JPS6057247B2 - 増幅器の保護回路 - Google Patents

増幅器の保護回路

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JPS6057247B2
JPS6057247B2 JP55128735A JP12873580A JPS6057247B2 JP S6057247 B2 JPS6057247 B2 JP S6057247B2 JP 55128735 A JP55128735 A JP 55128735A JP 12873580 A JP12873580 A JP 12873580A JP S6057247 B2 JPS6057247 B2 JP S6057247B2
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JP
Japan
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transistor
circuit
current
output
resistor
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JP55128735A
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正二 富士川
善久 鈴木
哲男 若松
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Nippon Gakki Co Ltd
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Nippon Gakki Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、増幅器の出力段トランジスタ回路のトラン
ジスタを過大電流から保護する増幅器の保護回路に関す
る。
一般に、増幅器の出力段トランジスタ回路のトランジス
タを過大電流から保護する保護回路としては、出力段ト
ランジスタ回路のトランジスタに流れる電流がある最大
値(限界値)を越える条件になつた場合に、同電流がこ
の最大値を越えないように制限する回路が用いられてい
る。
ここでこのような従来の増幅器の保護回路を第1図ない
し第2図を使用して説明する。
第1図は、ダイオードによる電流制限回路を保護回路と
して用いた増幅器の一例を示す回路図である。
この図において、ドライブ段回路Aのトランジスタ1a
のコレクタ電流は出力段トランジスタ回路Bのトランジ
スタ2aを駆動し、この結果得られるトランジスタ2a
のエミッタ電流IE(出力電流)はエミッタ抵抗3aと
コンデンサ4と抵抗5とこの増幅器の出力端子6とを順
次介して負荷抵抗7に供給される。またトランジスタ1
b、2bとトランジスタ2bのエミッタ抵抗3bとを有
してなる回路は、前述した動作と対称な動作を行なう。
ここで、トランジスタ2aのベースエミッタ間順方向電
圧降下をVBE、とし、またダイオード10〜20の各
々の順方向電圧降下を各々VD、、VD2、VDaとし
た場合、前記エミッタ電流IEによりエミッタ抵抗3a
(値RB)の″両端に発生する電圧と前記VBE、との
和の電圧(VBEI+RE、IE)は、ダイオード10
〜12が設けられているので電圧(VDI+VD2+V
D。)を越えることはない。すなわちVBEI+RE4
11E≦VD1+VD2+VD3・・・・・・(1)と
なる。
ここでVBEI、VDI、VD2、VD3を各々0 ・
6Vとすると、(1)式よりが導れる。
このようにトランジスタ2aのエミッタ電流1E(出力
電流)の最大値は、ダイオード10〜12により(2)
式の右辺の値に制限される。次に第2図はトランジスタ
による電流制限回路を保護回路として用いた増幅器の一
例を示す回路図である。この図においては、図示せぬド
ライブ段回路々)ら供給されるドライブ電流により出力
段のトランジスタ2aが駆動され、この結果得られるト
ランジスタ2aのエミッタ電流18(出力電流)はエミ
ッタ抵抗3a(値RE)と出力端子6とを順次介して負
荷抵抗7(値Rし)に供給される。この場合トランジス
タ2aのベースと出力端子6との間にはトランジスタ2
2aが介挿されている。ここで、出力端子6とアースと
の間の電圧をV1、トランジスタ2aのエミッタとアー
スとの間の電圧を■2、抵抗20a(値R1)と抵抗2
1a(値R2)とトランジスタ22aのベースとの接続
点とアースとの間の電圧を■3とすると、また電圧(V
3−V1)がトランジスタ22aのベースエミッタ間順
方向電圧VBE2を越えると同トランジスタ22aが導
通開始してトランジスタ2aのベース電流は増加しなく
なるので、となる。
この(6)式に前記(3)〜(5)式を代人すると、な
る(7)式が導かれる。このようにトランジスタ2aの
エミッタ電流1T:(出力電流)の最大値は、トランジ
スタ22aにより(7)式の右辺の値に制限ζされる。
ところで以上に説明した従来の増幅器の保護回路におい
ては、出力段トランジスタ回路の出力電流が予め設定さ
れた最大値を越えないように制限する方法が採られてい
る。
したがつて例えば互い4に対をなす出力段のトランジス
タのどちらか一方のトランジスタのコレクタエミッタ間
が短絡された場合とか負荷が短絡された場合のように異
常状態が長時間続く場合には、出力段のトランジスタの
出力電流もその最大値において流れ続けることになる。
このような場合出力段のトランジスタの熱暴走による破
壊は逸れるものの、前記最大値における電流に対応する
電力が出力段のトランジスタ等において消費されるので
、同出力段のトランジスタやその放熱板等の温度上昇は
避けることができない。このように従来の増幅器の保護
回路を用いた増幅器においては、その出力段のトランジ
スタの放熱効果を上げるために例えば大型の放熱)板を
設けたり、その放熱による影響を考慮して部品配置を決
めなければならない等の不具合があつた。この発明はこ
のような不具合を除去するためになされたもので、出力
段のトランジスタに過大電・流が流れるような異常状態
が発生した場合、その過大電流を遮断することができ、
この結果、保護動作時には出力段のトランジスタの温度
が上昇することのない増幅器の保護回路を提供すること
を目的としている。
この目的を達成するために、この発明による増幅器の保
護回路は、出力抵抗を介して負荷に出力電流を供給する
出力段トランジスタ回路と、この出力段トランジスタ回
路にドライブ電流を供給するドライブ段回路とを有して
なる増幅器において、前記ドライブ電流の供給路に設け
られた抵抗と、この抵抗と前記出力段トランジスタ回路
との間の前記ドライブ電流の供給路と、前記出力抵抗と
前記負荷との間の前記出力電流の供給路との間に主電流
路が順方向接続されたスイッチ回路と、前記ドライブ段
回路と前記抵抗との間の前記ドライブ電流の供給路と、
前記スイッチ回路の制御電流供給路との間に順方向接続
されたダイオード回路とを具備しており、これにより、
前記負荷抵抗に至る前記出力電流供給路と前記ドライブ
段回路の出力端との間の電圧が所定電圧以上になると、
前記ダイオード回路および前記スイッチ回路が順次導通
するようになつている。
以下、この発明の実施例を図面を参照して説明する。
第3図はこの発明の一実施例を示す回路図である。
この第3図において第1図の各部に対応する部分には同
一の符号が付してある。第3図においてドライブ段回路
Aのトランジスタ(PNPトランジスタ)1aのコレク
タに接続された端子30aと出力段トランジスタ回路B
のトランジスタ(NPNトランジスタ)2aのベースに
接続された端子31aとの間には抵抗32aが介挿され
ている。同様にトランジスタ(NPNトランジスタ)1
bのコレクタに接続された端子30bとトランジスタ(
PNPトランジスタ)2bのベースに接続された端子3
1bとの間には抵抗32bが介挿されている。また端子
30aと30bとの間には端子30aから30bに向つ
て順方向にダイオード35,36が順次直列に介挿され
ている。また端子30aはトランジスタ(PNPトラン
ジスタ)34bのベースに接続され、端子30bはトラ
ンジスタ(NPNトランジスタ)34aのベースに接続
されている。また端子31aはトランジスタ34aのコ
レクタに接続され、端子31bはトランジスタ34bの
コレクタに接続されている。またトランジスタ2aのエ
ミッタ抵抗3aとトランジスタ2bのエミッタ抵抗3b
との接続点に設けられた端子33はトランジスタ34a
のエミッタとトランジスタ34bのエミッタとに接続さ
れている。以上の構成になるこの実施例の動作を第4図
および第5図を参照して説明する。
第4図は第3図に示したこの実施例におけるプラス側電
源(+B)により駆動される部分のみを示す回路図であ
る。なおこの第4図に示す回路においては端子33とア
ースとの間に等価的に負荷抵抗7が接続されている。ま
たこの図において抵抗32a(値R1)に流れる電流(
ドライブ電流)をIDlエミッタ抵抗3a(値RB)に
流れる電流(出力電流)をIO、負荷抵抗7に流れる電
流をしとし、またトランジスタ2aのベースエミッタ間
順方向電圧降下を■BElトランジスタ34aのベース
エミッタ間順方向電圧降下を■8E2ダイオード35,
36の順方向電圧降下を各々■01,VD2とする。こ
こでこの第4図に示す回路の基本動作ついて説明する。
まずこの回路における抵抗32aの値R1とエミッタ抵
抗3a値REとは、トランジスタ2aの出力電流すなわ
ち電流16が限界値の時に端子30aと端子33との間
に発生する電圧(R1●IO+VBEl+RE●IE)
が、ダイオード35,36とトランジスタ34aのベー
スエミッタ間との各々の順方向電圧降下の和の電圧(■
D1+VD2+VBE2)と等しくなるように設定され
ている。したがつて電流hが限界値以下である場合は、
てあり、端子30aと端子33との間に発生する電圧(
(9)式の左辺)によつてはダイオード35,36とト
ランジスタ34aのベースエミッタ間とは導通されず、
トランジスタ34aのベース電流は供給されない。
したがつてこの場合は、トランジスタ34aは非導通状
態(オフ状態)であり、トランジスタ2aは電流1Dに
より駆動される。一方、電流hがその限界値を少しでも
越えると、となり、端子30aと端子33との間に発生
する電圧((1a式の左辺)によりダイオード35,3
6とトランジスタ34aのベースエミッタ間とは導通さ
れ、トランジスタ34aにベース電流が供給される。
したがつてトランジスタ34aは導通状態(オン状態)
になり、この結果端子31aと端子33との間の電圧は
トランジスタ2aのベースエミッタ間順方向電圧■BO
lより小(略0V)となり、トランジスタ2aはオフ状
態になる。この結果電流1Eは零になる。以下、第4図
に示した回路の具体的動作を説明する。
まず、トランジスタ2aのエミッタ電流1Eが第5図の
イに示すように時刻らにおいてその限界値しを越えて流
れるような条件が発生したとする。
またこの回路における各部の値を以下のよう門にする。
R1=1KΩ,Rε=10Ω,■BEl=VBE2=V
Dl=■02=0・6V1(トランジスタ34aのコレ
クタエミッタ間の飽和電圧)−ニ01トランジスタ2a
の電流増幅率Hfel=100。こ場合時刻ち〜!にお
いて電流10が値1M以下)の間は前述のようにトラン
ジスタ34aはオフ状態であるからh=Iしであり、第
5図の口に示す電流18と同図のハに示す電流1Lの値
は等しい。そして時刻ちにおいて電流hが値しに等しく
なつた場合、すなわち(8)式とIE=HfellDな
る関係から、となつた場合、トランジスタ34aは導通
開始し、逆にトランジスタ2aはオフ状態に移行する。
この場合、電流15すなわち電流1Lが減少することに
より(第5図の口,ハの時刻L,)端子33の電圧が降
下し、これに伴い端子30aと端子33との間の電圧が
ますます増加するのでトランジスタ34aは直ちに飽和
し、またトランジスタ2aは直ちにオフ状態になる。そ
して時刻ち以降においては電流hは零であり、また電流
1しは抵抗32aとトランジスタ34aを介して流れる
電流1Dに略等しくなる。この電流1c.は端子30a
と端子33との間の電圧(VDl+■D2+■BT:2
)と抵抗32aの値R1とから決まるからとなる(第5
図のハ、時刻ち以降参照)。なお第3図に示したこの実
施例におけるトランジスタ2b,34b,ダイオード3
5,36、抵抗3b,32bからなる回路の動作は上述
した回路動作と全く対称てある。
このように、この実施例によれば出力段のトランジスタ
2a,2bに流れる出力電流がその限界値を越えると、
同トランジスタ2a,2bを完全にオフ状態にすること
ができる。
次に以上に説明したこの発明の具体的応用例について説
明する。
第6図はこの発明の第1の応用例の回路図であ.り、こ
の発明をミキサーのラインアンプに応用した場合の回路
を示している。
この応用例においてはドライブ段回路すなわちアンプA
により出力段のトランジスタ2a,2bが駆動される。
ここでトランジスタ2aのベースと同トランジスタ2a
のエミッタ抵抗3aの端子33との間にはこの発明によ
るトランジスタ34aが介挿されている。この場合、通
常トランジスタ2aは、アンプAの出力端子30の電圧
と抵抗32a等とによつて決まるドライブ電流により駆
動される。一方、アンプAの出力端子30とトランジス
タ34aのエミッタとの間の電圧がトランジスタ2aの
出力電流の増大に伴いある限界値を越えると、ダイオー
ド36、抵抗40a140cを順次介してトランジスタ
34aにベース電流が流れて同トランジスタ34aは導
通される。この結果トランジスタ2aはオフ状態になる
。なお、トランジスタ2b,34b1抵抗3b,32b
,40b,40d1ダイ)オート35等からなる回路は
前述の場合と全く対称な動作を行なう。次に第7図に示
す回路は、この発明の第2の応用例であるヘッドホンア
ンプを示している。この応用例においては、ドライブ段
回路すなわちアン・プAにより、ダーリントン接続され
た出力段のトランジスタ2a,2cとトランジスタ2b
,2dとが駆動される。ここでトランジスタ2aのベー
スとトランジスタ2cのエミッタ抵抗3cの端子33と
の間にはこの発明によるトランジスタ34暑aが介挿さ
れている。この場合、通常トランジスタ2a,2cはア
ンプAの出力端子の電圧と抵抗32a等によつて決まる
ドライブ電流により駆動される。一方アンプAの出力端
子30とトランジスタ34aのエミッタとの間の電圧が
、トランジスタ2cの出力電流の増大に伴い、ある限界
値を越えると、ダイオード35,36、抵抗40aを順
次介してトランジスタ34aのベース電流が流れて同ト
ランジスタ34aは導通される。この結果トランジスタ
2a,2cはオフ状態になる。なお、トランジスタ2b
,2d,34b1抵抗3d,32b,40b1ダイオー
ド37,38等からなる回路は上述した動作と全く対称
な動作を行なう。以上説明したようにこの発明による増
幅器の保護回路は、出力抵抗を介して付加に出力電流を
供給する出力段トランジスタ回路と、この出力段トラン
ジスタ回路にドライブ電流を供給するドライブ段回路と
を有してなる増幅器において、前記ドライブ電流の供給
路に設けられた抵抗と、この抵抗と前記出力段トランジ
スタ回路との間の前記ドライブ電流の供給路と、前記出
力抵抗と前記負荷との間の前記出力電流の供給路との間
に主電流路が順方向接続されたスイッチ回路と、前記ド
ライブ段回路と前記抵抗との間の前記ドライブ電流の供
給路と、前記スイッチ回路の制御電流供給路との間に順
方向接続されたダイオード回路とを具備しており、これ
により、前記負荷抵抗に至る前記出力電流供給路と前記
ドライブ段回路の出力端との間の電圧が所定電圧以上に
なると、前記ダイオード回路および前記スイッチ回路が
順次導通するようになつているので、出力段のトランジ
スタに規定値以上の電流が流れるような条件になると、
同出力段のトランジスタは完全にオフ状態になる。
したがつてこの発明によればこのような状態において出
力段のトランジスタが温度上昇することはなく、出力段
のトランジスタの放熱板を小型のものにできる等の効果
が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は従来の増幅器の保護回路を示す回
路図、第3図はこの発明の一実施例を示す回路図、第4
図は同実施例のプラス電源側回路を示す回路図、第5図
は同実施例の動作を説明するための波形図、第6図はこ
の発明の第1の応用例を示す回路図、第7図はこの発明
の第2の応用例を示す回路図である。 3a,3b・・・・・・エミッタ抵抗、7・・・・・・
負荷(負荷抵抗)、30a,30b・・・・・・第3の
端子(端子)、31a,31b・・・・・・第1の端子
(端子)、33・・・・・・第2の端子(端子)、34
a,34b・・スイッチ素子(トランジスタ)、A・・
・・・・ドライブ段回路、B・・・・・・出力段トラン
ジスタ回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 出力抵抗を介して負荷に出力電流を供給する出力段
    トランジスタ回路と、この出力段トランジスタ回路にド
    ライブ電流を供給するドライブ段回路とを有してなる増
    幅器において、(a)前記ドライブ電流の供給路に設け
    られた抵抗と、(b)この抵抗と前記出力段トランジス
    タ回路との間の前記ドライブ電流の供給路と、前記出力
    抵抗と前記負荷との間の前記出力電流の供給路との間に
    主電流路が順方向接続されたスイッチ回路と、(c)前
    記ドライブ段回路と前記抵抗との間の前記ドライブ電流
    の供給路と、前記スイッチ回路の制御電流供給路との間
    に順方向接続されたダイオード回路とを具備してなるこ
    とを特徴とする増幅器の保護回路。
JP55128735A 1980-09-17 1980-09-17 増幅器の保護回路 Expired JPS6057247B2 (ja)

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