JPH10335316A - 表面処理方法及びその装置 - Google Patents
表面処理方法及びその装置Info
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- JPH10335316A JPH10335316A JP9161881A JP16188197A JPH10335316A JP H10335316 A JPH10335316 A JP H10335316A JP 9161881 A JP9161881 A JP 9161881A JP 16188197 A JP16188197 A JP 16188197A JP H10335316 A JPH10335316 A JP H10335316A
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- plasma
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P72/00—Handling or holding of wafers, substrates or devices during manufacture or treatment thereof
- H10P72/04—Apparatus for manufacture or treatment
- H10P72/0402—Apparatus for fluid treatment
- H10P72/0418—Apparatus for fluid treatment for etching
- H10P72/0421—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
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- H10P50/20—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching
- H10P50/28—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials
- H10P50/282—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials
- H10P50/283—Dry etching; Plasma etching; Reactive-ion etching of insulating materials of inorganic materials by chemical means
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- H10P70/23—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials
- H10P70/234—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating materials the processing being the formation of vias or contact holes
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
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- H10P72/0431—Apparatus for thermal treatment
- H10P72/0436—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細なホール内等の自然酸化膜も効率的に除
去することができる表面処理方法を提供する。 【解決手段】 被処理体Ｗの表面に形成された自然酸化
膜１０を除去する表面処理装置において、Ｎ2 ガスとＨ
2 ガスの混合ガスをプラズマにより活性化して活性ガス
種を形成する工程と、該活性ガス種のダウンフローにＮ
Ｆ3 ガスを添加してＮＦ3 ガスを活性化する工程と、形
成されたＮＦ3 ガスの活性ガス種を被処理体の表面に晒
してこれを前記自然酸化膜と反応させて保護膜８２を形
成する工程と、前記被処理体を所定の温度に加熱するこ
とにより前記保護膜を昇華させる工程とを備える。これ
により、薬液を用いることなく、ホール内等の自然酸化
膜を効率的に除去する。
去することができる表面処理方法を提供する。 【解決手段】 被処理体Ｗの表面に形成された自然酸化
膜１０を除去する表面処理装置において、Ｎ2 ガスとＨ
2 ガスの混合ガスをプラズマにより活性化して活性ガス
種を形成する工程と、該活性ガス種のダウンフローにＮ
Ｆ3 ガスを添加してＮＦ3 ガスを活性化する工程と、形
成されたＮＦ3 ガスの活性ガス種を被処理体の表面に晒
してこれを前記自然酸化膜と反応させて保護膜８２を形
成する工程と、前記被処理体を所定の温度に加熱するこ
とにより前記保護膜を昇華させる工程とを備える。これ
により、薬液を用いることなく、ホール内等の自然酸化
膜を効率的に除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ表面に形成された自然酸化膜を除去する表面処理方法
及びその装置に関する。
ハ表面に形成された自然酸化膜を除去する表面処理方法
及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路を製造するため
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、このように各種
の処理工程を行なうにあたり、半導体ウエハを処理装置
間に搬送することからウエハが大気に晒されることは避
けられず、そのため、ウエハ面の大気に晒される部分に
大気中の酸素や水分に起因して自然酸化膜が発生するこ
とは避けられない。この自然酸化膜は、膜質、例えば電
気的特性等を劣化させることから、上記した成膜工程等
の前処理として、上記自然酸化膜をウエハ面から除去す
る表面処理が行なわれる場合がある。
には、半導体ウエハ等の基板に対して、成膜とパターン
エッチング等を繰り返し行なって、多数の所望の素子を
形成するようになっている。ところで、このように各種
の処理工程を行なうにあたり、半導体ウエハを処理装置
間に搬送することからウエハが大気に晒されることは避
けられず、そのため、ウエハ面の大気に晒される部分に
大気中の酸素や水分に起因して自然酸化膜が発生するこ
とは避けられない。この自然酸化膜は、膜質、例えば電
気的特性等を劣化させることから、上記した成膜工程等
の前処理として、上記自然酸化膜をウエハ面から除去す
る表面処理が行なわれる場合がある。
【０００３】自然酸化膜を除去するこの表面処理は、従
来は、ウエハを薬液中に浸漬して、自然酸化膜を薬液に
より除去する、いわゆるウェット洗浄が一般的に行なわ
れていたが、しかしながら、半導体集積回路の高集積化
及び高微細化が推進されるに従って、線幅やコンタクト
ホール径等も小さくなり、例えばホール径等は０．２〜
０．３μｍ程度、或いはそれ以下になっている。そのた
め、薬液がこのホール内に十分にしみ込まなかったり、
或いは逆にしみ込んだ薬液が表面張力のためにホール内
から排出できない場合等が生じ、ホール底部に発生した
自然酸化膜を十分に除去することができないという問題
が生じた。
来は、ウエハを薬液中に浸漬して、自然酸化膜を薬液に
より除去する、いわゆるウェット洗浄が一般的に行なわ
れていたが、しかしながら、半導体集積回路の高集積化
及び高微細化が推進されるに従って、線幅やコンタクト
ホール径等も小さくなり、例えばホール径等は０．２〜
０．３μｍ程度、或いはそれ以下になっている。そのた
め、薬液がこのホール内に十分にしみ込まなかったり、
或いは逆にしみ込んだ薬液が表面張力のためにホール内
から排出できない場合等が生じ、ホール底部に発生した
自然酸化膜を十分に除去することができないという問題
が生じた。
【０００４】また、複数層の積層構造の成膜よりなるホ
ール壁が層毎にエッチングレートが異なることからホー
ル壁面に凹凸が発生するなどの問題もあった。この点を
詳しく説明すると、図６は例えばシリコン製のウエハＷ
の表面に形成されたドレインやソースに電気的コンタク
トをとるためのコンタクトホール２を示しており、ホー
ル径Ｌ１は０．２〜０．３μｍ程度である。このホール
２の壁面は、図６（Ａ）に示すように異なる成膜工程で
形成された、例えば３層構造のシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）よりなっている。例えば、第１層目のＳｉＯ 2膜４
は、熱酸化により形成された膜であり、第２層目のＳｉ
Ｏ 2膜６は、スピンコート法により形成されたリンドー
プドガラスであり、第３層目のＳｉＯ 2膜８は、シリカ
ガラスにより形成されている。そして、このコンタクト
ホール２の底部に自然酸化膜１０が発生している。
ール壁が層毎にエッチングレートが異なることからホー
ル壁面に凹凸が発生するなどの問題もあった。この点を
詳しく説明すると、図６は例えばシリコン製のウエハＷ
の表面に形成されたドレインやソースに電気的コンタク
トをとるためのコンタクトホール２を示しており、ホー
ル径Ｌ１は０．２〜０．３μｍ程度である。このホール
２の壁面は、図６（Ａ）に示すように異なる成膜工程で
形成された、例えば３層構造のシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）よりなっている。例えば、第１層目のＳｉＯ 2膜４
は、熱酸化により形成された膜であり、第２層目のＳｉ
Ｏ 2膜６は、スピンコート法により形成されたリンドー
プドガラスであり、第３層目のＳｉＯ 2膜８は、シリカ
ガラスにより形成されている。そして、このコンタクト
ホール２の底部に自然酸化膜１０が発生している。
【０００５】このような３層構造において、各層のＳｉ
Ｏ 2膜４、６、８は、薬液に対するエッチング速度がそ
れぞれ微妙に異なっており、従って、ウエット洗浄によ
る自然酸化膜１０の除去後においては、図６（Ｂ）に示
すようにホール２の側壁に、エッチング速度の差に起因
して凹凸９が発生したり、或いは薬液が浸入し易い各層
間の境界部分が過度に削り取られてしまうといった問題
があった。そこで、このような問題を解決するために、
上記したような薬液によるウェット洗浄に替えて、エッ
チングガスを用いて自然酸化膜を除去する、いわゆるド
ライエッチング法が、特開平２−２５６２３５号公報や
特開平６−３３８４７８号公報等に示すように提案され
ている。
Ｏ 2膜４、６、８は、薬液に対するエッチング速度がそ
れぞれ微妙に異なっており、従って、ウエット洗浄によ
る自然酸化膜１０の除去後においては、図６（Ｂ）に示
すようにホール２の側壁に、エッチング速度の差に起因
して凹凸９が発生したり、或いは薬液が浸入し易い各層
間の境界部分が過度に削り取られてしまうといった問題
があった。そこで、このような問題を解決するために、
上記したような薬液によるウェット洗浄に替えて、エッ
チングガスを用いて自然酸化膜を除去する、いわゆるド
ライエッチング法が、特開平２−２５６２３５号公報や
特開平６−３３８４７８号公報等に示すように提案され
ている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記特開平２−２５６
２３５号公報に示す処理方法は、処理容器内にＮＦ3 ガ
ス（ハロゲンガス）やＮＨ3 ガス（塩基性ガス）を導入
してプラズマ化し、これにより自然酸化膜を除去しよう
とするものであるが、この場合には上記した２種類の特
殊ガスを用いることから、例えばその分、除害装置が必
要となって装置のコスト高を招来してしまう。また、上
記特開平６−３３８４７８号公報に示す処理方法は、Ｈ
2 ガスとＨ2Ｏとをプラズマ化し、このダウンフローに
ＮＦ3 ガスを添加させて自然酸化膜を除去しようとする
ものであるが、この場合には、Ｈ2 Ｏ（水蒸気）を導入
していることから、逆に自然酸化膜が除去される以上に
新しく発生してしまうという危惧があり、事実、本発明
者による検証では自然酸化膜の除去は十分ではなかっ
た。
２３５号公報に示す処理方法は、処理容器内にＮＦ3 ガ
ス（ハロゲンガス）やＮＨ3 ガス（塩基性ガス）を導入
してプラズマ化し、これにより自然酸化膜を除去しよう
とするものであるが、この場合には上記した２種類の特
殊ガスを用いることから、例えばその分、除害装置が必
要となって装置のコスト高を招来してしまう。また、上
記特開平６−３３８４７８号公報に示す処理方法は、Ｈ
2 ガスとＨ2Ｏとをプラズマ化し、このダウンフローに
ＮＦ3 ガスを添加させて自然酸化膜を除去しようとする
ものであるが、この場合には、Ｈ2 Ｏ（水蒸気）を導入
していることから、逆に自然酸化膜が除去される以上に
新しく発生してしまうという危惧があり、事実、本発明
者による検証では自然酸化膜の除去は十分ではなかっ
た。
【０００７】本発明は、以上のような問題点に着目し、
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、微細なホール内等の自然酸化膜も効果的に除
去することができる表面処理方法及びその装置を提供す
ることにある。
これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明
の目的は、微細なホール内等の自然酸化膜も効果的に除
去することができる表面処理方法及びその装置を提供す
ることにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記問題点を
解決するために、プラズマ形成部を有するプラズマ形成
管と、該プラズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを供給
するプラズマガス導入部と、前記プラズマ形成管に接続
されて、内部に被処理体を載置する載置台を設けた処理
容器と、前記プラズマ形成管内をダウンフローする活性
ガス種にＮＦ3ガスを添加するＮＦ3 ガス供給部と、前
記載置台を所定の温度に加熱する加熱手段とを備えるよ
うに構成したものである。
解決するために、プラズマ形成部を有するプラズマ形成
管と、該プラズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを供給
するプラズマガス導入部と、前記プラズマ形成管に接続
されて、内部に被処理体を載置する載置台を設けた処理
容器と、前記プラズマ形成管内をダウンフローする活性
ガス種にＮＦ3ガスを添加するＮＦ3 ガス供給部と、前
記載置台を所定の温度に加熱する加熱手段とを備えるよ
うに構成したものである。
【０００９】これにより、プラズマガス導入部よりプラ
ズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを導入し、この混合
ガスをプラズマ形成部にて活性化して活性ガス種を形成
する。この活性ガス種はプラズマ形成管内を流下して、
すなわちダウンフローして処理容器内に流入する。この
活性ガス種のダウンフローにはＮＦ3 ガス供給部よりＮ
Ｆ3 ガスが供給、添加され、このＮＦ3 ガスも活性化さ
せる。そして、ここで活性ガス化されたＮＦ3 ガス等が
載置台上に載置された被処理体の表面と接触し、これら
の活性ガス種が被処理体の表面の自然酸化膜と反応して
保護膜を形成することになる。このようにして、自然酸
化膜と反応させて保護膜を形成したならば、各種のガス
の供給を断つと共にプラズマの形成を停止し、処理容器
内の残留ガスを排除する。
ズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを導入し、この混合
ガスをプラズマ形成部にて活性化して活性ガス種を形成
する。この活性ガス種はプラズマ形成管内を流下して、
すなわちダウンフローして処理容器内に流入する。この
活性ガス種のダウンフローにはＮＦ3 ガス供給部よりＮ
Ｆ3 ガスが供給、添加され、このＮＦ3 ガスも活性化さ
せる。そして、ここで活性ガス化されたＮＦ3 ガス等が
載置台上に載置された被処理体の表面と接触し、これら
の活性ガス種が被処理体の表面の自然酸化膜と反応して
保護膜を形成することになる。このようにして、自然酸
化膜と反応させて保護膜を形成したならば、各種のガス
の供給を断つと共にプラズマの形成を停止し、処理容器
内の残留ガスを排除する。
【００１０】その後、加熱手段により被処理体を所定の
温度、例えば１００℃以上に加熱することにより、上記
保護膜を昇華させて除去する。これにより、被処理体の
表面に形成されていた自然酸化膜を除去することが可能
となる。この場合、プラズマ形成部は、マイクロ波発生
源と導波管とにより構成して、マイクロ波によりプラズ
マを発生させてもよいし、或いはＲＦ波を発生する高周
波発生源と誘導コイルとにより構成して、ＲＦ波により
プラズマを発生させるようにしてもよい。また、処理容
器内には、載置台の上方に傘状の覆い部材を設け、活性
ガス種のダウンフローが効率的に被処理体の表面に流れ
込むようにしてもよい。
温度、例えば１００℃以上に加熱することにより、上記
保護膜を昇華させて除去する。これにより、被処理体の
表面に形成されていた自然酸化膜を除去することが可能
となる。この場合、プラズマ形成部は、マイクロ波発生
源と導波管とにより構成して、マイクロ波によりプラズ
マを発生させてもよいし、或いはＲＦ波を発生する高周
波発生源と誘導コイルとにより構成して、ＲＦ波により
プラズマを発生させるようにしてもよい。また、処理容
器内には、載置台の上方に傘状の覆い部材を設け、活性
ガス種のダウンフローが効率的に被処理体の表面に流れ
込むようにしてもよい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る表面処理方
法とその装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明の表面処理装置を示す構成図、図２は
ＮＦ3 ガス供給部を示す平面図である。図示するように
この表面処理装置１２は、Ｎ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガ
スをプラズマにより活性化するプラズマ形成管１４と、
被処理体である半導体ウエハＷに対して自然酸化膜を除
去するための所定の表面処理を行なう処理容器１６を主
に有している。
法とその装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述す
る。図１は本発明の表面処理装置を示す構成図、図２は
ＮＦ3 ガス供給部を示す平面図である。図示するように
この表面処理装置１２は、Ｎ2 ガスとＨ2 ガスの混合ガ
スをプラズマにより活性化するプラズマ形成管１４と、
被処理体である半導体ウエハＷに対して自然酸化膜を除
去するための所定の表面処理を行なう処理容器１６を主
に有している。
【００１２】この処理容器１６は、例えばアルミニウム
により円筒体状に成形されており、この処理容器１６内
には、底部より例えば石英製の支柱１８により支持され
た例えばＳｉＣ製の薄い載置台２０が設けられている。
処理容器１６の底部の周縁部には、排気口２２が設けら
れ、この排気口２２に真空ポンプ２４等を介設した排気
系２５を接続して処理容器１６内を真空引き可能として
いる。また、載置台２０の下方の処理容器底部には、載
置台２０の径と略同等の照射口２６が形成されており、
この照射口２６には、下方に凸状に断面円弧状に成形さ
れた石英製の透過窓２８がＯリング管のシール部材３０
を介して気密に設けられている。
により円筒体状に成形されており、この処理容器１６内
には、底部より例えば石英製の支柱１８により支持され
た例えばＳｉＣ製の薄い載置台２０が設けられている。
処理容器１６の底部の周縁部には、排気口２２が設けら
れ、この排気口２２に真空ポンプ２４等を介設した排気
系２５を接続して処理容器１６内を真空引き可能として
いる。また、載置台２０の下方の処理容器底部には、載
置台２０の径と略同等の照射口２６が形成されており、
この照射口２６には、下方に凸状に断面円弧状に成形さ
れた石英製の透過窓２８がＯリング管のシール部材３０
を介して気密に設けられている。
【００１３】この透過窓２８の下方には、上記載置台２
０を裏面側から加熱するための加熱手段３２が設けられ
ている。この加熱手段３２は、回転台３４上にハロゲン
ランプ等よりなる多数の加熱ランプ３６を配置して構成
されており、このランプ３６から放出される熱線が透過
窓２８を透過して載置台２０の裏面に入射するようにな
っている。尚、ここでは、加熱手段３２として加熱ラン
プ３６を用いたが、これに限定されず、加熱手段として
載置台２０内に抵抗加熱ヒータ等を設けるようにしても
よい。また、処理容器１６の側壁には、搬出入口３８が
設けられており、ここにはウエハＷの搬出入時に開閉さ
れるゲートバルブ４０が設けられる。
０を裏面側から加熱するための加熱手段３２が設けられ
ている。この加熱手段３２は、回転台３４上にハロゲン
ランプ等よりなる多数の加熱ランプ３６を配置して構成
されており、このランプ３６から放出される熱線が透過
窓２８を透過して載置台２０の裏面に入射するようにな
っている。尚、ここでは、加熱手段３２として加熱ラン
プ３６を用いたが、これに限定されず、加熱手段として
載置台２０内に抵抗加熱ヒータ等を設けるようにしても
よい。また、処理容器１６の側壁には、搬出入口３８が
設けられており、ここにはウエハＷの搬出入時に開閉さ
れるゲートバルブ４０が設けられる。
【００１４】一方、上記プラズマ形成管１４は、例えば
石英により管状に成形されており、上記処理容器１６の
天井部１６Ａに開口部を設けて、この開口部にシール部
材４２を介して起立させた状態で気密に取り付けられて
いる。このプラズマ形成管１４の上端には、この管内に
Ｎ2 ガスとＨ2 ガスよりなるプラズマガスを導入するプ
ラズマガス導入部４４が設けられる。具体的には、この
プラズマ導入部４４は、プラズマ形成管１４内に挿通さ
れた導入ノズル４６を有しており、この導入ノズル４６
にガス通路４８を連結している。このガス通路４８は２
つに分岐されており、各分岐管にはそれぞれマスフロー
コントローラのごとき流量制御器５０を介してＮ2 ガス
を充填したＮ2 ガス源５２及びＨ2 ガスを充填したＨ2
ガス源５４がそれぞれ接続されている。
石英により管状に成形されており、上記処理容器１６の
天井部１６Ａに開口部を設けて、この開口部にシール部
材４２を介して起立させた状態で気密に取り付けられて
いる。このプラズマ形成管１４の上端には、この管内に
Ｎ2 ガスとＨ2 ガスよりなるプラズマガスを導入するプ
ラズマガス導入部４４が設けられる。具体的には、この
プラズマ導入部４４は、プラズマ形成管１４内に挿通さ
れた導入ノズル４６を有しており、この導入ノズル４６
にガス通路４８を連結している。このガス通路４８は２
つに分岐されており、各分岐管にはそれぞれマスフロー
コントローラのごとき流量制御器５０を介してＮ2 ガス
を充填したＮ2 ガス源５２及びＨ2 ガスを充填したＨ2
ガス源５４がそれぞれ接続されている。
【００１５】また、上記導入ノズル４６の真下には、プ
ラズマ形成部５６が設けられている。このプラズマ形成
部５６は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生す
るマイクロ波発生源５８と、上記プラズマ形成管１４に
設けた例えばエベンソン型の導波管６０よりなり、上記
マイクロ波発生源５８で発生したマイクロ波を例えば矩
形導波管６２を介して上記エベンソン型の導波管６０へ
供給し、これよりプラズマ形成管１４内に導入して、こ
のマイクロ波によりプラズマ形成管１４内にプラズマを
立ててＨ2 ガスとＮ2 ガスの混合ガスを活性化してこの
ダウンフローを形成し得るようになっている。
ラズマ形成部５６が設けられている。このプラズマ形成
部５６は、例えば２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生す
るマイクロ波発生源５８と、上記プラズマ形成管１４に
設けた例えばエベンソン型の導波管６０よりなり、上記
マイクロ波発生源５８で発生したマイクロ波を例えば矩
形導波管６２を介して上記エベンソン型の導波管６０へ
供給し、これよりプラズマ形成管１４内に導入して、こ
のマイクロ波によりプラズマ形成管１４内にプラズマを
立ててＨ2 ガスとＮ2 ガスの混合ガスを活性化してこの
ダウンフローを形成し得るようになっている。
【００１６】一方、上記プラズマ形成管１４の下端部で
ある流出口６４には、これに連通させて、下方向へ傘状
に或いは円錐状に広がった石英製の覆い部材６６が設け
られており、載置台２０の上方を覆ってガスを効率的に
ウエハＷ上に流下させるようになっている。そして、こ
の流出口６４の直下には、ＮＦ3 ガスを供給するための
ＮＦ3 ガス供給部６８が設けられる。具体的には、この
ＮＦ3 ガス供給部６８は、図２にも示すように石英製の
リング状のシャワーヘッド７０を有し、このシャワーヘ
ッド７０には多数のガス孔７２が形成されている。この
シャワーヘッド７０には、連通管７４を接続してこれを
容器側壁より外部へ取り出し、これにガス通路７６を接
続している。このガス通路７６は、例えばマスフローコ
ントローラのような流量制御器７８を介してＮＦ3 ガス
を充填するＮＦ3 ガス源８０に接続されている。
ある流出口６４には、これに連通させて、下方向へ傘状
に或いは円錐状に広がった石英製の覆い部材６６が設け
られており、載置台２０の上方を覆ってガスを効率的に
ウエハＷ上に流下させるようになっている。そして、こ
の流出口６４の直下には、ＮＦ3 ガスを供給するための
ＮＦ3 ガス供給部６８が設けられる。具体的には、この
ＮＦ3 ガス供給部６８は、図２にも示すように石英製の
リング状のシャワーヘッド７０を有し、このシャワーヘ
ッド７０には多数のガス孔７２が形成されている。この
シャワーヘッド７０には、連通管７４を接続してこれを
容器側壁より外部へ取り出し、これにガス通路７６を接
続している。このガス通路７６は、例えばマスフローコ
ントローラのような流量制御器７８を介してＮＦ3 ガス
を充填するＮＦ3 ガス源８０に接続されている。
【００１７】次に、以上のように構成された装置を用い
て行なわれる本発明方法について説明する。まず、被処
理体である半導体ウエハＷを、開放されたゲートバルブ
４０を介して処理容器１６内に導入し、これを載置台２
０上に載置する。このウエハＷには、例えば前段階でコ
ンタクトホール２（図６（Ａ））等が形成されており、
その底部の表面に自然酸化膜が発生している。図３
（Ａ）は、シリコンウエハＷの表面のコンタクトホール
の底部等に付着発生した自然酸化膜１０を示す拡大図で
ある。
て行なわれる本発明方法について説明する。まず、被処
理体である半導体ウエハＷを、開放されたゲートバルブ
４０を介して処理容器１６内に導入し、これを載置台２
０上に載置する。このウエハＷには、例えば前段階でコ
ンタクトホール２（図６（Ａ））等が形成されており、
その底部の表面に自然酸化膜が発生している。図３
（Ａ）は、シリコンウエハＷの表面のコンタクトホール
の底部等に付着発生した自然酸化膜１０を示す拡大図で
ある。
【００１８】ウエハＷを処理容器１６内に搬入したなら
ば、処理容器１６内を密閉し、内部を真空引きする。そ
して、Ｎ2 ガス源５２及びＨ2 ガス源５４よりＮ2 ガス
及びＨ2 ガスをそれぞれ、所定の流量でプラズマガス導
入部４４よりプラズマ形成管１４内へ導入する。これと
同時に、マイクロ波形成部５６のマイクロ波発生源５８
より２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生し、これをエベ
ンソン型の導波管６０へ導いて、これよりプラズマ形成
管１４内へ導入する。これにより、Ｎ2 ガスとＨ2 ガス
はマイクロ波によりプラズマ化されると共に活性化さ
れ、活性ガス種が形成される。この活性ガス種は処理容
器１６内の真空引きによりダウンフローを形成してプラ
ズマ形成管１４内を流出口６４に向けて流下することに
なる。
ば、処理容器１６内を密閉し、内部を真空引きする。そ
して、Ｎ2 ガス源５２及びＨ2 ガス源５４よりＮ2 ガス
及びＨ2 ガスをそれぞれ、所定の流量でプラズマガス導
入部４４よりプラズマ形成管１４内へ導入する。これと
同時に、マイクロ波形成部５６のマイクロ波発生源５８
より２．４５ＧＨｚのマイクロ波を発生し、これをエベ
ンソン型の導波管６０へ導いて、これよりプラズマ形成
管１４内へ導入する。これにより、Ｎ2 ガスとＨ2 ガス
はマイクロ波によりプラズマ化されると共に活性化さ
れ、活性ガス種が形成される。この活性ガス種は処理容
器１６内の真空引きによりダウンフローを形成してプラ
ズマ形成管１４内を流出口６４に向けて流下することに
なる。
【００１９】一方、ＮＦ3 ガス供給部６８のリング状の
シャワーヘッド７０からは、ＮＦ3ガス源８０より供給
されたＮＦ3 ガスがＮ2 ガスとＨ2 ガスよりなる混合ガ
スのダウンフローの活性ガス種に添加される。この結
果、添加されたＮＦ3 ガスもダウンフローの活性ガス種
により活性化されることになる。このようにＮＦ3 ガス
も活性ガス化され、上記したダウンフローの活性ガス種
と相まってウエハＷの表面の自然酸化膜１０と反応し、
図３（Ｂ）に示すようにここにＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの
混合した保護膜８２を形成することになる。この処理中
はウエハＷは何ら加熱されておらず、室温の状態で保護
膜８２を形成する。
シャワーヘッド７０からは、ＮＦ3ガス源８０より供給
されたＮＦ3 ガスがＮ2 ガスとＨ2 ガスよりなる混合ガ
スのダウンフローの活性ガス種に添加される。この結
果、添加されたＮＦ3 ガスもダウンフローの活性ガス種
により活性化されることになる。このようにＮＦ3 ガス
も活性ガス化され、上記したダウンフローの活性ガス種
と相まってウエハＷの表面の自然酸化膜１０と反応し、
図３（Ｂ）に示すようにここにＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの
混合した保護膜８２を形成することになる。この処理中
はウエハＷは何ら加熱されておらず、室温の状態で保護
膜８２を形成する。
【００２０】この時のプロセス条件は、ガスの流量に関
しては、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 が、それぞれ１０ｓｃｃ
ｍ、３０ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍである。プロセス圧
力は３Ｔｏｒｒ、プラズマ電力は５０Ｗ、プロセス時間
は３分である。このようにして、ウエハ表面に自然酸化
膜１０と反応した保護膜８２を形成する。この場合、載
置台２０の上方は、傘状の覆い部材６６により覆われて
いるのでダウンフローの活性ガス種の分散が抑制され
て、これが効率的にウエハ面上に流下し、効率的に保護
膜８２を形成することができる。
しては、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 が、それぞれ１０ｓｃｃ
ｍ、３０ｓｃｃｍ、１００ｓｃｃｍである。プロセス圧
力は３Ｔｏｒｒ、プラズマ電力は５０Ｗ、プロセス時間
は３分である。このようにして、ウエハ表面に自然酸化
膜１０と反応した保護膜８２を形成する。この場合、載
置台２０の上方は、傘状の覆い部材６６により覆われて
いるのでダウンフローの活性ガス種の分散が抑制され
て、これが効率的にウエハ面上に流下し、効率的に保護
膜８２を形成することができる。
【００２１】このように保護膜８２の形成が完了したな
らば、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 のそれぞれのガスの供給を停
止すると共に、マイクロ波発生源５８の駆動も停止す
る。そして、処理容器１６内を真空引きして残留ガスを
排除し、この状態で加熱手段３２を駆動させて加熱ラン
プ３６により載置台２０をその裏面より加熱し、ウエハ
Ｗを所定の温度、例えば１００℃以上に加熱する。この
加熱により、上記保護膜８２は、図３（Ｃ）に示すよう
にＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混じった分子８４となって昇
華して行く。これにより、ウエハＷの自然酸化膜１０が
除去されてウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。こ
の時のプロセス条件は、プロセス圧力が１ｍＴｏｒｒ以
下、プロセス時間は２分程度である。
らば、Ｈ2 、ＮＦ3 、Ｎ2 のそれぞれのガスの供給を停
止すると共に、マイクロ波発生源５８の駆動も停止す
る。そして、処理容器１６内を真空引きして残留ガスを
排除し、この状態で加熱手段３２を駆動させて加熱ラン
プ３６により載置台２０をその裏面より加熱し、ウエハ
Ｗを所定の温度、例えば１００℃以上に加熱する。この
加熱により、上記保護膜８２は、図３（Ｃ）に示すよう
にＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏの混じった分子８４となって昇
華して行く。これにより、ウエハＷの自然酸化膜１０が
除去されてウエハ表面にＳｉ面が現れることになる。こ
の時のプロセス条件は、プロセス圧力が１ｍＴｏｒｒ以
下、プロセス時間は２分程度である。
【００２２】上記した自然酸化膜の除去のプロセスは、
詳細には解明されていないが、Ｈ2ガス、Ｎ2 ガス及び
ＮＦ3 ガスの各活性種が自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）と反応
してＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏを含む大きな分子となり、す
なわちＮ、Ｆ、ＨがＯとＳｉの間に入ってこれらをバイ
ンドするように作用し、この生成物がＮ−Ｆ−Ｈ−Ｏ−
Ｓｉの分子を保ったまま１００℃以上の熱により容易に
昇華するものと考えられる。
詳細には解明されていないが、Ｈ2ガス、Ｎ2 ガス及び
ＮＦ3 ガスの各活性種が自然酸化膜（ＳｉＯ2 ）と反応
してＳｉ、Ｎ、Ｈ、Ｆ、Ｏを含む大きな分子となり、す
なわちＮ、Ｆ、ＨがＯとＳｉの間に入ってこれらをバイ
ンドするように作用し、この生成物がＮ−Ｆ−Ｈ−Ｏ−
Ｓｉの分子を保ったまま１００℃以上の熱により容易に
昇華するものと考えられる。
【００２３】このようにして表面処理を行なったウエハ
Ｗの表面の原子分析を表面原素分析装置（ＸＰＳ）で行
なった。図４はこの時の分析結果を示すグラフであり、
図４（Ａ）は表面処理前のウエハ表面の原素分析結果を
示し、図４（Ｂ）は表面処理後のウエハ表面の原素分析
結果を示している。図４（Ａ）に示すように、表面処理
前にあっては、Ｓｉ−Ｓｉ結合（１００ｅＶ近傍）に加
えてＳｉ−Ｏ結合（１０５ｅＶ近傍）のバインドエネル
ギに関してもピークが認められる。これに対して、図４
（Ｂ）に示すように、表面処理後にあっては、Ｓｉ−Ｓ
ｉ結合（１００ｅＶ近傍）に関しては同様にピークが認
められるのに対してＳｉ−Ｏ結合（１０５ｅＶ近傍）に
関してはピークが認められず、従って、自然酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）が略完全に除去されていることが判明した。
Ｗの表面の原子分析を表面原素分析装置（ＸＰＳ）で行
なった。図４はこの時の分析結果を示すグラフであり、
図４（Ａ）は表面処理前のウエハ表面の原素分析結果を
示し、図４（Ｂ）は表面処理後のウエハ表面の原素分析
結果を示している。図４（Ａ）に示すように、表面処理
前にあっては、Ｓｉ−Ｓｉ結合（１００ｅＶ近傍）に加
えてＳｉ−Ｏ結合（１０５ｅＶ近傍）のバインドエネル
ギに関してもピークが認められる。これに対して、図４
（Ｂ）に示すように、表面処理後にあっては、Ｓｉ−Ｓ
ｉ結合（１００ｅＶ近傍）に関しては同様にピークが認
められるのに対してＳｉ−Ｏ結合（１０５ｅＶ近傍）に
関してはピークが認められず、従って、自然酸化膜（Ｓ
ｉＯ2 ）が略完全に除去されていることが判明した。
【００２４】また、保護膜８２の昇華時のプロセス圧力
及びプロセス温度を種々変更して行なった結果、プロセ
ス圧力に関しては、上限は１００ｍＴｏｒｒ程度であ
り、これ以上圧力が高いと、保護膜８２の昇華が十分に
行なわれなかった。また、プロセス温度に関しては、下
限は１００℃程度であり、これ以上温度が低いと、保護
膜８２の昇華が十分に行なわれなかった。
及びプロセス温度を種々変更して行なった結果、プロセ
ス圧力に関しては、上限は１００ｍＴｏｒｒ程度であ
り、これ以上圧力が高いと、保護膜８２の昇華が十分に
行なわれなかった。また、プロセス温度に関しては、下
限は１００℃程度であり、これ以上温度が低いと、保護
膜８２の昇華が十分に行なわれなかった。
【００２５】また、ここではプラズマ形成部５６とし
て、マイクロ波発生源５８とエベンソン型の導波管６０
を用いた場合を例にとって説明したが、これに替えて、
図５に示すようにプラズマ形成部５６として、例えば１
３．５６ＭＨｚのＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃ
ｙ）波を発生する高周波発生源８６と、プラズマ形成管
１４の一部に巻回した誘導コイル８８とにより構成して
もよい。この誘導コイル８８と高周波発生源８６との間
は整合回路９０を介して接続されて、インピーダンスマ
ッチングが図られている。この場合には、ＲＦ波を誘導
コイル８８に供給することによって誘導結合によってプ
ラズマが発生することになり、前述した実施例と同様な
作用効果を発揮する。
て、マイクロ波発生源５８とエベンソン型の導波管６０
を用いた場合を例にとって説明したが、これに替えて、
図５に示すようにプラズマ形成部５６として、例えば１
３．５６ＭＨｚのＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃ
ｙ）波を発生する高周波発生源８６と、プラズマ形成管
１４の一部に巻回した誘導コイル８８とにより構成して
もよい。この誘導コイル８８と高周波発生源８６との間
は整合回路９０を介して接続されて、インピーダンスマ
ッチングが図られている。この場合には、ＲＦ波を誘導
コイル８８に供給することによって誘導結合によってプ
ラズマが発生することになり、前述した実施例と同様な
作用効果を発揮する。
【００２６】上記した各種のガス流量は、単に一例を示
したに過ぎず、実施例の値に限定されないのは勿論であ
る。また、ＮＦ3 ガスを供給するシャワーヘッド７０
は、プラズマ形成管１４の下端の流出口６４の所に設け
たが、これに限定されず、導波管６０を設けた位置より
もダウンフローの下流側ならばどこに位置させてもよ
い。その理由は、プラズマ内にＮＦ3 ガスが存在する
と、これが過度に活性化されて石英製のプラズマ形成管
１４を激しくエッチングするからである。
したに過ぎず、実施例の値に限定されないのは勿論であ
る。また、ＮＦ3 ガスを供給するシャワーヘッド７０
は、プラズマ形成管１４の下端の流出口６４の所に設け
たが、これに限定されず、導波管６０を設けた位置より
もダウンフローの下流側ならばどこに位置させてもよ
い。その理由は、プラズマ内にＮＦ3 ガスが存在する
と、これが過度に活性化されて石英製のプラズマ形成管
１４を激しくエッチングするからである。
【００２７】更に、シャワーヘッド７０の構造は、リン
グ状に限定されず、ガス孔を有する配管をいわゆる格子
状に配設するようにしてもよいし、或いはシャワーヘッ
ドに限定されず、単なるガス導入ノズルによりＮＦ3 ガ
スを導入させるようにしてもよい。また、ここではシリ
コン表面上の自然酸化膜の除去を例にとって説明した
が、これに限定されず、金属シリサイド上に発生した自
然酸化膜、例えばＷＳｉｘ、ＴｉＳｉｘ、ＣｏＳｉｘ、
ＡｌＳｉｘ、ＮｉＳｉｘ上に発生した自然酸化膜を除去
する際にも本発明を適用できるのは勿論である。更に、
マイクロ波及びＲＦ波の周波数は、ここで説明したもの
に限定されず、他の周波数のものを用いてもよいのは勿
論である。
グ状に限定されず、ガス孔を有する配管をいわゆる格子
状に配設するようにしてもよいし、或いはシャワーヘッ
ドに限定されず、単なるガス導入ノズルによりＮＦ3 ガ
スを導入させるようにしてもよい。また、ここではシリ
コン表面上の自然酸化膜の除去を例にとって説明した
が、これに限定されず、金属シリサイド上に発生した自
然酸化膜、例えばＷＳｉｘ、ＴｉＳｉｘ、ＣｏＳｉｘ、
ＡｌＳｉｘ、ＮｉＳｉｘ上に発生した自然酸化膜を除去
する際にも本発明を適用できるのは勿論である。更に、
マイクロ波及びＲＦ波の周波数は、ここで説明したもの
に限定されず、他の周波数のものを用いてもよいのは勿
論である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の表面処理
方法及びその装置によれば、次のように優れた作用効果
を発揮することができる。Ｎ2 ガスとＨ2 ガスをプラズ
マにより活性化し、この活性ガス種によりＮＦ3ガスを
活性化して、これらと被処理体表面の自然酸化膜とを反
応させて保護膜を形成し、その後、加熱によりこの保護
膜を昇華させるようにしたので、薬液を用いることなく
被処理体表面上の自然酸化膜を容易に除去乃至クリーニ
ングすることができる。また、ＮＨ3 ガスは用いていな
いので、ＮＦ3 ガスの他は、除害設備を設ける必要がな
く、設備コストを削減することができる。
方法及びその装置によれば、次のように優れた作用効果
を発揮することができる。Ｎ2 ガスとＨ2 ガスをプラズ
マにより活性化し、この活性ガス種によりＮＦ3ガスを
活性化して、これらと被処理体表面の自然酸化膜とを反
応させて保護膜を形成し、その後、加熱によりこの保護
膜を昇華させるようにしたので、薬液を用いることなく
被処理体表面上の自然酸化膜を容易に除去乃至クリーニ
ングすることができる。また、ＮＨ3 ガスは用いていな
いので、ＮＦ3 ガスの他は、除害設備を設ける必要がな
く、設備コストを削減することができる。
【図１】本発明の表面処理装置を示す構成図である。
【図２】ＮＦ3 ガス供給部を示す平面図である。
【図３】本発明方法を説明するための工程図である。
【図４】本発明方法による表面処理前と表面処理後の被
処理体の表面原素分析の結果を示すグラフである。
処理体の表面原素分析の結果を示すグラフである。
【図５】プラズマ形成部の変形例を示すグラフである。
【図６】自然酸化膜を除去する従来の表面処理方法を説
明するための図である。
明するための図である。
１０ 自然酸化膜 １２ 表面処理装置 １４ プラズマ形成管 １６ 処理容器 ２０ 載置台 ３２ 加熱手段 ３６ 加熱ランプ ４４ プラズマガス導入部 ５２ Ｎ2 ガス源 ５４ Ｈ2 ガス源 ５６ プラズマ形成部 ５８ マイクロ波発生源 ６０ エベンソン型の導波管 ６６ 覆い部材 ６８ ＮＦ3 ガス供給部 ７０ シャワーヘッド ８０ ＮＦ3 ガス源 ８２ 保護膜 ８６ 高周波発生源 ８８ 誘導コイル Ｗ 半導体ウエハ（被処理体）
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマ形成部を有するプラズマ形成管
と、該プラズマ形成管内にＮ2 ガスとＨ2 ガスを供給す
るプラズマガス導入部と、前記プラズマ形成管に接続さ
れて、内部に被処理体を載置する載置台を設けた処理容
器と、前記プラズマ形成管内をダウンフローする活性ガ
ス種にＮＦ3 ガスを添加するＮＦ3 ガス供給部と、前記
載置台を所定の温度に加熱する加熱手段とを備えたこと
を特徴とする表面処理装置。 - 【請求項２】 前記プラズマ形成部は、マイクロ波を発
生するマイクロ波発生源と、発生したマイクロ波を前記
プラズマ形成管内へ導入する導波管とよりなることを特
徴とする請求項１記載の表面処理装置。 - 【請求項３】 前記プラズマ形成部は、ＲＦ波を発生す
る高周波発生源と、このＲＦ波を前記プラズマ形成管内
へ導入する誘導コイルとよりなることを特徴とする請求
項１記載の表面処理装置。 - 【請求項４】 前記載置台の上方には、前記プラズマ形
成管の流出口と連通された傘状の覆い部材が設けられて
いることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載
の表面処理装置。 - 【請求項５】 被処理体の表面に形成された自然酸化膜
を除去する表面処理装置において、Ｎ2 ガスとＨ2 ガス
の混合ガスをプラズマにより活性化して活性ガス種を形
成する工程と、該活性ガス種のダウンフローにＮＦ3 ガ
スを添加してＮＦ3 ガスを活性化する工程と、形成され
たＮＦ3 ガスの活性ガス種を被処理体の表面に晒してこ
れを前記自然酸化膜と反応させて保護膜を形成する工程
と、前記被処理体を所定の温度に加熱することにより前
記保護膜を昇華させる工程とを備えたことを特徴とする
表面処理方法。 - 【請求項６】 前記所定の温度は、１００℃以上である
ことを特徴とする請求項５記載の表面処理方法。
Priority Applications (10)
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|---|---|---|---|
| JP16188197A JP3627451B2 (ja) | 1997-06-04 | 1997-06-04 | 表面処理方法及びその装置 |
| EP98109891A EP0887845A3 (en) | 1997-06-04 | 1998-05-29 | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| EP08022267A EP2043138A3 (en) | 1997-06-04 | 1998-05-29 | Method of processing an object having an oxide film on its surface and apparatus for performing said method |
| EP07024972A EP1909314A1 (en) | 1997-06-04 | 1998-05-29 | Processing method an apparatus for removing oxide film |
| EP05002941A EP1542262B1 (en) | 1997-06-04 | 1998-05-29 | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| DE69837730T DE69837730T2 (de) | 1997-06-04 | 1998-05-29 | Verfahren zur Entfernung von einem Oxyd-Film und Einrichtung dafür |
| TW087108642A TW408371B (en) | 1997-06-04 | 1998-06-02 | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| KR1019980020573A KR100566472B1 (ko) | 1997-06-04 | 1998-06-03 | 표면 처리 방법 및 장치와, 처리 방법 |
| US09/437,500 US6706334B1 (en) | 1997-06-04 | 1999-11-10 | Processing method and apparatus for removing oxide film |
| US09/736,147 US6776874B2 (en) | 1997-06-04 | 2000-12-15 | Processing method and apparatus for removing oxide film |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10335316A true JPH10335316A (ja) | 1998-12-18 |
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| KR (1) | KR100566472B1 (ja) |
| DE (1) | DE69837730T2 (ja) |
| TW (1) | TW408371B (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| KR100573929B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-04-26 | (주)에이피엘 | 플라즈마를 이용한 표면 세정 장치 및 방법 |
| US7111629B2 (en) | 2001-01-08 | 2006-09-26 | Apl Co., Ltd. | Method for cleaning substrate surface |
| US8361274B2 (en) | 2004-01-13 | 2013-01-29 | Samsung Electronics Co., Ltd | Etching apparatus and etching method |
| US8398813B2 (en) | 1999-08-13 | 2013-03-19 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus and processing method |
| KR101495288B1 (ko) * | 2012-06-04 | 2015-02-24 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP2015053501A (ja) * | 2009-12-23 | 2015-03-19 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | シリコン含有膜の平滑ＳｉＣｏｎｉエッチング |
| JP2016167610A (ja) * | 2006-02-03 | 2016-09-15 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | エピタキシャル堆積プロセス及び装置 |
| KR20230002781A (ko) | 2020-04-28 | 2023-01-05 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 반도체 장치 제조방법, 반도체 제조장치 및 시스템 |
| JP2024006600A (ja) * | 2022-07-04 | 2024-01-17 | 株式会社ディスコ | ウェーハの処理方法及び処理装置 |
| WO2024123432A1 (en) * | 2022-12-09 | 2024-06-13 | Applied Materials, Inc. | Method of selective metal deposition using separated reactant activation and plasma discharging zones |
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| KR100605884B1 (ko) * | 1998-11-11 | 2006-08-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 표면 처리 방법 및 장치 |
| JP2001110785A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-04-20 | Tokyo Electron Ltd | 処理方法 |
| KR100617068B1 (ko) * | 2005-07-12 | 2006-08-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자의 제조방법 |
| JP5425404B2 (ja) * | 2008-01-18 | 2014-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | アモルファスカーボン膜の処理方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
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| JP5916909B1 (ja) * | 2015-02-06 | 2016-05-11 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、ガス整流部、半導体装置の製造方法およびプログラム |
| KR102381238B1 (ko) * | 2018-11-26 | 2022-04-01 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
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