JPS6065760A - 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法 - Google Patents
高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法Info
- Publication number
- JPS6065760A JPS6065760A JP58173238A JP17323883A JPS6065760A JP S6065760 A JPS6065760 A JP S6065760A JP 58173238 A JP58173238 A JP 58173238A JP 17323883 A JP17323883 A JP 17323883A JP S6065760 A JPS6065760 A JP S6065760A
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- Japan
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- tin oxide
- oxide
- film material
- manufacture
- oxide film
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高電気伝導性酸化錫薄膜材料（ターゲット）の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
近年、電子工業の発展に伴い、光ディスク、磁気ヘッド
などの素子の製造に金属等の薄膜が多く用いられている
。
などの素子の製造に金属等の薄膜が多く用いられている
。
この薄膜の製造方法には、真空蒸着法、スパッタリング
法、イオンブレーティング法、化学蒸着法などがある。
法、イオンブレーティング法、化学蒸着法などがある。
真空蒸着法の蒸発源には、主にアルミニウム、銅。
銀、金、クロム、モリブデン、ケイ素などの金属が、イ
オンブレーティング法ではこの他に窒化チタン、窒化ク
ロム、炭化チタンなどが、化学蒸着法では、四塩化チタ
ン、四塩化ケイ素などの化学物質が、又、スパッタリン
グ法では金属の他にモリブデンシリサイド、タングステ
ンシリサイド。
オンブレーティング法ではこの他に窒化チタン、窒化ク
ロム、炭化チタンなどが、化学蒸着法では、四塩化チタ
ン、四塩化ケイ素などの化学物質が、又、スパッタリン
グ法では金属の他にモリブデンシリサイド、タングステ
ンシリサイド。
アルミナ、シリカなどがその用途に照らして用いられて
いる。
いる。
（空蒸着法の蒸発源は、塊などで用いるが、その形状は
それ程問わない。しかし、イオンプレーティ／グ、スパ
ッタリング法の場合には、蒸発源そのものに通電するの
で角状あるいは丸状など通電り、易い形状に加工する必
要がある。このような形状とするには金属の場合には、
金属を溶解し、これを所望の型に流し込む方法がとられ
ている。金属以外の酸化物や炭化物の場合には通常セラ
ミッをボールミルで十分粉砕混合し、有機物等のバイン
ダーを加えて成形後、所定の温度で焼成してそれぞれの
焼結体として得る。（これらイオンブレーティング、ス
パッタリング法でのこのような蒸発源をターゲットと通
称されている。） 本発明の電気伝導性酸化錫ターゲットは液晶。
それ程問わない。しかし、イオンプレーティ／グ、スパ
ッタリング法の場合には、蒸発源そのものに通電するの
で角状あるいは丸状など通電り、易い形状に加工する必
要がある。このような形状とするには金属の場合には、
金属を溶解し、これを所望の型に流し込む方法がとられ
ている。金属以外の酸化物や炭化物の場合には通常セラ
ミッをボールミルで十分粉砕混合し、有機物等のバイン
ダーを加えて成形後、所定の温度で焼成してそれぞれの
焼結体として得る。（これらイオンブレーティング、ス
パッタリング法でのこのような蒸発源をターゲットと通
称されている。） 本発明の電気伝導性酸化錫ターゲットは液晶。
ビデオ、テレビの撮像管、太陽電池などの受動素子の薄
膜透明電極の蒸発源（ターゲット）として着目され使用
されている。従来、例えば酸化アンチモンをドープした
電気伝導性酸化錫ターゲットは所定量の酸化アンチモン
と酸化錫粉末をボールミルで十分粉砕、混合しバインダ
ーを加えて、静水圧プレスにより成形、大気中１３００
℃〜１４５０℃で焼結し焼結体としている。このように
して得られた酸化錫ターゲットの比抵抗値はボールミル
中に混入する不純物や焼成中の結晶粒の成長のためにた
かだか数Ω・−副程度にしか到らない。又、この場合は
、酸化アンチモンと酸化錫とは、固相拡散反応であるの
で、均質な固溶体とするのは困難で、又焼結の際、焼結
助剤として酸化銅、酸化マンガンを用いるので、必然的
に不純分の多い製品となる。
膜透明電極の蒸発源（ターゲット）として着目され使用
されている。従来、例えば酸化アンチモンをドープした
電気伝導性酸化錫ターゲットは所定量の酸化アンチモン
と酸化錫粉末をボールミルで十分粉砕、混合しバインダ
ーを加えて、静水圧プレスにより成形、大気中１３００
℃〜１４５０℃で焼結し焼結体としている。このように
して得られた酸化錫ターゲットの比抵抗値はボールミル
中に混入する不純物や焼成中の結晶粒の成長のためにた
かだか数Ω・−副程度にしか到らない。又、この場合は
、酸化アンチモンと酸化錫とは、固相拡散反応であるの
で、均質な固溶体とするのは困難で、又焼結の際、焼結
助剤として酸化銅、酸化マンガンを用いるので、必然的
に不純分の多い製品となる。
本発明者らは、比抵抗値の低い酸化錫ターゲットの製造
法について鋭意研究した結果、本発明をするに到った。
法について鋭意研究した結果、本発明をするに到った。
ターゲットの比抵抗値を下げることは、受動素子の薄膜
透明電極の電気伝導性を良くし、基板の温度上昇を防ぐ
と共に、応答速度を向上させるばかり、でなく、作動中
のターゲット表面温度の上昇をも防ぐこととなシ極めて
重要な意味をもつ。
透明電極の電気伝導性を良くし、基板の温度上昇を防ぐ
と共に、応答速度を向上させるばかり、でなく、作動中
のターゲット表面温度の上昇をも防ぐこととなシ極めて
重要な意味をもつ。
本発明によれば、アンチモン、インジウム、ガリウム、
ビスマスの酸化物の少なくとも１種を固溶した粒径１ミ
′クロン以下の酸化物微粒体を用い、静水圧プレスある
いは大気中または不活性雰囲気下で焼結させることによ
シ比抵抗値１ｏ−”ａ ａｎオーダーの良電気伝導性酸
化錫ターゲットをうろことができる。
ビスマスの酸化物の少なくとも１種を固溶した粒径１ミ
′クロン以下の酸化物微粒体を用い、静水圧プレスある
いは大気中または不活性雰囲気下で焼結させることによ
シ比抵抗値１ｏ−”ａ ａｎオーダーの良電気伝導性酸
化錫ターゲットをうろことができる。
本発明を更に詳述する。
本発明は、１μ以下の粒径を持つ微細な酸化錫を用いる
ことが特徴であるが、この様な酸化錫を得るには、例え
ば錫塩と酸化錫に固溶させる金属塩の水溶液からｐＨ調
節などの手段で得た沈澱を乾燥し３００〜１２００℃程
度の温度で加熱することによシ得られる。このようにし
て得られた微粒体の成形性は極めて良好で、軽い解砕後
簡単な機械プレスと静水圧プレスを加えることによシ、
十分、スパッタリングあるいはイオンブレーティング用
のターゲットに供しつるターゲットを得る。
ことが特徴であるが、この様な酸化錫を得るには、例え
ば錫塩と酸化錫に固溶させる金属塩の水溶液からｐＨ調
節などの手段で得た沈澱を乾燥し３００〜１２００℃程
度の温度で加熱することによシ得られる。このようにし
て得られた微粒体の成形性は極めて良好で、軽い解砕後
簡単な機械プレスと静水圧プレスを加えることによシ、
十分、スパッタリングあるいはイオンブレーティング用
のターゲットに供しつるターゲットを得る。
さらに機械的強度を要する場合には、このようにして調
製した成形体を大気中５００〜１０００℃で焼成すれば
良い。焼成雰囲気は、チッ素ガスなどの不活性雰囲気で
行うことも出来る。このようにして得られた酸化錫ター
ゲットは他の金属酸化物の含有量にもよるが、通常の方
法によって得られるものにくらべて約１７１００の比抵
抗値をもつ。また、通常の電気伝導性酸化錫ターゲット
は、酸化錫と他金属の酸化物を混合し成形１３００〜１
４５０℃で焼成して得ることとくらべて、本発明の方法
は、焼成の場合でも比較的低い温度で良い。
製した成形体を大気中５００〜１０００℃で焼成すれば
良い。焼成雰囲気は、チッ素ガスなどの不活性雰囲気で
行うことも出来る。このようにして得られた酸化錫ター
ゲットは他の金属酸化物の含有量にもよるが、通常の方
法によって得られるものにくらべて約１７１００の比抵
抗値をもつ。また、通常の電気伝導性酸化錫ターゲット
は、酸化錫と他金属の酸化物を混合し成形１３００〜１
４５０℃で焼成して得ることとくらべて、本発明の方法
は、焼成の場合でも比較的低い温度で良い。
本発明で酸化錫にドープされる物質は、酸化錫を半導体
化させるものであればよく、また目的によって種々の物
質が選ばれる。例えばドープされる物質は、アンチモン
、インジウム、ガリウム。
化させるものであればよく、また目的によって種々の物
質が選ばれる。例えばドープされる物質は、アンチモン
、インジウム、ガリウム。
ビスマスなどの中から選ばれる。これら物質の含量はα
０１〜１０モルチで充分である。
０１〜１０モルチで充分である。
本発明を実施例をもって以下に説明するが、本発明はこ
れら実施例に限定されるものではない。
れら実施例に限定されるものではない。
実施例１
水１０００ ｍ１ｉｃ ５ｎｏ１４−５ｒ％０ ２４９
を含む溶液と塩化アンチモン １ ｇを加え、これに６
Ｎ−Ｎｌ観Ｈを加え、攪拌しながらｐ’Ｈ５〜７に調製
し、沈澱を得た。これを水洗分離し、７００−のｎ −
ブチルアルコール中で加熱蒸留し、沸点が１０５℃にな
った時点で加熱を止め、冷却後、ｎ−ブチルアルコール
を分離し、沈澱物を乾燥し、６５０℃で１時間加熱して
５００〜１ｏｏｏＸのアンチモンドープ酸化錫微粒体を
得た。これを１０鰭φの金型に入れプレス圧３００ｋｇ
／ｃｔｄでプレスし、次にプレス圧１０００ｋｇ／ｃＩ
Ｉｔで静水圧プレスして焼成用サンプルとした。焼成は
大気中８００℃で５時間行った。得られた焼結体の比重
は＆４・比抵抗１．５Ｘ１０−”Ω・ｃｎＬ（四探針法
）であった。
を含む溶液と塩化アンチモン １ ｇを加え、これに６
Ｎ−Ｎｌ観Ｈを加え、攪拌しながらｐ’Ｈ５〜７に調製
し、沈澱を得た。これを水洗分離し、７００−のｎ −
ブチルアルコール中で加熱蒸留し、沸点が１０５℃にな
った時点で加熱を止め、冷却後、ｎ−ブチルアルコール
を分離し、沈澱物を乾燥し、６５０℃で１時間加熱して
５００〜１ｏｏｏＸのアンチモンドープ酸化錫微粒体を
得た。これを１０鰭φの金型に入れプレス圧３００ｋｇ
／ｃｔｄでプレスし、次にプレス圧１０００ｋｇ／ｃＩ
Ｉｔで静水圧プレスして焼成用サンプルとした。焼成は
大気中８００℃で５時間行った。得られた焼結体の比重
は＆４・比抵抗１．５Ｘ１０−”Ω・ｃｎＬ（四探針法
）であった。
実施例２
実施例１で得た粉体を実施例１と同様に成形し、大気中
１０００℃で６時間焼成した。得られた焼結体の比重は
＆３、比抵抗２．４ＸＩＱ−２Ω←蒲であった。焼結体
の表面は少し白味が出ていた。
１０００℃で６時間焼成した。得られた焼結体の比重は
＆３、比抵抗２．４ＸＩＱ−２Ω←蒲であった。焼結体
の表面は少し白味が出ていた。
実施例３
実施例１で得た粉体を、２０００に９／ｃｍで静水圧プ
レスで成形体を得た。成形体は比重五２で熱く、比抵抗
は３ｇ・鋸であった。
レスで成形体を得た。成形体は比重五２で熱く、比抵抗
は３ｇ・鋸であった。
通常の固相反応でつくられる粉体を成形しただけでは絶
縁体である。
縁体である。
手続補正書
昭和５８年１２月２０日
特Ｗ「庁長官 若 杉 和 夫 殿
１事件の表示
昭和５８年特許願第 １７３２３８ 号２発明の名称
高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法
６補正をする者
事件と゛の関係 特許出願人
４補正命令の日付
自 発
５補正により増加する発明の数 ０
６補正の対象
明細書の特許請求の範囲の欄
７補正の内容
（１） 明細書の特許請求の範囲を別紙のとおシ補正す
る。
る。
２、特許請求の範囲
（１） 酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化ガリウ
ム、酸化ビスマスの少なくとも１種を固溶した粒径１μ
以下の微粒酸化錫を加圧成形及び／又は焼結することを
特徴とする酸化錫薄膜材料の製造法。
ム、酸化ビスマスの少なくとも１種を固溶した粒径１μ
以下の微粒酸化錫を加圧成形及び／又は焼結することを
特徴とする酸化錫薄膜材料の製造法。
Claims (1)
- （１）酸化アンチモン、酸化インジウム、酸化カリウム
、酸化ビスの少なくとも１種を固溶した粒径１μ以下の
微粒酸化錫を加圧成形及び／又は焼結することを特徴と
する酸化錫薄膜材料の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173238A JPS6065760A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58173238A JPS6065760A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065760A true JPS6065760A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15956711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58173238A Pending JPS6065760A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 高電気伝導性酸化錫薄膜材料の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065760A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01290551A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0243356A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-13 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US4937148A (en) * | 1986-03-06 | 1990-06-26 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Process for preparing conductive fine particles |
| US5407602A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide |
| WO1995018080A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-06 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film |
| WO2006043333A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | ガスバリア性透明樹脂基板、その製造方法、およびガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58173238A patent/JPS6065760A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4937148A (en) * | 1986-03-06 | 1990-06-26 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Process for preparing conductive fine particles |
| JPH01290551A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| JPH0243356A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-13 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US5407602A (en) * | 1993-10-27 | 1995-04-18 | At&T Corp. | Transparent conductors comprising gallium-indium-oxide |
| WO1995018080A1 (en) * | 1993-12-28 | 1995-07-06 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Ito sintered body, ito transparent conductive film and method of forming the film |
| WO2006043333A1 (ja) * | 2004-10-22 | 2006-04-27 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | ガスバリア性透明樹脂基板、その製造方法、およびガスバリア性透明樹脂基板を用いたフレキシブル表示素子 |
| EP1825995A4 (en) * | 2004-10-22 | 2012-01-18 | Sumitomo Metal Mining Co | TRANSPARENT RESIN COMPRESSOR WITH GASPER PROPERTIES, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND THE TRANSPARENT RESIN COMPRESSOR WITH GASPER PROPERTIES USING THE FLEXIBLE DISPLAY ELEMENT |
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