JPS6058564B2 - 硬磁性薄膜の製造方法 - Google Patents
硬磁性薄膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6058564B2 JPS6058564B2 JP11620878A JP11620878A JPS6058564B2 JP S6058564 B2 JPS6058564 B2 JP S6058564B2 JP 11620878 A JP11620878 A JP 11620878A JP 11620878 A JP11620878 A JP 11620878A JP S6058564 B2 JPS6058564 B2 JP S6058564B2
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- Japan
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- film
- hard magnetic
- thin film
- plating
- cobalt
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
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- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は抗磁力、飽和磁化、角形化がともに大きく、
表面が平滑でかつ磁気特性、膜厚ともに均質なコバルト
・リン、コバルト、ニッケル・リン等の少なくともコバ
ルトとリンを含有する硬磁性薄膜を、煩雑な基板の前処
理及び膜形成後の後処理を要することなく、良好な再現
性をもつて得るための製造技術に関するものである。
表面が平滑でかつ磁気特性、膜厚ともに均質なコバルト
・リン、コバルト、ニッケル・リン等の少なくともコバ
ルトとリンを含有する硬磁性薄膜を、煩雑な基板の前処
理及び膜形成後の後処理を要することなく、良好な再現
性をもつて得るための製造技術に関するものである。
尚、硬磁性材とは抗磁力の高い材料を指称する。 従来
、コバルト・リン硬磁性膜を得る方法としては、無電解
めつき法、電気めつき法が一般的に広く常用されている
。
、コバルト・リン硬磁性膜を得る方法としては、無電解
めつき法、電気めつき法が一般的に広く常用されている
。
しカルながらこれらのめつき法に於いては必然的に基板
の煩雑な前処理あるいは導電性化が必要であり、特に前
処理は形成されるめつき膜の状態、性質に著しい影響を
与えることとなり、例えば基板の化学的エッチングが不
充分な場合、基板とめつき膜との間の接合状態が不完全
となり、めつき膜が形成されなかつたり、形成されため
つき膜が剥離する等の問題が発生する。また化学的エッ
チングや活性化処理の程度により、めつき膜の析出速度
、めつき膜面の平滑性に差を生ずる等の不都合な事態を
招来する。このため、めつき工程の前処理に於いては厳
しい処理条件の確立及び制御が要求される。まためつき
膜形成後に於いても水洗等の後処理が不可欠となる。従
つて従来のめつき法を用いた硬磁性膜の製造方法に於い
ては生産設備が大型化し、前工程が多岐にわたり、生産
性、再現性が阻害される結果となる。 上記以外の欠点
として、従来法に於いては、めつき膜を数百Λ以下の膜
厚て形成する場合、均一なめつき膜を得ることがかなり
困難であり、また基板材料が前処理時の処理液やめつき
液に侵される惧れのあるものについては、当然これらの
液を使用することはできなくなる。
の煩雑な前処理あるいは導電性化が必要であり、特に前
処理は形成されるめつき膜の状態、性質に著しい影響を
与えることとなり、例えば基板の化学的エッチングが不
充分な場合、基板とめつき膜との間の接合状態が不完全
となり、めつき膜が形成されなかつたり、形成されため
つき膜が剥離する等の問題が発生する。また化学的エッ
チングや活性化処理の程度により、めつき膜の析出速度
、めつき膜面の平滑性に差を生ずる等の不都合な事態を
招来する。このため、めつき工程の前処理に於いては厳
しい処理条件の確立及び制御が要求される。まためつき
膜形成後に於いても水洗等の後処理が不可欠となる。従
つて従来のめつき法を用いた硬磁性膜の製造方法に於い
ては生産設備が大型化し、前工程が多岐にわたり、生産
性、再現性が阻害される結果となる。 上記以外の欠点
として、従来法に於いては、めつき膜を数百Λ以下の膜
厚て形成する場合、均一なめつき膜を得ることがかなり
困難であり、また基板材料が前処理時の処理液やめつき
液に侵される惧れのあるものについては、当然これらの
液を使用することはできなくなる。
本発明は上記現状に鑑み、技術的手段を駆使すること
により、作業の煩雑さを軽減し、薄い膜においても均一
な膜を得ることのできる新規有用な硬磁性薄膜の製造方
法を提供することを目的とするものである。
により、作業の煩雑さを軽減し、薄い膜においても均一
な膜を得ることのできる新規有用な硬磁性薄膜の製造方
法を提供することを目的とするものである。
本発明の製造方法はめつき処理によりＲＦスパッタリ
ング用ターゲットとなるめつき膜を得る工程とＲＦスパ
ッタリングにより硬磁性薄膜をスパッタ膜として得る工
程とによつて２段階の硬磁性薄膜を作製することを特徴
とする。
ング用ターゲットとなるめつき膜を得る工程とＲＦスパ
ッタリングにより硬磁性薄膜をスパッタ膜として得る工
程とによつて２段階の硬磁性薄膜を作製することを特徴
とする。
即ち、無電解めつき法あるいは電気めつき法て適当な基
板上にコバルト・リン等のめつき膜を形成し、更にこれ
をターゲットとしてＲＦスパッタ法にて半導体あるいは
ガラス等の基板上にコバルト・リン等の少なくともコバ
ルトとリンを含有する硬磁性薄膜を作製するものである
。以下、本発明を１実施例に基いて詳細に説明する。
板上にコバルト・リン等のめつき膜を形成し、更にこれ
をターゲットとしてＲＦスパッタ法にて半導体あるいは
ガラス等の基板上にコバルト・リン等の少なくともコバ
ルトとリンを含有する硬磁性薄膜を作製するものである
。以下、本発明を１実施例に基いて詳細に説明する。
硬磁性材料としてコバルト・リンを採用し、コバルト・
リンめつき用基板として直径８０ｗｒｍ１厚さ１０Ｔ１
ｓｔの銅板を用い、この銅板を王水でエッチングした後
、塩化パラジウムで活性化する。
リンめつき用基板として直径８０ｗｒｍ１厚さ１０Ｔ１
ｓｔの銅板を用い、この銅板を王水でエッチングした後
、塩化パラジウムで活性化する。
次に浴組成、ＰＨ値、温度、液量を次表に示す如き値に
調整し銅板上にコバルト・リンを５時間程度めつき処理
して厚さ２０μｍ〜３０μｍのコバルト・リンめつき膜
を得る。このめつき処理工程で得られたコバルト・リン
めつき膜を次工程のＲＦスパッタリング用ターゲットと
する。
調整し銅板上にコバルト・リンを５時間程度めつき処理
して厚さ２０μｍ〜３０μｍのコバルト・リンめつき膜
を得る。このめつき処理工程で得られたコバルト・リン
めつき膜を次工程のＲＦスパッタリング用ターゲットと
する。
上記ターゲット作製工程に於いて、めつき基板となる銅
板の化学的エッチング処理、活性化処理等一連の前処理
及びめつき膜形成後、水洗等の後．処理は当然に必要と
なるが、めつき膜自身の析出速度、平滑性、膜厚均一性
等に対する要求は厳密に制御する必要がなく、前処理及
び後処理の処理条件の許容範囲はかなり広く設定するこ
とができる。
板の化学的エッチング処理、活性化処理等一連の前処理
及びめつき膜形成後、水洗等の後．処理は当然に必要と
なるが、めつき膜自身の析出速度、平滑性、膜厚均一性
等に対する要求は厳密に制御する必要がなく、前処理及
び後処理の処理条件の許容範囲はかなり広く設定するこ
とができる。
上記コバルト・リンめつき膜をターゲットとし、純アル
ゴン雰囲気〔圧力ニ１×１０−１（ＴＯｎ′）〕中でＲ
Ｆスパッタリングすることにより、基板上に厚さ５００
〜１２００Ａのコバルト●リン薄膜を形成する。
ゴン雰囲気〔圧力ニ１×１０−１（ＴＯｎ′）〕中でＲ
Ｆスパッタリングすることにより、基板上に厚さ５００
〜１２００Ａのコバルト●リン薄膜を形成する。
この時の基板としては例えば直径２インチのＳｉＯ，／
Ｓｉ基板（Ｓｉ結晶上にＳｉα膜を被覆したもの）を使
用する。上記方法により得られたスパッタ膜（コバルト
・リン薄膜）の磁気特性を添附図面に示す。
Ｓｉ基板（Ｓｉ結晶上にＳｉα膜を被覆したもの）を使
用する。上記方法により得られたスパッタ膜（コバルト
・リン薄膜）の磁気特性を添附図面に示す。
図面は横軸に示す膜厚（単位Ａ）に対する抗磁力Ｈｃ（
単位０ｅ）、残留磁化Ｍｒ（単位Ｇａｕｓｓ）、飽和ノ
磁化Ｍｓ（単位Ｇａｕｓｓ）及び角形比Ｍｒ／Ｍｓの値
を縦軸に表わしている。尚、抽出サンプル数は１２個で
ある。ターゲットのめつき膜面は無光沢であつたが、ス
パッタ膜として形成されたコバルト●リン薄膜・の膜面
は光沢を有し、極めて平滑で、磁気特性、膜厚ともに均
一であり、膜と基板との密着強度は使用に耐えるに充分
な値を有し、強固な接合状態を形成することができた。
単位０ｅ）、残留磁化Ｍｒ（単位Ｇａｕｓｓ）、飽和ノ
磁化Ｍｓ（単位Ｇａｕｓｓ）及び角形比Ｍｒ／Ｍｓの値
を縦軸に表わしている。尚、抽出サンプル数は１２個で
ある。ターゲットのめつき膜面は無光沢であつたが、ス
パッタ膜として形成されたコバルト●リン薄膜・の膜面
は光沢を有し、極めて平滑で、磁気特性、膜厚ともに均
一であり、膜と基板との密着強度は使用に耐えるに充分
な値を有し、強固な接合状態を形成することができた。
以上詳説した如く、本発明はめつき法により得られるコ
バルト・リン等の少なくともコバルトとリンを含有する
硬磁性めつき膜をターゲットとし、ＲＦスパッタリング
法により基板上に少なくともコバルトとリンを含有する
硬磁性薄膜を形成するものであり、このスパッタリング
工程に於いて、基板の前処理及び薄膜形成後の後処理は
不要であり、ターゲット膜面の平滑性如何にかかわらず
、スパッタ膜は極めて光沢に富み、厚さ数百Ａ以下の硬
磁性薄膜を得る場合にも均一な膜厚を有する薄膜を得る
ことがてきる。
バルト・リン等の少なくともコバルトとリンを含有する
硬磁性めつき膜をターゲットとし、ＲＦスパッタリング
法により基板上に少なくともコバルトとリンを含有する
硬磁性薄膜を形成するものであり、このスパッタリング
工程に於いて、基板の前処理及び薄膜形成後の後処理は
不要であり、ターゲット膜面の平滑性如何にかかわらず
、スパッタ膜は極めて光沢に富み、厚さ数百Ａ以下の硬
磁性薄膜を得る場合にも均一な膜厚を有する薄膜を得る
ことがてきる。
またその膜厚制御も容易である。作製された硬磁性薄膜
の磁気特性は抗磁力、飽和磁化、角形比ともに大でかつ
均一であり、再現性、生産性ともに良好である。またタ
ーゲット作製時のめつき処理条件によりスパッタ膜の磁
気特性を制御することも可能である。
の磁気特性は抗磁力、飽和磁化、角形比ともに大でかつ
均一であり、再現性、生産性ともに良好である。またタ
ーゲット作製時のめつき処理条件によりスパッタ膜の磁
気特性を制御することも可能である。
添附図面は本発明により得られたコバルト・リン薄膜の
磁気特性図である。
磁気特性図である。
Claims (1)
- １ めつき用基板上に少なくともコバルトとリンを含有
する硬磁性材料から成るめつき膜を形成し、次に該めつ
き膜をターゲットとしてＲＦスパッタリング法により、
スパッタリング用基板上に少なくともコバルトとリンを
含有する硬磁性薄膜を形成したことを特徴とする硬磁性
薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11620878A JPS6058564B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 硬磁性薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11620878A JPS6058564B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 硬磁性薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5541791A JPS5541791A (en) | 1980-03-24 |
| JPS6058564B2 true JPS6058564B2 (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14681508
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11620878A Expired JPS6058564B2 (ja) | 1978-09-20 | 1978-09-20 | 硬磁性薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058564B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60160980A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | 株式会社三洋物産 | パチンコ機におけるセ−フ玉排出制御装置 |
| JPS60160979A (ja) * | 1984-02-01 | 1985-08-22 | 株式会社三洋物産 | パチンコ機におけるセ−フ玉排出制御装置 |
-
1978
- 1978-09-20 JP JP11620878A patent/JPS6058564B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5541791A (en) | 1980-03-24 |
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