JPS6060717A - 半導体基板製造装置 - Google Patents
半導体基板製造装置Info
- Publication number
- JPS6060717A JPS6060717A JP58168235A JP16823583A JPS6060717A JP S6060717 A JPS6060717 A JP S6060717A JP 58168235 A JP58168235 A JP 58168235A JP 16823583 A JP16823583 A JP 16823583A JP S6060717 A JPS6060717 A JP S6060717A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- cleaning
- diffusion
- core tube
- furnace
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は半導体基板製造装置に係り、特に洗浄および熱
処理を一貫して行なう半導体基板製造装置に関する。
処理を一貫して行なう半導体基板製造装置に関する。
［発明の技術的背景コ
一般に、半導体基板の製造過程において、半導体基板を
拡散炉で拡散処理する前には洗浄する必要があり洗浄装
置で行なわれる。そして、第１図に示すように洗浄され
た半導体基板１は拡散ボート２に載置され、拡散炉３の
炉芯管４にボートローダ（図示せず）で挿入される。即
ち、拡散炉１には複数のヒータ５によって所定温度の均
熱領域がつくられ、またユニット６から炉芯管４にドー
ピングガスが供給されて半導体基板１の拡散処理が行な
われる。
拡散炉で拡散処理する前には洗浄する必要があり洗浄装
置で行なわれる。そして、第１図に示すように洗浄され
た半導体基板１は拡散ボート２に載置され、拡散炉３の
炉芯管４にボートローダ（図示せず）で挿入される。即
ち、拡散炉１には複数のヒータ５によって所定温度の均
熱領域がつくられ、またユニット６から炉芯管４にドー
ピングガスが供給されて半導体基板１の拡散処理が行な
われる。
［背景技術の問題点］
しかしながら、半導体基板の拡散前の洗浄と拡散処理を
各々洗浄装置と拡散装置で行っているため各装置間で半
導体基板が滞留し塵埃が付着して洗浄効果がなくなると
いう難点がある。また、作業者が半導体基板を洗浄装置
から拡散ボートに移し替えて拡散炉に挿入する作業を行
っているため、作業者から塵埃が半導体基板に付着する
という大きな難点がある。
各々洗浄装置と拡散装置で行っているため各装置間で半
導体基板が滞留し塵埃が付着して洗浄効果がなくなると
いう難点がある。また、作業者が半導体基板を洗浄装置
から拡散ボートに移し替えて拡散炉に挿入する作業を行
っているため、作業者から塵埃が半導体基板に付着する
という大きな難点がある。
［発明の目的コ
本発明は上記従来の難点に鑑みなされたもので、半導体
基板を洗浄する洗浄領域と熱処理を行なう均熱領域に炉
芯管を架設して洗浄と熱処理を一貫して行なわせること
により、塵埃の付着を防止して良質な半導体基板を得る
ことができる半導体基板製造装置を提供せんとするもの
である。
基板を洗浄する洗浄領域と熱処理を行なう均熱領域に炉
芯管を架設して洗浄と熱処理を一貫して行なわせること
により、塵埃の付着を防止して良質な半導体基板を得る
ことができる半導体基板製造装置を提供せんとするもの
である。
［発明の概要］
」二記目的を達成するために本発明によれば、半導体基
板を熱処理するための均熱領域が所定数のヒータによっ
て設けられた電気炉と、前記半導体基板の熱処理前に洗
浄する洗浄領域が設けられた洗浄器と、前記洗浄領域と
均熱領域に架設され前記半導体基板を該二つの領域間を
移動させることにより該半導体基板における洗浄および
熱処理を一貫して行なわせる炉芯管とを備えた半導体基
板製造装置を構成する。
板を熱処理するための均熱領域が所定数のヒータによっ
て設けられた電気炉と、前記半導体基板の熱処理前に洗
浄する洗浄領域が設けられた洗浄器と、前記洗浄領域と
均熱領域に架設され前記半導体基板を該二つの領域間を
移動させることにより該半導体基板における洗浄および
熱処理を一貫して行なわせる炉芯管とを備えた半導体基
板製造装置を構成する。
［発明の実施例］
以下、本発明の好ましい実施例を図面により説明する。
本発明の半導体基板製造装置において、半導体基板を熱
処理により拡散をする場合を第２図に示す。第２図にお
いて電気炉ｌｏ内には所定数のヒータ１１が設置され所
定温度の均熱領域がつくられる。また、拡散ボート１２
に載置された半導体基板１３の洗浄のための洗浄器１４
が設けられ洗浄領域がつくられる。そして、均熱領域と
洗浄領域に炉芯管１５が架設されている。
処理により拡散をする場合を第２図に示す。第２図にお
いて電気炉ｌｏ内には所定数のヒータ１１が設置され所
定温度の均熱領域がつくられる。また、拡散ボート１２
に載置された半導体基板１３の洗浄のための洗浄器１４
が設けられ洗浄領域がつくられる。そして、均熱領域と
洗浄領域に炉芯管１５が架設されている。
洗浄器１４には、プラズマ発生用の高周波（ＲＦ）電源
１６が設けられ、電源１６からプラズマ発生電極板１７
が炉芯管１５の洗浄領域部分を内包している。炉芯管１
５の一端には炉芯管１５内に各種ガスを供給するユニッ
ト１８が設けられ、他端には拡散ボー１−１２の出入に
おける蓋１９がＯリング２０を介して設けられている。
１６が設けられ、電源１６からプラズマ発生電極板１７
が炉芯管１５の洗浄領域部分を内包している。炉芯管１
５の一端には炉芯管１５内に各種ガスを供給するユニッ
ト１８が設けられ、他端には拡散ボー１−１２の出入に
おける蓋１９がＯリング２０を介して設けられている。
また、炉芯管１５の洗浄領域付近からガス排気口２１が
設けられ、ガス排気口２１の末端には真空ポンプ２２が
取付けられている。
設けられ、ガス排気口２１の末端には真空ポンプ２２が
取付けられている。
以上のような構成による半導体基板製造装置は、蓋１９
を開放して半導体基板１３を載置した拡散ボート１２を
ボー１−ローダ（図示せず）で炉芯管１５内に挿入しプ
ラズマ発生電極板１７の位置に設定される。蓋１９によ
り密閉して後、真空ポンプ２２が作動し、炉芯管１５内
が真空状態とされる。炉芯管１５内が所定の真空度に達
した後、電源１６を作動させてプラズマを発生させると
共に、ユニット１８より酸素（ｏ２）ガスを供給するこ
とにより半導体基板１３のドライ洗浄が行なわれるもの
である。
を開放して半導体基板１３を載置した拡散ボート１２を
ボー１−ローダ（図示せず）で炉芯管１５内に挿入しプ
ラズマ発生電極板１７の位置に設定される。蓋１９によ
り密閉して後、真空ポンプ２２が作動し、炉芯管１５内
が真空状態とされる。炉芯管１５内が所定の真空度に達
した後、電源１６を作動させてプラズマを発生させると
共に、ユニット１８より酸素（ｏ２）ガスを供給するこ
とにより半導体基板１３のドライ洗浄が行なわれるもの
である。
洗浄後、電源１６および真空ポンプ２２を停止させ、ユ
ニット１８からは酸素ガスに替えて窒素（Ｎ２）ガスが
供給される。Ｎ２ガス雰囲中で電気炉１０内の均熱領域
に洗浄された半導体基板１３′を載置した拡散ボート１
２″がボートローダにより移動して設定される。そして
、ユニット１８より拡散用ガスを供給して拡散処理が行
なわれる。
ニット１８からは酸素ガスに替えて窒素（Ｎ２）ガスが
供給される。Ｎ２ガス雰囲中で電気炉１０内の均熱領域
に洗浄された半導体基板１３′を載置した拡散ボート１
２″がボートローダにより移動して設定される。そして
、ユニット１８より拡散用ガスを供給して拡散処理が行
なわれる。
このように、半導体基板の洗浄および拡散処理を一貫し
て行なわせるため塵埃の付着が防止され良質な拡散層の
半導体基板を得ることができる。
て行なわせるため塵埃の付着が防止され良質な拡散層の
半導体基板を得ることができる。
また、従来の薬品類で洗浄していた湿式洗浄法からドラ
イ洗浄法に変更できることにより、安全で経済的となり
環境状態も清潔となる。
イ洗浄法に変更できることにより、安全で経済的となり
環境状態も清潔となる。
なお、上記実施例では、洗浄方法をガスプラズマ方式に
ついて述べたが、光洗浄方法を用いても同様の効果が得
られる。この方法は、紫外線ランプを取り付は酸素ガス
雰囲気の炉芯管に照射してオゾン（０３）を発生させて
半導体基板の表面に付着している汚染物質を気化し、除
去するものである。また、本実施例では拡散炉に洗浄器
を組付けた場合のみを示したが、減圧ＣＶＤ装置にドラ
イ式の洗浄器を組み込んで一貫処理をさせてもよい。
ついて述べたが、光洗浄方法を用いても同様の効果が得
られる。この方法は、紫外線ランプを取り付は酸素ガス
雰囲気の炉芯管に照射してオゾン（０３）を発生させて
半導体基板の表面に付着している汚染物質を気化し、除
去するものである。また、本実施例では拡散炉に洗浄器
を組付けた場合のみを示したが、減圧ＣＶＤ装置にドラ
イ式の洗浄器を組み込んで一貫処理をさせてもよい。
［発明の効果コ
以上、上記実施例からも明らかなように本発明によれば
、半導体基板を洗浄する洗浄領域と熱処理を行う均熱領
域に炉芯管を架設して洗浄と熱処理を一貫して行なわせ
ることにより、塵埃の付着が皆無となり良質な半導体基
板を得ることができる。また、洗浄工程と熱処理工程の
連結により、工期が短縮され、そして省力化ができ、生
産性が向上される。
、半導体基板を洗浄する洗浄領域と熱処理を行う均熱領
域に炉芯管を架設して洗浄と熱処理を一貫して行なわせ
ることにより、塵埃の付着が皆無となり良質な半導体基
板を得ることができる。また、洗浄工程と熱処理工程の
連結により、工期が短縮され、そして省力化ができ、生
産性が向上される。
第１図は従来の拡散装置を示した説明図、第２図は本発
明の半導体基板製造装置を示した説明図である。 １．１３．１３′・・・・・・・・半導体基板２．１２
．１２′・・・・・・・・拡散ボート３．１０・・・・
・・・・・電気炉 ４．１５・・・・・・・・・炉芯管 ５．１１・・・・・・・・・ヒータ １４・・・・・・・・・洗浄器
明の半導体基板製造装置を示した説明図である。 １．１３．１３′・・・・・・・・半導体基板２．１２
．１２′・・・・・・・・拡散ボート３．１０・・・・
・・・・・電気炉 ４．１５・・・・・・・・・炉芯管 ５．１１・・・・・・・・・ヒータ １４・・・・・・・・・洗浄器
Claims (1)
- 半導体基板を熱処理するための均熱領域が所定数のヒー
タによって設けられた電気炉と、前記半導体基板の熱処
理前に洗浄する洗浄領域が設けられた洗浄器と、前記洗
浄領域と均熱領域に架設され前記半導体基板を該二つの
領域間を移動させることにより該半導体基板における洗
浄および熱処理を一貫して行なわせる炉芯管とを備えた
ことを特徴とする半導体基板製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168235A JPS6060717A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 半導体基板製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58168235A JPS6060717A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 半導体基板製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6060717A true JPS6060717A (ja) | 1985-04-08 |
Family
ID=15864275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58168235A Pending JPS6060717A (ja) | 1983-09-14 | 1983-09-14 | 半導体基板製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6060717A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415271B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2004-01-16 | 주식회사 래디언테크 | 상압 플라즈마 세정장치 |
-
1983
- 1983-09-14 JP JP58168235A patent/JPS6060717A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100415271B1 (ko) * | 2002-05-27 | 2004-01-16 | 주식회사 래디언테크 | 상압 플라즈마 세정장치 |
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