JPS605538A - 半導体デバイスの製作方法 - Google Patents
半導体デバイスの製作方法Info
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- JPS605538A JPS605538A JP59112166A JP11216684A JPS605538A JP S605538 A JPS605538 A JP S605538A JP 59112166 A JP59112166 A JP 59112166A JP 11216684 A JP11216684 A JP 11216684A JP S605538 A JPS605538 A JP S605538A
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- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオン注入による半導体デバイス中への高抵抗
領域製作に係る。
領域製作に係る。
イオン注入は半導体材料の高抵抗、典型的な場合半絶縁
性領域を、注入しなければ低抵抗である半導体基体中に
生成するために用いられてきた。
性領域を、注入しなければ低抵抗である半導体基体中に
生成するために用いられてきた。
ＧａＡｓ ／ ＡＩＧ’ａＡｓ系において、水素、酸素
及びネオンイオンを含む多数の物質が、材料へ照射し高
抵抗乞発生させるために用いられてきた。しかし、周知
のプロセスには容易に再現性か得られず、あるいは有害
な放射を発生させろという欠点がある。
及びネオンイオンを含む多数の物質が、材料へ照射し高
抵抗乞発生させるために用いられてきた。しかし、周知
のプロセスには容易に再現性か得られず、あるいは有害
な放射を発生させろという欠点がある。
本発明の要約
本発明の一視点に従うと、ヘリウムイオン、’Ｈｅ（ヘ
リウム−４）又は３Ｈｅ（ヘリウム−３）イオンを照射
することにより、高抵抗かＩＩＩ −Ｖ化合物半導体中
に生成される。
リウム−４）又は３Ｈｅ（ヘリウム−３）イオンを照射
することにより、高抵抗かＩＩＩ −Ｖ化合物半導体中
に生成される。
この形の実施例は、再現性とともに、危険な放射を使用
せず、ＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓＰデバイスの製作に非
常に適するという利点を有する。
せず、ＩｎＰ ／ ＩｎＧａＡｓＰデバイスの製作に非
常に適するという利点を有する。
詳細な記述
第１図を参照すると、■−■族化合物単結晶半導体基体
１０が示されており、そ」１は−ないし複数のＩＩＩ
−Ｖ化合物のエピタキシャル層を含んでよ（、典型的な
場合それらは相互に容易に格子整合がとれろものである
。たとえば、ＩｎＰ 、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡ
ｓ１又はＱａＡｓ及びＡｌＧａＡｓである。照射すべき
基体の表面１２上に、当業者には周知の技術（たとえば
フォトリングラフィ）により、適当なマスク１４が形成
される。マスクの組成及び厚さは、イオンか基体のマス
クされた部分中に侵入するのを阻止′１−るように選択
される。本発明に従うと、イオンビーム１６はヘリウム
−３イオン又はヘリウム−４イオンのいずれかから成る
。これらのイオンが表面１２のマスクされていない部分
上に入射した時、それらは基体１０中に浸透し、その深
さはイオンのエネルギーに依存する。イオンは基体１０
に損傷を与え、高抵抗領域１８を生成する。
１０が示されており、そ」１は−ないし複数のＩＩＩ
−Ｖ化合物のエピタキシャル層を含んでよ（、典型的な
場合それらは相互に容易に格子整合がとれろものである
。たとえば、ＩｎＰ 、ＩｎＧａＡｓＰ及びＩｎＧａＡ
ｓ１又はＱａＡｓ及びＡｌＧａＡｓである。照射すべき
基体の表面１２上に、当業者には周知の技術（たとえば
フォトリングラフィ）により、適当なマスク１４が形成
される。マスクの組成及び厚さは、イオンか基体のマス
クされた部分中に侵入するのを阻止′１−るように選択
される。本発明に従うと、イオンビーム１６はヘリウム
−３イオン又はヘリウム−４イオンのいずれかから成る
。これらのイオンが表面１２のマスクされていない部分
上に入射した時、それらは基体１０中に浸透し、その深
さはイオンのエネルギーに依存する。イオンは基体１０
に損傷を与え、高抵抗領域１８を生成する。
簡単に言うと、１０１１ １０１６イオン／ｃｎＬの通
常用し・られろ範囲では、ｐ −ＩｎＰ及びＨ−ＩｎＰ
の両方の中の高抵抗領域が、１１丁現・１／１よく形成
さｊする。ピークの抵抗率はｐ −１ｎＰの場合、約１
０９Ω−ｃｍでｎ −ＩｎＰの場合、約１０３０−ｃｍ
である。約１５０７３００ ＫｅＶのイオンエネルギー
の場合、約０．９−１．７μｍの侵入深さか実現された
。
常用し・られろ範囲では、ｐ −ＩｎＰ及びＨ−ＩｎＰ
の両方の中の高抵抗領域が、１１丁現・１／１よく形成
さｊする。ピークの抵抗率はｐ −１ｎＰの場合、約１
０９Ω−ｃｍでｎ −ＩｎＰの場合、約１０３０−ｃｍ
である。約１５０７３００ ＫｅＶのイオンエネルギー
の場合、約０．９−１．７μｍの侵入深さか実現された
。
高抵抗率はまた、他の■−ｖ族化合物、すなわちＧａＰ
、 ＧａＳｂ 、 ＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓにヘリ
ウムを注入しても生成した。
、 ＧａＳｂ 、 ＧａＡｓ及びＩｎＧａＡｓにヘリ
ウムを注入しても生成した。
第２図はヘリウム−３及びヘリウム−４の両方’Ｊｎ形
１ｎＰ （曲線Ｉ及びＩｆ ）及びｐ形ＩｎＰ （曲線
■、■及び■）中に注入した場合、測定された平均抵抗
率対照射ドーズの関係を示す。ｎ形ＩｎＰ中へのヘリウ
ム−３及びヘリウム−４の注入は同様で、１０１４イオ
ン／ｃｒＡの注入ドースにおいて約］０３Ω−ｃｍの平
均ピーク抵抗率が得られた。しかし、ｐ形ＩｎＰ中にヘ
リウム−３及びヘリウム−４を注入することにより、１
０８−１０’Ω−ｃｍの平均抵抗率ピークが得られ、同
じｐ形材料（６ｘ １５ ｃ’；、Ｂ ）に注入した時
、二つの種で平均抵抗率にわずかの差が生じた。ヘリウ
ム−３の照射により、１、 ｏ１３−１ｏ１６イオン／
ｄの通常用いられる範囲で、より広いピークを有する層
が得られ、ヘリウム−４注入による平均抵抗率は、１ｏ
１５イオン／ｄにおいてより鋭いピークをもった。
１ｎＰ （曲線Ｉ及びＩｆ ）及びｐ形ＩｎＰ （曲線
■、■及び■）中に注入した場合、測定された平均抵抗
率対照射ドーズの関係を示す。ｎ形ＩｎＰ中へのヘリウ
ム−３及びヘリウム−４の注入は同様で、１０１４イオ
ン／ｃｒＡの注入ドースにおいて約］０３Ω−ｃｍの平
均ピーク抵抗率が得られた。しかし、ｐ形ＩｎＰ中にヘ
リウム−３及びヘリウム−４を注入することにより、１
０８−１０’Ω−ｃｍの平均抵抗率ピークが得られ、同
じｐ形材料（６ｘ １５ ｃ’；、Ｂ ）に注入した時
、二つの種で平均抵抗率にわずかの差が生じた。ヘリウ
ム−３の照射により、１、 ｏ１３−１ｏ１６イオン／
ｄの通常用いられる範囲で、より広いピークを有する層
が得られ、ヘリウム−４注入による平均抵抗率は、１ｏ
１５イオン／ｄにおいてより鋭いピークをもった。
低ドープ材料中へのヘリウム−３注入により、より低い
ドーズ量の方向へのピーク抵抗率の移動が起った。第３
図のすべての曲線は、ピーク抵抗率に列名するドース量
以上において、抵抗率は減少することを示している。こ
の現像は一般に深い準位が高密度に存在するためのホッ
ピング伝導か始ることによる。
ドーズ量の方向へのピーク抵抗率の移動が起った。第３
図のすべての曲線は、ピーク抵抗率に列名するドース量
以上において、抵抗率は減少することを示している。こ
の現像は一般に深い準位が高密度に存在するためのホッ
ピング伝導か始ることによる。
第１図は本発明の一視点に従い、典型的な■−ｖ族化合
物半導体がいかにマスクされ、ヘリウム注入されるかを
、示す概略図、第２図はイオンドースの関数として、注
入領域の平均抵抗率（Ω−ｃｍ）”ａ：示すグラフで、
抵抗はＩＸ］、Ｏ”又はＩ Ｘ １０”イオン／ｄのド
ース範囲に渡り、一定の２００．２５０又は２７０ Ｋ
ｅＶの単一エネルギーで、ヘリウム−３又はヘリウム−
４を注入したｐ形ＩｎＰ（曲線１■、■及びＶ）及びｎ
形ＩｎＰ（曲線１及び■）について行い、キャリヤ濃度
及び照射程は、試料により 曲線■：ヘリウム−３、Ｉ Ｘ １０” ｃｗＬ３にお
けるｎ −ＩｎＰ 曲線ＩＪ：ヘリウム−４、Ｉ Ｘ １０” ｃｒＨ３に
おけるｎ −ＩｎＰ 曲線１■：ヘリウム−３，９Ｘ’ １０１７ｃｒ；ｒ３
におけるｐ −ＩｎＰ 曲線Ｉ■：ヘリウム−３，６Ｘ １０１８ｃｒｕｘ３に
おけるｐ −ＩｎＰ 曲線■：ヘリウム−４，６Ｘ１０１８Ｃ肩３におけるｐ
−ＩｎＰ と変化させた図である。 〔主要部の符号の説明〕 川−■族半導体基体・・・１０ ヘリウムイオン・・・１６ Ｆ／に、／ ｎ ＦノＧ、 ２ ドーズ用いｏｎｓ、”ｏｎ” ） 第１頁の続き ０発 明 者 アルバート・タイメン・マツクランダー アメリカ合衆国０７９０１ニユージ ヤーシイ・ユニオン・サミット ・グリーンフィールド・アヴエ ニューｌＯ ＠ｌ！−間者 バートラム書シュワルツアメリカ合衆国
ニュージャーシ イ・ユニオン・ウェストフィー ルド・オレンダ・サークル３２１
物半導体がいかにマスクされ、ヘリウム注入されるかを
、示す概略図、第２図はイオンドースの関数として、注
入領域の平均抵抗率（Ω−ｃｍ）”ａ：示すグラフで、
抵抗はＩＸ］、Ｏ”又はＩ Ｘ １０”イオン／ｄのド
ース範囲に渡り、一定の２００．２５０又は２７０ Ｋ
ｅＶの単一エネルギーで、ヘリウム−３又はヘリウム−
４を注入したｐ形ＩｎＰ（曲線１■、■及びＶ）及びｎ
形ＩｎＰ（曲線１及び■）について行い、キャリヤ濃度
及び照射程は、試料により 曲線■：ヘリウム−３、Ｉ Ｘ １０” ｃｗＬ３にお
けるｎ −ＩｎＰ 曲線ＩＪ：ヘリウム−４、Ｉ Ｘ １０” ｃｒＨ３に
おけるｎ −ＩｎＰ 曲線１■：ヘリウム−３，９Ｘ’ １０１７ｃｒ；ｒ３
におけるｐ −ＩｎＰ 曲線Ｉ■：ヘリウム−３，６Ｘ １０１８ｃｒｕｘ３に
おけるｐ −ＩｎＰ 曲線■：ヘリウム−４，６Ｘ１０１８Ｃ肩３におけるｐ
−ＩｎＰ と変化させた図である。 〔主要部の符号の説明〕 川−■族半導体基体・・・１０ ヘリウムイオン・・・１６ Ｆ／に、／ ｎ ＦノＧ、 ２ ドーズ用いｏｎｓ、”ｏｎ” ） 第１頁の続き ０発 明 者 アルバート・タイメン・マツクランダー アメリカ合衆国０７９０１ニユージ ヤーシイ・ユニオン・サミット ・グリーンフィールド・アヴエ ニューｌＯ ＠ｌ！−間者 バートラム書シュワルツアメリカ合衆国
ニュージャーシ イ・ユニオン・ウェストフィー ルド・オレンダ・サークル３２１
Claims (1)
- １．１１１−Ｖ族半導体基体中に、少くとも一つの高抵
抗半導体領域を生成させろプロセスを含む半導体デバイ
スの製作方法において、該高抵抗半導体領域にヘリウム
イオンを照射することを特徴とする半導体デバイスの製
作方法◇ ２、特許請求の範囲第１項に記載された方法において、 該高抵抗半導体領域には’Ｈｅイオンを照射ｊることを
特徴とする半導体デバイスの製作方法。 ３ 特許請求の範囲第１項に記載された方法にお℃・て
、 該高抵抗半導体領域には３Ｈｅイオン乞照射することを
特徴とする半導体デバイスの製作方法。 ４ 特許請求の範囲第１．２又は３項いずれかに記載さ
れた方法において、 該１１１−Ｖ族半導体基体はインジウム及びリンを含む
こと７ａ−特徴とする半導体デバイスの製作方法。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された方法において、 該高抵抗半導体領域を約１．０”−１０１６イオン／ｄ
のドーズ量と約１５Ｏ−２７０ＫｅＶのエネルギーを有
するイオンで照射することを特徴とする半導体デバイス
の製作方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/499,775 USH147H (en) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | High resistivity group III-V compounds by helium bombardment |
| US499775 | 1983-05-31 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS605538A true JPS605538A (ja) | 1985-01-12 |
Family
ID=23986658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59112166A Pending JPS605538A (ja) | 1983-05-31 | 1984-05-31 | 半導体デバイスの製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | USH147H (ja) |
| JP (1) | JPS605538A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183664U (ja) * | 1987-05-16 | 1988-11-25 |
Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5156979A (en) * | 1986-01-21 | 1992-10-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor-based radiation-detector element |
| JPH06101577B2 (ja) * | 1986-01-21 | 1994-12-12 | 富士電機株式会社 | 半導体放射線検出器 |
| JPH01308063A (ja) * | 1988-06-07 | 1989-12-12 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体抵抗素子及びその形成方法 |
| US5707879A (en) * | 1997-01-08 | 1998-01-13 | Reinitz; Karl | Neutron detector based on semiconductor materials |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| US8399834B2 (en) * | 2008-06-20 | 2013-03-19 | Carl Zeiss Nts, Llc | Isotope ion microscope methods and systems |
| JP2010199558A (ja) * | 2009-01-27 | 2010-09-09 | Panasonic Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US8512470B2 (en) | 2011-04-08 | 2013-08-20 | China Crystal Technologies Co. Ltd | System and methods for growing high-resistance single crystals |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3912556A (en) | 1971-10-27 | 1975-10-14 | Motorola Inc | Method of fabricating a scannable light emitting diode array |
| DE2421961C2 (de) | 1974-05-07 | 1983-07-07 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Halbleiterlaser |
| US4355396A (en) | 1979-11-23 | 1982-10-19 | Rca Corporation | Semiconductor laser diode and method of making the same |
| US4447905A (en) | 1981-03-25 | 1984-05-08 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Current confinement in semiconductor light emitting devices |
-
1983
- 1983-05-31 US US06/499,775 patent/USH147H/en not_active Abandoned
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59112166A patent/JPS605538A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63183664U (ja) * | 1987-05-16 | 1988-11-25 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| USH147H (en) | 1986-11-04 |
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