JPS606099B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS606099B2 JPS606099B2 JP52006313A JP631377A JPS606099B2 JP S606099 B2 JPS606099 B2 JP S606099B2 JP 52006313 A JP52006313 A JP 52006313A JP 631377 A JP631377 A JP 631377A JP S606099 B2 JPS606099 B2 JP S606099B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- case
- metal ring
- semiconductor
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/40—Fillings or auxiliary members in containers, e.g. centering rings
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W42/00—Arrangements for protection of devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W76/00—Containers; Fillings or auxiliary members therefor; Seals
- H10W76/10—Containers or parts thereof
- H10W76/12—Containers or parts thereof characterised by their shape
- H10W76/13—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection
- H10W76/136—Containers comprising a conductive base serving as an interconnection having other interconnections perpendicular to the conductive base
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
- Thyristors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、菱部分と底部分とこれらを結合する壁部分と
からなるケースならびにこのケース内に収容された半導
体素子から構成された半導体装置に関する。
からなるケースならびにこのケース内に収容された半導
体素子から構成された半導体装置に関する。
ダイオードやサィリスタのような半導体装置が電気的な
設備内において破壊するのを防止する必要がある。
設備内において破壊するのを防止する必要がある。
破壊は、例えば、順方向に短絡電流が流れ、順方向の限
界１２ｔ値を超過した場合に生ずる。短絡電流は、少な
くともほぼ均一に、半導体素子の面上に分散して流れる
ものである。電流が、さらに順方向に流れると、半導体
材料が溶融ちするため爆発的に破壊する。逆方向にブレ
ークオーバしたときは、短絡電流が絶縁破壊したチャン
ネル、即ちきわめて狭い面積のみを通して通れる。従っ
て、半導体材料そして場合によっては他の部分が、順方
向において短絡が生じたときよりもはるかに遠く溶融し
そしてケースが破壊する。半導体装置は、主としてヒュ
ーズで保護され、その限流しや断１２ｔ値が半導体装置
の順方向における限界１２ｔ値に適合される。この場合
、ケースは、阻止方向におけるブレークオーバと短絡電
流の通流によっては破壊を起こさない。ヒューズによる
保護は行わずそして全設備の電気的な保護を高速しや断
器により行っている場合もある。この場合にも、ケース
は、順ならびに逆方向の短絡時の機械的な負担に耐えね
ばならない。ケースに対する要求は、この場合、適合し
たヒューズによる保護の場合より大きくなる。本発明の
目的は、最初に述べた形式の半導体装置を改良し、溶融
した半導体材料が爆発的に噴出するのを避けないいま噴
出する危険性を大幅に低下することにある。
界１２ｔ値を超過した場合に生ずる。短絡電流は、少な
くともほぼ均一に、半導体素子の面上に分散して流れる
ものである。電流が、さらに順方向に流れると、半導体
材料が溶融ちするため爆発的に破壊する。逆方向にブレ
ークオーバしたときは、短絡電流が絶縁破壊したチャン
ネル、即ちきわめて狭い面積のみを通して通れる。従っ
て、半導体材料そして場合によっては他の部分が、順方
向において短絡が生じたときよりもはるかに遠く溶融し
そしてケースが破壊する。半導体装置は、主としてヒュ
ーズで保護され、その限流しや断１２ｔ値が半導体装置
の順方向における限界１２ｔ値に適合される。この場合
、ケースは、阻止方向におけるブレークオーバと短絡電
流の通流によっては破壊を起こさない。ヒューズによる
保護は行わずそして全設備の電気的な保護を高速しや断
器により行っている場合もある。この場合にも、ケース
は、順ならびに逆方向の短絡時の機械的な負担に耐えね
ばならない。ケースに対する要求は、この場合、適合し
たヒューズによる保護の場合より大きくなる。本発明の
目的は、最初に述べた形式の半導体装置を改良し、溶融
した半導体材料が爆発的に噴出するのを避けないいま噴
出する危険性を大幅に低下することにある。
本発明は金属壁部分の外側の少なくとも半導体素子を取
り囲む位置に金属リングが焼き嫉め、かしめなどにより
加圧されて取りつけられていることを特徴としている。
り囲む位置に金属リングが焼き嫉め、かしめなどにより
加圧されて取りつけられていることを特徴としている。
この金属リングは壁部分より厚い鋼、特に非磁性の合金
鋼から作られことが望ましい。以下本発明を図示の実施
例により詳しく説明する。
鋼から作られことが望ましい。以下本発明を図示の実施
例により詳しく説明する。
図面は、本発明による半導体装置の断面形状を示してい
る。この図はダイオードを示しているけれども、本発明
は、例えばサィリスタのような電力用の半導体装置にも
利用可能である。この半導体装置は、蓋部分１と、壁部
分２と底部分３とからなるケースを備える。
る。この図はダイオードを示しているけれども、本発明
は、例えばサィリスタのような電力用の半導体装置にも
利用可能である。この半導体装置は、蓋部分１と、壁部
分２と底部分３とからなるケースを備える。
蓋部分１はＬ例えばセラミックスからなり、壁部分２と
、公知の方法によりろう付けされあるいは溶接されてい
る。類似の方法により、底部分３は壁部分２と結合され
ている。壁部分２が、例えば底部分３に溶接される場合
には、底部分３のリング状の空所内に溶接リング１２が
設けられ、このリングに壁部分２が溶接される。良好な
冷却を可能とするため鋼あるいはアルミニウムで作られ
た底部分３は、その下側面にねじボルト４を有し、これ
により冷却体にねじ込まれるようになっている。しかし
ト底部分３の下側面を平坦に仕上げ、適当な押圧キャッ
プを用いて冷却体の平坦な表面に押し付けることもでき
る。ケースの内部に、例えばシリコンからなる半導体素
子５が収容されている。
、公知の方法によりろう付けされあるいは溶接されてい
る。類似の方法により、底部分３は壁部分２と結合され
ている。壁部分２が、例えば底部分３に溶接される場合
には、底部分３のリング状の空所内に溶接リング１２が
設けられ、このリングに壁部分２が溶接される。良好な
冷却を可能とするため鋼あるいはアルミニウムで作られ
た底部分３は、その下側面にねじボルト４を有し、これ
により冷却体にねじ込まれるようになっている。しかし
ト底部分３の下側面を平坦に仕上げ、適当な押圧キャッ
プを用いて冷却体の平坦な表面に押し付けることもでき
る。ケースの内部に、例えばシリコンからなる半導体素
子５が収容されている。
この素子は、１つあるいは複数のｐｎ接合を有する。半
導体素子５の上面に接触電極６があり、これにリード７
が結合されている。接触電極６は、バネ８を用いて半導
体素子５の上面に押し付けられ、素子５は底部分３に押
し付けられている。バネ８の上端は、壁部分２の段部１
４により支持され、その下面で、金属製の押板９と絶縁
板１０を介して接触電極６を押している。接触電極６の
心出しのために、絶縁材料からなる心出しリング１１が
設けられている。壁部分は、製作上の理由からＬ比較的
薄い金属で作られている。
導体素子５の上面に接触電極６があり、これにリード７
が結合されている。接触電極６は、バネ８を用いて半導
体素子５の上面に押し付けられ、素子５は底部分３に押
し付けられている。バネ８の上端は、壁部分２の段部１
４により支持され、その下面で、金属製の押板９と絶縁
板１０を介して接触電極６を押している。接触電極６の
心出しのために、絶縁材料からなる心出しリング１１が
設けられている。壁部分は、製作上の理由からＬ比較的
薄い金属で作られている。
というのは、そうすることにより、蓋部分１との結合な
らびに底部分３なし、し溶接リング１２との結合が容易
になるからである。壁部分は、例えば１柳あるいは以下
の厚みの鋼板からなっている。通例の電力用半導体素子
ではブレークオーバが主として縁部で起こるので、半導
体素子５の綾部の半導体材料が溶融ちする。この溶融し
た半導体材料が噴出するのを防ぐため、壁部扮分２の外
側に、半導体素子５を取り囲むようにして金属リング１
３が設けられている。この金属リングは、例えば暁ばめ
られる。金属リングはト例えば鋼、鋼あるいは非磁性の
合金鋼からなる。２〜３伽の厚みを持つ金属リング１３
を用いただけで、溶融した半導体材料が爆発的に噴出す
ることに対する装置の安全性を著しく高めることができ
る。
らびに底部分３なし、し溶接リング１２との結合が容易
になるからである。壁部分は、例えば１柳あるいは以下
の厚みの鋼板からなっている。通例の電力用半導体素子
ではブレークオーバが主として縁部で起こるので、半導
体素子５の綾部の半導体材料が溶融ちする。この溶融し
た半導体材料が噴出するのを防ぐため、壁部扮分２の外
側に、半導体素子５を取り囲むようにして金属リング１
３が設けられている。この金属リングは、例えば暁ばめ
られる。金属リングはト例えば鋼、鋼あるいは非磁性の
合金鋼からなる。２〜３伽の厚みを持つ金属リング１３
を用いただけで、溶融した半導体材料が爆発的に噴出す
ることに対する装置の安全性を著しく高めることができ
る。
この場合、金属リング１３と、壁部扮分２の外側との間
に空隙が生じないようにすることが重要である。という
のは、この空隙を通って溶融した半導体材料が外部に流
出する可能性があるからである。この実施例では、金属
リング１３が半導体素子６のみを取り囲んでいるけれど
も、例えば壁部分２全体を取り囲むようにすることも可
能である。
に空隙が生じないようにすることが重要である。という
のは、この空隙を通って溶融した半導体材料が外部に流
出する可能性があるからである。この実施例では、金属
リング１３が半導体素子６のみを取り囲んでいるけれど
も、例えば壁部分２全体を取り囲むようにすることも可
能である。
図面は本発明一実施例の一部縦断正面図である。
１…蓋部分Ｌ ２…壁部分、３・・・底部分、５…半導
体素子、１３・・・金属リング。
体素子、１３・・・金属リング。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 円筒状の絶縁物の蓋部分と金属底部とこれらを結合
する円筒状の金属壁部分とからなるケースならびにこの
ケース内に収容された半導体素子からなり、この半導体
素子のアノード電極が前記ケースの底部上面に接触し、
カソード電極は、前記蓋部分を貫通して一端が外部に露
出するカソード端子の他端と接触するように構成された
装置において、壁部分の外側の少なくとも半導体素子を
取り囲む位置に金属リングが加圧されて嵌められている
ことを特徴とする半導体装置。 ２ 特許請求の範囲第１項記載の装置において、金属リ
ングが壁部分より厚い鋼からなることを特徴とする半導
体装置。 ３ 特許請求の範囲第２項記載の装置において、金属リ
ングが非磁性の合金鋼からなることを特徴とする半導体
装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19762602385 DE2602385A1 (de) | 1976-01-22 | 1976-01-22 | Halbleiterbauelement |
| DE000P26023858 | 1976-01-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5291375A JPS5291375A (en) | 1977-08-01 |
| JPS606099B2 true JPS606099B2 (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=5968037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP52006313A Expired JPS606099B2 (ja) | 1976-01-22 | 1977-01-22 | 半導体装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606099B2 (ja) |
| DE (1) | DE2602385A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020170592A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | Ｉｈｉ運搬機械株式会社 | バース付き水平循環式駐車装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3070497D1 (en) * | 1980-02-01 | 1985-05-23 | Bbc Brown Boveri & Cie | Explosion-protected semiconductor component arrangement |
-
1976
- 1976-01-22 DE DE19762602385 patent/DE2602385A1/de not_active Ceased
-
1977
- 1977-01-22 JP JP52006313A patent/JPS606099B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020170592A1 (ja) * | 2019-02-20 | 2020-08-27 | Ｉｈｉ運搬機械株式会社 | バース付き水平循環式駐車装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2602385A1 (de) | 1977-07-28 |
| JPS5291375A (en) | 1977-08-01 |
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