JPS6064237A - 水分浸入度測定法 - Google Patents
水分浸入度測定法Info
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- JPS6064237A JPS6064237A JP58172138A JP17213883A JPS6064237A JP S6064237 A JPS6064237 A JP S6064237A JP 58172138 A JP58172138 A JP 58172138A JP 17213883 A JP17213883 A JP 17213883A JP S6064237 A JPS6064237 A JP S6064237A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
- G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
- G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、樹脂封止半導体素子の高温高湿下における水
分の浸入経路および浸入距離の測定法に関するものであ
る。通常、エポキシ樹脂に代表される樹力旨」゛１止半
導体素子の高温高湿下における劣化は、水分が樹脂のバ
ルク及びリードとセミｌ脂の界面から浸入し、素子表面
に到達することによると考えられている。
分の浸入経路および浸入距離の測定法に関するものであ
る。通常、エポキシ樹脂に代表される樹力旨」゛１止半
導体素子の高温高湿下における劣化は、水分が樹脂のバ
ルク及びリードとセミｌ脂の界面から浸入し、素子表面
に到達することによると考えられている。
この水の浸入経路をｉＥ関する方法あるいは樹脂の良否
を判定する方法として、６ｅ来赤色浸透液を用いるレッ
ドチェック法がちる。レッドチェック法は樹脂封止半導
体を赤インクに浸漬し、８５℃あるいは１２５℃で加温
して、一定時間経過したザンプルン取り出し樹脂とリー
ドの界面を剥離し、リード部あるいはリード跡の樹脂面
の赤色の着色部分を観察するものである。
を判定する方法として、６ｅ来赤色浸透液を用いるレッ
ドチェック法がちる。レッドチェック法は樹脂封止半導
体を赤インクに浸漬し、８５℃あるいは１２５℃で加温
して、一定時間経過したザンプルン取り出し樹脂とリー
ドの界面を剥離し、リード部あるいはリード跡の樹脂面
の赤色の着色部分を観察するものである。
しかしこの方法では浸入量が微量の場合着色程度が弱く
、またサンプルを数日間放置すると赤色が変色し薄くな
って、外観上、識別が不ｉｉＪ能であシ、内部まで浸入
していないものと見誤って判断する恐れが多かった。
、またサンプルを数日間放置すると赤色が変色し薄くな
って、外観上、識別が不ｉｉＪ能であシ、内部まで浸入
していないものと見誤って判断する恐れが多かった。
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであシ、その目
的は微量の水分でも正確に浸入の先端才でとらえる測定
法を提供することにある。
的は微量の水分でも正確に浸入の先端才でとらえる測定
法を提供することにある。
即ち、樹脂封止半導体素子に対して、樹脂中に含まれな
い元素を溶解した水溶液に浸び１したのち、半導体素子
と樹脂をリード面を境にし−〔剥離させ、Ｘ線マイクロ
アナライザーにて元素の浸入量Ｆ＋をみる事を特徴とす
る水分侵入度測定法である。
い元素を溶解した水溶液に浸び１したのち、半導体素子
と樹脂をリード面を境にし−〔剥離させ、Ｘ線マイクロ
アナライザーにて元素の浸入量Ｆ＋をみる事を特徴とす
る水分侵入度測定法である。
微量分析にはＸ線マイクロアナライザーによる元素の定
性定量分析が一般によく使用されている。
性定量分析が一般によく使用されている。
そのため、浸漬する水溶液の中にトレーサとして樹脂封
止半導体素子の構成元素に含まれないもので、Ｘ線マイ
クロアナライザーでの分析感度の高い元素を選ぶこ七に
着目した。
止半導体素子の構成元素に含まれないもので、Ｘ線マイ
クロアナライザーでの分析感度の高い元素を選ぶこ七に
着目した。
樹脂成分にハシジン中にＣ，）ｆ、ＮＳＯ，Ｃ７、Ｂｒ
、充填剤にＳｉ、 ＯＷＮ；？！：剤に５ｂ６ｏ他ｒＲ
ｊＡ（ＤＡｔ。
、充填剤にＳｉ、 ＯＷＮ；？！：剤に５ｂ６ｏ他ｒＲ
ｊＡ（ＤＡｔ。
Ｆｅ、 Ｎｉ５Ｃｕ、 Ｋ、 Ｃａ、 Ｚｎ等が存在す
るリード部にはＦｅ、 Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、 Ｎ
ｂ笠、素子部にはＡｔ、Ｐ、Ｓｉ、 Ｂ 、 Ａｕ、
Ａｇ等の存在の可能性があυ、これらの以外の元素で、
水溶性の高いものを選択すると効果的テアル。具体的Ｋ
Ｕ、Ｋｌ、 ＣｄＣ７２、Ｃ５Ｃｔ２、ＭｎＣ４２、Ｉ
ｎＣ４３、ＴｔＮＯ３、Ｓｒ （Ｃ，，４０３）２、Ｎ
ｂｃｔｌ等がある。使用出来るトレーサーの０度は、ｏ
ｏ５〜ｉｏｗｔチであり、好寸しくは１〜５ｗｔ係であ
る。
るリード部にはＦｅ、 Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、 Ｎ
ｂ笠、素子部にはＡｔ、Ｐ、Ｓｉ、 Ｂ 、 Ａｕ、
Ａｇ等の存在の可能性があυ、これらの以外の元素で、
水溶性の高いものを選択すると効果的テアル。具体的Ｋ
Ｕ、Ｋｌ、 ＣｄＣ７２、Ｃ５Ｃｔ２、ＭｎＣ４２、Ｉ
ｎＣ４３、ＴｔＮＯ３、Ｓｒ （Ｃ，，４０３）２、Ｎ
ｂｃｔｌ等がある。使用出来るトレーサーの０度は、ｏ
ｏ５〜ｉｏｗｔチであり、好寸しくは１〜５ｗｔ係であ
る。
トレーサー濃度が０．０５ｗｔ％以下の場合、検出しな
浸入部の判定が出来ない。
浸入部の判定が出来ない。
浸入部は、第１図に示す様な判定基準に基づいて、測定
、比較した。第１図は１６ｐＤＩＰ成形品の半導体素子
と樹脂を剥離させた樹脂部分の平面図であり、斜線部囚
はリード跡で測定対象部分を示す。まだ■〜■の数値は
浸入部を示している。
、比較した。第１図は１６ｐＤＩＰ成形品の半導体素子
と樹脂を剥離させた樹脂部分の平面図であり、斜線部囚
はリード跡で測定対象部分を示す。まだ■〜■の数値は
浸入部を示している。
更に具体的に実施例にて説明する。エポキシ樹脂で模疑
素子を封入した１６ｐＤＩＰ成形品を、０４ｍｏｌｅＫ
Ｉあるいは、ＭｎＣ４２水溶液の入ったビーカー中に浸
漬し、プレッシャークツカー釜中１２５℃で加温し、２
０時間毎にサンプリングした。サンプリングした成形品
は、リードを境に剥離し、リード跡の樹脂面をＸ線マイ
クロアナライザーを使用して、■−あるいは胤 の浸入
位置を追跡した。
素子を封入した１６ｐＤＩＰ成形品を、０４ｍｏｌｅＫ
Ｉあるいは、ＭｎＣ４２水溶液の入ったビーカー中に浸
漬し、プレッシャークツカー釜中１２５℃で加温し、２
０時間毎にサンプリングした。サンプリングした成形品
は、リードを境に剥離し、リード跡の樹脂面をＸ線マイ
クロアナライザーを使用して、■−あるいは胤 の浸入
位置を追跡した。
尚比較として、赤インク（パイロット製）ｌ浸漬し、上
記と同様の処理の後、リードあるいはリード跡の樹脂面
の着色度を目視で観察した。
記と同様の処理の後、リードあるいはリード跡の樹脂面
の着色度を目視で観察した。
表１に示す結果の様に、赤インクを使用したＡ３場合、
扁１あるいはＡ２よシ浸大度が小さい。
扁１あるいはＡ２よシ浸大度が小さい。
これは浸入部分の先端は着色程度が弱く、外観上識別が
第１表
」
ｎ ＝ ３の平均
因Ｐ１ｔなため、見掛上手さな値となっている。一方、
扁１あるいはＡ２では、トレーサθみ度が低い個所でも
精度良く判定できると同時に、定量分析することＫよシ
、細い有意差がつけらｈる。
扁１あるいはＡ２では、トレーサθみ度が低い個所でも
精度良く判定できると同時に、定量分析することＫよシ
、細い有意差がつけらｈる。
ｍ１図はＩ ６ ｐＤＩＰ成形品の半導体素子と樹脂を
剥離させた樹脂部分の平面図である。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第１図
剥離させた樹脂部分の平面図である。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第１図
Claims (1)
- 樹脂封止半導体素子に対して、樹脂中に含賛れない元素
を溶解した水溶液に浸漬したのち半導体素子と樹脂をリ
ード面を境いに剥離させ、Ｘ線マイクロアナライザーに
て元素の浸入量ｆｄをみる事をＩＦ！ｊ徴とする水分侵
入度測定法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172138A JPS6064237A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 水分浸入度測定法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172138A JPS6064237A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 水分浸入度測定法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064237A true JPS6064237A (ja) | 1985-04-12 |
Family
ID=15936265
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172138A Pending JPS6064237A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 水分浸入度測定法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6064237A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112649509A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-13 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种塑封器件吸湿路径检测方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135474A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | To analyze a semiconductor device |
| JPS57192845A (en) * | 1981-04-14 | 1982-11-27 | Roi Jiyakuson Terii | Sensor for concentration of liquid |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP58172138A patent/JPS6064237A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS51135474A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | To analyze a semiconductor device |
| JPS57192845A (en) * | 1981-04-14 | 1982-11-27 | Roi Jiyakuson Terii | Sensor for concentration of liquid |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112649509A (zh) * | 2020-12-10 | 2021-04-13 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种塑封器件吸湿路径检测方法 |
| CN112649509B (zh) * | 2020-12-10 | 2023-03-10 | 航天科工防御技术研究试验中心 | 一种塑封器件吸湿路径检测方法 |
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