JPS6066479A - 光導電セル - Google Patents
光導電セルInfo
- Publication number
- JPS6066479A JPS6066479A JP58174091A JP17409183A JPS6066479A JP S6066479 A JPS6066479 A JP S6066479A JP 58174091 A JP58174091 A JP 58174091A JP 17409183 A JP17409183 A JP 17409183A JP S6066479 A JPS6066479 A JP S6066479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive cell
- sensitivity
- cdte
- cds
- photoconductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F30/00—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors
- H10F30/10—Individual radiation-sensitive semiconductor devices in which radiation controls the flow of current through the devices, e.g. photodetectors the devices being sensitive to infrared radiation, visible or ultraviolet radiation, and having no potential barriers, e.g. photoresistors
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分’Ｊ！ｆ ）
本発明は光導′市セル、特に分光感度が人間の視感度分
布曲線に合致すると同時に応答速度の速い光導電セルに
関するものである。
布曲線に合致すると同時に応答速度の速い光導電セルに
関するものである。
（従来例の構成とその問題点）
光導電セルは、光の照射によって電気抵抗の変化する抵
抗体であり、従来使用されている光導電物質としてはそ
の用途によシ、ＣｄＳ 、 ’ＣｄＳ −ＣｄＳｅ。
抗体であり、従来使用されている光導電物質としてはそ
の用途によシ、ＣｄＳ 、 ’ＣｄＳ −ＣｄＳｅ。
ｐｂｓなどがある。
光導電セルの応答特性、分光感度特性は光導電体自身の
禁止相中や光導電体に含まれる不純物や格子欠陥によっ
て決まる。光導電セルを用いて人間の眼に感じる明るさ
の程度、すなわち照度を観測する場合にはその分光感度
曲線が人間の視感度曲線に合致していることが望ましい
。光導電セルの分光感度のピークの位置は光導電体の基
礎吸収端にほぼ合致するためＣｄＴｅ単相の分光感度の
ピークの位置は近赤外に存在し、人間の視感度帯内のス
ペクトルをもつ光源に対しては充分な感度が得られない
。
禁止相中や光導電体に含まれる不純物や格子欠陥によっ
て決まる。光導電セルを用いて人間の眼に感じる明るさ
の程度、すなわち照度を観測する場合にはその分光感度
曲線が人間の視感度曲線に合致していることが望ましい
。光導電セルの分光感度のピークの位置は光導電体の基
礎吸収端にほぼ合致するためＣｄＴｅ単相の分光感度の
ピークの位置は近赤外に存在し、人間の視感度帯内のス
ペクトルをもつ光源に対しては充分な感度が得られない
。
従来、（増感剤を添加した） ＣｄＳ扮末を基材として
焼結したいわゆるＣｄＳ光導電セルの禁止帯＋１１が２
４ｅｖで基礎吸収端が５００ｎｍ妊傍にあるので、その
最大感度波長はほぼ５００ｎｍ近傍となる。これに禁止
相中１．４５ ｅＶのＣｄＴｅ ｆ固溶させることによ
って最大感度波長を長波長側に移動させ得ることが可能
である。しかしながら、ＣｄＳとＣｄＴｅの固溶体のみ
では光照射時の抵抗が極めて高いという欠点があった。
焼結したいわゆるＣｄＳ光導電セルの禁止帯＋１１が２
４ｅｖで基礎吸収端が５００ｎｍ妊傍にあるので、その
最大感度波長はほぼ５００ｎｍ近傍となる。これに禁止
相中１．４５ ｅＶのＣｄＴｅ ｆ固溶させることによ
って最大感度波長を長波長側に移動させ得ることが可能
である。しかしながら、ＣｄＳとＣｄＴｅの固溶体のみ
では光照射時の抵抗が極めて高いという欠点があった。
即ち、光導電セルとしての感度が低いという欠点があっ
た。
た。
（発明の目的）
本発明は上記の欠点を除去し、分光感度が人間の視度感
度分布曲線に合致すると同時に高感度で応答速度の速い
光導電セルを提供することを目的とする。
度分布曲線に合致すると同時に高感度で応答速度の速い
光導電セルを提供することを目的とする。
（発明の構成）
本発明の光導電セルはＺｎＳ −ＣｄＴｅ系、ＺｎＳ
−ＣｄＳ −ＣｄＴｅ系およびＣｄＳ −ＣｄＴｅ系の
うちから選択された１種であって、そのＣｄＴｅが少な
くともｌＯモル係金型れているものを基本組成とするも
のであシ、これによシ、分光感度曲線が視感度帯内にあ
シ、且つ応答特注の速い光導電セルがｆＵられる。
−ＣｄＳ −ＣｄＴｅ系およびＣｄＳ −ＣｄＴｅ系の
うちから選択された１種であって、そのＣｄＴｅが少な
くともｌＯモル係金型れているものを基本組成とするも
のであシ、これによシ、分光感度曲線が視感度帯内にあ
シ、且つ応答特注の速い光導電セルがｆＵられる。
（実施例の説明）
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
市販の高純度ＣｄＳ 、 ＣｄＴｅ 微粉末を７０％：
３０％のモル比率で混合したのち、不活性雰囲気中で温
度６５０℃で焼成することにより組成ｋｋｌ”ｄ Ｓｏ
、７ Ｔｅｏ 、ｓの混晶が得られた。
３０％のモル比率で混合したのち、不活性雰囲気中で温
度６５０℃で焼成することにより組成ｋｋｌ”ｄ Ｓｏ
、７ Ｔｅｏ 、ｓの混晶が得られた。
〔実施例１〕
第１図は本発明の一実施例における光導電セルの模式断
面図を示す。図中に示すように、ガラス基板１上にＩ
ｎ ２０ ｓを含む透明電４ｉ１ｉｉ２を形成させたの
ち、その上に上記Ｃｄ５ｏ、７Ｔｅｏ、！ｌ混晶の膜３
を蒸着法で形成させる。蒸着時の基板温度は４００℃と
した。さらにその上にＩｎ−８ｎ電極４を蒸着法で形成
させる。このようにして得られた光導電セルの特性は光
応答速度１０Ｓｅｃ、感度１０ Ａ／ｌｘ、 ｔａｎ２
であった。第２図は第・１図に示す本発明による光導電
セルの分光感度曲線を示す。図から分るように人間の視
感度曲線によく合致している。
面図を示す。図中に示すように、ガラス基板１上にＩ
ｎ ２０ ｓを含む透明電４ｉ１ｉｉ２を形成させたの
ち、その上に上記Ｃｄ５ｏ、７Ｔｅｏ、！ｌ混晶の膜３
を蒸着法で形成させる。蒸着時の基板温度は４００℃と
した。さらにその上にＩｎ−８ｎ電極４を蒸着法で形成
させる。このようにして得られた光導電セルの特性は光
応答速度１０Ｓｅｃ、感度１０ Ａ／ｌｘ、 ｔａｎ２
であった。第２図は第・１図に示す本発明による光導電
セルの分光感度曲線を示す。図から分るように人間の視
感度曲線によく合致している。
〔実施例２〕
市販の高純度ＺｎＳ 、 ＣｄＳ 、 ＣｄＴｅ 微粉
末を２０係。
末を２０係。
４０％：４０％のモル比率で混合したものに増感剤とし
てＣｕＣＬを１０−４モル程度加えたのち、不活性雰囲
気中で温度６７０℃で焼成することによって、Ｚｎ５ｏ
、 Ｃｄ５（、、Ｔ（１０，４混晶が得られた。この上
うにして得られだｚｎＳｏ、２ＣｄＳｏ、４Ｔｅｏ、４
混晶を用いて第３図に示すガラス基板５上にＣｕＣ１を
増感剤として含むＺｎ５ｏ、２ＣｄＳｏ、４Ｔｅｏ、４
混晶膜６を蒸着法で形成させる。蒸着時の基板温度は４
３０℃とした。さらにこの上にＩｎ−３ｎ電極７を蒸着
法で形成させる。このようにして得られた光導電セルの
特性は光応答速度１０ｓｅｃ、感度１０−５Ａ／Ａｘ１
ｗｎ’であった。第４図は第３図に示す本発明による光
導電セルの分光感度曲線を示す。図から分るように第２
図と比較して長波長側の感度が増加している。
てＣｕＣＬを１０−４モル程度加えたのち、不活性雰囲
気中で温度６７０℃で焼成することによって、Ｚｎ５ｏ
、 Ｃｄ５（、、Ｔ（１０，４混晶が得られた。この上
うにして得られだｚｎＳｏ、２ＣｄＳｏ、４Ｔｅｏ、４
混晶を用いて第３図に示すガラス基板５上にＣｕＣ１を
増感剤として含むＺｎ５ｏ、２ＣｄＳｏ、４Ｔｅｏ、４
混晶膜６を蒸着法で形成させる。蒸着時の基板温度は４
３０℃とした。さらにこの上にＩｎ−３ｎ電極７を蒸着
法で形成させる。このようにして得られた光導電セルの
特性は光応答速度１０ｓｅｃ、感度１０−５Ａ／Ａｘ１
ｗｎ’であった。第４図は第３図に示す本発明による光
導電セルの分光感度曲線を示す。図から分るように第２
図と比較して長波長側の感度が増加している。
（発明の効果）
以上の説明から明らか々ように本発明によれば、高速応
答特性を有し、且つ高感度の光２ｊ’ｈ電セルが得られ
る。その応用例としては各種の高速度ｔｆＪｃ取り用光
センサとしてその適用範囲は広い。
答特性を有し、且つ高感度の光２ｊ’ｈ電セルが得られ
る。その応用例としては各種の高速度ｔｆＪｃ取り用光
センサとしてその適用範囲は広い。
第１図、第３図は本２発明の実施例における光導電セル
の模式断面図、第２図、第４図はそれぞれ第１図、第３
図に示す光導電セルの分光感度曲線を示す。 １・・・ガラス基板、２・・透明電極、３・・・Ｃｄ５
０．７Ｔｅ０．３混晶膜、４・・・Ｉｎ−３ｎ電極、５
・・・ガラス基板、６・・・Ｚｎ５ｏ、２ＣｄＳｏ、４
Ｔｅｏ、４混晶膜、７− Ｉｎ−８ｎ ’ｉｆ極、８・
・・入射光。 特許出願人 松下電器産業株式会社１１、。 代理人星 野 恒 司
の模式断面図、第２図、第４図はそれぞれ第１図、第３
図に示す光導電セルの分光感度曲線を示す。 １・・・ガラス基板、２・・透明電極、３・・・Ｃｄ５
０．７Ｔｅ０．３混晶膜、４・・・Ｉｎ−３ｎ電極、５
・・・ガラス基板、６・・・Ｚｎ５ｏ、２ＣｄＳｏ、４
Ｔｅｏ、４混晶膜、７− Ｉｎ−８ｎ ’ｉｆ極、８・
・・入射光。 特許出願人 松下電器産業株式会社１１、。 代理人星 野 恒 司
Claims (2)
- （１） ＺｎＳ −ＣｄＴｅ系、 ＺｎＳ −ＣｄＳ
−ＣｄＴｅ系およびＣｄＳ −ＣｄＴｅ系のうちから選
択された１種であって、そのＣｄＴｅが少なくとも１０
モル係金型れているものを基本組成したことを特徴とす
る光導電セル。 - （２） 増感剤としてＣｕＣ１を添加したことを特徴と
する特許請求の範囲第（１）項記載の光導′ｔｌｉセル
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174091A JPS6066479A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光導電セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58174091A JPS6066479A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光導電セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6066479A true JPS6066479A (ja) | 1985-04-16 |
Family
ID=15972491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58174091A Pending JPS6066479A (ja) | 1983-09-22 | 1983-09-22 | 光導電セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6066479A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920394A (en) * | 1984-08-31 | 1990-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photo-sensing device with S-shaped response curve |
-
1983
- 1983-09-22 JP JP58174091A patent/JPS6066479A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4920394A (en) * | 1984-08-31 | 1990-04-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Photo-sensing device with S-shaped response curve |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2765385A (en) | Sintered photoconducting layers | |
| JPS62113736A (ja) | 赤外線透過性カルコゲンガラス | |
| JP2023059941A (ja) | カルコゲナイドガラス材 | |
| JPS6066479A (ja) | 光導電セル | |
| US3110685A (en) | Semiconductive materials containing thallium | |
| FR2496684A1 (fr) | Luminophore d'oxyhalogenure de terre rare, son procede de fabrication et ecran pour rayons x utilisant un tel luminophore | |
| US4019809A (en) | Electrochromic display device | |
| Phillips | Properties of cathodochromic sodalite | |
| US3966470A (en) | Photo-conductive coating containing Ge, S, and Pb or Sn | |
| US2957152A (en) | Radiation-sensitive device and method of making | |
| US3598750A (en) | Photochromic image device | |
| US3706688A (en) | Glass color filter for use under daylight color fluorescent light | |
| US4104065A (en) | Process for preparation of photoconductive powders of cadmium sulfide type materials | |
| Abdinov et al. | Phototrigger effect in indium and gallium selenide single crystals | |
| US3666450A (en) | Photoconductive ternary alloy of cadmium,selenium and mercury | |
| KR890005919A (ko) | Cd₁-xZnxS 소격막의 제조 방법 | |
| JPS6295868A (ja) | 光電変換素子 | |
| SU1175901A1 (ru) | Стекло | |
| SU723697A1 (ru) | Фоточувствительный материал | |
| JPS5921533B2 (ja) | 光伝導単結晶の製造法 | |
| JP2538252B2 (ja) | 光センサの製造方法 | |
| JPS60227341A (ja) | 撮像管の光導電タ−ゲツト | |
| Turpin et al. | Photodarkening in amorphous Ge 1− x Sn x Se 2 films | |
| Minami et al. | Photoconductivity of oxychalcogenide glasses in the system As2Se3 CdO | |
| SU657478A1 (ru) | Фоточувствительный материал на основе селенида олова |