JPS606091B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS606091B2 JPS606091B2 JP58210997A JP21099783A JPS606091B2 JP S606091 B2 JPS606091 B2 JP S606091B2 JP 58210997 A JP58210997 A JP 58210997A JP 21099783 A JP21099783 A JP 21099783A JP S606091 B2 JPS606091 B2 JP S606091B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- axis
- heat
- beryllium oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W40/00—Arrangements for thermal protection or thermal control
- H10W40/10—Arrangements for heating
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は各種基板上に取り付けられた半導体素子の放熱
構造に関するものである。
構造に関するものである。
従来の上記半導体素子の放熱構造としては、一般に、マ
ィラシート、絶縁ワッシャ等の電気的絶縁体を介して半
導体素子にヒートシンクを重合団設させた構造となって
いるが、空間的制約等によりヒートシンクの半導体素子
への重合固設が出来ない場合がある。
ィラシート、絶縁ワッシャ等の電気的絶縁体を介して半
導体素子にヒートシンクを重合団設させた構造となって
いるが、空間的制約等によりヒートシンクの半導体素子
への重合固設が出来ない場合がある。
本発明は、以上のような点に鑑み「空間的制約により半
導体素子にヒートシンクを重合固設させることが出来な
い場合でも、有効な放熱作用を有する半導体装置を提供
することを目的とするものである。
導体素子にヒートシンクを重合固設させることが出来な
い場合でも、有効な放熱作用を有する半導体装置を提供
することを目的とするものである。
上記の目的を達成するために、本発明の半導体装置は、
電気的絶縁体であって、しかも熱伝導率の高い酸化ベリ
リウム膜を利用し「任意の基板上に上記酸化ベリリウム
膜を被着し、この酸化ベリリウム膜上に半導体素子とヒ
ートシンクを並設させることにより、場所的制約に拘ら
ず、半導体素子から発する熱を酸化ベリリウム膜を介し
て側方のヒートシンク側に伝達発散させるようにしたも
のである。
電気的絶縁体であって、しかも熱伝導率の高い酸化ベリ
リウム膜を利用し「任意の基板上に上記酸化ベリリウム
膜を被着し、この酸化ベリリウム膜上に半導体素子とヒ
ートシンクを並設させることにより、場所的制約に拘ら
ず、半導体素子から発する熱を酸化ベリリウム膜を介し
て側方のヒートシンク側に伝達発散させるようにしたも
のである。
さらに望ましくは、上記酸化ベリリウム膜は、上記基板
の被着面に対してｃ軸配向性をもって被着形成された構
成とする。
の被着面に対してｃ軸配向性をもって被着形成された構
成とする。
このような構成とすることにより、さらに後述する通り
、上記酸化ベリリウム膜は、ｃ軸方向への熱伝特性に良
好であるところから、半導体素子から発する熱によって
加熱された基板の熱は、上記酸化ベリリウム膜のｃ軸に
沿ってヒートシンク側に放熱され、半導体素子並びに基
板の熱が有効に放熱される。
、上記酸化ベリリウム膜は、ｃ軸方向への熱伝特性に良
好であるところから、半導体素子から発する熱によって
加熱された基板の熱は、上記酸化ベリリウム膜のｃ軸に
沿ってヒートシンク側に放熱され、半導体素子並びに基
板の熱が有効に放熱される。
以下に、本発明を図の一実施例によって説明する。
第１図は本発明に係る半導体装置の斜視図である。
図において１０１は、半導体装置の基板であり、ガラス
、鉄、表面にＡそ被膜を有する合成樹脂等、熱的特性を
答わず任意の材質を用いることが出釆、各種電子機器の
シャーシの一部を基板１０１とすることも出来る。
、鉄、表面にＡそ被膜を有する合成樹脂等、熱的特性を
答わず任意の材質を用いることが出釆、各種電子機器の
シャーシの一部を基板１０１とすることも出来る。
この基板１０１の表面に、氏○膜１０２が、基板１０１
の表面に対してｃ軸配向性をもって被着形成され、この
氏○膜１０２の上面の一部に、結晶成長による半導体チ
ップ１０３が形成されると共に、このチップ１０３に隣
接してＡそ等熱良伝導性金属よりなるヒートシンク１０
４が並設されている。
の表面に対してｃ軸配向性をもって被着形成され、この
氏○膜１０２の上面の一部に、結晶成長による半導体チ
ップ１０３が形成されると共に、このチップ１０３に隣
接してＡそ等熱良伝導性金属よりなるヒートシンク１０
４が並設されている。
このように同一基板上に半導体チップ竃０３とヒートシ
ンク１０４とを並設させた構成とすれば、基板１０１と
して熱伝導性の低い材質を用いても十分な放熱効果が得
られるため〜基板ＳＱ翼を安価な材料で構成することが
できる。
ンク１０４とを並設させた構成とすれば、基板１０１と
して熱伝導性の低い材質を用いても十分な放熱効果が得
られるため〜基板ＳＱ翼を安価な材料で構成することが
できる。
ここで氏○の結晶は、六方晶形の結晶形をとり、この六
方晶の長軸「すなわちｃ軸が同じ方向を向いて成長して
いる状態をｃ軸配向という。
方晶の長軸「すなわちｃ軸が同じ方向を向いて成長して
いる状態をｃ軸配向という。
この場合、六方晶のａ軸についても同方向に配向すれば
、単結晶となるが「本発明の場合、基板は必ずしも単結
晶成長の条件を具えても、ないので「それは期待できな
い。また、熱伝導性の見地からも「 ｃ軸方向が問題と
なる。したがって「上記の実施例では〜舷○膜のａ軸方
向については特に問題とせずもｃ軸方向に配向させた氏
○結晶膜を用いた。
、単結晶となるが「本発明の場合、基板は必ずしも単結
晶成長の条件を具えても、ないので「それは期待できな
い。また、熱伝導性の見地からも「 ｃ軸方向が問題と
なる。したがって「上記の実施例では〜舷○膜のａ軸方
向については特に問題とせずもｃ軸方向に配向させた氏
○結晶膜を用いた。
また、氏○膜を形成すべき基板側が多結晶やアモルファ
スであっても「後述するような特定の条件下で被着する
場合にはら段○膜は勺 ｃ軸配向する性質をもっており
、結晶は、ｃ軸が被着面に対してほぼ垂直方向に配向し
て成長する。
スであっても「後述するような特定の条件下で被着する
場合にはら段○膜は勺 ｃ軸配向する性質をもっており
、結晶は、ｃ軸が被着面に対してほぼ垂直方向に配向し
て成長する。
次に、ｃ軸方向に配向されたＢｅＯ膜の蒸着形成方法の
例を、第２図を参照して説明する。第２図に示される蒸
着装層は、全体として真空容器内に封入されている。
例を、第２図を参照して説明する。第２図に示される蒸
着装層は、全体として真空容器内に封入されている。
しかして、０．５側〜２．仇肌程度の１個又は複数個の
ノズル２２を有する密閉形のるつぼ２１内に、フレーク
状あるし、はべレット状とした金属田ｅを充填して加熱
装置２４により加熱する。
ノズル２２を有する密閉形のるつぼ２１内に、フレーク
状あるし、はべレット状とした金属田ｅを充填して加熱
装置２４により加熱する。
他方、酸素供給用パイプ３５を介して、そのノズル３６
から真空容器内に酸素３６ａを供給し、真空容器内の圧
力を１０‐６Ｔｏｍ〜１０‐３Ｔｏｎ程度に保つ。
から真空容器内に酸素３６ａを供給し、真空容器内の圧
力を１０‐６Ｔｏｍ〜１０‐３Ｔｏｎ程度に保つ。
ここで、上記るつぼ２１内の金属茂の蒸気２３ａは「る
つぼ２１の内外の圧力差により、ノズル２２によりるつ
ぼ２１外へ蒸気流２３ｂとなって噴出するが、該噴出時
の断熱膨張に基づく適冷却現象により、蒸気状の茂原子
や分子がファンデルワース力で緩く結合してクラス夕と
なる。
つぼ２１の内外の圧力差により、ノズル２２によりるつ
ぼ２１外へ蒸気流２３ｂとなって噴出するが、該噴出時
の断熱膨張に基づく適冷却現象により、蒸気状の茂原子
や分子がファンデルワース力で緩く結合してクラス夕と
なる。
この氏の蒸気流２３ｂは、イオン化室２６に入り、加熱
されたフィラメント２８から放出された電子が「 この
フィラメント２８と網状の陽極２７との間に印加された
１００〜１０００Ｖ程度の電圧により加速されて、上記
蒸気流２３ｂに射突し、その一部をイオン化する。この
一部がイオン化された故の蒸気流２３ｂは、その通路に
ある酸素と混合し、加速電極３７により加速されて「ホ
ルダ３１審こ保持される被看基板１方向に進み「 シャ
ツ夕３３が開放されているとマスク亀Ｑの開□を通して
被着基板１の表面に射突しトここに「 ｃ軸配向性を持
つ茂○膜４軍が形成される。尚も第２図において、２５
は熱遮へい板〜 ２９は遮へい板である。しかして「上
記金属伍ｅの蒸気流２３ｂは、密閉形るつぼ２富のノズ
ル２２から噴出されて、噴出時に得たエネルギーをもっ
て被着基板官‘こ射突する。
されたフィラメント２８から放出された電子が「 この
フィラメント２８と網状の陽極２７との間に印加された
１００〜１０００Ｖ程度の電圧により加速されて、上記
蒸気流２３ｂに射突し、その一部をイオン化する。この
一部がイオン化された故の蒸気流２３ｂは、その通路に
ある酸素と混合し、加速電極３７により加速されて「ホ
ルダ３１審こ保持される被看基板１方向に進み「 シャ
ツ夕３３が開放されているとマスク亀Ｑの開□を通して
被着基板１の表面に射突しトここに「 ｃ軸配向性を持
つ茂○膜４軍が形成される。尚も第２図において、２５
は熱遮へい板〜 ２９は遮へい板である。しかして「上
記金属伍ｅの蒸気流２３ｂは、密閉形るつぼ２富のノズ
ル２２から噴出されて、噴出時に得たエネルギーをもっ
て被着基板官‘こ射突する。
この際、蒸気流中に含されるイオンの効果により、核形
成「核成長が促進され、ｃ軸配向した＆○結晶膜が得ら
れることになる。
成「核成長が促進され、ｃ軸配向した＆○結晶膜が得ら
れることになる。
この段○結晶膜のｃ軸配向性は〜イオンの存在が大きく
影響するものであり「通常の真空蒸着法やＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍ量ｃａＩＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あ
るいはスパッタｌｊング法等により形成したＢｅ○膜で
は、ｃ軸方向の配向性は生じない。
影響するものであり「通常の真空蒸着法やＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍ量ｃａＩＶａｐｏｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、あ
るいはスパッタｌｊング法等により形成したＢｅ○膜で
は、ｃ軸方向の配向性は生じない。
また〜前述したクラス夕の生成条件は、るつぼ２１の加
熱温度と周囲真空容器内の圧力によって定まる。
熱温度と周囲真空容器内の圧力によって定まる。
すなわち、るつぼ２１内の金属妃ｅの蒸気の圧力をＰ「
真空容器内の圧力をＰｏとした場合、Ｐ／ＰｏＺＩぴ好
ましくはＰノＰｏ≧１ぴとなるように設定する。
真空容器内の圧力をＰｏとした場合、Ｐ／ＰｏＺＩぴ好
ましくはＰノＰｏ≧１ぴとなるように設定する。
例えば、金属Ｂｅの溶融点が１２８０ご０であるので、
加熱温度１３００℃で蒸気圧Ｐは約５ｘｌｏ‐Ｚｒｏｒ
ｒ、１３８０００で１×１０‐ＩＴｏｎとなる。
加熱温度１３００℃で蒸気圧Ｐは約５ｘｌｏ‐Ｚｒｏｒ
ｒ、１３８０００で１×１０‐ＩＴｏｎとなる。
したがって、真空容器内の圧力が１０‐６Ｔｏｎ〜１０
‐５Ｔｏｒｒ程度であれば、前記加熱温度は１３００ｏ
ｏ〜１４００ｏｏ程度に設定すればよい。また、被着基
板１に射突する金属控の蒸気流２３ｂは、イオン化室２
６を通過することによって、その一部がイオン化されて
いるので、前述したようにこのイオンのもつ電界によっ
て結晶成長のための核形成が促進され、さらにこの形成
された核を中心にして原子が集まり島状領域を形成する
、いわゆるコアレツセンスに有効に作用する。
‐５Ｔｏｒｒ程度であれば、前記加熱温度は１３００ｏ
ｏ〜１４００ｏｏ程度に設定すればよい。また、被着基
板１に射突する金属控の蒸気流２３ｂは、イオン化室２
６を通過することによって、その一部がイオン化されて
いるので、前述したようにこのイオンのもつ電界によっ
て結晶成長のための核形成が促進され、さらにこの形成
された核を中心にして原子が集まり島状領域を形成する
、いわゆるコアレツセンスに有効に作用する。
これらの理由により、上述した方法によって、茂○膜を
ｃ軸配向性を持つて蒸着形成させることが出来る。この
控○膜の結晶性のよさは、第３図ａ，ｂ及び第４図に示
す測定結果により明らかである。第３図ａは、上記控○
膜の結晶性を評価するために、上記第２図によって説明
した方法によりガラス基板上に茂○膜を被着し、得られ
たＢｅ○膜の走査形電子顕微鏡写真像を示す。基板とし
てサファイアの単結晶基板を用い、このサファイア単結
晶基板のＣ面「すなわち（０００１）面に茂○腰を結晶
成長させた場合の反射電子線回折像（ＲＨＥＥＤパター
ン）を第２図ｂに示す。この第３図ｂによれば技○膜は
、表面抵抗がきわめて高いためにｔ照射した電子ビーム
による帯電があり、これがＲＨＥＥＤパターン解像度を
下げているが、明らかに基板のｃ軸にそって結晶成長し
ていることがわかる。
ｃ軸配向性を持つて蒸着形成させることが出来る。この
控○膜の結晶性のよさは、第３図ａ，ｂ及び第４図に示
す測定結果により明らかである。第３図ａは、上記控○
膜の結晶性を評価するために、上記第２図によって説明
した方法によりガラス基板上に茂○膜を被着し、得られ
たＢｅ○膜の走査形電子顕微鏡写真像を示す。基板とし
てサファイアの単結晶基板を用い、このサファイア単結
晶基板のＣ面「すなわち（０００１）面に茂○腰を結晶
成長させた場合の反射電子線回折像（ＲＨＥＥＤパター
ン）を第２図ｂに示す。この第３図ｂによれば技○膜は
、表面抵抗がきわめて高いためにｔ照射した電子ビーム
による帯電があり、これがＲＨＥＥＤパターン解像度を
下げているが、明らかに基板のｃ軸にそって結晶成長し
ていることがわかる。
第４図は、Ｓｉ単績晶基板上に「第２図によって説明し
た方法により彼着した氏○被膜のＸ線回折パターンを示
している。この第３図及び第亀図から明らかなように「
上述した工程を経て得られる段○膜は、六方晶系結晶に
特有の柱状組織がみられ「 ｃ軸方向に優先配向してい
ることが明らかである。ところで「 この技○膜は熱伝
導特性がすぐれているが「 ｃ軸配同した膜は、その熱
伝導特性に異方性をもつ。
た方法により彼着した氏○被膜のＸ線回折パターンを示
している。この第３図及び第亀図から明らかなように「
上述した工程を経て得られる段○膜は、六方晶系結晶に
特有の柱状組織がみられ「 ｃ軸方向に優先配向してい
ることが明らかである。ところで「 この技○膜は熱伝
導特性がすぐれているが「 ｃ軸配同した膜は、その熱
伝導特性に異方性をもつ。
本発明者が上記氏○膜におけるｃ軸方向と平行方向の熱
伝導率Ｋ″ｐｈと、ｃ軸方向と垂直方向（ａ軸方向）の
熱伝導率Ｋｐｈとを測定した結果「室温でそれぞれＫ″
ｐｈ〜２．６Ｗ／節・ｄｅｇ，Ｋｐｈ〜０．６Ｗ／弧・
ｄｅｇであり、ｃ軸に沿っての熱伝導率がｃ軸に対して
垂直方向の熱伝導率に比べて約４．針音大きいことがわ
かった。
伝導率Ｋ″ｐｈと、ｃ軸方向と垂直方向（ａ軸方向）の
熱伝導率Ｋｐｈとを測定した結果「室温でそれぞれＫ″
ｐｈ〜２．６Ｗ／節・ｄｅｇ，Ｋｐｈ〜０．６Ｗ／弧・
ｄｅｇであり、ｃ軸に沿っての熱伝導率がｃ軸に対して
垂直方向の熱伝導率に比べて約４．針音大きいことがわ
かった。
したがって「半導体チップの放熱方向に沿って氏０膜が
ｃ軸配向するように被着すれば、放熱効果を大幅に向上
できる。また、熱伝導率の温度特性力ミＫ″ｐｈ，Ｋｐ
ｈとも温度Ｔ‐２に従うことから、Ｂｅ○結晶膜はフオ
ノン散乱の中心となる格子欠陥が極めて少ないことがわ
かつた。上記の実施例に係る半導体装置の製作手順は、
まず基板１０１に、上記第２図によって説明したと同様
の方法で茂○膜１０２を被着形成し、この氏０膜１０２
上に、例えばＳｉを結晶成長させて半導体チップ１０３
を形成し、ヒートシンク１０４を固着する。
ｃ軸配向するように被着すれば、放熱効果を大幅に向上
できる。また、熱伝導率の温度特性力ミＫ″ｐｈ，Ｋｐ
ｈとも温度Ｔ‐２に従うことから、Ｂｅ○結晶膜はフオ
ノン散乱の中心となる格子欠陥が極めて少ないことがわ
かつた。上記の実施例に係る半導体装置の製作手順は、
まず基板１０１に、上記第２図によって説明したと同様
の方法で茂○膜１０２を被着形成し、この氏０膜１０２
上に、例えばＳｉを結晶成長させて半導体チップ１０３
を形成し、ヒートシンク１０４を固着する。
上記技○膜１０２は前述したようにｃ軸方向の優先方位
を有するので、そのＢｅ○膜１０２が形成された基板１
０１上にＳｉを蒸着すると「蒸着条件を適当に選ぶこと
により低基板温度で多結晶Ｓｉを成長させることができ
る。このＢｅ○鷹ＩＱ２上の結晶成長はェピタキシャル
によっても行わせることができ、これはサファイア・オ
ン。シリコン（ＳＯＳ）におけるｃ軸に規制されて結晶
成長させることができるのと同機の作用によるものであ
る。第５図は「上述した方法並びに各手順によって製作
された半導体装置の実施例の断面における走査形電子顕
微鏡写真像で、半導体層としてのシリコン層と基板との
間に、ｃ軸配向性を持って０．６ム仇の技０被膜が形成
されている。
を有するので、そのＢｅ○膜１０２が形成された基板１
０１上にＳｉを蒸着すると「蒸着条件を適当に選ぶこと
により低基板温度で多結晶Ｓｉを成長させることができ
る。このＢｅ○鷹ＩＱ２上の結晶成長はェピタキシャル
によっても行わせることができ、これはサファイア・オ
ン。シリコン（ＳＯＳ）におけるｃ軸に規制されて結晶
成長させることができるのと同機の作用によるものであ
る。第５図は「上述した方法並びに各手順によって製作
された半導体装置の実施例の断面における走査形電子顕
微鏡写真像で、半導体層としてのシリコン層と基板との
間に、ｃ軸配向性を持って０．６ム仇の技０被膜が形成
されている。
しかして、半導体素子が形成されるシリコン層で発生し
た熱が熱伝導率のきわめて大きな、Ｂｅ○膜のｃ軸に沿
って基板側に伝達され、シリコン層並びに基板の放熱が
行われることになる。
た熱が熱伝導率のきわめて大きな、Ｂｅ○膜のｃ軸に沿
って基板側に伝達され、シリコン層並びに基板の放熱が
行われることになる。
また茂０はアモルファス上でもｃ軸優先方位をもつ膜が
得られるものであり〜 しかもその優先方位の度合いは
製作条件でコントロールできるものである。
得られるものであり〜 しかもその優先方位の度合いは
製作条件でコントロールできるものである。
さらに技０膜の厚さについても容易にコントロールでき
るので任意の厚さの膜を作ることができ、しかもこのＢ
ｅ○膜自体の電気抵抗は１３１３０・肌ときわめて高い
ので、薄膜でも十分な絶縁特性が得られるものである。
以上説明したように、本発明による半導体装置によれば
「任意の基板上に、段０膜を介して、半導体チップとヒ
ートシンクとを並設した構成としたので、半導体チップ
から発生する熱は、電気的絶縁性が保たれた状態で、上
記技○膜及び基板を通ってヒートシンクに伝達されて有
効に放熱される。
るので任意の厚さの膜を作ることができ、しかもこのＢ
ｅ○膜自体の電気抵抗は１３１３０・肌ときわめて高い
ので、薄膜でも十分な絶縁特性が得られるものである。
以上説明したように、本発明による半導体装置によれば
「任意の基板上に、段０膜を介して、半導体チップとヒ
ートシンクとを並設した構成としたので、半導体チップ
から発生する熱は、電気的絶縁性が保たれた状態で、上
記技○膜及び基板を通ってヒートシンクに伝達されて有
効に放熱される。
従って、半導体チップにヒートシンクを重合固設出来な
いような条件下でも、側方のヒートシンクから放熱され
ることが出来、さらに基板の加熱も防止出釆るという効
果がある。また上記＆０膜を基板の表面に対してｃ軸配
向性をもって被着形成することにより、上記放熱効果は
一層向上する。
いような条件下でも、側方のヒートシンクから放熱され
ることが出来、さらに基板の加熱も防止出釆るという効
果がある。また上記＆０膜を基板の表面に対してｃ軸配
向性をもって被着形成することにより、上記放熱効果は
一層向上する。
第１図は、本発明に係る半導体装置の切断斜視図、第２
図は、ｃ軸配向性を持った酸化べリリウム膜を製造する
装置の概略構成図、第３図ａ，ｂは、同酸化ベリリウム
膜の走査電子顕微鏡写真による金属組織を示す図、第４
図は、同酸化ベリリウム膜のＸ線回折パターンを示す図
、第５図は「本発明に係る半導体装置の断面いおける走
査形電子顕微鏡写真による金属組織を示す図である。 蔓０１・・・基板「 ＩＱ２州酸化ベリリウム膜、ＩＱ
３・・・半導体層、１０４…ヒートシンク。第亀図第２
図 第３図 第４図 第５図
図は、ｃ軸配向性を持った酸化べリリウム膜を製造する
装置の概略構成図、第３図ａ，ｂは、同酸化ベリリウム
膜の走査電子顕微鏡写真による金属組織を示す図、第４
図は、同酸化ベリリウム膜のＸ線回折パターンを示す図
、第５図は「本発明に係る半導体装置の断面いおける走
査形電子顕微鏡写真による金属組織を示す図である。 蔓０１・・・基板「 ＩＱ２州酸化ベリリウム膜、ＩＱ
３・・・半導体層、１０４…ヒートシンク。第亀図第２
図 第３図 第４図 第５図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上に酸化ベリリウム膜が被着され、この酸化ベ
リリウム膜上に、素子部が形成されている半導体層とヒ
ートシンクとが並設されていることを特徴とする半導体
装置。 ２ 前記酸化ベリリウム膜は、前記基体の被着面に対し
てｃ軸配向性をもつて被着形成されてなる特許請求の範
囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210997A JPS606091B2 (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58210997A JPS606091B2 (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55040442A Division JPS5912015B2 (ja) | 1980-03-31 | 1980-03-31 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188152A JPS59188152A (ja) | 1984-10-25 |
| JPS606091B2 true JPS606091B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=16598613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58210997A Expired JPS606091B2 (ja) | 1983-11-11 | 1983-11-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606091B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5057908A (en) * | 1990-07-10 | 1991-10-15 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | High power semiconductor device with integral heat sink |
| JP2863678B2 (ja) * | 1992-09-28 | 1999-03-03 | 三菱電機株式会社 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-11 JP JP58210997A patent/JPS606091B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59188152A (ja) | 1984-10-25 |
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