JPS6056172B2 - 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 - Google Patents
半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物Info
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- JPS6056172B2 JPS6056172B2 JP1649978A JP1649978A JPS6056172B2 JP S6056172 B2 JPS6056172 B2 JP S6056172B2 JP 1649978 A JP1649978 A JP 1649978A JP 1649978 A JP1649978 A JP 1649978A JP S6056172 B2 JPS6056172 B2 JP S6056172B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- parts
- weight
- epoxy resin
- resin composition
- semiconductor devices
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Epoxy Resins (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、速硬化性にしてかつ貯蔵安定性にすぐれ、し
かもリーク電流特性に秀でた樹脂に硬化することができ
る半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
かもリーク電流特性に秀でた樹脂に硬化することができ
る半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物に関する。
エポキシ樹脂は、今日半導体装置封止用樹脂材料の主流
として普及しており、種々の組成物が提案されている。
として普及しており、種々の組成物が提案されている。
本発明者らはさきに、速硬化性で貯蔵安定性にすぐれた
封止用材料として、フェノールノボラック樹脂を硬化剤
とし、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、
テトラ置換アンモニウム、テトラ置換ボレートおよびテ
トラ置換アルソニウム、テトラ置換ボレートを促進剤と
して含むエポキシ樹脂組成物（特公昭５１−２４４９９
）を開発した。この組成物を基体にして充填剤、離型剤
、着色剤などを配合し調製したトランスファ成形材料で
、トランジスタ、ＩＣＮＬＳＩなどの半導体装置を封止
し好成積を収めた。しかし、半導体装置の特性、生産効
率に対する要求は、益々高水準に向い、一層の迅速硬化
性、また半導体装置特にＭＯＳＩＣの低リーク電流特性
が求められ、従来の市販品を含む材料によつてそれに適
合することは困難となつた。このような情況に鑑み、本
発明は、貯蔵安定性にすぐれしかも迅速に硬化てき、半
導体装置の封止に適用して際立つた低リーク電流特性を
示す半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物を提供するこ
とを目的としている。
封止用材料として、フェノールノボラック樹脂を硬化剤
とし、テトラ置換ホスホニウム・テトラ置換ボレート、
テトラ置換アンモニウム、テトラ置換ボレートおよびテ
トラ置換アルソニウム、テトラ置換ボレートを促進剤と
して含むエポキシ樹脂組成物（特公昭５１−２４４９９
）を開発した。この組成物を基体にして充填剤、離型剤
、着色剤などを配合し調製したトランスファ成形材料で
、トランジスタ、ＩＣＮＬＳＩなどの半導体装置を封止
し好成積を収めた。しかし、半導体装置の特性、生産効
率に対する要求は、益々高水準に向い、一層の迅速硬化
性、また半導体装置特にＭＯＳＩＣの低リーク電流特性
が求められ、従来の市販品を含む材料によつてそれに適
合することは困難となつた。このような情況に鑑み、本
発明は、貯蔵安定性にすぐれしかも迅速に硬化てき、半
導体装置の封止に適用して際立つた低リーク電流特性を
示す半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物を提供するこ
とを目的としている。
その要点は、囚 エポキシ樹脂、および
（Ｂ） （ａ） １分子当り少なくとも３個のフェノー
ルＪ 性水酸基を有するフェノール系化合物と（ｂ）ト
リエチルアンモニウム・テトラフェニルボレートとを温
度１００〜１８０℃において溶融混和してなる硬化剤と
を必須成分とすることてある。
ルＪ 性水酸基を有するフェノール系化合物と（ｂ）ト
リエチルアンモニウム・テトラフェニルボレートとを温
度１００〜１８０℃において溶融混和してなる硬化剤と
を必須成分とすることてある。
本発明においてエポキシ樹脂としては、グリシジルエー
テル型、グリシジルエステル型やオレフィン結合のエポ
キシ化により誘導される型など、２官能以上の周知のエ
ポキシドが使用され、フェノールホルムアルデヒド樹脂
のポリグリシジルエーテル、多価フェノールのポリグリ
シジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテ
ルなどのような、成形材料に通常使用されるエポキシ樹
脂はとくに有用である。
テル型、グリシジルエステル型やオレフィン結合のエポ
キシ化により誘導される型など、２官能以上の周知のエ
ポキシドが使用され、フェノールホルムアルデヒド樹脂
のポリグリシジルエーテル、多価フェノールのポリグリ
シジルエーテル、ビスフェノールＡジグリシジルエーテ
ルなどのような、成形材料に通常使用されるエポキシ樹
脂はとくに有用である。
本発明の特徴とする硬化剤の成分である、１分子当り少
くとも３個のフェノール性水酸基を有するフェノール系
化合物としては、フェノール、クレゾール、キシレノー
ルなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどの酸性触
媒の存在で反応させて得られるノボラック樹脂、フェノ
ール、クレゾールなどとジフェニルエーテルおよびホル
ムアルデヒドの付加縮合により生成される樹脂、フエノ
ーール●クレゾールなどとＰ−キシリレンジメトキシド
との縮合物などが、とくに好適に使用できる。
くとも３個のフェノール性水酸基を有するフェノール系
化合物としては、フェノール、クレゾール、キシレノー
ルなどのフェノール類とホルムアルデヒドなどの酸性触
媒の存在で反応させて得られるノボラック樹脂、フェノ
ール、クレゾールなどとジフェニルエーテルおよびホル
ムアルデヒドの付加縮合により生成される樹脂、フエノ
ーール●クレゾールなどとＰ−キシリレンジメトキシド
との縮合物などが、とくに好適に使用できる。
前記のフェノール系化合物は、トリエチルアンモニウム
●テトラフェニルボレートと配合され、２温度１００〜
１８０℃で溶融混和されて、硬化剤に調製される。
●テトラフェニルボレートと配合され、２温度１００〜
１８０℃で溶融混和されて、硬化剤に調製される。
その際、両者の配合比は、前者１０喧量部に対して、後
者１〜２０重量部とすることができ、特に後者４〜Ｗ重
量部の範囲が速硬化性の点で好ましい。
３本発明の樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂のエポキシ基１当量に対し、前記硬化剤のフェノ
ール性０Ｈ基０．７〜１．２当量の範囲の組成比で構成
される。比率がこの範囲から何れの方向にずれても、樹
脂組成物は速硬化性、リーク電流特性の面で良３好な特
性を示さない。さらに本発明のエポキシ樹脂組成物には
、半導体装置封止に供するために充填剤を配合すること
が好ましい。
者１〜２０重量部とすることができ、特に後者４〜Ｗ重
量部の範囲が速硬化性の点で好ましい。
３本発明の樹脂組成物は、エポキ
シ樹脂のエポキシ基１当量に対し、前記硬化剤のフェノ
ール性０Ｈ基０．７〜１．２当量の範囲の組成比で構成
される。比率がこの範囲から何れの方向にずれても、樹
脂組成物は速硬化性、リーク電流特性の面で良３好な特
性を示さない。さらに本発明のエポキシ樹脂組成物には
、半導体装置封止に供するために充填剤を配合すること
が好ましい。
例えば炭酸カルシウム、シリカ、ケイ酸ジルコニウム、
石英ガラス粉、タルク、クレ４１一、マイカなどの無機
質粉体やガラス繊維粉などが、充填剤として有用であり
、必要に応じ２種類以上併用することがてきる。本発明
の樹脂組成物には、離型剤、難燃化剤、表面処理剤、着
色剤などを添加することがてきる。
石英ガラス粉、タルク、クレ４１一、マイカなどの無機
質粉体やガラス繊維粉などが、充填剤として有用であり
、必要に応じ２種類以上併用することがてきる。本発明
の樹脂組成物には、離型剤、難燃化剤、表面処理剤、着
色剤などを添加することがてきる。
本発明のエポキシ樹脂組成物を半導体装置封止用成形材
料に調製するに当つては、固状の成分材料をそれぞれ粉
砕し、ついで所望の割合で十分に混合する。
料に調製するに当つては、固状の成分材料をそれぞれ粉
砕し、ついで所望の割合で十分に混合する。
混合には、ミキシングロール機、コニーダ、ボールミル
など慣用の混合機械を使用できる。得られた混合物をそ
の状態で成形材料として使用してもよいし、また全成分
を加熱溶融させ・て、半固形状または固体状予備反応組
成物を形成し、それを粉砕して成形に用いることもでき
る。何れの場合においても、得られる組成物は、射出成
形、圧縮成形およびトランフア成形法に直ちに適用でき
る。本発明のエポキシ樹脂組成物から調製された成形材
料を用いるときは、トランジスタ、■ＣｌＬＳＩなどを
、短時間硬化サイクル（１７０℃、１．紛）でトランス
ファ成形により封止することができる。
など慣用の混合機械を使用できる。得られた混合物をそ
の状態で成形材料として使用してもよいし、また全成分
を加熱溶融させ・て、半固形状または固体状予備反応組
成物を形成し、それを粉砕して成形に用いることもでき
る。何れの場合においても、得られる組成物は、射出成
形、圧縮成形およびトランフア成形法に直ちに適用でき
る。本発明のエポキシ樹脂組成物から調製された成形材
料を用いるときは、トランジスタ、■ＣｌＬＳＩなどを
、短時間硬化サイクル（１７０℃、１．紛）でトランス
ファ成形により封止することができる。
しかも該材料は、４０℃に１ケ月間放置してもその流れ
特性（スパイラルフロー）の低下は極めて僅かで、貯蔵
安定性に優れている。さらに、該材料を用いて封止する
と、半導体素子表面の鋭敏なＭＯＳ型トランジスタや１
Ｃの重要な特性である高温時のリーク電流は、大変小さ
く、本発明のエポキシ樹脂組成物の効果が認められる。
次に実施例を挙げて、具体的に説明する。
特性（スパイラルフロー）の低下は極めて僅かで、貯蔵
安定性に優れている。さらに、該材料を用いて封止する
と、半導体素子表面の鋭敏なＭＯＳ型トランジスタや１
Ｃの重要な特性である高温時のリーク電流は、大変小さ
く、本発明のエポキシ樹脂組成物の効果が認められる。
次に実施例を挙げて、具体的に説明する。
実施例１
組成
ａ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２３５．ＥＣＮ１２８０、ＣＩＢＡ８．製）
１０踵量部ｂ分子当り水酸基
を平均５個有するフェノールノボラック５０重量部とト
リエチルアンモニウム・テトラフェニルボレート２重量
部を約１５０℃で１紛間加熱溶融混合した生成物（硬化
剤） ５種量部ｃ ス
テアリン酸 ２重量部ｄ カーボンブ
ラック １重量部ｅ クリスタライトＡ−
２（龍森社製） ４０踵
量部ｆ エポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３．信越化学社製
） ２重量部実施例２
坦成 ａ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２飄ＥＣＮｌ２７次ＣＩＢＡ社製）
７唾量部ｂビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量１８飄Ｅ８２８．ｓｈｅＩＩ社
製） ２鍾量部５ｃ臭素化エポキシ樹脂（エポキシ
当量３００１ＢＲＥＮ１日本化薬社製） １踵
量部ｄ分子当り水酸基を平均８個有するフェノールノボ
ラック５５重量部とトリエチルアンモニウム●テトラフ
ェニルボレート５重量部を約１７０１ｆ℃で３紛加熱溶
融混合した生成物 ６鍾量部ｅ モンタン酸ワックス
２重量部ｆ ステアリン酸亜鉛
１重量部ｇ カーボンブラック １重量
部ｈ ヒユーズレツクスＲＤ−８（龍森社製）
４０鍾量部ｉ エポキシシラン
（Ａｌ８６、日本ユニカー社製）
２重量部ｊ 三酸化アンチモン
３重量部史施例３ｍ成 ＡＥＣＮｌ２８Ｏ８踵量部 ＢＢＲＥＮ２唾量部 ｃ分子当り水酸基を３個有し構造式 で表わされるフェノール系化合物８唾量部とトリエチル
アンモニウム●テトラフェニルボレート４重量部を約１
２０′Ｃで３０分間加熱溶融混合し２た生成物
４鍾量部ｄ ステアリン酸
２重量部ｅ カーボンブラック
１重量部ｆ クリスタライトＡ−２（龍森社製）
４０唾量部〉ｇ エポキシシ
ラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部ｈ三酸化アンチモ
ン ２重量部実施例４組成 ＡＥＣＮｌ２７３７喧量部！ ＢＥ８２８ｌ鍾量部 ＣＢＲＥＮ２唾量部 ｄ分子中に水酸基を６個有するクレゾールノボラック６
鍾量部とトリエチルアンモニウム●テトラフェニルボレ
ート５重量部を約１００℃で４５１分間加熱溶融混合し
た生成物 ４鍾量部ｅ ステアリン酸
２重量部ｆ ステアリン酸カルシウム ４
重量部ｇ カーボンブラック １重量部ｈ
石英ガラス粉 ５０唾量部−ｉ エポキ
シシラン（Ａ−１８６） ３重量部ｊ 三酸化アン
チモン ４重量部実施例５組成 ａ脂環式エポキシレジン（エポキシ当量４００１Ｃ×３
凰チッソ社製） １０唾量部ｂ分子当り水酸基
を７個有するフェノールノボラック５轍量部とトリエチ
ルアンモニウム・テトラフェニルボレート５重量部を約
１５０℃で３０分間加熱溶融混合した生成物 ３踵
量部ｃ ステアリン酸 ２重量部ｄ
ステアリン酸亜鉛 ２重量部ｅ カーボン
ブラック ０．５重量部ｆ クリスタライ
トＡ−１（龍森社製）
３０鍾量部ｇエポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ３
重量部実施例６組成 ａ フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量１７＼ＤＥＮ４鳳山ＷＣｈｅｍ社製）
１０鍾量部ｂ分子当り水酸基を８個有
するフェノールノボラック７鍾量部とトリエチルアンモ
ニウム●テトラフェニルボレート５重量部を約１６（代
）で約１紛間加熱溶融混合した生成物 ５５重量部ｃ
ステアリン酸 ２重量部ｄ カーボ
ンブラック １重量部ｅ ヒユーズレツク
スＲＤ−８４０鍾量部ｆ エポキシシラン（Ａ−１８６
） ２重量部上記実施例１〜６の組成物を８インチ
のミキシングロール機を用い、６０〜９０℃の温度で１
０〜１紛間溶融混練し、その後、室温まて冷却し、粉砕
して各々のエポキシ成形材料を作成した。
量２３５．ＥＣＮ１２８０、ＣＩＢＡ８．製）
１０踵量部ｂ分子当り水酸基
を平均５個有するフェノールノボラック５０重量部とト
リエチルアンモニウム・テトラフェニルボレート２重量
部を約１５０℃で１紛間加熱溶融混合した生成物（硬化
剤） ５種量部ｃ ス
テアリン酸 ２重量部ｄ カーボンブ
ラック １重量部ｅ クリスタライトＡ−
２（龍森社製） ４０踵
量部ｆ エポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３．信越化学社製
） ２重量部実施例２
坦成 ａ クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量２２飄ＥＣＮｌ２７次ＣＩＢＡ社製）
７唾量部ｂビスフェノールＡ型エポ
キシ樹脂（エポキシ当量１８飄Ｅ８２８．ｓｈｅＩＩ社
製） ２鍾量部５ｃ臭素化エポキシ樹脂（エポキシ
当量３００１ＢＲＥＮ１日本化薬社製） １踵
量部ｄ分子当り水酸基を平均８個有するフェノールノボ
ラック５５重量部とトリエチルアンモニウム●テトラフ
ェニルボレート５重量部を約１７０１ｆ℃で３紛加熱溶
融混合した生成物 ６鍾量部ｅ モンタン酸ワックス
２重量部ｆ ステアリン酸亜鉛
１重量部ｇ カーボンブラック １重量
部ｈ ヒユーズレツクスＲＤ−８（龍森社製）
４０鍾量部ｉ エポキシシラン
（Ａｌ８６、日本ユニカー社製）
２重量部ｊ 三酸化アンチモン
３重量部史施例３ｍ成 ＡＥＣＮｌ２８Ｏ８踵量部 ＢＢＲＥＮ２唾量部 ｃ分子当り水酸基を３個有し構造式 で表わされるフェノール系化合物８唾量部とトリエチル
アンモニウム●テトラフェニルボレート４重量部を約１
２０′Ｃで３０分間加熱溶融混合し２た生成物
４鍾量部ｄ ステアリン酸
２重量部ｅ カーボンブラック
１重量部ｆ クリスタライトＡ−２（龍森社製）
４０唾量部〉ｇ エポキシシ
ラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部ｈ三酸化アンチモ
ン ２重量部実施例４組成 ＡＥＣＮｌ２７３７喧量部！ ＢＥ８２８ｌ鍾量部 ＣＢＲＥＮ２唾量部 ｄ分子中に水酸基を６個有するクレゾールノボラック６
鍾量部とトリエチルアンモニウム●テトラフェニルボレ
ート５重量部を約１００℃で４５１分間加熱溶融混合し
た生成物 ４鍾量部ｅ ステアリン酸
２重量部ｆ ステアリン酸カルシウム ４
重量部ｇ カーボンブラック １重量部ｈ
石英ガラス粉 ５０唾量部−ｉ エポキ
シシラン（Ａ−１８６） ３重量部ｊ 三酸化アン
チモン ４重量部実施例５組成 ａ脂環式エポキシレジン（エポキシ当量４００１Ｃ×３
凰チッソ社製） １０唾量部ｂ分子当り水酸基
を７個有するフェノールノボラック５轍量部とトリエチ
ルアンモニウム・テトラフェニルボレート５重量部を約
１５０℃で３０分間加熱溶融混合した生成物 ３踵
量部ｃ ステアリン酸 ２重量部ｄ
ステアリン酸亜鉛 ２重量部ｅ カーボン
ブラック ０．５重量部ｆ クリスタライ
トＡ−１（龍森社製）
３０鍾量部ｇエポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ３
重量部実施例６組成 ａ フェノールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当
量１７＼ＤＥＮ４鳳山ＷＣｈｅｍ社製）
１０鍾量部ｂ分子当り水酸基を８個有
するフェノールノボラック７鍾量部とトリエチルアンモ
ニウム●テトラフェニルボレート５重量部を約１６（代
）で約１紛間加熱溶融混合した生成物 ５５重量部ｃ
ステアリン酸 ２重量部ｄ カーボ
ンブラック １重量部ｅ ヒユーズレツク
スＲＤ−８４０鍾量部ｆ エポキシシラン（Ａ−１８６
） ２重量部上記実施例１〜６の組成物を８インチ
のミキシングロール機を用い、６０〜９０℃の温度で１
０〜１紛間溶融混練し、その後、室温まて冷却し、粉砕
して各々のエポキシ成形材料を作成した。
そして、それらの材料の硬化性を調べた。硬化性は、１
７０℃、圧力７０ｋ９／Ｃｒｌｌｌ．粉の成形条件で５
亡φ×２踊ｔの円板をモールドし、その円板の硬さをシ
ヨアー硬度計Ｄで測定した。値が大きいものほど硬化性
が良いと評価する。次に、モデルＭＯＳ型半導体素子を
１７０℃、圧力７０ｋ９／Ｃｉ，、１．紛で封止成形し
、１７５℃、１ＣＢ！ｆ間、後硬化した。そしてその封
止品のリーク電流を温度を変えながら測定した。それら
の結果を表に示す。比較例１ 組成 ＡＥＣＮｌ２８ＯｌＯ喧量部 ｂ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
唾量部とトリエチルアンモニウム・テトラフェニルボレ
ート２重量部との単なる混合物
５踵量部ｃ ステアリン酸
２重量部ｄ カーボンブラック １重量部
２ｅクリスタライトＡ−２４０睡量部ｆ エポキシシラ
ン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部比較例２組成 ＡＥＣＮｌ２８ＯｌＯ唾量部 ｂ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
轍量部と２−ヘプタデシルイミダゾール３重量部を１１
ＣｆＣで約１５分加熱溶融混合した生成物
１量部ｃ ステアリン酸
２重量部ｄ カーボンブラック １重
量部ｅ クリスタライトＡ−２４０轍量部ｆ エポキシ
シラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部比較例３組成 ＥＣＮｌ２８ＯｌＯ踵量部 ｌ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
０重量部とテトラフェニルホスホニウム●テトラフェニ
ルボレート４重量部を１５０℃で約２紛間加熱溶融混合
した生成物 ？重量部
ステアリン酸 ２重量部カーボンブラ
ック １重量部クリスタライトＡ−２４０
唾量部 エポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部上記比
較例１〜３の組成によつて実施例と同様な方法で成形材
料に調製し、実施例と同様に硬化性と封止成形品のリー
ク電流を測定した。
７０℃、圧力７０ｋ９／Ｃｒｌｌｌ．粉の成形条件で５
亡φ×２踊ｔの円板をモールドし、その円板の硬さをシ
ヨアー硬度計Ｄで測定した。値が大きいものほど硬化性
が良いと評価する。次に、モデルＭＯＳ型半導体素子を
１７０℃、圧力７０ｋ９／Ｃｉ，、１．紛で封止成形し
、１７５℃、１ＣＢ！ｆ間、後硬化した。そしてその封
止品のリーク電流を温度を変えながら測定した。それら
の結果を表に示す。比較例１ 組成 ＡＥＣＮｌ２８ＯｌＯ喧量部 ｂ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
唾量部とトリエチルアンモニウム・テトラフェニルボレ
ート２重量部との単なる混合物
５踵量部ｃ ステアリン酸
２重量部ｄ カーボンブラック １重量部
２ｅクリスタライトＡ−２４０睡量部ｆ エポキシシラ
ン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部比較例２組成 ＡＥＣＮｌ２８ＯｌＯ唾量部 ｂ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
轍量部と２−ヘプタデシルイミダゾール３重量部を１１
ＣｆＣで約１５分加熱溶融混合した生成物
１量部ｃ ステアリン酸
２重量部ｄ カーボンブラック １重
量部ｅ クリスタライトＡ−２４０轍量部ｆ エポキシ
シラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部比較例３組成 ＥＣＮｌ２８ＯｌＯ踵量部 ｌ分子当り水酸基を５個有するフェノールノボラック５
０重量部とテトラフェニルホスホニウム●テトラフェニ
ルボレート４重量部を１５０℃で約２紛間加熱溶融混合
した生成物 ？重量部
ステアリン酸 ２重量部カーボンブラ
ック １重量部クリスタライトＡ−２４０
唾量部 エポキシシラン（ＫＢＭ４Ｏ３） ２重量部上記比
較例１〜３の組成によつて実施例と同様な方法で成形材
料に調製し、実施例と同様に硬化性と封止成形品のリー
ク電流を測定した。
その結果を表に併せて示す。上記のように本発明のエポ
キシ樹脂組成物は、φ硬化性にすぐれ、かつリーク電流
が小さい封止半導体装置を与える、画期的な材料である
ことが明確にわかる。
キシ樹脂組成物は、φ硬化性にすぐれ、かつリーク電流
が小さい封止半導体装置を与える、画期的な材料である
ことが明確にわかる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １（Ａ）エポキシ樹脂、および （Ｂ）（ａ）１分子当り少なくとも３個のフェノール性
水酸基を有するフェノール系化合物１００重量部と（ｂ
）トリエチルアンモニウム・テトラフェニルボレート４
〜１０重量部とを温度１００〜１８０℃おいて溶融混和
してなる硬化剤とを成分とすることを特徴とする半導体
装置封止用エポキシ樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649978A JPS6056172B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1649978A JPS6056172B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54110297A JPS54110297A (en) | 1979-08-29 |
| JPS6056172B2 true JPS6056172B2 (ja) | 1985-12-09 |
Family
ID=11917963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1649978A Expired JPS6056172B2 (ja) | 1978-02-17 | 1978-02-17 | 半導体装置封止用エポキシ樹脂組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056172B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5967660A (ja) * | 1982-10-12 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
| JP2654376B2 (ja) * | 1995-06-26 | 1997-09-17 | 株式会社東芝 | 封止用エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置 |
-
1978
- 1978-02-17 JP JP1649978A patent/JPS6056172B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54110297A (en) | 1979-08-29 |
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