JPS6057927A - 欠陥修正方法 - Google Patents
欠陥修正方法Info
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- JPS6057927A JPS6057927A JP58164979A JP16497983A JPS6057927A JP S6057927 A JPS6057927 A JP S6057927A JP 58164979 A JP58164979 A JP 58164979A JP 16497983 A JP16497983 A JP 16497983A JP S6057927 A JPS6057927 A JP S6057927A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/72—Repair or correction of mask defects
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/54—Absorbers, e.g. of opaque materials
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はホトリソグラフィ技術に使用されるホトマスク
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
に関し、特にホトマスクの欠陥を修正する方法に関する
ものである。
半導体装置の製造に利用されるホトリソグラフィ技術で
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明ガラス基板の表面にクロム（Ｃｒ）等の金
属薄膜を所定パターン形状に構成したものであり、この
クロム薄膜のバターニングもホトリソグラフィ技術を利
用している。ところで、この種のホトマスクにおいては
前述のようにホトリソグラフィ技術を使用してクロ１１
薄膜のバターニングを行なっているために、異物の付着
、エツチングの不適等の種々の原因によって所謂黒点欠
陥やパターン欠は白点欠陥が発生する。即ち、黒点欠陥
はパターン以外の部位にクロム膜が残存することであり
、白点欠陥はパターン部のクロム膜が欠除されることで
あり、したがってこれらの欠陥は必ず修正されなければ
ならない。
は、形成するパターンと同−或いは相似のパターンを有
するホトマスクが必須のものとされる。このホトマスク
は一般に透明ガラス基板の表面にクロム（Ｃｒ）等の金
属薄膜を所定パターン形状に構成したものであり、この
クロム薄膜のバターニングもホトリソグラフィ技術を利
用している。ところで、この種のホトマスクにおいては
前述のようにホトリソグラフィ技術を使用してクロ１１
薄膜のバターニングを行なっているために、異物の付着
、エツチングの不適等の種々の原因によって所謂黒点欠
陥やパターン欠は白点欠陥が発生する。即ち、黒点欠陥
はパターン以外の部位にクロム膜が残存することであり
、白点欠陥はパターン部のクロム膜が欠除されることで
あり、したがってこれらの欠陥は必ず修正されなければ
ならない。
このため、本発明者はこれまでに以下に述べるような修
正技術を開発してボｌ−マスクのパターン欠陥の修正技
術を考えた。即ら、黒点欠陥１ｃは１ノーザビームを照
射してこれに焼棄さυ−ｃ’ 、＋；す、また白点欠陥
には第１図に承りように２ホト−７ス））１のクロム膜
３−１；、待に白点欠陥４−１−にΔＫＴａ（銀−タン
タル＞ｍ体層５を塗布形成し、白点欠陥４を含む部位に
Ｌ／−ザ照射を【）で層５内にＡｇを析出６させ１．：
の析出したＡｉにＪこり光遮蔽を行なう、：とにより白
点欠陥４に１．昌Ｊる光透過を防止している。図中、２
１１ガラス基板ζ″ある。
正技術を開発してボｌ−マスクのパターン欠陥の修正技
術を考えた。即ら、黒点欠陥１ｃは１ノーザビームを照
射してこれに焼棄さυ−ｃ’ 、＋；す、また白点欠陥
には第１図に承りように２ホト−７ス））１のクロム膜
３−１；、待に白点欠陥４−１−にΔＫＴａ（銀−タン
タル＞ｍ体層５を塗布形成し、白点欠陥４を含む部位に
Ｌ／−ザ照射を【）で層５内にＡｇを析出６させ１．：
の析出したＡｉにＪこり光遮蔽を行なう、：とにより白
点欠陥４に１．昌Ｊる光透過を防止している。図中、２
１１ガラス基板ζ″ある。
しかしながら、この白点欠陥の６’６ ＋ｌ：に際しで
は次のＪ：うな問題の生じることが明Ｉコ、か番、′さ
れた。
は次のＪ：うな問題の生じることが明Ｉコ、か番、′さ
れた。
つまり、クロム膜３上に直接錯体５を塗布した一層構造
の」二にレーザエネルギを加えた場合、りｌ’１ム１ａ
３の熱伝導が高いためレーザエネルギがりＣ１ム膜を通
して四方に逃げる現象が生じ、１ノ〜ザエネルギが有効
に作用しなくなる。実験によれば１５ＫＷ／ｄ以下のエ
ネルギでは析出１模（Ａｇ膜）の強度が弱く脱落しやす
くなる。これに対し、エネルギを２０ＫＷ／ａｌ以−ヒ
にすると析出膜がダメージを受けて光透過状態となり修
正不能となる。
の」二にレーザエネルギを加えた場合、りｌ’１ム１ａ
３の熱伝導が高いためレーザエネルギがりＣ１ム膜を通
して四方に逃げる現象が生じ、１ノ〜ザエネルギが有効
に作用しなくなる。実験によれば１５ＫＷ／ｄ以下のエ
ネルギでは析出１模（Ａｇ膜）の強度が弱く脱落しやす
くなる。これに対し、エネルギを２０ＫＷ／ａｌ以−ヒ
にすると析出膜がダメージを受けて光透過状態となり修
正不能となる。
したがって、レーザエネルギを前記１５〜２０Ｋ Ｗ／
ｃｎｆの範囲に制御することが必要になるが、欠陥の大
きさや形状等によって好適な値も微妙に変（１１される
ため、欠陥に応じてレーザエネルギを制御する必要があ
り、実際１−このようなコントロールを行なうことは不
可能に近く、したがって好適な修正を行なうことは困菫
である。特に微小パターン程レーザエネルギの制御は困
難である。
ｃｎｆの範囲に制御することが必要になるが、欠陥の大
きさや形状等によって好適な値も微妙に変（１１される
ため、欠陥に応じてレーザエネルギを制御する必要があ
り、実際１−このようなコントロールを行なうことは不
可能に近く、したがって好適な修正を行なうことは困菫
である。特に微小パターン程レーザエネルギの制御は困
難である。
〔発明の］１的〕
本発明の［１的はレーザエネルギによって析出するφ１
１体のエネルギ重度の低下を図ることにより、レーザ照
１−１による欠陥の修正を容易に行なうことができ、こ
れにより微小パターンの修正を可能にするホＩ・マスク
欠陥修正方法を提供することにある。 本発明の前記な
らびにそのほかの目的と新規な特徴は、水引ｍｖ＃の記
述および添付図面からあきらかになるであろう。
１体のエネルギ重度の低下を図ることにより、レーザ照
１−１による欠陥の修正を容易に行なうことができ、こ
れにより微小パターンの修正を可能にするホＩ・マスク
欠陥修正方法を提供することにある。 本発明の前記な
らびにそのほかの目的と新規な特徴は、水引ｍｖ＃の記
述および添付図面からあきらかになるであろう。
（３）
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡甲に説明すれば、下記のど１１Ｊである。
を簡甲に説明すれば、下記のど１１Ｊである。
すなわち、クロム等のパターン膜とＡ ｇ −１’ ｎ
錯体層との間に熱伝導率の社い膜（層）髪形成１．・。
錯体層との間に熱伝導率の社い膜（層）髪形成１．・。
Ａ ｇ −Ｔａ錯体層に供給されたレーザエネルギがパ
ターン膜に直接伝達されないようにして欠陥修正を行な
うことｌ７より、パターン膜を通しての１ノーザエネル
ギの散逸を防＋１．シて１ネルギの実効を高め、これに
より小レーザエネルギによる欠陥修正を可能にして、微
小パターンの修正を達成するものである。
ターン膜に直接伝達されないようにして欠陥修正を行な
うことｌ７より、パターン膜を通しての１ノーザエネル
ギの散逸を防＋１．シて１ネルギの実効を高め、これに
より小レーザエネルギによる欠陥修正を可能にして、微
小パターンの修正を達成するものである。
第２図および第３図は本発明の−・実施例を示しており
、図において１０は透明ガラス基板１１の表面にクロム
膜１２にて所定のパターン形状を形成したホトマスクで
ある。このクロム膜１２のパターン形成にはボ１〜リソ
グラフィ技術が利用され、ホトレジストによるマスキン
グを施したにで不要（４） な部分のクロム１漠をエツチング除去して、パターニン
グを行なっている。そしてこのとき、ホトレジストの一
部に欠陥等が生じているとパターン部位のクロム膜に−
ａ１１もエツチングされてしまい、図示のような白点欠
陥１３が発生する。
、図において１０は透明ガラス基板１１の表面にクロム
膜１２にて所定のパターン形状を形成したホトマスクで
ある。このクロム膜１２のパターン形成にはボ１〜リソ
グラフィ技術が利用され、ホトレジストによるマスキン
グを施したにで不要（４） な部分のクロム１漠をエツチング除去して、パターニン
グを行なっている。そしてこのとき、ホトレジストの一
部に欠陥等が生じているとパターン部位のクロム膜に−
ａ１１もエツチングされてしまい、図示のような白点欠
陥１３が発生する。
第３図（Ａ）〜（Ｃ）はこの白点欠陥１３を修正する方
法を工程順に示しており、先ず同図（Ａ）のようにクロ
ム膜１２全面ないしホトマスク１０全面にＴａ錯体樹脂
を薄く塗布してＴａ錯体樹脂層１４を形成する。このＴ
ａ錯体樹脂は熱伝導率が１−３ Ｘ ］ Ｏ−４ｃａｌ
−ｃａｂ−’ ・ｄｅｇ−１−Ｓ−重であり、クロム膜
１２の熱伝導率である０、１〜０ 、３ ｃａｌ・ｃｍ
−” −ｄｏｇ−” ・Ｓ〜１に比較して１／１０００
程度であり極めて低いものが使用される。次いで、同図
（Ｉ３）のように前記Ｔ ａ ！ｕ体樹脂層１４の上に
析出φ１を体、即ちＡｇ−Ｔｇ鉗体を塗布してＡｇ−Ｔ
ｇ錯体層Ｉ５を形成する。このＡｇ−Ｔａ錯体はエネル
ギ、例えばレーザエネルギが供給されるとこのエネルギ
によって金属たるＡｇが層内に析出し、これにより層自
体を光不透過性にする。Ａｇ（６） の濃度はＡ ｇ −Ｔ ａ錯体層１５の厚さに依（Ｉ：
Ｉ／ −Ｃおり、したがって必要な厚さに層１５Δ・形
成する。
法を工程順に示しており、先ず同図（Ａ）のようにクロ
ム膜１２全面ないしホトマスク１０全面にＴａ錯体樹脂
を薄く塗布してＴａ錯体樹脂層１４を形成する。このＴ
ａ錯体樹脂は熱伝導率が１−３ Ｘ ］ Ｏ−４ｃａｌ
−ｃａｂ−’ ・ｄｅｇ−１−Ｓ−重であり、クロム膜
１２の熱伝導率である０、１〜０ 、３ ｃａｌ・ｃｍ
−” −ｄｏｇ−” ・Ｓ〜１に比較して１／１０００
程度であり極めて低いものが使用される。次いで、同図
（Ｉ３）のように前記Ｔ ａ ！ｕ体樹脂層１４の上に
析出φ１を体、即ちＡｇ−Ｔｇ鉗体を塗布してＡｇ−Ｔ
ｇ錯体層Ｉ５を形成する。このＡｇ−Ｔａ錯体はエネル
ギ、例えばレーザエネルギが供給されるとこのエネルギ
によって金属たるＡｇが層内に析出し、これにより層自
体を光不透過性にする。Ａｇ（６） の濃度はＡ ｇ −Ｔ ａ錯体層１５の厚さに依（Ｉ：
Ｉ／ −Ｃおり、したがって必要な厚さに層１５Δ・形
成する。
しかる−１〕で、同図（Ｃ）のように白点欠陥１：３を
含むような甲面部分の前１＋ｊ Ａ Ｉｒ−Ｉ ’ Ｉ
’ρ１を体層１５−！−にｌノーザ光１６を１１（実射
すると、４ｇ −１” 。
含むような甲面部分の前１＋ｊ Ａ Ｉｒ−Ｉ ’ Ｉ
’ρ１を体層１５−！−にｌノーザ光１６を１１（実射
すると、４ｇ −１” 。
錯体層１５はレーザエネルギを吸収し・、ｆのＩ！ｆ（
４１部分内にＡｇを析出させる。しｔ−が−）−（、＋
１ｉｌ ｆｆｌ！白点欠陥１３のり［１ム膜＋２１ｔに
ＡＫイＪｉ出耐層１’／が形成され、このＡｇ析出層に
よっ−ＣＩｎ点欠陥１３の光透過が修正されて正しいボ
ドｌスクパターンが得られるのである。そして、こ（７
１どき４実施例では、４ｇ −Ｔ ａ錯体層１５どイ月
１１い膜１２との間に熱伝導率の低いＴ’ ａ ＃ｆｔ
（＋樹脂層１４を形成しているので、Ａ ｇ −Ｔａ
錯体層１；ｊに照ＩＪ−１されたレーザエネルギ（熱エ
ネルギ）け＋’ ａ ！Ｉｔ体樹体層脂層１４ってクロ
ム膜１２への直接伝達が抑止され、したがってり「ｉノ
、膜１２を通して四方へ散逸することが防止される。こ
の結呆、供給さイしたレーザエネルギは殆んど全てがΔ
にの析出に有効利用される、ぞの分Ａｇの析出に必要な
レーク１ｒ？、ルギ髪旺減′（−六る。因みにレーザエ
ネルギ密度＋ ５ Ｋ Ｗ ／ ｃＪをｌ０ＫＷ／ｃＪ
以下にできる。
４１部分内にＡｇを析出させる。しｔ−が−）−（、＋
１ｉｌ ｆｆｌ！白点欠陥１３のり［１ム膜＋２１ｔに
ＡＫイＪｉ出耐層１’／が形成され、このＡｇ析出層に
よっ−ＣＩｎ点欠陥１３の光透過が修正されて正しいボ
ドｌスクパターンが得られるのである。そして、こ（７
１どき４実施例では、４ｇ −Ｔ ａ錯体層１５どイ月
１１い膜１２との間に熱伝導率の低いＴ’ ａ ＃ｆｔ
（＋樹脂層１４を形成しているので、Ａ ｇ −Ｔａ
錯体層１；ｊに照ＩＪ−１されたレーザエネルギ（熱エ
ネルギ）け＋’ ａ ！Ｉｔ体樹体層脂層１４ってクロ
ム膜１２への直接伝達が抑止され、したがってり「ｉノ
、膜１２を通して四方へ散逸することが防止される。こ
の結呆、供給さイしたレーザエネルギは殆んど全てがΔ
にの析出に有効利用される、ぞの分Ａｇの析出に必要な
レーク１ｒ？、ルギ髪旺減′（−六る。因みにレーザエ
ネルギ密度＋ ５ Ｋ Ｗ ／ ｃＪをｌ０ＫＷ／ｃＪ
以下にできる。
そして、このようにレーザエネルギ密度を低減しても十
分な強度の析出層を得ることができる一方、エネルギの
低減により析出層へのダメージを防１１；でき、これに
より微小パターンにおける好適な修正を実現できる。実
験によれば、従来困難であった１〜２μｍのパターン欠
陥の修正製可能にした。
分な強度の析出層を得ることができる一方、エネルギの
低減により析出層へのダメージを防１１；でき、これに
より微小パターンにおける好適な修正を実現できる。実
験によれば、従来困難であった１〜２μｍのパターン欠
陥の修正製可能にした。
（１）クロム膜」二に熱伝導率の低い膜を形成した、に
にＡ ｇ −Ｔ ａ １１１１体等の析出錯体層を形成
し、しかる上で白点欠陥部にレーザを照射して析出を行
なわせているので、レーザエネルギが熱伝導率の低い膜
によってクロム膜に伝達されることが抑止され熱エネル
ギクロム膜によって散逸されるのが防１（−でき、エネ
ルギの実効を高めて低エネルギで欠陥修正を可能にする
。
にＡ ｇ −Ｔ ａ １１１１体等の析出錯体層を形成
し、しかる上で白点欠陥部にレーザを照射して析出を行
なわせているので、レーザエネルギが熱伝導率の低い膜
によってクロム膜に伝達されることが抑止され熱エネル
ギクロム膜によって散逸されるのが防１（−でき、エネ
ルギの実効を高めて低エネルギで欠陥修正を可能にする
。
（２）低エネルギでの欠陥修正を可能にしているので、
析出層へのダメージを防止する一方で析出（７） 層の脱落をも防１！−でき、良好な析出層も形成して１
欠陥修正の信頼性を高めることがで１！！′／、Ｉ。
析出層へのダメージを防止する一方で析出（７） 層の脱落をも防１！−でき、良好な析出層も形成して１
欠陥修正の信頼性を高めることがで１！！′／、Ｉ。
（３）低エネルギでかつ信頼性の、用い欠陥修１１−を
行なうことができるので、微小パターンの修正も良好に
行なうことができ、＊細パターンのホトマスクに対応で
きる。
行なうことができるので、微小パターンの修正も良好に
行なうことができ、＊細パターンのホトマスクに対応で
きる。
以上本発明者ににっｒなされた発明１実ＪＭ ｔｕｔに
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、低
熱伝導率の膜は前例の１”、 ａ ＃ｌ１体樹脂以外の
耐熱性及び選択性のある樹脂を使用してもよくさらには
、樹脂以外のクロ１１よりも熱伝導膜であってもよい。
もとづき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能であることはいうまでもない。たとえば、低
熱伝導率の膜は前例の１”、 ａ ＃ｌ１体樹脂以外の
耐熱性及び選択性のある樹脂を使用してもよくさらには
、樹脂以外のクロ１１よりも熱伝導膜であってもよい。
またＡ ｇ −Ｔ ａ錯体の代りに他の析出錯体を使用
してもよい。
してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体装Ｗｌ製造用
のホトマスクに適用した場合に勺いて説明したが、それ
に限定さオしるものではなく ”ｉｎ１ （８） 真技術（ホトリソグラフィ技ｔ＋？）を使用する全ての
分野のホトマスクの修正に適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体装Ｗｌ製造用
のホトマスクに適用した場合に勺いて説明したが、それ
に限定さオしるものではなく ”ｉｎ１ （８） 真技術（ホトリソグラフィ技ｔ＋？）を使用する全ての
分野のホトマスクの修正に適用できる。
第１図は本発明者が考えた技術を説明するための断面図
、 第２図は白点欠陥を有するホ１ヘマスクの一部の斜視図
。 第：３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明方法を工程順に説明す
るだめの断面図である。 １０・・・ホトマスク、１１・・・ガラス基板、１２・
・・クロム膜（パターン）、１３・・・白点欠陥、１４
・・・Ｔ ａ錯体樹脂層、１５−Ａｇ−Ｔａ＃体層、Ｉ
６・・・レーザ光、１７・・・析出層。 （１０） 第 １ 図 ４ 第 ２ ド 第 ３ 図 （Ａ） ／４
、 第２図は白点欠陥を有するホ１ヘマスクの一部の斜視図
。 第：３図（Ａ）〜（Ｃ）は本発明方法を工程順に説明す
るだめの断面図である。 １０・・・ホトマスク、１１・・・ガラス基板、１２・
・・クロム膜（パターン）、１３・・・白点欠陥、１４
・・・Ｔ ａ錯体樹脂層、１５−Ａｇ−Ｔａ＃体層、Ｉ
６・・・レーザ光、１７・・・析出層。 （１０） 第 １ 図 ４ 第 ２ ド 第 ３ 図 （Ａ） ／４
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ホトマスクに形成したパターン１１１４−生じた白
点欠陥を修正するに際し、ホトマスク１〕に熱伝導率の
低い膜を形成すると共にその１−に析出φ１１体層を形
成し、しかるＦでこの析出錯体層の前記白点欠陥担当部
位にレーザ光を照射して析出錯体層の析出を行なう修正
部の２層構造を特徴とする欠陥修正方法。 ２、熱伝導率の紅い錯体層をパターン膜にに薄く塗布す
ると共に、その上に析出錯体層を必要な析出濃度が得ら
れる程度の厚さに塗布してなる特許請求の範囲第１項記
載の欠陥修正方法。 ３、熱伝導率の低い膜はＴａ錯体樹脂で形成し、析出錯
体層はＡ ｇ −Ｔ ａ Ｍ体で形成しＬいることを特
徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の欠陥修
正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164979A JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58164979A JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6057927A true JPS6057927A (ja) | 1985-04-03 |
Family
ID=15803520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58164979A Pending JPS6057927A (ja) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | 欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6057927A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58164979A patent/JPS6057927A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03181945A (ja) * | 1989-12-12 | 1991-08-07 | Mitsubishi Electric Corp | マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 |
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