JPS6062020A - 真空しや断器用電極の接合方法 - Google Patents
真空しや断器用電極の接合方法Info
- Publication number
- JPS6062020A JPS6062020A JP16919783A JP16919783A JPS6062020A JP S6062020 A JPS6062020 A JP S6062020A JP 16919783 A JP16919783 A JP 16919783A JP 16919783 A JP16919783 A JP 16919783A JP S6062020 A JPS6062020 A JP S6062020A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- bonding
- vacuum breaker
- vacuum
- alloy
- Prior art date
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- Pending
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- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は真空しゃ断器用真空パルプに係り、特に溶浸合
金接点を用いるのに々了適な接合構造を有した4[j極
に関する。
金接点を用いるのに々了適な接合構造を有した4[j極
に関する。
真空しゃ断器用接点のうち、例えば、低サージ用として
あげられるC o A g−T e 、 Se 系の溶
浸合金(本発明者らが開示した特願昭55−81425
号)からなる接点は医れた低サージ性(さい断電流値が
低く、チョッピングカレントが小さいため負荷側機器に
対するサージ電圧が低いという性質)を有し、しかも耐
電圧/p¥性及び大電流しゃ断能力とも高い。この合金
は・一般にCO粉末をあらかじめ非酸化性の雰囲気下で
軽度に焼結しておき・この気孔部にA1ζ−T (!
+ A y、S e系合金等を真空溶浸することによっ
て製造される。
あげられるC o A g−T e 、 Se 系の溶
浸合金(本発明者らが開示した特願昭55−81425
号)からなる接点は医れた低サージ性(さい断電流値が
低く、チョッピングカレントが小さいため負荷側機器に
対するサージ電圧が低いという性質)を有し、しかも耐
電圧/p¥性及び大電流しゃ断能力とも高い。この合金
は・一般にCO粉末をあらかじめ非酸化性の雰囲気下で
軽度に焼結しておき・この気孔部にA1ζ−T (!
+ A y、S e系合金等を真空溶浸することによっ
て製造される。
真空しゃ断器用真空バルブの電極として用いる場合、そ
れらはホルダ、あるいは補助電極板等に接合しなければ
ならない。一般的にはろう付によって接合される。しか
して発明者らが種々のろう付火を検討したところ・Te
、 Se等の含有量が少ない溶浸合金においては一般的
なAgろう付(J’IS規格、 BA−g−8)にて接
合可能である。
れらはホルダ、あるいは補助電極板等に接合しなければ
ならない。一般的にはろう付によって接合される。しか
して発明者らが種々のろう付火を検討したところ・Te
、 Se等の含有量が少ない溶浸合金においては一般的
なAgろう付(J’IS規格、 BA−g−8)にて接
合可能である。
しかし、Ill e、 S e 量が10重吐%を越え
ると、はとんどろう付がきかないということが認められ
た。これは溶浸合金中のIll e 、 3 e が接
合層に入り込み1居食体を脆くするためであると考えら
れる。又 Ill e 、 Seが上記以下の少ない含
肩量であっても通常のろう付接合強度以下となる傾向が
ある。さらに溶浸合金接点内部にろう月が拡散・浸透す
る傾向があり、この結果、初期の組成が維持できず接点
性能も変動するという問題もみられた。
ると、はとんどろう付がきかないということが認められ
た。これは溶浸合金中のIll e 、 3 e が接
合層に入り込み1居食体を脆くするためであると考えら
れる。又 Ill e 、 Seが上記以下の少ない含
肩量であっても通常のろう付接合強度以下となる傾向が
ある。さらに溶浸合金接点内部にろう月が拡散・浸透す
る傾向があり、この結果、初期の組成が維持できず接点
性能も変動するという問題もみられた。
このような現象はCO以外の多孔質焼結体(例えば””
”、Crなど)中にAg −P b 、 Ag−B1゜
Ag−Cd 合金のいずれかを溶浸した接点YAgろう
付した場合にも生ずる傾向にあった。このように高融点
金属焼結体にAg合金を溶浸した接点材料は、低サージ
用真空しゃ断器電極として優れた能も良好であった。し
かし、短時間電流通電試験(大きな短絡電流を2〜3秒
間通電し、接点の溶着特性を調べる試験)を実施したと
ころ、電極自体の溶着の問題はなかったが、上記したイ
IZ層型電極の積層部において、若干の剥離現象がみら
れた。すなわち、一般のしゃ断操作に比べ・上記大電流
通電試験においては、接点部に非常に苛酷な熱衝撃力と
・大きな引きはがしカが加わる。このために、積層部に
おいて割れが入ったものとみられる。接点が脱落すると
いう大きな問題には至らなかったが、真空しゃ断器の信
頼性、安全性からみると、なおも改善をはかるべき必要
性がある。
”、Crなど)中にAg −P b 、 Ag−B1゜
Ag−Cd 合金のいずれかを溶浸した接点YAgろう
付した場合にも生ずる傾向にあった。このように高融点
金属焼結体にAg合金を溶浸した接点材料は、低サージ
用真空しゃ断器電極として優れた能も良好であった。し
かし、短時間電流通電試験(大きな短絡電流を2〜3秒
間通電し、接点の溶着特性を調べる試験)を実施したと
ころ、電極自体の溶着の問題はなかったが、上記したイ
IZ層型電極の積層部において、若干の剥離現象がみら
れた。すなわち、一般のしゃ断操作に比べ・上記大電流
通電試験においては、接点部に非常に苛酷な熱衝撃力と
・大きな引きはがしカが加わる。このために、積層部に
おいて割れが入ったものとみられる。接点が脱落すると
いう大きな問題には至らなかったが、真空しゃ断器の信
頼性、安全性からみると、なおも改善をはかるべき必要
性がある。
このためには、下部のバリヤ層であるC O緻密層と上
部の溶浸層とをさらに強力に接合する方法及び構造全見
い出す必要があった。
部の溶浸層とをさらに強力に接合する方法及び構造全見
い出す必要があった。
本発明の目的は、上記した溶浸合金接点の接合力を改良
した低サージ屋真窒しゃ断器用電極の接合方法を提供す
るにある。
した低サージ屋真窒しゃ断器用電極の接合方法を提供す
るにある。
本発明者らは、特願昭55−81425号に基いた溶浸
合金接点分線銅製の補助電極板(コイル1F:、極)上
に接合するため以下のような方法を検討してみた。接合
法として知られている一般的な手段として銀ロウ付法が
あるが、この方法では銀ロウが溶けた後に溶浸接点内部
に拡散・浸透するという問題がある。この拡散現象は上
記一般のロウ付はもちろんのこと真空中ロウ付のように
、ゆっくりと加熱冷却を行なう場合にはなお避けられな
い。そこで本発明者らは、この拡散、浸透現象を生じさ
せないように、急速に加熱、冷却させる接合方法を考え
た。すなわち、接点と補助電極板との間にろう材(イン
サート制)をはさみ、通電加熱あるいは高周波加熱等に
より接合部の局部のみを急速に加熱し、さらに適度の加
圧を施してやる。
合金接点分線銅製の補助電極板(コイル1F:、極)上
に接合するため以下のような方法を検討してみた。接合
法として知られている一般的な手段として銀ロウ付法が
あるが、この方法では銀ロウが溶けた後に溶浸接点内部
に拡散・浸透するという問題がある。この拡散現象は上
記一般のロウ付はもちろんのこと真空中ロウ付のように
、ゆっくりと加熱冷却を行なう場合にはなお避けられな
い。そこで本発明者らは、この拡散、浸透現象を生じさ
せないように、急速に加熱、冷却させる接合方法を考え
た。すなわち、接点と補助電極板との間にろう材(イン
サート制)をはさみ、通電加熱あるいは高周波加熱等に
より接合部の局部のみを急速に加熱し、さらに適度の加
圧を施してやる。
ろう材が溶は出すと同時に加圧し、その直後(約2〜5
秒後)に急速に冷却することが必要である。
秒後)に急速に冷却することが必要である。
この結果・上記したような・ろう材の接点内部への拡散
、浸透はきわめて少なくなり、更に接合力も増してくる
ことが分かった。しだがって・真空しゃ断器接点として
組成変動を生ずることなく、本来の接点性能を維持しつ
つ、十分な接着力を有する接合法であると言える。なお
、真空しゃ断器接点として、酸化を防ぐことが必要であ
り、上記加熱・圧接時の雰囲気は真空、もしくは非酸化
性のガス雰囲気であることが沼ましい。又、加熱源は、
必ずしも通電法や高周波加熱方式にこだわることではな
い。他に・例えば電子く一ムや1ノ−ザなと局部加熱で
きるものでもよい。
、浸透はきわめて少なくなり、更に接合力も増してくる
ことが分かった。しだがって・真空しゃ断器接点として
組成変動を生ずることなく、本来の接点性能を維持しつ
つ、十分な接着力を有する接合法であると言える。なお
、真空しゃ断器接点として、酸化を防ぐことが必要であ
り、上記加熱・圧接時の雰囲気は真空、もしくは非酸化
性のガス雰囲気であることが沼ましい。又、加熱源は、
必ずしも通電法や高周波加熱方式にこだわることではな
い。他に・例えば電子く一ムや1ノ−ザなと局部加熱で
きるものでもよい。
実施例1
本発明に係る接点接合法を採用した真空しゃ断器用真空
バルブの概略構造を第1図に示す。かがる真空バルブは
、絶縁筒11を有し、その両端を金属製の端子板12.
12’によって封じ、その内部は高真空に封じられてい
る。本発明になる接合法を用いた電極18.18’は、
一方がベローズ16i介して開閉できるようになってい
る。
バルブの概略構造を第1図に示す。かがる真空バルブは
、絶縁筒11を有し、その両端を金属製の端子板12.
12’によって封じ、その内部は高真空に封じられてい
る。本発明になる接合法を用いた電極18.18’は、
一方がベローズ16i介して開閉できるようになってい
る。
以下、本発明の接合法の実施例について述べる。
特願昭55−81425号でとりあげた本発明者らの接
点材であるCo−50ACo−50A (重量%)溶浸
合金をφ40mmX5mm高さの円板状に機械加工し、
第2図に示すような高周波加熱方式による加熱圧接を施
してみた。本実施例においては、インサート材22 (
BCLIP−5,P入りろう拐)を上記接点21とCu
製補助電極板との間にはさみ・上記インサート材が溶は
落ちるまで急速に加熱(約700℃)し・溶は落ちと同
時に約1〜/wm”の加圧を2秒間行ない、その後は高
周波電源を切り、急速に冷却した。なお、本実施例では
、加熱雰囲気は高純度のArガス中に若干のH2ガスを
混合し、非酸化性のものとした。
点材であるCo−50ACo−50A (重量%)溶浸
合金をφ40mmX5mm高さの円板状に機械加工し、
第2図に示すような高周波加熱方式による加熱圧接を施
してみた。本実施例においては、インサート材22 (
BCLIP−5,P入りろう拐)を上記接点21とCu
製補助電極板との間にはさみ・上記インサート材が溶は
落ちるまで急速に加熱(約700℃)し・溶は落ちと同
時に約1〜/wm”の加圧を2秒間行ない、その後は高
周波電源を切り、急速に冷却した。なお、本実施例では
、加熱雰囲気は高純度のArガス中に若干のH2ガスを
混合し、非酸化性のものとした。
以上のような方法で接合した電極は接合部の外観も優れ
、接着部の剥離試験を行なったところ、6〜8 Kg/
tran 2の強度が得られた。したがって、従来、
炉中等でろう付が困難であったものが、本発明によれば
、一般のAgろう付強度に近い接合力を得られる。
、接着部の剥離試験を行なったところ、6〜8 Kg/
tran 2の強度が得られた。したがって、従来、
炉中等でろう付が困難であったものが、本発明によれば
、一般のAgろう付強度に近い接合力を得られる。
本発明の電極を第1図に示したような真空バルブに組込
み、定格7.2kV・12.5kAの真空しゃ断器とし
て諸性能を検証した。この結果、特願昭55−8142
5号で述べた接点性能を発揮しつつ、連続負荷開閉試験
(10000回)及び、短時間電流通電試験において、
接点の剥離や脱落等の問題は全くみられなかった。
み、定格7.2kV・12.5kAの真空しゃ断器とし
て諸性能を検証した。この結果、特願昭55−8142
5号で述べた接点性能を発揮しつつ、連続負荷開閉試験
(10000回)及び、短時間電流通電試験において、
接点の剥離や脱落等の問題は全くみられなかった。
以上1本発明の接合法によれば、真空しゃ断器用の溶浸
合金接点を銅製の補助電極板上に強固に接合することが
でき、更に本発明の接合法では、接合時にろう材が溶浸
合金接点内部に拡散、浸透することがきわめて少なく1
本来の接点性能を損なわないという効果がある@
合金接点を銅製の補助電極板上に強固に接合することが
でき、更に本発明の接合法では、接合時にろう材が溶浸
合金接点内部に拡散、浸透することがきわめて少なく1
本来の接点性能を損なわないという効果がある@
第1図は本発明に係る真空しゃ断器用真空パルプの縦断
面図、第2図は接合法を示す図である。 30・・・溶浸合金接点、31・・・インサート制’
(BCuP第2m
面図、第2図は接合法を示す図である。 30・・・溶浸合金接点、31・・・インサート制’
(BCuP第2m
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■、実質的に耐火性金属粉末の多孔質焼結体中に導電性
利料を溶浸した複合金属接点を導電性部月上に部材加熱
により圧接した構造を有することを特徴とする真空しゃ
断器用電極の接合方法。 2、特許請求の範囲第1項において、前記実質的に耐火
性金属はI’ el N j * Co+ C’ *
MO+ w。 Taの)ちの少なくともいずれか一種以上を主成分とす
ることを特徴とする真空しゃ断器用電極の接合方法。 3、特許請求の範囲第1項において、前記導電性拐料A
gもしくはAg合金の一種以上よりなることを特徴とす
る真空しゃ断器用電極の接合方法。 4、%許請求の範囲第3項において、Ag合金はPb、
B i、 ’I”e、 Se、 Sb、 Cd ナト
ノ低融点・高蒸気圧なる元素をいずれか一独以上を含む
ことを特徴とする真空しゃ断器用電極の接合方法。 5、朱F許請q(の範囲第3珀において、Act介全は
Ag2’l’e、 Ag2SeなどのAgカルコゲナイ
ドを主成分とすることを特徴とする兵窒しゃ断器用IH
L極の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16919783A JPS6062020A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 真空しや断器用電極の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16919783A JPS6062020A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 真空しや断器用電極の接合方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6062020A true JPS6062020A (ja) | 1985-04-10 |
Family
ID=15882006
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16919783A Pending JPS6062020A (ja) | 1983-09-16 | 1983-09-16 | 真空しや断器用電極の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6062020A (ja) |
-
1983
- 1983-09-16 JP JP16919783A patent/JPS6062020A/ja active Pending
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