JPS6057902A - 膜抵抗体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 く技術分野〉 本発明は、ハイブリッド回路等に使用される受動素子の
一つである膜抵抗体に関するものである。

〈従来技術〉 一般のハイブリッド回路に用いられる受動素子の一つで
ある膜抵抗体は、厚膜抵抗体と薄膜抵抗体に大別される
。上記厚膜抵抗体は、セラミックなどの基板上にＡｕ＋
Ａｇ＋Ｐｄなどの導体ペーストをスクリーン印刷し、焼
成した後、ＲｕＯ２などの抵抗ペーストと同じく印刷焼
成することにより抵抗体を得る方法である。また、薄膜
抵抗体は、セラミックなどの基板にＴａ、ＴａＮ等をス
パッタリング等により形成する方法である。

しかしながら、従来、有機フィルムを基板として用いた
場合、厚膜抵抗体は焼成温度の関係から作製が困難であ
るという欠点があった。近年、低温焼成用導電性有機ペ
ーストの発表がなされているが、捷だ安定性の点で十分
とは言えない。一方、薄膜抵抗体は、ターミナルを含む
配線の形成、導体金属膜の付着、フォトエツチング、抵
抗の形成。

抵抗金属膜の付着、フォトエツチングの工程の他。

安定化のだめのアニーリングなど複雑な工程を必要とす
るなどの欠点があった。

〈目　的〉 本発明は上記従来の厚膜抵抗体もしくは薄膜抵抗体の欠
点を除去するためになされたもので、特に、有機フィル
ムから成る基板を用い、この基板、）、、、：を向上さ
せ、かつスパッタ粒子の基板への喰い込みにより導電性
を持たせ、この部分を抵抗体部とすることに」：って、
従来の抵抗体金属薄膜付着工程を不要となしてプロセス
処理工程を簡略化し、かつ有機フィルム基板によってデ
ィプレイ面上等への実装が可能な透明な抵抗体を容易で
安価に構成ｌ−得る膜抵抗体を提供することを目的とす
る。

〈実施例〉 本発明の一実施例による膜抵抗体の作製プロセス工程の
手順を第１図（ａ）〜（ｆ）に従−て説明する。

（ａ）有機フィルム基板の逆スパツタリング有機フィル
ム基板１と１〜て、例えば耐熱性をもつポリイミドフィ
ルムが用いられ、この工程は有機フィルム基板の面１１
を逆スパツタリングにより粗すことにより、この基板面
に付着される導体金属薄膜と有機フィルム基板間の密着
性を向上させると共に、後にウェットエツチング処理を
行ってもスパッタ粒子５の喰い込みにより導電性を持た
せるだめの処理である。

表面の粗れ方は、逆スパッタ時間、ＲＦ小出力より大き
く変わり、これにより有機フィルム基板のシート抵抗を
制御できる。従って、最も重要な工程と言える。第２図
には有機フィルム基板としてポリイミドフィルムを用い
た場合のスパッタリング時間（分）、ＲＦ小出力ＫＷ）
とシート抵抗（ＫΩ）との関係が示される。図から分か
るように有機フィルム基板のシート抵抗は、逆スパツタ
リング時間及びＲＦ小出力よって大きく変わり、シート
抵抗値は逆スパツタリング時間が短く、ＲＦ小出力小さ
いほど大きく、逆スパツタリング時間を長＜ＬＲＦ出力
を大きくすればシート抵抗値は小さくなることが分かる
。

（ｂ）　導体金属薄膜の付着 導体金属膜であれば単層、多層例でも良いが、実施例で
はＡ７？（２１，Ｔｉ（３）、Ｃｕ−Ｎｉからなる合金
膜４が用いられた。Ａ１２は下地フィルムとの密着性を
良くシ、又Ｃｕ　−Ｎｉ　合金膜４はハンダ付けを可能
にする。まだＴｉ３はこの両者（２，４）間のバリアー
メタルである。各々の８ スパッタリング条件は、アルゴン圧力３×１０ｔｏｎ　
Ｏ下でパワ−２ＫＷ程度である。

（Ｃ）　配線パターンのエツチング この工程は、一般のウェットエッチプロセスでも良く、
例えばレジストで被覆した後、Ａｌ。

Ｔｉ　、Ｃｕ−Ｎｉの場合、Ｃｕ・Ｎｔｔ　’ｒｉ−Ｈ
Ｆ＋Ｈ２０，Ａｌ−ＨａＰＯ４で順次エツチング処理す
れば良い。

（ａ）　抵抗体部のマスキング まず、抵抗体として必要な部分、即ちノくターン間をマ
スキングする０マスキング材料６はフォトレジスト、印
刷レジスト等を用いることができるが、後のプラズマエ
ツチング工程に耐える必要がある。

（ｅ）　抵抗体部の形成 上記マスキングレジスト６により被覆された有機フィル
ム基板１をプラズマ中に晒らす（７はプラズマ処理面）
ことにより、抵抗体部以外の部分をわずかにエツチング
処理せしめ、喰い込んでいたスパッタ粒子５を取り去る
。このプラズマ処理工程の条件はＣＦａ　＋０２プラズ
マで約３０秒行えば良い。従って、この時間内では配線
下のサイドエツチングは殆んどなく実際上全く問題ない
。

（ｆ＞　マスキングレジストの除去 マスキングレジスト６を除去すればプロセスは完了する
。９は導体部、１０は絶縁部となる。

この様にして形成された膜抵抗体は、見掛は上、全く透
明で有機フィルム上に配線が見えるだけである。

〈効　果〉 以上説明したように本発明の膜抵抗体によれば、最も時
間とコストのかメる抵抗体金属薄膜付着工程が不要とな
るためプロセス処理工程が容易で簡略化されコストの低
減が図れる。また膜抵抗体は透明であるだめ、幅広く電
子機器のモジュールに第１図（ａ）〜（ｆ）は本発明に
よる膜抵抗体の一実施例の作製プロセス工程を示す断面
図、第２図は第１図の説明に供するだめのスパッタリン
グ時間及びＲＦ出力とシート抵抗との関係を示す図であ
る。

符号の説明 １：有機フィルム基板、２〜４：導体金属膜５ニスバッ
タ粒子　６：マスキングレジスト８：抵抗体部 代理人　弁理士　福　士　愛　彦（他２名）９−

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、有機フィルムから成る基板を逆スパツタリングで表
   面処理し、該表面処理された基板に喰い込んだ導電性ス
   パッタ粒子によシ抵抗体部を形成し該抵抗体部と結合さ
   れる導電金属膜を上記基板面に形成したことを特徴とす
   る膜抵抗体。