JPS6058714A - Voltage controlled oscillator - Google Patents
Voltage controlled oscillatorInfo
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- JPS6058714A JPS6058714A JP58165908A JP16590883A JPS6058714A JP S6058714 A JPS6058714 A JP S6058714A JP 58165908 A JP58165908 A JP 58165908A JP 16590883 A JP16590883 A JP 16590883A JP S6058714 A JPS6058714 A JP S6058714A
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- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はエミッタ結合型無安定マルチバイブレータを
用いた電圧制御発振器に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to a voltage controlled oscillator using an emitter-coupled astable multivibrator.
電子機器1例えばFMyR1111!器、 PLL回路
、電圧/周波数コンバータ等に於いては、一般に電圧制
御発振器がしばしば用いられる。Electronic device 1 For example, FMyR1111! In general, voltage controlled oscillators are often used in circuits, PLL circuits, voltage/frequency converters, and the like.
第1図に、従来のエミッタ結合型無安定マルチバイブレ
ータを用いた電圧制御発振器を示し、その動作を説明す
る。トランジスタQ1〜Qγ、抵抗R17R1、電圧源
V1%電流源Il 、I。FIG. 1 shows a voltage controlled oscillator using a conventional emitter-coupled astable multivibrator, and its operation will be explained. Transistors Q1 to Qγ, resistor R17R1, voltage source V1% current source Il, I.
及びコンデンサCはエミッタ結合型無安定マルチバイブ
レータを構成し、トランジスタQg 。and capacitor C constitute an emitter-coupled astable multivibrator, and transistor Qg.
Q9及び抵抗R3,R4は電圧源■2からの制御電圧v
Xを電流に変換し、上記マルチバイブレータの動作電流
を作るように構成している。Q9 and resistors R3 and R4 are controlled voltage v from voltage source 2
It is configured to convert X into a current to generate an operating current for the multivibrator.
第2図に動作時の各部A、B、C,Dの波形及びスイッ
チング動作するトランジスタQt+Qs、Qa及びQ7
の状態をオン(ハイレベル)、オフ(ロウレベル)で示
している。区間T、に於いては、トランジスタQa+Q
yがオンしておシ、正帰還ループによりトランジスタQ
+ rQ6はオフしている。このときのコンデンサCの
電流路は、トランジスタQ7のエミッタ→コンデンサC
→トランジスタQ8のコレクタであシ、トランジスタQ
8のコレクタ電流で決定される電流がコンデンサCに流
れる。この状態では、トランジスタQ7がオンしている
ので、そのエミッタ電位は固定されている為、コンデン
サCの充電が進むにつれ、トランジスタQ6のエミッタ
電位が低下し、ついにはトランジスタQ6がオンする。Figure 2 shows the waveforms of each part A, B, C, and D during operation and the switching transistors Qt+Qs, Qa, and Q7.
The status is shown as on (high level) or off (low level). In section T, transistor Qa+Q
When y is turned on, transistor Q is turned on by a positive feedback loop.
+ rQ6 is off. At this time, the current path of capacitor C is from the emitter of transistor Q7 to capacitor C.
→ Collector of transistor Q8, transistor Q
A current determined by the collector current of 8 flows through capacitor C. In this state, since the transistor Q7 is on, its emitter potential is fixed, so as the charging of the capacitor C progresses, the emitter potential of the transistor Q6 decreases, and finally the transistor Q6 turns on.
トランジスタQ6がオンした直後にトランジスタQ1も
オンし、正帰還ループによりトランジスタQ11.Q7
はオフとなって区間T3の状態となる。このように区間
T 、。Immediately after transistor Q6 turns on, transistor Q1 also turns on, and a positive feedback loop causes transistors Q11. Q7
is turned off and enters the state of section T3. Thus the interval T,.
T!の状態を繰シ返えし、発振が維持される。T! This state is repeated and oscillation is maintained.
ここで、この回路の理想的な発振周波数F□をめる。区
間T2の状態に於けるトランジスタQll、Q7の6−
7電位vB6(2) l R7(1) ハTvB6(2
)=vOO−VBII2−vBII5 °°(1)vB
7(2)=vOO”ref−vnil−vBB4 ・(
2)但し、voo;電源子Bの電圧
■r6f:電圧源Vsの!圧
”B]Wrt : )ランジメタQn (n=1〜9)
のベース・エミッタ間順方向降下電
圧(以下の式に於いても同様)
となる。このとき、トランジスタQ6がオンしているの
で、トランジスタQ6のエミッタ電位vB6C2)は式
(1)よシ、
vB6(2) =v00 ”BEl ’B15−vBE
6 °−(3)となって固定されている。一方、トラン
ジスタQtはオフしているので、トランジスタQ7のエ
ミッタ電位vI、7 (2)はコンデンサCの充電とと
もに下がっている。したがって、区間T2の終シに77
HするトランジスタQ7のエミッタ電位vP37(2)
Bが式(2)に示すトランジスタQ7のベース電位vB
7 (2)よシそのベース・エミッタ間順方向降下電
圧VBE7だけ小さくなったとき、つまシ、”R7(2
’la=”Co ”ref ”BEl”BF2 ”BI
B7 ”’(’)となった瞬間、回路状態は反転し、区
間T1の状態になる。このとき、トランジメタQ7のエ
ミッタ電位V□7(1)は、このトランジスタQ7がオ
フからオンに切シ換わるので、瞬時に、vFt7(1)
−voo−vBB2−vBB4−vBB7 °°(5)
に変化する。トランジスタQ7のエミッタ電位がvII
I 7 (2) BからvB 7 (1)に瞬時に変化
し、そノ’4位差は式(4ン、(5)から
V17(1) ’E7(2) W ref ”・(6)
5−
となる。但し、全てのトランジスタのベース・エミッタ
間順方向降下電圧vBBnは等しいものとする。この電
位差V、。、はそのままコンデンサCの他端でおるトラ
ンジスタQ6のエミッタに伝送され、区間1里の初期に
於けるトランジスタQ6のエミッタ電位V。6(1)s
は式(3)よシ、vB6(1) 8 =v00−vBB
2 ’B115−VB?、6 +vref ”’ (7
)となる。この状態から、コンデンサCは前の区間T2
のときとは逆方向に充電を開始し、トランジスタQ6の
エミッタ電位が下がシ如め、これが、
v116(1)El=v00 ”ref −VBll!
5 ’B115−vBI6 °°(8)となった瞬間に
、回路状態は区間T1から再び区間T−となる。Here, find the ideal oscillation frequency F□ of this circuit. 6- of transistors Qll and Q7 in the state of section T2
7 Potential vB6(2) l R7(1) HaTvB6(2
)=vOO-VBII2-vBII5 °°(1)vB
7(2)=vOO”ref-vnil-vBB4 ・(
2) However, voo: Voltage of power supply element B ■r6f: Voltage source Vs! Pressure"B]Wrt: )Rangemetal Qn (n=1 to 9)
The forward drop voltage between the base and emitter of is (the same applies to the following formula). At this time, since the transistor Q6 is on, the emitter potential vB6C2) of the transistor Q6 is as shown in equation (1), vB6(2) = v00 ``BEl 'B15 - vBE
It is fixed at 6°-(3). On the other hand, since the transistor Qt is off, the emitter potential vI,7 (2) of the transistor Q7 decreases as the capacitor C charges. Therefore, at the end of section T2, 77
Emitter potential of transistor Q7 that goes high vP37 (2)
B is the base potential vB of the transistor Q7 shown in equation (2)
7 (2) When the base-emitter forward drop voltage VBE7 decreases, Tsumashi, "R7 (2
'la="Co"ref "BEl"BF2 "BI
At the moment when B7 becomes ``'('), the circuit state is reversed and becomes the state of section T1.At this time, the emitter potential V□7(1) of transistor Q7 changes from OFF to ON. Because it changes, vFt7(1) instantly
-voo-vBB2-vBB4-vBB7 °°(5)
Changes to The emitter potential of transistor Q7 is vII
I 7 (2) changes instantly from B to vB 7 (1), and the 4-position difference is expressed by the formula (4, (5) to V17 (1) 'E7 (2) W ref ''・(6)
5-. However, it is assumed that the base-emitter forward drop voltage vBBn of all transistors is equal. This potential difference V. , is directly transmitted to the emitter of the transistor Q6 at the other end of the capacitor C, and is the emitter potential V of the transistor Q6 at the beginning of section 1. 6(1)s
According to equation (3), vB6(1) 8 = v00-vBB
2 'B115-VB? , 6 +vref ”' (7
). From this state, the capacitor C is connected to the previous section T2.
Charging starts in the opposite direction to that at the time of , and the emitter potential of transistor Q6 decreases as if v116(1)El=v00 ”ref -VBll!
5'B115-vBI6°°(8), the circuit state changes from section T1 to section T- again.
一方、区間TIの間、トランジスタQ7めエミッタ電位
vIll 7 (1)はこのトランジスタQ7がオンし
ているので、
■117(1)−voo ”BEl−vB14− ■B
M? ”’ (9)6−
で一定である。On the other hand, during the interval TI, the emitter potential of the transistor Q7 is vIll 7 (1) because this transistor Q7 is on.
M? ``' (9) 6- is constant.
したがって、1つの区間内のコンデンサCの両端の電位
差ΔVoの変化量は式(7) 、 (8)よシΔV=V
−V
OR6(1)B R6(1)B=2vref ””’と
なる。但し、全てのトランジスタのベース・エミッタ間
順方向降下電圧vBEnは等しいものとする0
またコンデンサCに流れる電流は区間T、ではトランジ
スタQ8のコレクタ電流で決定され、区間T2ではトラ
ンジスタQ9のコレクタ電流で決定される。ここで、ト
ランジスタQsトQeが同一特性のトランジスタであり
、かつ抵抗R3,R4の抵抗値が等しいとすると、トラ
ンジスタQs、Qsのコレクタ電流は等しくなる。Therefore, the amount of change in the potential difference ΔVo between both ends of the capacitor C within one section is given by equations (7) and (8): ΔV=V
-V OR6(1)B R6(1)B=2vref ""'. However, the base-emitter forward drop voltage vBEn of all transistors is assumed to be equal.0 In addition, the current flowing through capacitor C is determined by the collector current of transistor Q8 in section T, and is determined by the collector current of transistor Q9 in section T2. It is determined. Here, assuming that the transistors Qs and Qe have the same characteristics and the resistance values of the resistors R3 and R4 are equal, the collector currents of the transistors Qs and Qs will be equal.
この電流をi。とすると、第1図から明らかなように、
電流i。は制御電圧v0によってその値が制御されるよ
うになっている。以上、第2図に示す区間TI+T2の
時間tをめると、但シ、C&:コンデンサCの容量値
となる。したがって、理想的な発振周波数Fiは一般期
が2tであるので、
となる。つまシ、制御電圧VIによって電流i。This current is i. Then, as is clear from Figure 1,
Current i. The value of is controlled by control voltage v0. As mentioned above, if the time t of the interval TI+T2 shown in FIG. 2 is included, C&: the capacitance value of the capacitor C. Therefore, since the general period is 2t, the ideal oscillation frequency Fi is as follows. The current i is controlled by the control voltage VI.
を制御することによって、電流i。に対して直線的に発
振周波数F、を制御できる。By controlling the current i. The oscillation frequency F can be controlled linearly.
しかしながら、実際の回路に於いては、素子の寄生容量
や配線の浮遊容量によって動作に遅延が生ずる。この遅
延は区間Tl とT2との返転時に起υ、第3図に示す
ように、各部A、B。However, in actual circuits, operation delays occur due to parasitic capacitance of elements and stray capacitance of wiring. This delay occurs during the reversal of sections Tl and T2, and as shown in FIG. 3, each section A, B.
C,Dの波形及びΔvoの立ち上がシ時及び立ち下がり
時にそれぞれτ 及びτ6□の遅延時間を1
もつようになる。この遅延時間τ 及びτ、2を1
考慮した実際の発振周波数Fは、
となる。式α初≧られかるように、実際の発振周波数F
rも電流i。によりて制御できるが、電流i。に対する
発振周波数Fの直線性は(τ、1+τ、2)の項の為に
失われる。さらに、(τ、1+τd2)は常に一定であ
る為、発振周波数Fが大きくなるように(時間tが小さ
くなるよ°うに)制御するほど、非直線性が大きく現わ
れてくるという欠点がある。このような回路の制御電圧
v0に対す発振周波数の関係を第4図に示す。図から、
発振周波数が大きくなるほど、非直線性が大きく現れる
ことがわかる。The waveforms C and D have delay times of τ and τ6□ of 1 at the rising edge and falling edge of Δvo, respectively. The actual oscillation frequency F, taking into account the delay times τ and τ, 2, is as follows. The actual oscillation frequency F is as shown by the formula α≧
r is also a current i. It can be controlled by the current i. The linearity of the oscillation frequency F with respect to is lost due to the term (τ, 1+τ, 2). Furthermore, since (τ, 1+τd2) is always constant, there is a drawback that the nonlinearity becomes more pronounced as the oscillation frequency F increases (time t decreases). FIG. 4 shows the relationship between the oscillation frequency and the control voltage v0 of such a circuit. From the figure,
It can be seen that the larger the oscillation frequency, the more the nonlinearity appears.
この発明は上記の事情に対処すべくなされたもので、制
御電圧に対する発振周波数の直線性をよくすることがで
きる電圧制御発振器を提供することを目的とする。The present invention has been made to address the above-mentioned circumstances, and an object of the present invention is to provide a voltage controlled oscillator that can improve the linearity of the oscillation frequency with respect to the control voltage.
9−
〔発明の概要〕
この発明は、例えば第5図で説明するならば、充電用の
コンデンサCを挿入すべきトランジスタQ6 、Q7の
エミッタ間に対して、コンデンサCと抵抗Rとの直列回
路を挿入するように構成したものである。9- [Summary of the Invention] This invention is explained using, for example, FIG. It is configured to insert .
以下、図面を参照してこの発明の一実施例を詳細に説明
する。第5図は一実施例の回路図である。第5図に於い
て先の第1図と異なる点はコンデンサCに直列に抵抗R
が接続されていることである。すなわち、抵抗Rとコン
デンサCとの直列回路がトランジスタQ6.Q7のエミ
ッタ間に挿入されている。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 5 is a circuit diagram of one embodiment. The difference in Figure 5 from Figure 1 is that there is a resistor R in series with the capacitor C.
is connected. That is, a series circuit of resistor R and capacitor C is connected to transistor Q6. It is inserted between the emitters of Q7.
上記構成に於いて動作を説明する。抵抗Rにはコンデン
サCの充電電流イ。が流れるので、その両端の電位差Δ
vRは常に、
ΔvR=i、、・Ra・・・a→
但し、R8:抵抗Rの抵抗値
となる。抵抗Rが表い場合のコンデンサCの両10−
端室位差Δ■oは式α1よ” 2vr@fとなっている
ので、第5図の場合のコンデンサCの両端電位差Δvc
(R)は、
Δvc(R) =2vref −’c ”’aとなる。The operation in the above configuration will be explained. The charging current of capacitor C is applied to resistor R. flows, so the potential difference Δ between its ends is
vR is always ΔvR=i, ・Ra...a→ However, R8: the resistance value of the resistor R. The potential difference Δ■o between both ends of the capacitor C when the resistance R is expressed is the formula α1.Since it is 2vr@f, the potential difference Δvc between both ends of the capacitor C in the case of Fig. 5 is
(R) becomes Δvc(R) = 2vref -'c''a.
したがって、素子の遅延時間τ、1゜τ4□を考慮した
ときの発振周波数Fr(R)は、先の弐〇罎と同様にし
て、
となる。ここで、
となるように、抵抗Rの抵抗値Rを選べば、式αQはい
かなる電流ioの値に対しても、となり、弐αので示し
た理想的な場合と同一の式になり、発振周波数Fr(R
)は電流ieKよって直線的に変化する。Therefore, the oscillation frequency Fr(R) when the delay time τ of the element and 1°τ4□ are considered is as follows in the same way as in the previous case. Here, if we choose the resistance value R of the resistor R so that Frequency Fr(R
) varies linearly with the current ieK.
これをコンデンサCの両端電圧で表わすと第6図のよう
になる。第6図はR,=Oの場合(従来の場合)とR1
−(τ4.十τd2)/2caの場合(この実施例の場
合)を示す。後者の場合、い ゛かなる電流i0の値に
対しても周期が2tとなり、理想的な場合と同一となる
。なお、第6図に於いて、時間t′は、
として現わされる。When this is expressed by the voltage across the capacitor C, it becomes as shown in FIG. Figure 6 shows the case of R,=O (conventional case) and R1
-(τ4.0τd2)/2ca (in this example) is shown. In the latter case, the period is 2t for any value of current i0, which is the same as in the ideal case. In addition, in FIG. 6, time t' is expressed as follows.
第7図は抵抗値R8を/4ラメータとして制御電圧v1
に対する発振周波数F、の関係を示す。図から、RIL
= (f、1+fd2)/2 Cノ場合は特性面11j
直線性を示し、これ以外の場合は非直線性を示すことが
わかる。Figure 7 shows the control voltage v1 with the resistance value R8 set as /4 rammeter.
The relationship between the oscillation frequency F and the oscillation frequency F is shown. From the figure, RIL
= (f, 1+fd2)/2 In case of C, characteristic surface 11j
It can be seen that linearity is shown, and non-linearity is shown in other cases.
第8図はこの発明の他の実施例を示す回路図である。こ
の実施例は抵抗Rを2つの抵抗RA。FIG. 8 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention. In this embodiment, the resistor R is replaced by two resistors RA.
RBに分け、これら抵抗RA、RBをそれぞれコンデン
サCの一端、他端に直列に接続したものである。このよ
うな構成に於いても先の実施例と同様の効果を得ること
ができる。RB, and these resistors RA and RB are connected in series to one end and the other end of a capacitor C, respectively. Even in such a configuration, the same effects as in the previous embodiment can be obtained.
また、このような構成の他の利点としては、この回路を
平導体集積回路として、コンデンサCを外付けした場合
、このコンデンサCを接続゛する為の端子11.12が
必要となるが、抵抗RA、 RBをそれぞれ端子11.
12の過大電流防止用として利用できることである。こ
の効果を最も効果的に得るには、抵抗RA I RBの
抵抗値を−b にするとよい。Another advantage of such a configuration is that if this circuit is a flat conductor integrated circuit and a capacitor C is externally attached, terminals 11 and 12 are required to connect the capacitor C, but the resistor RA and RB are connected to terminals 11.
12 can be used for overcurrent prevention. In order to obtain this effect most effectively, the resistance value of the resistor RAIRB should be set to -b.
このようにこの発明によれば、エミッタ結合型無安定マ
ルチバイブレークを用いた電圧制御発振器に於いて、エ
ミッタ結合用のコンデンサに抵抗を直列に付加すること
によって、制御電圧に対して発振周波数の直線性が極め
て良く、かつ手導体集積回路化に好適な電圧制御発振器
を提供することができる。As described above, according to the present invention, in a voltage controlled oscillator using an emitter-coupled astable multi-by-break, by adding a resistor in series to the emitter-coupling capacitor, the oscillation frequency can be made linear with respect to the control voltage. It is possible to provide a voltage controlled oscillator which has extremely good performance and is suitable for integration into a hand conductor integrated circuit.
13−13-
第1図はエミッタ結合型無安定マルチバイブレータを用
いた従来の電圧制御発振器を示す回路図、第2図は第1
図の回路の各部の理想波形を説明する為の信号波形図、
第3図は第1図の回路の各部の実際波形を説明する為の
信号波形図、第4図は第1図に示す回路に於ける制御電
圧に対する発振周波数を示す特性図、第5図はこの発明
に係る電圧制御発振回路の一実施例を示す回路図、第6
図はエミッタ結合用のコンデンサの両端電圧を第1図の
回路と第2図の回路とで比較して示す信号波形図、第7
図は第5図の回路に於ける制御電圧に対する発振周波数
の関係を示す回路図、第8図はこの発明の他の実施例の
要部を示す回路図である。
Q1〜Q9・・・トランジスタ、RI 5−R4,R。
RA、 RB・・・抵抗、C・・・コンデンサ、十B・
・・電源、V、、V2・・・電圧源、Il 、I2・・
・電流源、11.12・・・端子。
14−
第2図
第3図
第4図
旬御吃万■
第6囚
第7図
第8FI!J
シ17 C12R8Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional voltage controlled oscillator using an emitter-coupled astable multivibrator.
A signal waveform diagram to explain the ideal waveform of each part of the circuit shown in the figure,
Fig. 3 is a signal waveform diagram for explaining the actual waveforms of each part of the circuit shown in Fig. 1, Fig. 4 is a characteristic diagram showing the oscillation frequency with respect to the control voltage in the circuit shown in Fig. 1, and Fig. 5 is Circuit diagram showing one embodiment of the voltage controlled oscillation circuit according to the present invention, No. 6
Figure 7 shows a signal waveform diagram comparing the voltage across the emitter coupling capacitor between the circuit in Figure 1 and the circuit in Figure 2.
This figure is a circuit diagram showing the relationship between the oscillation frequency and the control voltage in the circuit of FIG. 5, and FIG. 8 is a circuit diagram showing the main part of another embodiment of the invention. Q1-Q9...transistor, RI 5-R4,R. RA, RB...Resistor, C...Capacitor, 10B.
・・Power supply, V, , V2 ・・Voltage source, Il, I2 ・・
・Current source, 11.12...terminal. 14- Figure 2 Figure 3 Figure 4 Shun Miwaman■ 6th prisoner Figure 7 8FI! J C17 C12R8
Claims (3)
2のトランジスタと。 これら第1.第2のトランジスタのコレクタにそれぞれ
接続された第1.第2の負荷と。 第記第1のトランジスタのコレクタと前記第2のトラン
ジスタのベース間及び前記第2のトランジスタのコレク
タと前記第1のトランジスタのベース間に挿入される帰
還手段と。 前記第1.第2のトランジスタのエミッタにそれぞれ接
続される第1.第2の電圧制御電流源とを具備したエミ
ッタ結合無安定マルチバイブレータ型電圧制御発振器に
於いて。 前記コンデンサに抵抗を直列接続し、該直列回路を前記
第1.第2のトランジスタのエミッタ間に挿入するよう
に構成したことを特徴とする電圧制御発振器・(1) First and second transistors with a capacitor connected between their emitters. These first. The first . with a second load. Feedback means inserted between the collector of the first transistor and the base of the second transistor and between the collector of the second transistor and the base of the first transistor. Said 1st. the first . and a second voltage-controlled current source. A resistor is connected in series to the capacitor, and the series circuit is connected to the first . A voltage controlled oscillator characterized in that it is configured to be inserted between the emitters of the second transistor.
力の1周期中に含まれる遅延時間の総和を前記コンデン
サの容量値の2倍の値で除した値かそれに近い値である
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の電圧制御
発振器。(2) The resistance value of the resistor is equal to or close to the sum of the delay times included in one cycle of the oscillation output of the voltage controlled oscillator divided by twice the capacitance value of the capacitor. A voltage controlled oscillator according to claim 1, characterized in that:
各抵抗が前記コンデンサの一端側、他端側に直列接続さ
れていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の
電圧制御発振器。(3) The resistor is the first resistor. The second consists of two resistors,
2. The voltage controlled oscillator according to claim 1, wherein each resistor is connected in series to one end and the other end of the capacitor.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165908A JPS6058714A (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | Voltage controlled oscillator |
| KR1019840006258A KR890004648B1 (en) | 1983-09-09 | 1984-10-10 | Voltage control oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58165908A JPS6058714A (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | Voltage controlled oscillator |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6058714A true JPS6058714A (en) | 1985-04-04 |
Family
ID=15821287
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58165908A Pending JPS6058714A (en) | 1983-09-09 | 1983-09-09 | Voltage controlled oscillator |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6058714A (en) |
| KR (1) | KR890004648B1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110313A (en) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multivibrator |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100468689B1 (en) * | 1997-09-10 | 2005-03-16 | 삼성전자주식회사 | Multi-channel voltage controlled oscillator having function of output level compensation |
-
1983
- 1983-09-09 JP JP58165908A patent/JPS6058714A/en active Pending
-
1984
- 1984-10-10 KR KR1019840006258A patent/KR890004648B1/en not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6110313A (en) * | 1984-06-26 | 1986-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Multivibrator |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR860003707A (en) | 1986-05-28 |
| KR890004648B1 (en) | 1989-11-21 |
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