JPS6055626A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS6055626A JPS6055626A JP58163206A JP16320683A JPS6055626A JP S6055626 A JPS6055626 A JP S6055626A JP 58163206 A JP58163206 A JP 58163206A JP 16320683 A JP16320683 A JP 16320683A JP S6055626 A JPS6055626 A JP S6055626A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- gas supply
- reaction gas
- flow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/3244—Gas supply means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に係り、特＋ｉ反応ガスに高
周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の
処理を施こすのに好適な半導体製造装置に関するもので
ある。
周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに所定の
処理を施こすのに好適な半導体製造装置に関するもので
ある。
反応ガスに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウ
ェハに所定の処理を施こす半導体製造装置には、ウェハ
な所定のパターンにエツチングす成するＯｖＤ装置など
がある。
ェハに所定の処理を施こす半導体製造装置には、ウェハ
な所定のパターンにエツチングす成するＯｖＤ装置など
がある。
このような半導体製造装置では、同一ウエバ内およびウ
ェハ相互間の均一な処理を単時間で行う必要がある。ウ
ェハの均一化処理には種々の因子が影響するが、放電空
間での反応ガスの流れ、放電の均一性も重要な因子であ
る。以下、従来の半導体Ｖ造装Ｍ＆としてドライエツチ
ング装置を例にとり第１図により説明する。
ェハ相互間の均一な処理を単時間で行う必要がある。ウ
ェハの均一化処理には種々の因子が影響するが、放電空
間での反応ガスの流れ、放電の均一性も重要な因子であ
る。以下、従来の半導体Ｖ造装Ｍ＆としてドライエツチ
ング装置を例にとり第１図により説明する。
第１図で、反応室ＩＯには、対向電極側とウェハ載置電
極間とが放電空間類を有し平行に対向して内設されてい
る。対向電極側には、ガス室２１ ａが形成され、放電
空間４０に対応する面にはガス供給孔２２ａが穿設され
ている。対向電極側の軸回には。
極間とが放電空間類を有し平行に対向して内設されてい
る。対向電極側には、ガス室２１ ａが形成され、放電
空間４０に対応する面にはガス供給孔２２ａが穿設され
ている。対向電極側の軸回には。
ガス室２１ ａと連通してガス流通路２４ａが形成され
ると共に、反応ガス供給源１例えば、ボンベ５０ａと流
量制御装置１５１ａとガス導管５２ａとで構成された反
応ガス供給系Ｓａａがガス流通路２４ａと連通して連結
されている。ウェハ載置型４ｉｉ３０の外周には、反応
室ｌＯ内側壁と隙間４１を有し電気絶縁リング３１が環
装されている。ウェハ載置電極（資）の軸３２には、電
源、例えば、高周波電源６０が接続されている。
ると共に、反応ガス供給源１例えば、ボンベ５０ａと流
量制御装置１５１ａとガス導管５２ａとで構成された反
応ガス供給系Ｓａａがガス流通路２４ａと連通して連結
されている。ウェハ載置型４ｉｉ３０の外周には、反応
室ｌＯ内側壁と隙間４１を有し電気絶縁リング３１が環
装されている。ウェハ載置電極（資）の軸３２には、電
源、例えば、高周波電源６０が接続されている。
又１反応室１０の排気ノズル１１は真空排気装置（図示
省略）に連結されている。
省略）に連結されている。
この場合、ウェハ載置電極（資）には所定枚数のウェハ
７０が載置され１反応室ｌＯは、真空排気装置により所
定圧力まで減圧排気される。その後、ボンベ５０ａから
ガス導管５２ ａを経て流量制御装置５１ ａで適正に
流量制御された反応ガスがガス流通路必ａ、ガス室２１
ａを経てガス供給孔２２ａから放電空間旬、つまり、
ウェハ７０の表面に供給される。この反応ガスは、高周
波電源部からウェハ載置電極（５）に高周波電圧を印加
することで対向電極粉とウェハ載置電極加との間で生じ
るグロー放電によりプラズマ化される。このプラズマに
よりウェハ７０にはドライプロセスにてエツチング処理
が施ニされる。尚、この反応ガスとエツチング処理で生
じた反応生成物とは、ウェハ載置電極Ｊ】上置半径方向
に流れた後に隙間４１を通って排気ノズル１１より反応
室１０外へ排気される。
７０が載置され１反応室ｌＯは、真空排気装置により所
定圧力まで減圧排気される。その後、ボンベ５０ａから
ガス導管５２ ａを経て流量制御装置５１ ａで適正に
流量制御された反応ガスがガス流通路必ａ、ガス室２１
ａを経てガス供給孔２２ａから放電空間旬、つまり、
ウェハ７０の表面に供給される。この反応ガスは、高周
波電源部からウェハ載置電極（５）に高周波電圧を印加
することで対向電極粉とウェハ載置電極加との間で生じ
るグロー放電によりプラズマ化される。このプラズマに
よりウェハ７０にはドライプロセスにてエツチング処理
が施ニされる。尚、この反応ガスとエツチング処理で生
じた反応生成物とは、ウェハ載置電極Ｊ】上置半径方向
に流れた後に隙間４１を通って排気ノズル１１より反応
室１０外へ排気される。
以上述べたような従来のドライエツチング装置を用いて
Ａｅ ＩＩＩのエツチングを行った場合の結果を第２図
に示す。この図より明らかなようにウェハの中心部ａで
エツチング速度が低ゆ、ウェハ外周縁部ｂ＋ｃでエツチ
ング速度が高い傾向を示している。一般に、このような
ウェハ表面位置でのエツチング速度の不均一さは、ウェ
ハ載置電極（資）の中心部から外周縁部へと向う反応ガ
スの流れや平行に対向する２個の電極間での不均一な放
電（特にウェハ周辺部で不均一になりやすい。）による
ものと考えられる。
Ａｅ ＩＩＩのエツチングを行った場合の結果を第２図
に示す。この図より明らかなようにウェハの中心部ａで
エツチング速度が低ゆ、ウェハ外周縁部ｂ＋ｃでエツチ
ング速度が高い傾向を示している。一般に、このような
ウェハ表面位置でのエツチング速度の不均一さは、ウェ
ハ載置電極（資）の中心部から外周縁部へと向う反応ガ
スの流れや平行に対向する２個の電極間での不均一な放
電（特にウェハ周辺部で不均一になりやすい。）による
ものと考えられる。
以上示したような従来装置の欠点は、ウェハ内でのエツ
チング速度の不均一さにより、ウェハ中心部のエツチン
グが完ｒとなる時点において、ウェハの外周部ではオー
バーエツチング状態となりパターンのＸＪ法精度が低下
し、そのため製品の歩留りが低下するということにある
。
チング速度の不均一さにより、ウェハ中心部のエツチン
グが完ｒとなる時点において、ウェハの外周部ではオー
バーエツチング状態となりパターンのＸＪ法精度が低下
し、そのため製品の歩留りが低下するということにある
。
・ ３ ・
なお、このような欠点は、ドライエツチング装で
置だけでなく、従来のプラズマ０４Ｄ装置などの反応ガ
スに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに
所定の処理を施こすのに用いられている他の半導体製造
装置においても同様に有している。
スに高周波電圧を印加し減圧下で放電させつつウェハに
所定の処理を施こすのに用いられている他の半導体製造
装置においても同様に有している。
本発明の目的はウェハ上へのガス供給量をウェハ表面位
置で局部的に制御することによりウェハ表面各位置での
処理速度を均一化でき、製品の歩留りを向上できる半導
体製造装置を提供する二とにある。
置で局部的に制御することによりウェハ表面各位置での
処理速度を均一化でき、製品の歩留りを向上できる半導
体製造装置を提供する二とにある。
本発明は、ウェハ載置電極に載置されたウェハの表面中
央部と表面周辺部とに反応ガスをそれぞれ供給可能なガ
ス供給孔を対向電極に独立して設けると共に、独立して
流量制御可能な反応ガス供給系をガス供給孔にそれぞれ
連結したことを特徴とするもので、ウェハの表面中央部
並びに周辺部に供給される反応ガスの量を独立に制御す
る二と・ ４ ・ で、ウェハの表面各位置での処理速度を均一化しよとし
たものでＪ）る。
央部と表面周辺部とに反応ガスをそれぞれ供給可能なガ
ス供給孔を対向電極に独立して設けると共に、独立して
流量制御可能な反応ガス供給系をガス供給孔にそれぞれ
連結したことを特徴とするもので、ウェハの表面中央部
並びに周辺部に供給される反応ガスの量を独立に制御す
る二と・ ４ ・ で、ウェハの表面各位置での処理速度を均一化しよとし
たものでＪ）る。
本発明の一実施例を第３図〜第５図により説明する。尚
、第３図〜第５図で、第１図と同一部品等は同一符号で
示し説明を省略する。
、第３図〜第５図で、第１図と同一部品等は同一符号で
示し説明を省略する。
第３図〜１１５図で、対向電極粉には、第１ガス室２１
ｂと第２ガス室２１ ｃとが独立して形成され。
ｂと第２ガス室２１ ｃとが独立して形成され。
ウェハａｈ電極＆）に戦屓されたウェハ７０の表面中央
部に反応ガスを供給可能なガス供給孔２２ｂと。
部に反応ガスを供給可能なガス供給孔２２ｂと。
ウェハ７０の表面周辺部に反応ガスを供給可能なガス供
給孔２２ｃとが放電空間４０に開口して対向電極粉に独
立して設けられている。対向電極粉の軸回′には、第１
ガス室２１ ｂと連通してガス流通路２４ｂが、第２ガ
ス室２１ ｃと連通してガス流通路２４ｃが独立して形
成されている。第１ガス室２１ ｂには、ガス供給孔２
２ｂが連通し第２ガス室２１ ｃには、ガス供給孔２２
ｃが連通している。反応ガス供給源、例えば、ボンベ５
ｏｂと流量制御装［５１ｂとガス導管５２ ｂとで構成
された反応ガス供給系５３ｂがガス流通路２４ｂと連通
して軸ｎ′に連結され、反応ガス供給源１例えば、ボン
ベ５０ｂと流量制御装置５１ Ｃとガス導管５２ｂより
流量制御装Ｍ５１ｂの前流側で分岐したガス導管５２
ｃとで構成された反応ガス供給系５３ Ｃがガス流通路
２４ｅと連通して軸ｎ′に連結されている。
給孔２２ｃとが放電空間４０に開口して対向電極粉に独
立して設けられている。対向電極粉の軸回′には、第１
ガス室２１ ｂと連通してガス流通路２４ｂが、第２ガ
ス室２１ ｃと連通してガス流通路２４ｃが独立して形
成されている。第１ガス室２１ ｂには、ガス供給孔２
２ｂが連通し第２ガス室２１ ｃには、ガス供給孔２２
ｃが連通している。反応ガス供給源、例えば、ボンベ５
ｏｂと流量制御装［５１ｂとガス導管５２ ｂとで構成
された反応ガス供給系５３ｂがガス流通路２４ｂと連通
して軸ｎ′に連結され、反応ガス供給源１例えば、ボン
ベ５０ｂと流量制御装置５１ Ｃとガス導管５２ｂより
流量制御装Ｍ５１ｂの前流側で分岐したガス導管５２
ｃとで構成された反応ガス供給系５３ Ｃがガス流通路
２４ｅと連通して軸ｎ′に連結されている。
この場合、ボンベ５０ｂからガス導管５２ ｂを経て流
量制御装置５１ ｂで適正に流量制御された反応ガスが
ガス流通路２４ｂ、第１ガス室２１ ｂを経てガス供給
孔２２ｂから放電空間荀、つまり、ウェハ載置電極Ｘｌ
ｉこ、この場合は％４枚載置されたウェハ７０の表面中
央部に供給され、又、ボンベ５０ｂからガス導管５２ｂ
、５２ｃを経て流量制御装置５１ ｃで適正に流量制御
された反応ガスがガス流通路２４０％第２ガス室２１
ｃを経てガス供給孔２２Ｃから放電空間菊、つまり、ウ
ェハ７０の表面周辺部に供給される。
量制御装置５１ ｂで適正に流量制御された反応ガスが
ガス流通路２４ｂ、第１ガス室２１ ｂを経てガス供給
孔２２ｂから放電空間荀、つまり、ウェハ載置電極Ｘｌ
ｉこ、この場合は％４枚載置されたウェハ７０の表面中
央部に供給され、又、ボンベ５０ｂからガス導管５２ｂ
、５２ｃを経て流量制御装置５１ ｃで適正に流量制御
された反応ガスがガス流通路２４０％第２ガス室２１
ｃを経てガス供給孔２２Ｃから放電空間菊、つまり、ウ
ェハ７０の表面周辺部に供給される。
尚、流量制御装置５１ ｂ 、 ５１ ｃでの反応ガス
の流量制御は、ウェハ７０の表面中央部でのエツチング
速度とウェハ７０の表面外周縁部でのエツチング速度と
を均一化できるように行われる。
の流量制御は、ウェハ７０の表面中央部でのエツチング
速度とウェハ７０の表面外周縁部でのエツチング速度と
を均一化できるように行われる。
これらの反応ガスは、従来の場合と同様にプラズマＩＬ
され、このプラズマによりウェハ７０にはドライプロセ
スにてエツチング処理が施こされ、又、反応ガスと反応
生成物とは、隙間４１を通って排気ノズルより反応室ｌ
Ｏ外へ排気される。
され、このプラズマによりウェハ７０にはドライプロセ
スにてエツチング処理が施こされ、又、反応ガスと反応
生成物とは、隙間４１を通って排気ノズルより反応室ｌ
Ｏ外へ排気される。
本実施例のようなドライエツチング装置では、ウェハ載
置電極に戟１ｕされたウェハの表面中央部と周辺部に供
給される反応ガス量を、独立して制御できるため、ウェ
ハの表面各位置でのエツチング速度を均一化でき製品歩
留りを向上できる。
置電極に戟１ｕされたウェハの表面中央部と周辺部に供
給される反応ガス量を、独立して制御できるため、ウェ
ハの表面各位置でのエツチング速度を均一化でき製品歩
留りを向上できる。
尚１本実施例では、反応ガス供給系を構成する反応ガス
供給源を同一としているが、これは別に分けても良い。
供給源を同一としているが、これは別に分けても良い。
又１反応ガスには、同一成分のガスを用いているが、こ
の他に、異なる成分のガスを用いても良い。例えば、一
方のガスに１例えばヘリウムガス等の冷却効果の高いガ
スを用いれば。
の他に、異なる成分のガスを用いても良い。例えば、一
方のガスに１例えばヘリウムガス等の冷却効果の高いガ
スを用いれば。
エツチング処理時にウェハの局部的な冷却を行うことが
でき、これにより、例えば、レジストの熱的損傷を緩和
することができる。又、プラズマＯＶＤ装置ｕ等のドラ
イプロセスにてウェハに所定の処理を施こす他の半導体
製造装置においても、ウェハの表面各位置での処理速度
を均一化でき、製品歩留りを向上できる。
でき、これにより、例えば、レジストの熱的損傷を緩和
することができる。又、プラズマＯＶＤ装置ｕ等のドラ
イプロセスにてウェハに所定の処理を施こす他の半導体
製造装置においても、ウェハの表面各位置での処理速度
を均一化でき、製品歩留りを向上できる。
本発明は、以上説明したように、ウェハ載置電極に載置
されたウェハの表面中央部と表面周辺部とに反応ガスを
それぞれ供給可能なガス供給孔を独立して対向電極に設
けると共に、独立して流量制御可能な反応ガス供給系を
ガス供給孔にそれぞれ連結したことで、ウェハの表面各
位置での処理速度を均一化できるので、製品歩留りを向
上できる効果がある。
されたウェハの表面中央部と表面周辺部とに反応ガスを
それぞれ供給可能なガス供給孔を独立して対向電極に設
けると共に、独立して流量制御可能な反応ガス供給系を
ガス供給孔にそれぞれ連結したことで、ウェハの表面各
位置での処理速度を均一化できるので、製品歩留りを向
上できる効果がある。
第１図は、従来のドライエツチング装置の縦断面図、第
２図は、従来のウェハ内エツチング速度分布図、第３図
は、本発明によるドライエツチング装置の一実施例を示
す縦断面図、第４図は対向電極の第３図Ａ−Ａ視平面図
、第５図は、対向電極の第３図Ｂ−Ｂ視平面図である。
２図は、従来のウェハ内エツチング速度分布図、第３図
は、本発明によるドライエツチング装置の一実施例を示
す縦断面図、第４図は対向電極の第３図Ａ−Ａ視平面図
、第５図は、対向電極の第３図Ｂ−Ｂ視平面図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、反応室に対向電極とウェハ載置電極とが放電空間を
有し対向して内設され、前記ウェハ載置電極に載置され
たウェハにドライプロセスにて所定の処理を施こす装置
において、前記ウェハ載置電極に載置された前記ウェハ
の表面中央部ゝと′′ と表面周辺部とに反応ガスをそれグれ供給可能なガス供
給孔を前記対向電極に独立して設けると共に、独立して
流量制御可能な反応ガス供給系をガス供給孔にそれぞれ
連結したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163206A JPS6055626A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58163206A JPS6055626A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6055626A true JPS6055626A (ja) | 1985-03-30 |
Family
ID=15769298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58163206A Pending JPS6055626A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6055626A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122220A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-26 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 反応性イオン・エッチング装置用電極及びこの電極を用いた反応性イオン・エッチング装置 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP58163206A patent/JPS6055626A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63122220A (ja) * | 1986-11-03 | 1988-05-26 | インタ−ナショナル・ビジネス・マシ−ンズ・コ−ポレ−ション | 反応性イオン・エッチング装置用電極及びこの電極を用いた反応性イオン・エッチング装置 |
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