JPS6059547A - 光学ヘツド - Google Patents
光学ヘツドInfo
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- JPS6059547A JPS6059547A JP58166730A JP16673083A JPS6059547A JP S6059547 A JPS6059547 A JP S6059547A JP 58166730 A JP58166730 A JP 58166730A JP 16673083 A JP16673083 A JP 16673083A JP S6059547 A JPS6059547 A JP S6059547A
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- waveguide
- optical waveguide
- optical head
- light source
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- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/08—Disposition or mounting of heads or light sources relatively to record carriers
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/26—Optical coupling means
- G02B6/28—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals
- G02B6/2804—Optical coupling means having data bus means, i.e. plural waveguides interconnected and providing an inherently bidirectional system by mixing and splitting signals forming multipart couplers without wavelength selective elements, e.g. "T" couplers, star couplers
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- G—PHYSICS
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- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
- G02B6/24—Coupling light guides
- G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
- G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
- G02B6/4246—Bidirectionally operating package structures
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/122—Flying-type heads, e.g. analogous to Winchester type in magnetic recording
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/123—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate
- G11B7/124—Integrated head arrangements, e.g. with source and detectors mounted on the same substrate the integrated head arrangements including waveguides
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、光記録再生装置における光学ヘッド、特に安
定した記録再生ができるとともにヘッドクラッシュのな
い信頼性の向上した光学ヘッドに関するものである。
定した記録再生ができるとともにヘッドクラッシュのな
い信頼性の向上した光学ヘッドに関するものである。
従来のこの種装置は、第1図に示すように、半導体レー
ザ等の光源1、カップリングレンズ2、ビームスプリッ
タ3.1/4波長板4、集光レンズ5.検出器前レンズ
6、光検出器、7およびがイスコイルアクチュエータ8
などよシ構成されるのが通常であるが、配録再生時には
走行記録媒体9の面振れおよびトラック偏心に追随する
ため、フォーカス誤差信号およびトラック誤差信号に従
って集光レンズ5等を駆動し、ジャストフォーカスおよ
びオントラックを実現している。したがって、このよう
な従来装置では、(1)個別の光学部品および機構部品
の組合せであるため、光軸調整等に時間がかかる他、信
頼性に劣る、 (II)大型で重いため、高速アクセス化、マルチヘッ
ド化がむずかしい、 などの問題点が指摘されている。
ザ等の光源1、カップリングレンズ2、ビームスプリッ
タ3.1/4波長板4、集光レンズ5.検出器前レンズ
6、光検出器、7およびがイスコイルアクチュエータ8
などよシ構成されるのが通常であるが、配録再生時には
走行記録媒体9の面振れおよびトラック偏心に追随する
ため、フォーカス誤差信号およびトラック誤差信号に従
って集光レンズ5等を駆動し、ジャストフォーカスおよ
びオントラックを実現している。したがって、このよう
な従来装置では、(1)個別の光学部品および機構部品
の組合せであるため、光軸調整等に時間がかかる他、信
頼性に劣る、 (II)大型で重いため、高速アクセス化、マルチヘッ
ド化がむずかしい、 などの問題点が指摘されている。
本発明は、これらの欠点を除去するため、半導体レーザ
等の光源、導波路レンズ構造とした分岐形光導波路およ
び光検出器を同一基盤上に配置することにより光学ヘッ
ドを構成し、あるいは1分岐形光導波路の開放開口端に
マイクロレンズを設置するとともに、空気浮上作用によ
シ焦点制御を行ない、安定した記録再生ができるトトモ
にヘッドクラッシュのない信頼性の向上した光学ヘッド
を提供せんとするものであって、その要旨とするところ
は、少なくとも3個以上の開口端をもつ導波路レンズ構
造からなる分岐形光導波路と半導体レーザ等の光源と光
検出器とを同一基盤、上に配置するとともに、前記導波
路レンズ構造からなる分岐形光導波路の少なくとも1つ
の開口端を開放して開放開口端とする一方、他の少なく
とも1つの開口端に前記半導体レーザ等の光伽ヲ、少な
くとも他の1つの開口端に前記光検出器をそれぞれ配置
したこと、さらには前記基盤を走行記録媒体に近接浮上
するスライダ軸受に取り付けたこと、前記開放間ロ端全
マイクロレンズ付としたことを特徴とする。
等の光源、導波路レンズ構造とした分岐形光導波路およ
び光検出器を同一基盤上に配置することにより光学ヘッ
ドを構成し、あるいは1分岐形光導波路の開放開口端に
マイクロレンズを設置するとともに、空気浮上作用によ
シ焦点制御を行ない、安定した記録再生ができるトトモ
にヘッドクラッシュのない信頼性の向上した光学ヘッド
を提供せんとするものであって、その要旨とするところ
は、少なくとも3個以上の開口端をもつ導波路レンズ構
造からなる分岐形光導波路と半導体レーザ等の光源と光
検出器とを同一基盤、上に配置するとともに、前記導波
路レンズ構造からなる分岐形光導波路の少なくとも1つ
の開口端を開放して開放開口端とする一方、他の少なく
とも1つの開口端に前記半導体レーザ等の光伽ヲ、少な
くとも他の1つの開口端に前記光検出器をそれぞれ配置
したこと、さらには前記基盤を走行記録媒体に近接浮上
するスライダ軸受に取り付けたこと、前記開放間ロ端全
マイクロレンズ付としたことを特徴とする。
以下、図面に示した実施例にもとづき、本発明に係る光
学ヘッドについて四兄明する。
学ヘッドについて四兄明する。
第2図(a)は本発明に係る光学ヘッドの一実施例を示
す概略構成−であって、1は半導体レーザ等の光源、7
a、7bは光検出器、10は分岐形光導波路、10aは
分岐形光導波路の開口端、10bは開放開口端、11は
基盤、12a。
す概略構成−であって、1は半導体レーザ等の光源、7
a、7bは光検出器、10は分岐形光導波路、10aは
分岐形光導波路の開口端、10bは開放開口端、11は
基盤、12a。
12bは導波路レンズである。いま、半導体レーザ等の
光源1より射出したビーム13は導波路レンズ12aV
cより平行ビームとなシ導波路レンズ12bにより走行
記録媒体140面に集束される。そして、記録時は高い
レーザパワー゛ を照射し、トラックに沿ってデータが
その反射率変化により記録される。再生信号は走行記録
媒体14からの反射光を導波路レンズ12bによシ補足
し、分岐形光導波路10に設置した光検出器7bの和出
力により得ることができるとともに、トラック信号は分
岐形光導波路10の開放開口端10bの両側にある光検
出器7aの差動出力によシ得ることができる。また、フ
ォーカス制御は、光学ヘッド全体をスライダ軸受15の
端面に設置し、空気浮上作用を利用して行われる。なお
、スライダ軸受15の空気浮上作用については、磁気デ
ィスクに用いられる浮動へラドスライダ軸受と同一であ
るため、ここではd9明を省略するが、走行記録媒体1
4からの浮上距離は媒体面での所要−一ム径よシ設定さ
れる(なお、16は走行記録媒体14の記録層である。
光源1より射出したビーム13は導波路レンズ12aV
cより平行ビームとなシ導波路レンズ12bにより走行
記録媒体140面に集束される。そして、記録時は高い
レーザパワー゛ を照射し、トラックに沿ってデータが
その反射率変化により記録される。再生信号は走行記録
媒体14からの反射光を導波路レンズ12bによシ補足
し、分岐形光導波路10に設置した光検出器7bの和出
力により得ることができるとともに、トラック信号は分
岐形光導波路10の開放開口端10bの両側にある光検
出器7aの差動出力によシ得ることができる。また、フ
ォーカス制御は、光学ヘッド全体をスライダ軸受15の
端面に設置し、空気浮上作用を利用して行われる。なお
、スライダ軸受15の空気浮上作用については、磁気デ
ィスクに用いられる浮動へラドスライダ軸受と同一であ
るため、ここではd9明を省略するが、走行記録媒体1
4からの浮上距離は媒体面での所要−一ム径よシ設定さ
れる(なお、16は走行記録媒体14の記録層である。
)。
第2図(b)は本実施例における光学ヘッド部の拡大[
閉全示すものであるが、分岐形光導波路10は基盤11
に埋め込まれ、導波路レンズ12a。
閉全示すものであるが、分岐形光導波路10は基盤11
に埋め込まれ、導波路レンズ12a。
12bは円柱形をなし、かつ、第2図(C)に示すよう
に円柱の高さ方向に屈折率分布nを有する構造となって
いる。このため、レーザビーム13は円柱によるレンズ
効果によりトラック径方向に集束されるとともに、前記
屈折率分布によるレンズ効果により、トラック周方向に
集束される。
に円柱の高さ方向に屈折率分布nを有する構造となって
いる。このため、レーザビーム13は円柱によるレンズ
効果によりトラック径方向に集束されるとともに、前記
屈折率分布によるレンズ効果により、トラック周方向に
集束される。
なお、半導体レーザ等の光源1への戻り光がレーザ共振
器内で発振光と干渉し、レーザ出力変動を生じさせるこ
とがある。したがって5本発明では、例えば第2図(d
)に示すように分岐形光導波路10の開放開口端10b
に1/4波長板4を設置し、戻シ光の偏光方向全レーザ
発振光の偏光方向(’I’E偏波)と90°異なるTM
偏波とし、戻り光と発振光との干渉を防ぐなどの方法に
より、レーザ出力変動を押えることができる。
器内で発振光と干渉し、レーザ出力変動を生じさせるこ
とがある。したがって5本発明では、例えば第2図(d
)に示すように分岐形光導波路10の開放開口端10b
に1/4波長板4を設置し、戻シ光の偏光方向全レーザ
発振光の偏光方向(’I’E偏波)と90°異なるTM
偏波とし、戻り光と発振光との干渉を防ぐなどの方法に
より、レーザ出力変動を押えることができる。
一方、第2図(e)(f’)には本実施例の製造方法が
示されるが、第2図(e)において17は電極、18は
P−GaAs、19はP−AハaA、s 、 20はG
aAs、21はn −AA)aAs 、 22はn−G
aAsであってこの基盤11上に後述する光部品が一体
形成される。このような層全多層エピタキシャル成長に
より製造後、半導体レーザ等の光源1および光検出器7
a以外を例えばブロムメタノール等を用いてエツチング
によシ取り去シ、除去部に新たに分岐形光導波路10、
導波路レンズ12a。
示されるが、第2図(e)において17は電極、18は
P−GaAs、19はP−AハaA、s 、 20はG
aAs、21はn −AA)aAs 、 22はn−G
aAsであってこの基盤11上に後述する光部品が一体
形成される。このような層全多層エピタキシャル成長に
より製造後、半導体レーザ等の光源1および光検出器7
a以外を例えばブロムメタノール等を用いてエツチング
によシ取り去シ、除去部に新たに分岐形光導波路10、
導波路レンズ12a。
12b全多層エピタキシャル成長によシ形成する。第2
図(0には形成後の断面図が示されるが、導波路レンズ
12a、12bの製造は、例えば分子線エピタキシャル
成長法あるい□は、MOCVD法を用い、層厚により屈
折率が異人る)d、xG町−XA8(Xを層厚によシ変
化)を成長させ、ブロムメタノール等を用いたエツチン
グによシ左側に示す1−厚方向の屈折率分布を有する円
柱レンズを形成する。また、分岐形光導波路10の製造
は例えば、第2図(0に示すようにAt6.B GaA
s (屈折率3.40) 23、At6−IGaAs
C力l折率3.541’24゜ヲ多層エビタギシャル成
長により三層に積層するなどの方法に依る。なお、第2
図(d)に示すIA波長板4は、光学ヘッドを一体とし
て構成した後、光導波路10の開放開口端10bに設置
される。
図(0には形成後の断面図が示されるが、導波路レンズ
12a、12bの製造は、例えば分子線エピタキシャル
成長法あるい□は、MOCVD法を用い、層厚により屈
折率が異人る)d、xG町−XA8(Xを層厚によシ変
化)を成長させ、ブロムメタノール等を用いたエツチン
グによシ左側に示す1−厚方向の屈折率分布を有する円
柱レンズを形成する。また、分岐形光導波路10の製造
は例えば、第2図(0に示すようにAt6.B GaA
s (屈折率3.40) 23、At6−IGaAs
C力l折率3.541’24゜ヲ多層エビタギシャル成
長により三層に積層するなどの方法に依る。なお、第2
図(d)に示すIA波長板4は、光学ヘッドを一体とし
て構成した後、光導波路10の開放開口端10bに設置
される。
第3図は本発明に係る光学ヘッドの他の実施例を示した
ものであるが、本実施例は分岐形光導波路10の開放開
口端10bから射出するレーザビーム13’t1次元的
に集束させる構造例である。分岐形光導波路10から射
出するレーザビーム13ば、第3図(b) (c)に示
すように導波路レンズ0′が矩形である場合には開放開
口端10bからの距離とともに広がるが1本実施例では
第3図(d”+ (e)に示すように導波路断面10”
’e半円形とし、−次元的にビーム集束効果を持たせ
る構造とする。このようカ導波路レンズ構造の製造法と
しては、例えば多層エピタキシャル成長によj) A−
1o、B(JaAS(屈折率3.40)にAtO,I
GaAs (屈折率3.54)全積層した後、 AlO
,I GaAs fイオンミリング等により半円柱型に
加工する。さらにAt0,8 GaA、sを多層エピタ
キシャル成長にニジ積層するなどの方法がある。なお、
本実施例の他。
ものであるが、本実施例は分岐形光導波路10の開放開
口端10bから射出するレーザビーム13’t1次元的
に集束させる構造例である。分岐形光導波路10から射
出するレーザビーム13ば、第3図(b) (c)に示
すように導波路レンズ0′が矩形である場合には開放開
口端10bからの距離とともに広がるが1本実施例では
第3図(d”+ (e)に示すように導波路断面10”
’e半円形とし、−次元的にビーム集束効果を持たせ
る構造とする。このようカ導波路レンズ構造の製造法と
しては、例えば多層エピタキシャル成長によj) A−
1o、B(JaAS(屈折率3.40)にAtO,I
GaAs (屈折率3.54)全積層した後、 AlO
,I GaAs fイオンミリング等により半円柱型に
加工する。さらにAt0,8 GaA、sを多層エピタ
キシャル成長にニジ積層するなどの方法がある。なお、
本実施例の他。
第2図の実施例に示した円柱形レンズあるいは屈折率分
布を有する光導波路によっても一次元的にビームを集束
させることが可能である。また1分岐形光導波路10の
長さは、導波路レンズの集光特性を考慮して決められる
。
布を有する光導波路によっても一次元的にビームを集束
させることが可能である。また1分岐形光導波路10の
長さは、導波路レンズの集光特性を考慮して決められる
。
第4図(a)は本発明に係る光学ヘッドの他の実施例を
示すものであるが、本実施例は、分岐形光導波路10の
開放開口端10bにマイクロレンズ25を設けたもので
ある。本実施例では光検出器7b側の導波路10の屈折
率1mlをLD側の屈折率n2よシ大きくし、LDへの
戻シ光全減少させている。25は分岐形光導波路10の
開放開口端10b’iイオンミリング加工により製造し
九マイクロレンズであ)、分岐形光導波路10と一体形
成される。LDからの発振光は分岐形光導波路10を通
過後、マイクロレンズ25により走行記録媒体面14に
集束される。
示すものであるが、本実施例は、分岐形光導波路10の
開放開口端10bにマイクロレンズ25を設けたもので
ある。本実施例では光検出器7b側の導波路10の屈折
率1mlをLD側の屈折率n2よシ大きくし、LDへの
戻シ光全減少させている。25は分岐形光導波路10の
開放開口端10b’iイオンミリング加工により製造し
九マイクロレンズであ)、分岐形光導波路10と一体形
成される。LDからの発振光は分岐形光導波路10を通
過後、マイクロレンズ25により走行記録媒体面14に
集束される。
また、第4図(b)には組合せ光部品による本発明に係
る光学ヘット°の実施例が示されるが5本実施例は分岐
形光導波路を分岐形光ファイバで構成したものであって
、ファイバ10の開放開口端10aにはマイクロレンズ
25、ファイバ10内には光アイソレータ26を設置し
、レーザビームを集束させるものである。このマイクロ
レンズ25としては、サファイア製の半球レンズやファ
イバ融着時に形成される先球を利用できる。また、光利
用効率を高めるために、半導体レーデ等の光源1と分岐
形ファイバ10の接続VC各種レンズを使用してもよい
。
る光学ヘット°の実施例が示されるが5本実施例は分岐
形光導波路を分岐形光ファイバで構成したものであって
、ファイバ10の開放開口端10aにはマイクロレンズ
25、ファイバ10内には光アイソレータ26を設置し
、レーザビームを集束させるものである。このマイクロ
レンズ25としては、サファイア製の半球レンズやファ
イバ融着時に形成される先球を利用できる。また、光利
用効率を高めるために、半導体レーデ等の光源1と分岐
形ファイバ10の接続VC各種レンズを使用してもよい
。
以上、図面に示した実施例にもとすいて詳細に説明した
ように、本発明では分岐形光導波路を導波路レンズ構造
とし、あるいは分岐形光導波路開放開口端にマイクロt
ノンズ全設置するため、分岐形光導波路開放開口端から
射出するレーザビームの広がりを抑制することができる
。
ように、本発明では分岐形光導波路を導波路レンズ構造
とし、あるいは分岐形光導波路開放開口端にマイクロt
ノンズ全設置するため、分岐形光導波路開放開口端から
射出するレーザビームの広がりを抑制することができる
。
したがって、従来装置に比べ、浮上距離の拡大が可能と
なり、ヘッドクラッシュのない信頼性の高い光学ヘッド
を実現できる。また、浮上距離の変動によるビーム径の
変化音を低減できるため、安定した記録再生が可能とな
る。
なり、ヘッドクラッシュのない信頼性の高い光学ヘッド
を実現できる。また、浮上距離の変動によるビーム径の
変化音を低減できるため、安定した記録再生が可能とな
る。
第1図は従来装置の概略構成図、第2図(a)は本発明
に係る光学ヘッドの一実施例を示す概略構成図、同図0
))は光学ヘッド部の拡大図、同図(C)は導波路レン
ズの構成図、同図(d)は本発明における1/4波長板
設置例の構成図、同図(e) (f)は。 本発明の製造方法の説明図、第3図(a)は本発明の他
の実施例の概略構成図、同図(b) (c)は従来のレ
ーザビームの射出状態説明図、同図(d) (e)は。 本発明のレーザビーム射出状態説明図、第4図(a)
(b)は本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 図面中。 1は光源、 2はカップリングレンズ。 3はビームスプリッタ、 4は1/4波長板、 5は集光レンズ、 6は検出器前レンズ。 7.7a、7bは光検出器、 8はボイスコイルアクチュエータ、 9は走行記録媒体、 10は分岐形光導波路、 10aは開口端、 10bは開放開口端、 10’、10″は導波路FFi面。 11は基盤、 12a、12bは導波路レンズ。 13はビーム。 14は溝付走行記録媒体、 15はスライダ軸受、 16は記録層、 17は電極、 18はP−GaAs。 19はP −Anabs 。 20はGaAs、 21はn−AtGaAs 。 22はn GaAs。 23はλl(3,B GaAs 。 24はAt6.I GaAs 。 25はマイクロレンズ、 26は光アイソレータである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 光石士部(他1名) 第1図
に係る光学ヘッドの一実施例を示す概略構成図、同図0
))は光学ヘッド部の拡大図、同図(C)は導波路レン
ズの構成図、同図(d)は本発明における1/4波長板
設置例の構成図、同図(e) (f)は。 本発明の製造方法の説明図、第3図(a)は本発明の他
の実施例の概略構成図、同図(b) (c)は従来のレ
ーザビームの射出状態説明図、同図(d) (e)は。 本発明のレーザビーム射出状態説明図、第4図(a)
(b)は本発明の他の実施例を示す概略構成図である。 図面中。 1は光源、 2はカップリングレンズ。 3はビームスプリッタ、 4は1/4波長板、 5は集光レンズ、 6は検出器前レンズ。 7.7a、7bは光検出器、 8はボイスコイルアクチュエータ、 9は走行記録媒体、 10は分岐形光導波路、 10aは開口端、 10bは開放開口端、 10’、10″は導波路FFi面。 11は基盤、 12a、12bは導波路レンズ。 13はビーム。 14は溝付走行記録媒体、 15はスライダ軸受、 16は記録層、 17は電極、 18はP−GaAs。 19はP −Anabs 。 20はGaAs、 21はn−AtGaAs 。 22はn GaAs。 23はλl(3,B GaAs 。 24はAt6.I GaAs 。 25はマイクロレンズ、 26は光アイソレータである。 特許出願人 日本電信電話公社 代 理 人 弁理士 光石士部(他1名) 第1図
Claims (3)
- (1)少なくとも3個以上の開口端をもつ導波路レンズ
構造からなる分岐形光導波路と半導体レーザ等の光源と
光検出器とを同一基盤上に配置するとともに、前HE:
導波路レンズ構造からなる分岐形光導波路の少なくとも
1つの開口端を開放して開放開口端とする一方、他の少
なくとも1つの開口端に前記半導体レーザ等の光源を、
少なくとも他の1つの開口端に前記光検出器をそれぞれ
配置したことを特徴とする光学ヘッド。 - (2)少なくとも3個以上の開口端をもつ導波路レンズ
構造からなる分岐形光導波路と半導体レーザ等の光源と
光検出器とを同一基盤上に配置するとともに、前記導波
路レンズ構造から々る分岐形光導波路の少なくとも1つ
の開口端を開放して開放開口端とする一方、他の少なく
とも1つの開口端に前記半導体レーデ等の光源を、少な
くとも他の1つの開口端に前記光検出器をそれぞれ配置
し、前記基盤を走行記録媒体に近接浮上するスライダ軸
受に取シ付けたことを特徴とする光学ヘッド。 - (3)前記開放開口端をマイクロレンズ付開放開口端と
したことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2
項記載の光学ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166730A JPS6059547A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58166730A JPS6059547A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6059547A true JPS6059547A (ja) | 1985-04-05 |
| JPH0551974B2 JPH0551974B2 (ja) | 1993-08-04 |
Family
ID=15836680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58166730A Granted JPS6059547A (ja) | 1983-09-12 | 1983-09-12 | 光学ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6059547A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61243964A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62173645A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置におけるピツクアツプ・ヘツド |
| JPS62173646A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置におけるピツクアツプ・ヘツド |
| JPS62124625U (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-07 | ||
| JPS62124626U (ja) * | 1986-01-28 | 1987-08-07 | ||
| JPS62275332A (ja) * | 1986-05-23 | 1987-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光ヘツド |
| JPS6331033A (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-09 | Asahi Glass Co Ltd | 光ピツクアツプ |
| JPS63117337A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Sharp Corp | 導波路型光ヘツド |
| JPS6398508U (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-25 | ||
| JP2005292382A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Kazuyuki Hirao | 光学素子及びその製造方法並びに光学装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888951A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS5037402A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-08 |
-
1983
- 1983-09-12 JP JP58166730A patent/JPS6059547A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4888951A (ja) * | 1972-02-23 | 1973-11-21 | ||
| JPS5037402A (ja) * | 1973-08-03 | 1975-04-08 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS61243964A (ja) * | 1985-04-22 | 1986-10-30 | Sony Corp | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS62173645A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置におけるピツクアツプ・ヘツド |
| JPS62173646A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Omron Tateisi Electronics Co | 光情報処理装置におけるピツクアツプ・ヘツド |
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| JPS63117337A (ja) * | 1986-11-05 | 1988-05-21 | Sharp Corp | 導波路型光ヘツド |
| JPS6398508U (ja) * | 1986-12-16 | 1988-06-25 | ||
| JP2005292382A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Kazuyuki Hirao | 光学素子及びその製造方法並びに光学装置 |
| US7515803B2 (en) | 2004-03-31 | 2009-04-07 | Kazuyuki Hirao | Optical element, manufacturing method thereof, and optical device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0551974B2 (ja) | 1993-08-04 |
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