JPH03181945A - マスクのパターン欠け欠陥の修正方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路の回路パターンの原版である
フォトマスクやＸ線マスク上のパターン欠陥の修正方法
に関するものである。

〔従来の技術〕

半導体集積回路の製造プロセスにおいて、その回路パタ
ーンの原版であるフォトマスク上にパターン欠陥がある
場合、転写されたウエノ・すべてに共通パターン欠陥が
転写されてしまうので、フォトマスクのパターン欠陥は
完全に修正されなければならない。

ピンホールやエツジ欠け等のパターン欠け欠陥を修正す
る従来方法について、第２図および第４図を用いて説明
する。第２図はパターン欠け欠陥を持つマスクの模式図
、第４図は従来方法によって修正したマスクの模式図で
あり１同図（ａ）はそのマスクの平面図を、同じく図（
ｂ）は同図（ａ）にかけるＡ−Ｂ線断面図をそれぞれ示
す。

第２図に訃いて、マスクの構造は、−数的に、厚さ０．
０９インチの石英ガラス等の透明マスク基板１０表面に
厚さ約１００ＯＡのクロム筐たはモリブデンシリサイド
等の金属膜からなるマスクパターン２が形成されている
。ただし、３はマスクパターン２のパターン欠け欠陥の
例である。

ところで、第２図に示すパターン欠け欠陥を修正する場
合、マスク表面のパターン欠陥３の近傍にヘキサカルボ
ニルクロム（Ｃｒ（Ｃｏ）ｓ）’４？の有機金属ガスを
供給しつつ、ＹＡＧレーザ等のレーザ光をパターン欠陥
３の上に照射すると、有機金属ガスが分解して、金属膜
がレーザ光照射箇所に堆積する。その原理は、レーザ光
が基板に吸収されて熱エネルギーとなり、基板表面に吸
着された有機金属ガスを分解するもので、レーザＣＶＤ
と呼ばれる。このようにしてパターン欠陥３部分に、第
４図に示すようにデポジション膜４を形成し、欠陥の修
正を行う。このとき、デポジション膜４が金属の場合は
、膜厚１０００Ａ程で実用に供することができる。

〔発明が解決しようとする課題〕

しかし、かかる従来の欠陥修正方法は次のような問題点
があった。これについて第５図を参照して説明する。修
正後のマスクを高圧純水やスクラバー等で洗浄すると、
第５図に示すように、修正部のデポジション膜４にはが
れ５が欠陥として生ずることがある。これは、デポジシ
ョン膜４を形成する際に、基板１がガラスのような透明
物質である場合、レーザ光の吸収が少ないので、ガラス
基板上には直接金属膜が堆積しにくく、金属膜は欠陥３
の周辺のマスクパターン２から成長していることに起因
する。すなわち、欠陥修正のためのデポジション膜４は
マスクパターン２上の部分は基板と接着しているが、欠
陥３の部分は基板（ガラス）この接着力が弱いので、洗
浄時にはがれやすい。これは、特に欠陥の大きさが１０
μｍ２　以上の大きなピンボールや、パターンエツジ部
のバタン欠け欠陥に対して顕著となる。

以上のように従来法によれば、パターン欠け欠陥の修正
部が洗浄によってはがれやすいという問題点がある。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するた
めに、レーザＣＶＤによるデポジションを行う前にマス
ク全面にレーザ光を吸収する中間層を形成し、この欠陥
修正後にその層を選択的に除去するようにしたものであ
る。

〔作用〕

本発明にかいては、マスク全面にレーザ光を吸収する中
間層を設けることにより１ガラス基板上であってもレー
ザ光のエネルギーが吸収され、接着性の高いデポジショ
ン膜を形成できるので、洗浄によって修正部の膜がはが
れることがなくなる。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を第１図〜第３図を用いて説明す
る。

第１図は本発明によるマスクの欠陥修正方法の一実施例
を示す工程断面図でるｂＸ第２図はパターン欠け欠陥の
例を、そして第３図はこの実施例の方法によって欠陥修
正を行った後のマスクをそれぞれ示している。これらの
図にかいて同−ｌたは相当部分は同一符号を記してあシ
、６はパターン修正を行う前に形成する金属膜等の中間
層であり１　この中間層６はレーザ光を吸収するための
ものである。

次に上記実施例の方法について、説明の便宜上、従来例
と同じく、第２図に示すパターン欠け欠陥の修正を一例
として説明する。

第１図に訃いて、壕ず第２図に示す欠陥３を持つマスク
全面に、スパンタ法によって中間層６としてＡｌ膜を厚
さ２００’Ａに形成する（同図（−’）、　（ｂ）’）
。

次に、ヘキサカルボニルクロム（ｃｒ（ｃｏ）ｓ）ガス
を供給しなからＹＡＧレーザ光を前記欠陥３の部分に照
射し、吸着ガスを分解することによってレーザ光照射部
にデポジション膜４としてクロム膜をｇｏｏｎの厚さに
形成する（同図（Ｃ））。

次いで、このマスクをリン酸（Ｈ３ＰＯ４）に浸すこと
によって中間層としてのＡｌ、膜６を選択的に除去する
ことによう、第３図に示すように欠陥修正は完了する（
同図（ｄ））。このとき、リン酸はクロム膜をエツチン
グしないので、前記クロム膜４におおわれた部分のＡ１
膜６はエツチングされずに残存する。

このように本実施例の方法によれば、修正用のデポジシ
ョン膜４を形成するときの基板にはＡ１膜６が中間層と
して全面に形成されているため、ガラス基板上でもレー
ザ光は吸収されるので、接着性のよいデポジション膜が
形成される。従って、本発明の方法によってパターン欠
け欠陥の修正を行えば、洗浄によって修正箇所がはがれ
ることはない。

なお、上記実施例において、中間層６としてＡＩを、そ
のエツチングにリン酸によるウェットエツチングを使用
しているが、 ■　レーザ光を吸収する。

■　マスクハターン４をマスクにしてエンチンできる。

という条件を満たせば、他の金属、他のエンチャントを
用いても良いし、中間層として有機膜などの金属以外の
物質を用いても良い。筐た、ウェットエツチングではな
く、ドライエツチングを用いても良い。

さらに、上記実施例は修正にＹＡＧレーザを用いている
が、他の種類、他の波長のレーザ光を用いても良い。

また、上記実施例はガラス基板を持つフォトマスクにつ
いて示したが、マスク基板が透明である限ｂ１Ｘ線マス
クに対しても同一効果を奏する。

〔発明の効果〕

以上のように本発明によれば、マスクパターン中に存す
るパターン欠け欠陥を修正する際に、レザ光によるデポ
ジションを行う前にマスク全面にレーザ光を吸収する中
間層を形威し、欠陥修正後にその層を選択的に除去する
ことによう１　この中間層によってガラス等の透明な基
板上であってもレーザ光のエネルギーが吸収され、接着
性の高いデポジション膜を形成できるので、洗浄によっ
て修正部の膜がはがれることはなくなり１欠陥のない良
好なマスクが得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図（、）〜（ｄ）は本発明の方法の一実施例を示す
工程断面図、第２図０及び（ｂ）はその実施例の説明に
供するパターン欠け欠陥の一例を示す模式的な平面図及
びそのＡ−Ｂ線断面図、第３図６）及び（ｂ）は上記実
施例の方法によって修正を行った後のマークの平面図及
びそのＡ−Ｂ線断面図、第４図（、）及び（ｂ）は従来
の方法によって修正したときの一例を示すマスクの平面
図及びそのＡ−Ｂ線断面図、第５図（、）及び（ｂ）は
従来例の問題点の説明に供するマスクの平面図及びその
Ａ−Ｂ線断面図である。 １・・・・マスク基板、２・・・・マスクツくターン、
３・・・・パターン欠け欠陥、４・′・・・欠陥修正用
のデポジション膜、６・・・・中間層。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明な基板を持つ半導体集積回路用マスクにおいて、そ
   のマスクパターン中に存するパターン欠け欠陥を修正す
   る際に、前記マスクパターンの露出する全面にわたつて
   レーザ光を吸収する中間層を形成し、次いでレーザＣＶ
   Ｄによるデポジションによつてパターン欠け欠陥を修正
   した後、このデポジション膜をマスクにして修正部以外
   の中間層を除去することを特徴とするマスクのパターン
   欠け欠陥の修正方法。