ型であっても負帯電とするこ
とＫより同様の効果をうろことができる。
ッタ領域の形成にα−ＢｉＣ： Ｈ膜を用いたが、例え
ばα−８ＺＮｘ： Ｈ膜やα−ＢｉｂＸ： Ｈ膜を用い
ることができる。またα−ｓｉのターミネータとして水
素を用いたが、弗素などのノ〜ツゲン原子を用いてもよ
いことは云うまでもない。また更に以上ではｎｐｔ型に
ついて説明したが、ｐｎｆ型であっても負帯電とするこ
とＫより同様の効果をうろことができる。
第１図、第２図は従来装置の説明図、第３図、第４図、
第５図は本発明の説明図である。 Ｌｌ）・・・キャリア発生層、 （Ｅｌ（））・・・
表面保護層、Ｓ・・・支持体、 （ＶＨ）・・・高抵
抗耐圧保持層、（Ｃ）・・・高抵抗コレクタ領域、 （
Ｂ）・・・ベース領域、（Ｅ）・・・エミッタ領域。 特許出願人 新電元工業株式会社 ｆｉ１名
第５図は本発明の説明図である。 Ｌｌ）・・・キャリア発生層、 （Ｅｌ（））・・・
表面保護層、Ｓ・・・支持体、 （ＶＨ）・・・高抵
抗耐圧保持層、（Ｃ）・・・高抵抗コレクタ領域、 （
Ｂ）・・・ベース領域、（Ｅ）・・・エミッタ領域。 特許出願人 新電元工業株式会社 ｆｉ１名
Claims (2)
- （１）少なくとも高抵抗キヤリア発生層を備えた層をコ
レクタ領域として接合型トランジスタを形成するベース
領域とエミツタ領域を設けて光電流増幅機能をもたせた
ことを特徴とするアモルフアス電子写真感光体。 - （２）特許請求の範囲第１項において、コレクタ領域を
高抵抗キヤリヤ発生層を含む一層以上で構成したことを
特徴とするアモルフアス電子写真感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078385A JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60078385A JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61238064A true JPS61238064A (ja) | 1986-10-23 |
| JPH0664354B2 JPH0664354B2 (ja) | 1994-08-22 |
Family
ID=13660544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60078385A Expired - Fee Related JPH0664354B2 (ja) | 1985-04-15 | 1985-04-15 | アモルフアス電子写真感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0664354B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02245762A (ja) * | 1989-03-18 | 1990-10-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 注入電荷制御型感光体 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5691239A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
| JPS5876842A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
-
1985
- 1985-04-15 JP JP60078385A patent/JPH0664354B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55127561A (en) * | 1979-03-26 | 1980-10-02 | Canon Inc | Image forming member for electrophotography |
| JPS5691239A (en) * | 1979-12-26 | 1981-07-24 | Canon Inc | Electrophotographic image forming member |
| JPS5876842A (ja) * | 1981-10-30 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 電子写真感光体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02245762A (ja) * | 1989-03-18 | 1990-10-01 | Dainippon Printing Co Ltd | 注入電荷制御型感光体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0664354B2 (ja) | 1994-08-22 |
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