JPS6061732U - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPS6061732U
JPS6061732U JP1983152893U JP15289383U JPS6061732U JP S6061732 U JPS6061732 U JP S6061732U JP 1983152893 U JP1983152893 U JP 1983152893U JP 15289383 U JP15289383 U JP 15289383U JP S6061732 U JPS6061732 U JP S6061732U
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JP
Japan
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semiconductor equipment
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semiconductor device
recorded
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Application number
JP1983152893U
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English (en)
Inventor
時崎　芳修
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition

Landscapes

  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第１図は従来の封止形状のＤＩＰ形状の半導体装置を示
すもので、同図ａは正面図、同図すは側面図、第２図は
その斜視図、第３図は本考案の代表的実施例を示すもの
で、同図ａば正面図、同図すは側面図、第４図はその斜
視図、第５図、第６図は共にＤＩＰ形状の半導体装置に
おける第２、第３の実施例をそれぞれ表わす斜視図であ
る。第７図、第８図、第９図は共にＳＩＰ形状の半導体
装置における第４、第５、第６の実施例をそれぞれ表わ
す斜視図、第１θ図、第１１図は共にディスクリート半
導体装置における第７、第８の実施例をそれぞれ表わす
斜視図である。 １・・・・・・従来形式の封止部分、ｌａ、ｌａ’、３
ａ、３ａ’・・・・・・装置封止部端面、ｌｂ、ｌｂ’
。 ３ｂ、３ｂ’　、６ｂ・・・・・・装置封止部上下面、
２゜４・・・・・・リード、３　ｃ、３ｃ’　、５ｃ、
５ｃ’　、６ｃｔ　　６ｃ’　、７ｃ、７ｃ’　、８ｃ
、８ｃ’　、９ｃｔ　　９ｃ’ｔ　　１０ｃｙ　　１ｌ
ｃｔ　　ｌｌｃ’・・・・・・引っかけ部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 外部に引っかけ部を有する容器を備えたことを特徴とす
    る半導体装置。
JP1983152893U 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置 Pending JPS6061732U (ja)

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JP1983152893U JPS6061732U (ja) 1983-09-30 1983-09-30 半導体装置

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JPS6061732U true JPS6061732U (ja) 1985-04-30

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